第八章 場效電晶體放大器2016!03!29
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第八章 : 場效電晶體放大器
§ 8-1 引言
1、FET放大器的特性 (1)具較高的輸入電阻 (2)具較低的功率消耗 (3)具較寬的頻率響應範圍
2、與.BJT放大器的差異 (1)BJT為 “電流控制裝置”,用 I B控制 I C ,”電流放大因數 β”, I C =β I B。 (2)FET為 “電壓控制裝置”,用 V GS 控制 I D,“電導因數 g m”。
(3)FET放大器的電壓增益遠小於.BJT放大器。
3、FET放大器的組態 (1)共源極電路:做電壓放大器,產生反相之放大訊號,高 Ri高 RO。 (2)共汲極電路:做電壓緩衝器,電壓增益 AV ≒1,又稱源極隨耦器,提供
高 Ri低 RO。 (3)共閘極電路:有非反相的電壓增益,但其低 Ri高 RO,不適合做電壓放大器。
4、放大器的交流分析,包含 (1)電壓增益 AV (2)輸入電阻 Ri (3)輸出電阻 RO
5、 (1)FET的轉移方程式為二次方程式,即轉移曲線為非線性,故 FET只能做小
訊號放大。
(2
)轉移方程式為夾止區的輸出特性方程式
2t GS D V V K I ,或
2
1
P
GS DSS D
V
V I I ,其中
2
P
DSS
V
I K , P t V V
-
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2
①①
②
①
②
②
←
非等距(
非線性)
↓
非
線
性
①①
②
①
②
②
①①
②
①
②
②
←
非等距(
非線性)
↓
非
線
性
§ 8-2 場效電晶體的小訊號模型
1、FET為 “電壓控制裝置”,用 V GS 控制 I D,“電導因數 g m”。 2、輸入端:閘極
FET的閘極(G),與通道不導通,故閘極與通道為分離的。 3
、輸出端:通道
(1)為相依電流源 g mv gs (2)電流源內阻 r o 或 r d
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3
NOTE :IEEE規定電晶體電流、電壓 lable(記號) 例:(以下用來描述電晶體端點 B的電流,電壓亦是相同原則)
)有效量(:
總量:
)量瞬(:
直 :
交流
時交流
流量
b
b B B
b
B
I
i I i
i
I
4、 r o 或 r d (1)在工作點 (Q -點 )處,選一小段 △V DS,對應△ I D 。
(2
) D A
D
DS
I
V
I
V
or
V A:歐萊電壓
(3)理想輸出特性曲線為水平 D-S兩端的輸出電阻 or =∞ (開路) 。
(4)夾止區的輸出特性曲線為微微上揚的直線。
(5
)每一條夾止區的輸出特性曲線往-X
軸方向延伸,皆會相交於相同一點,此點的電壓值記為-VA ,V A:歐萊電壓。 4、 g m 之定義
GS
D
V
I
mg
(1)附圖為 n-ch JFET的轉移曲線 (2) g m表示轉移曲線在 Q點的斜率,
亦即轉移方程式在 Q點的微分。
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5、 g m 之公式
(1)由2
1
P
GS
DSS DV
V I I
方程式在 Q-點將 I D 對 V GS 取微分得之
P
GS
P
DSS
P P
GS DSS
P
GS
GS P
GS DSS
P
GS DSS
GS GS
D
V
V
V
I
V V
V I
V
V
dV
d
V
V I
V
V I
dV
d
dV
dI
1)(
2)
10(12
1121
2
註:n-ch.JFET,VP為負
P
GS
P
DSS
GS
D
V
V
V
I
dV
dI 1
)(
2 為正。
p-ch.JFET,VP為正
P
GS
P
DSS
GS
D
V V
V I
dV dI 1
)(2 為負。
為使 g m 不論 n-ch或 p-ch皆為正值,上式(-VP) ,“-”號去除且 V P 取絕對值。
公式:轉移電導 msV
V
V
I g
P
GS
P
DSS m :單位1
2
當 V GS =0時,得最大 g m 值,記 g mo, P
DSS
V
I 2gmo 。
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5
(2)由 2t GS D V V K I
)(2)01)((2
)()(2)(2
t GS t GS
t GS
GS
t GS t GS
GS GS
D
V V K V V K
V V dV
d V V K V V K
dV
d
dV
dI
公式:轉移電導 )(2g m t GS V V K
§ 8-3 共源極放大器
說明:(1)電路使用接面場效電晶體(2)直流用固定偏壓
目的 分析電路的(1)電壓增益 AV (2)輸入電阻 Ri(3)輸出電阻 RO
步驟:
1、劃交流等效電路 (1)交連電容 C 1 和 C 2,目的在阻隔直流,耦合交流 交流分析中視為短路 。(2)直流電壓源 -V GG 及 +V DD,令為零。 (3)FET用小訊號模型
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注意:(1)電流源 g mV gs 的方向為實際方向。 (2)電流為實際方向電壓降的正或負才有意義。
2、交流分析
(1)電壓增益 AV V i=V gs V o=- g mV gs( R D∥r o) AV =- g m ( R D∥r o)
(2)輸入電阻 Ri Ri= RG
(3)輸出電阻 RO
O
OO
I
V R ,條件:令 V i=0,且不含 R L
o DO r R //R
例題 1、對下圖,固定偏壓之共源極組態電路, I DSS = 10mA, V P = -8V,且V A=140V
,求(1
)電壓增益 AV
(2
)輸入電阻 Ri
(3
)輸出電阻 RO
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2、交流三特性
(1)電壓增益 V A )//( o Dm
i
oV r R g
V
V A
(2)輸入電阻 i R Gi R R
(3)輸出電阻 O R O DO r R R //
例題 1. 下圖電路,設 JFET參數 IDSS= 8mA、V p=-4V、VA=100V,求下圖電路
(1)電壓增益 V A (2)輸入電阻 i R (3)輸出電阻 O R
Solution: (一)、直流部份
(1) 1 DS DGS I R I V
(2)
-
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9
22
22
2
148
16
1
2
118
4181 D D D D
D
P
GS
DSS D I I I I I
V
V I I
)(820852
1 2
不合或 mAmA I I I D D D
(3) V I V DGS 21
(4) V R R I V V S D D DD DS 10)14(220)(
(5) V V V V GS P sat DS 2)2()4()(
(二)、交流参數部份
(1) k I
V r
D
AO 50
2
100
(2) 轉移電導 msV
V
V
I g
P
GS
P
DSS m 2
4
21
4
821
2
(三)、交流特性部份
(1)電壓增益 V A
4.77.32
54
2002
504
5042)50//4(2)//(
o Dm
i
oV r R g
V
V A
(2)輸入電阻 i R M R R Gi 1
( 3)輸出電阻 O R
k r R R O DO 7.350//4//
例題 2. 對下圖,自給偏壓之共源極組態電路,已知参數 I DSS = 4mA, V P= -2V,且歐萊電壓 V A=100V,求(1)電壓增益 AV (2)輸入電阻 Ri(3)輸出電阻 RO
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解:(一)、直流部份
(1) 1 DS DGS I R I V
(2)22
22
444
114
2141 D D D D
D
P
GS DSS D I I I I
I
V
V I I
)(410452 不合或 mAmA I I I D D D
(3) V I V DGS 11
(4) V R I V V D D DD D 123115
(5) V R R I V V S D D DD DS 11)13(115)(
(二)交流參數部份
(1) k I
V r
D
AO 100
(2) 轉移電導 msV V
V I g
P
GS
P
DSS m 2
211
24212
(三)交流特性部份
畫交流等效電路【方法:令(1)直流=0 (2) 電容 C短路 (3)FET用模型)】
-
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(電流源方向為實際電流方向,外接負載 RL,與 RD並聯)
(1)電壓增益 V A
3)100//3//3(2)////( o L Dmi
oV r R R g
V
V A
NOTE:此電路有外接負載 RL,RL要與 O D r R // 再並聯。
(2)輸入電阻 i R M R R Gi 1
(3)輸出電阻 O R k r R R O DO 31 0 0//3//
NOTE:電路的輸出電阻 O R ,是不包含 RL的。
問題:為何 FET放大器的放大倍數 (電壓增益 V A )一般都很小(甚小於 BJT放大器)?
Ans:FET放大器的 3種組態:共源,共洩,共閘。 做電壓放大,需用共源極放大器,有旁路電容時電壓增益 V A 較無旁路電容時大。
本電路: 3)3//3(2)//()////( L Dmo L Dmi
oV R R g r R R g
V
V A
(1)
轉移電導 m g 小,一般在個位數 ms級;而 BJT的 值較大,典型:100~200。
本電路: msV
V
V
I g
P
GS
P
DSS m 2
2
11
2
421
2
(2) RD不可太大,否則 FET會落在歐姆區,不是放大器的工作區(夾止區)。
NOTE:FET要在夾止區,電路的 DS V 要大於 )( sat DS V 。
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二、共源極組態電路,無旁路電容 C S ,且考慮 r o的情況:
(此解說電路的 FET用 JFET,偏壓用自給偏壓)
分析步驟:
1、劃交流等效電路(端點 D不能標在節點上,如下圖應往左標)
2、交流三特性
(1)
電壓增益 V A
[輸入 KVL] V i=V gs+V RS=V gs+ I D RS V gs=V i- I D RS
[輸出 KCL] I D= g mV gs+ I’= g mV gs+(V o-V RS )/r d= g m(V i- I D RS )+(- I D R D- I D RS )/r d
I D [1+ RS g m+( R D+ RS )/r d ]= g mV i
d
DS S m
im D
r
R R R g
V g
1
I
-
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13
R
1
-R -IV DDD
d
DS S m
imO
r
R R R g
V g
d
DS S m
Dm
i
o
V
r
R R R g
R g
V
V
A
1 ------------公式(記)
相位關係
V i 與 V o 相位差為 180°(2) 輸入電阻 i R
Gi R R
(3) 輸出電阻 O R
令 V i=0V V G=0V(接地) V RG=0V(短路)
[KVL] V gs+V RS=0
V gs=-V RS =-( I o+ I D) RS
[KCL] I o= g mV gs+ I ’- I D , I ’=(V O-V RS )/r d
I o = g mV gs+(V O-(-V gs))/r d - I D
=( g m+1/r d )V gs+1/r d (- I D R D)- I D
=
-( I o
+ I D) RS ( g m
+1/r d )
-( R D /r d
+1) I D
I o(1+ RS g m+ RS /r d )=- I D( RS g m+ RS /r d + R D /r d +1)
d
DS S m
d
S S mO
D
r
R R R g
r
R R g I
I
1
)1(
D D R I OV
-
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14
O
D
d
DS S m
d
S S mO
O
O
O I
R
r
R R R g
r
R R g I
I
V R
1
)1(
d
DS S m
D
d
S S m
O
r
R R R g
Rr
R R g
R
1
)1(
-------------公式(記)
例題 3. 設 JFET參數 IDSS= 8mA、Vp=-4V、VA=100V,求下圖電路(1)ID (2) VGS(3) VDS (4 ) VDS(sat)
Solution: (1) 1 DS DGS I R I V
(2)
22
22
2
148
16
1
2
118
4181 D D D D
D
P
GS
DSS D I I I I I
V
V I I
)(820852
1 2 不合或 mAmA I I I D D D
(3) V I V DGS 21
(4) V R R I V V S D D DD DS 10)14(220)(
(5) V V V V GS P sat DS 2)2()4()(
NOTE:1、 DS V > )( sat DS V ,FET在夾止區。
NOTE:2、若 mA I D 8 => V I V DGS 81 ,已超出 VP (=-4V),表示 OFF ,
故 mA I D 8 不合。
例題 4. 續上(例題 3),若参數 VA=100V,求交流 (1)ro (2) gm (3) RO (4) AV (5) Ri
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15
(1) k I
V r
D
AO 50
2
100
(2) 轉移電導 msV
V
V
I g
P
GS
P
DSS m 2
4
21
4
821
2
(3)輸出電阻
k
r
R R R g
Rr
R R g
R
d
DS S m
D
d
S S m
O 4
50
521
4)50
121(
1
)1(
(4)電壓增益 58.21.3
8
50
521
42
1
d
DS S m
Dm
i
oV
r
R R R g
R g
V
V A
(5)輸入電阻 M R R Gi 1
例題 5. 附圖電路,已知 D-NMOS參數 V V P 3 , mA I DSS 6 ,VA=155V,試求:
(1) GS V (2) D I (3) DS V (4) )( sat DS V (5) V A (6) i R (7) O R
Solution: (一)、直流部份
(1) V R R
RV V DDG 5.1
10110
1018
21
2
(2) 75.0 DS DS I R I V
(3) DS GGS I V V V 75.05.1
(4) 代入轉移方程式
-
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16
0108443
336108883
29
227
161
43
496
4
1
2
3625.05.16
3
75.05.1161
2
222
2
2
22
D D
D D D D D D D
D D D
P
GS DSS D
I I
I I I I I I I
I I I
V
V I I
)(55.111.3 不合或 mAmA I D
(5) V I V V V DS GGS 825.01.375.05.175.05.1
(6) V R R I V V S D D DD DS 095.10)75.08.1(1.318)(
(7) V V V V GS P sat DS 175.2)825.0()3()(
NOTE:1、 DS V > )( sat DS V ,FET在夾止區。
NOTE:2、若 mA I D 55.11
=> V I V V V DS GGS 1625.755.1175.05.175.05.1 ,已超出
VP (=-3V),表示 OFF ,故 mA I D 55.11 不合。
(二)、交流参數部份
(1) k I
V r
D
AO 50
1.3
155
(2) 轉移電導 msV
V
V
I g
P
GS
P
DSS m 9.2
3
825.01
3
621
2
(
三)
、交流特性部份
(3)輸出電阻
k
r
R R R g
Rr
R R g
R
d
DS S m
D
d
S S m
O
78.1226.3
8.119.3
051.0175.21
8.1)015.0175.21(
50
8.175.075.09.21
8.1)50
75.075.09.21(
1
)1(
-
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17
(4)電壓增益
6.126.3
22.5
50
8.175.075.09.21
8.19.2
1
d
DS S m
Dm
i
oV
r
R R R g
R g
V
V A
(5)輸入電阻 M R R Ri 17.9
120
1100
10110
1011010//110// 21
例題 6. 對下圖,自給偏壓之共源極組態電路,已知 I DSS = 8mA, V P = -4V,且 V A=100V,求(1)電壓增益 AV (2)輸入電阻 Ri(3)輸出電阻 O R
Solution:
(一)、直流部份
(1) 1 DS DGS I R I V
(2)
22
22
2
148
16
1
2
118
4181 D D D D
D
P
GS
DSS D I I I I I
V
V I I
)(820852
1 2 不合或 mAmA I I I D D D
(3) V I V DGS 21
(4) V R R I V V S D D DD DS 4.11)13.3(220)(
(5) V V V V GS P sat DS 2)2()4()(
(二)、交流参數部份
(1) k I
V r
D
AO 50
2
100
(2) 轉移電導 msV V
V I g
P
GS
P
DSS m 2
421
48212
-
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18
(三)、交流特性部份
(3)輸出電阻
k
r
R R R g
Rr
R R g
R
d
DS S m
D
d
S S m
O 2.3
50
3.421
3.3)50
121(
1
)1(
(4)電壓增益 14.2086.3
6.6
50
3.421
3.32
1
d
DS S m
Dm
i
oV
r
R R R g
R g
V
V A
(5)輸入電阻 M R R Gi 1
三、共源極放大器無旁路電容 C S ,但不考慮 r o的情況
交流三特性的分析方法:
1、畫交流等效電路,由等效電路分析。
2、用原來無旁路電容 C S ,但考慮 r o的公式,再令 r o=∞即可。
(1)電壓增益 V A
d
DS S m
Dm
i
oV
r
R R R g
R g
V
V A
1
,令 r o=∞ S m
Dm
i
oV
R g
R g
V
V A
1
(2)輸入電阻 i R
自給偏壓: Gi R R 分壓器偏壓: 21 // R R Ri
(3)輸出電阻 O R
d
DS S m
D
d
S S m
O
r
R R R g
Rr
R R g
R
1
)1(
,令 r o=∞ DO R R
-
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19/39
19
§ 8-5 接面場效電晶體,分壓器偏壓,之共源極組態電路
分析步驟:(此電路有旁路電容 C S )
1、劃交流等效電路
(1)交連電容 C 1 和 C 2,目的在阻隔直流,耦合交流交流分析中視為短路 。(2)是否有旁路電容 C S ,會影響交流特性 (3)直流電壓源 V DD,令為零。 (4)FET用小訊號模型
2、交流三特性
JFET或 D-MOS或分壓器偏壓的 E-MOS(參考 8-10), 有旁路電容的共源極放大器,交流三特性公式皆相同。
(1)電壓增益 V A
)//( o Dmi
oV r R g
V
V A
(2)輸入電阻 i R 21 // R R Ri
(3)輸出電阻 O R O DO r R R //
-
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20/39
-
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21/39
21
(1) k I
V r
D
AO 40
4.3
136
(2) 轉移電導 msV
V
V
I g
P
GS
P
DSS m 6.2
4
4.11
4
821
2
(3)電壓增益 V A
6.2)40//1(6.2)//( o Dmi
oV r R g
V
V A
(4)輸入電阻 i R
M R R Ri3
1
4.2
8.04.0//2// 21
(5)輸出電阻 O R
k r R R O DO 140//1//
8-6 接面場效電晶體,自給偏壓,之共汲極組態電路(源極隨耦器)
說明:
1
、輸出從源極端S
取出。
2、相似於 BJT 射極隨耦器組態。 3、電路中 R D無存在價值。
分析步驟: 1、劃交流等效電路
(1)交連電容 C 1 和 C 2,目的在阻隔直流交流分析中視為短路 。 (2)直流電壓源 V DD,令為零。 (3)FET用小訊號模型
-
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22/39
22
2、交流三特性
(1)電壓增益 V A
)//(1)//(
oS m
oS m
i
oV
r R g r R g
V V A
(2)輸入電阻 i R Gi R R
(3)輸出電阻 O R
OS
m
O r R g
R ////1
推導 RO , RO 定義 :令 V i=0V O
OO
I
V R
1. 當令 V i=0V V G=0V(接地) V o=-V gs
2.[KCL]
)11
(S O
mO
S
O
O
OOm Rr gsmO
Rr g V
R
V
r
V V g I I V g I
S O
OS
m
oS
mO
OO r R
g
r R g
I
V R ////
1
11
1
- - - - - 公式 (記)
-
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例題 1. 下圖電路,設 JFET參數 IDSS= 8mA、V p=-4V、VA=100V,求下圖電路(1)電壓增益 V A (2)輸入電阻 i R (3)輸出電阻 O R
Solution:
(一)、直流部份
(1) 1 DS DGS I R I V
(2)
22
22
2
148
16
1
2
118
4181 D D D D
D
P
GS
DSS D I I I I I
V
V I I
)(82085
2
1 2 不合或 mAmA I I I D D D
(3) V I V DGS 21
(4) V R I V V S D DD DS 181220
(5) V V V V GS P sat DS 2)2()4()(
(二)、交流参數部份
(1) k I
V r
D
AO 50
2
100
(2) 轉移電導 msV V
V I g
P
GS
P
DSS m 2
421
48212
(三)、交流特性部份
(1)電壓增益 V A
3
2
)50//1(21
)50//1(2
)//(1
)//(
oS m
oS m
i
oV
r R g
r R g
V
V A
-
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(2)輸入電阻 i R M R R Gi 1
(3)輸出電阻 O R
k r R g
R OS m
O3
11//
2
150//1//
2
1////
1
§ 8-7 接面場效電晶體,自給偏壓,之共閘極組態電路
說明:
1、類似 BJT 共基極組態。
2、FET的特性,閘極 G與通道 D-S間不導通。 3、由源極端 S輸入,汲極端 D輸出,因為不是由閘極端 G輸入,故 FET高輸入電阻的特性,在共閘極組態電路不存在。
分析步驟: 1、劃交流等效電路
(1)交連電容 C 1 和 C 2,目的在阻隔直流交流分析中視為短路 。
(2
)直流電壓源 V DD
,令為零。
(3)FET用小訊號模型
-
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-
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1.由圖知 V i =-V gs 且 V o= I’R D I’ =V o / R D
2.[KCL]
)1
()11
()1
(
而 ,
,
m
d
i
d D
O
d
Om
d
i
D
O
DO
im
d
Oi gsmr
g r
V r R
V r
V g
r V
R
V
R I V
V g
r
V V V g I I
d
)//)(1(11
1
d D
d
m
d D
d
m
i
oV r R
r g
r R
r
g
V V A
-----------公式(記)
若 d r 則 )//( d Dmi
oV r R g
V
V A
NOTE:(比較)有旁路電容的共源極放大器的 )//( d Dmi
oV r R g
V
V A 。
例題1.
下圖電路,設 JFET
參數 IDSS= 8mA
、V p=
-4V
、VA=100V
,求下圖電路(1)電壓增益 V A (2)輸入電阻 i R (3)輸出電阻 O R
-
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Solution:
(一)、直流部份
(1) 1 DS DGS I R I V
(2)
22
22
2
148
16
1
2
118
4181 D D D D
D
P
GS
DSS D I I I I I
V
V I I
)(82085
2
1 2 不合或 mAmA I I I D D D
(3) V I V DGS 21
(4) V R R I V V S D D DD DS 10)14(220)(
(5) V V V V GS P sat DS 2)2()4()(
(二)、交流参數部份
(1) k I
V r
D
AO 50
2
100
(2) 轉移電導 msV V
V I g
P
GS
P
DSS m 2
421
48212
(三)、交流特性部份
(1)電壓增益 V A
4.77.32)50//4()50
12()//)(
1( d D
d
mV r Rr
g A
(2)輸入電阻 i R
-
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-
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-
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§ 8-9 增強型金氧半場效電晶體 (E-MOSFET)
輸出電流 I D 與 輸入電壓 V GS 關係:轉移方程式 2t GS D V V K I
n-channel轉移曲線 V t 為正值
圖解
操
區
圖解
操
區
圖解
操
區
轉移電導 t GS m V V K g 2
§ 8-10 E-NMOS汲極回授偏壓之共源極組態電路
增強型金氧半場效電晶體 (E-MOSFET),有 2種偏壓方法: 一、汲極回授偏壓 二、分壓器偏壓
-
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以下,我們將分別討論這 2種偏壓的共源極組態電路,8-10先分析汲極回授偏壓之共源極組態電路。
1、交流等效電路
2、交流三特性
(1) 電壓增益 V A
-
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設 Rr R o D )//( ,由 R
V v g I O gsmi ,另一方面
F
Oii
R
V V I
,而且 gsi vV 。
)1
()11
( F
mi
F
OO
im
F
OiO gsm
F
Oii
R g V
R RV
R
V v g
R
V V
R
V v g
R
V V I
)////)(1
(11
1
F o D
F
m
F
F
m
i
oV Rr R
R g
R R
R g
V
V A
---------公式(記)
NOTE:JFET或 D-MOS或其他偏壓的 E-MOS,有旁路電容的共源極放大器的
V A 公式如下: )//( o Dmi
oV r R g
V
V A 。
此汲極回授偏壓的共源極放大器,(沒有 S R 電阻,交流等效電路等同於有旁路
電容),但是, R F 會造成負回授,所以公式中 F
m R
g 1
要減 (兩者單位相同) 。
一般 R F 甚大,可以忽略,如此 )//( o Dmi
oV r R g
V
V A 。參考例題 2.可知。
(2) 輸入電阻 i R
由 F
V i
F
V ii
F
Oii
R AV
R AV V
RV V I )1(
V
F
i
ii
A
R
I
V R
1 ---------公式(記)
(3) 輸出電阻 O R
令 0 00 gsmi gsi v g V vV ,由 OV 看回
F O DO Rr R R //// ---------
公式(
記)
NOTE:JFET或 D-MOS或其他偏壓的 E-MOS,有旁路電容的共源極放大器的 O R 公式如下: O DO r R R //
-
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例題 1. E-NMOS 洩極回授偏壓之共源組態電路,已知 K= 0.2mA/ V2,Vt = 3 V,VA =135V, 求直流 (1) ID (2)VGS (3)VDS (4) VDS(sa t) 。
Solution:
(1) D D D DD DS GS I R I V V V 212
代入
081414
)43681(5
1)29(
5
1
)3212(2.0
2
22
22
D D
D D D
Dt GS D
I I
I I I
I V V K I
二次方程式 02 cbxax
a
acbb x
2
42
449.2125.56125.564
385125.5
8
81444141 2
D I
)(6.7574.77.2676.2
不合或 mAmA I D
(2)、(3): V I R I V V V D D D DD DS GS 6.67.2212212
(4) V V V V GS t sat DS 6.36.63)(
NOTE:1. DS V > )( sat DS V ,FET在夾止區。
NOTE:2. mA I D 6.7 => V I R I V V V D D D DD DS GS 2.36.7212212 ,
小於 Vt (=3V),表示 OFF ,故 mA I D 6.7 不合。
-
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例題 2. 續例題 1,若參數 VA=135V,求交流 (1)ro (2) gm (3) RO (4) AV (5) Ri
Solution:
(1) k I
V
r D
A
O 507.2
135
(2) 轉移電導 msV V K g t GS m 44.1)36.6(2.022
(3)電壓增益 V A
76.2
92.144.1)50//2(44.1
)10000//50//2)(0001.044.1()////)(1
(
F o D F
m
i
oV Rr R
R g
V
V A
(4)輸入電阻 i R
M A
R R
V
F i 66.2
76.3
10
)76.2(1
10
1
(5)輸出電阻 O R k Rr R R F O DO 92.150//210000//50//2////
例題 3. 附圖電路,已知 V V t 2 , 225.0 V mA K , V V A 160 ,試求:
(1) GS V (2) D I (3) DS V (4) )( sat DS V (5) V A (6) i R (7) O R
-
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(3)電壓增益 V A
456.3
92.18.1
)50//2(8.1
)10000//50//2)(0001.08.1()////)(1
(
F o D F
m
i
oV Rr R
R g
V
V A
(4)輸入電阻 i R
M A
R R
V
F i 24.2
456.4
10
)456.3(1
10
1
(5)輸出電阻 O R
k Rr R R F O DO 92.150//210000//50//2////
§ 8-11 E-NMOS分壓器偏壓之共源極組態電路
1、交流等效電路與使用 JFET 時相同,故交流 3大特性皆相同。
2、交流三特性
(1)電壓增益 V A
-
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)//( o Dmi
oV r R g
V
V A
(2)輸入電阻 i R 21 // R R Ri
(3)輸出電阻 O R O DO r R R //
例題 1. 附圖電路,已知 V V t 2 , 22.0 V mA K , V V A 138 ,設 V V DD 30 ,
M R 1001 , M R 502 , k R D 3 , k RS 2 ,試求:(1) GS V (2) D I (3) DS V
(4
))( sat DS V
(5
) V A
(6
) i R
(7
) O R
Solution:
一、直流部份
(1) V R R
RV V DDG 10
50100
5030
21
2
(2) 2 DS DS I R I V
(3) DS GGS I V V V 210
(4) 代入轉移方程式
-
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064374
)43264(5
1)28(2.0
)2210(2.0
2
22
22
D D
D D D
Dt GS D
I I
I I I
I V V K I
32.262.464
34562.4
8
64443737 2
D I
)(94.63.2 不合或 mAmA I D
(5) V I V V V DS GGS 4.53.2210210
(6) V R R I V V S D D DD DS 5.18)23(3.230)(
(7) V V V V GS t sat DS 4.34.52)(
NOTE:1、 DS V > )( sat DS V ,FET在夾止區。
NOTE:2、若 mA I D 94.6 => V I V V V DS GGS 88.394.6210210 ,
小於 Vt (=2V),表示 OFF ,故 mA I D 94.6 不合
二、交流參數部份
(1) k I
V r
D
AO 60
3.2
138
(2) 轉移電導 msV V K g t GS m 36.1)24.5(2.022
三、交流特性部份
(3)電壓增益 V A
共源極放大器,有旁路電容, V A 公式如下:
08.4336.1 Dmi
oV R g
V
V A
(4)輸入電阻 i R
M R R Ri 33.33150
5000
50//100// 21
-
8/18/2019 2016!03!29
39/39
(5)輸出電阻 O R
k r R R o DO 86.263
18060//3//
NOTE:此電路若無旁路電容,則交流特性如下。
(3)電壓增益 V A 共源極放大器,沒有旁路電容, V A 公式如下:
07.18.308.4
08.072.3
08.4
60
32236.11
336.1
1
d
DS S m
Dm
i
oV
r
R R R g
R g
V
V A
(4)輸入電阻 i R
M R R Ri 33.33150
500050//100// 21
(5)輸出電阻 O R
k
r
R R R g
Rr R R g
R
d
DS S m
D
d
S S m
O
96.28.3
375.3
08.072.3
3)03.072.3(
60
5236.11
3)602236.11(
1
)1(