第八章 場效電晶體放大器2016!03!29

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    1

    第八章  : 場效電晶體放大器 

    § 8-1 引言 

    1、FET放大器的特性 (1)具較高的輸入電阻 (2)具較低的功率消耗 (3)具較寬的頻率響應範圍 

    2、與.BJT放大器的差異 (1)BJT為  “電流控制裝置”,用 I  B控制 I C ,”電流放大因數 β”, I C =β I  B。 (2)FET為  “電壓控制裝置”,用 V GS 控制 I  D,“電導因數  g m”。 

    (3)FET放大器的電壓增益遠小於.BJT放大器。 

    3、FET放大器的組態 (1)共源極電路:做電壓放大器,產生反相之放大訊號,高 Ri高 RO。 (2)共汲極電路:做電壓緩衝器,電壓增益 AV ≒1,又稱源極隨耦器,提供 

    高 Ri低 RO。 (3)共閘極電路:有非反相的電壓增益,但其低 Ri高 RO,不適合做電壓放大器。 

    4、放大器的交流分析,包含 (1)電壓增益 AV  (2)輸入電阻 Ri (3)輸出電阻 RO 

    5、 (1)FET的轉移方程式為二次方程式,即轉移曲線為非線性,故 FET只能做小

    訊號放大。 

    (2

    )轉移方程式為夾止區的輸出特性方程式 

    2t GS  D   V V  K  I      ,或 

    2

    1  

      

     

     P 

    GS  DSS  D

    V  I  I    ,其中

    2

     P 

     DSS 

     I  K     ,   P t    V V    

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    2

    ①①

    非等距(

    非線性)

    ①①

    ①①

    非等距(

    非線性)

     

    § 8-2 場效電晶體的小訊號模型 

    1、FET為  “電壓控制裝置”,用 V GS 控制 I  D,“電導因數  g m”。 2、輸入端:閘極 

    FET的閘極(G),與通道不導通,故閘極與通道為分離的。 3

    、輸出端:通道 

    (1)為相依電流源 g mv gs (2)電流源內阻 r o 或 r d  

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    3

     NOTE :IEEE規定電晶體電流、電壓 lable(記號) 例:(以下用來描述電晶體端點 B的電流,電壓亦是相同原則)

    )有效量(: 

    總量: 

    )量瞬(: 

    直 : 

    交流

    時交流

    流量

    b

    b B B

    b

     B

     I 

    i I i

    i

     I 

     

    4、 r o 或 r d  (1)在工作點 (Q -點 )處,選一小段 △V  DS,對應△ I  D  。 

    (2

    )  D A

     D

     DS 

     I 

     I 

    or   

    V  A:歐萊電壓 

    (3)理想輸出特性曲線為水平  D-S兩端的輸出電阻 or  =∞  (開路) 。 

    (4)夾止區的輸出特性曲線為微微上揚的直線。 

    (5

    )每一條夾止區的輸出特性曲線往-X

    軸方向延伸,皆會相交於相同一點,此點的電壓值記為-VA ,V  A:歐萊電壓。 4、 g m 之定義 

    GS 

     D

     I 

    mg  

    (1)附圖為 n-ch JFET的轉移曲線 (2) g m表示轉移曲線在 Q點的斜率, 

    亦即轉移方程式在 Q點的微分。 

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    4

    5、 g m 之公式 

    (1)由2

    1  

      

     

     P 

    GS 

     DSS  DV 

    V  I  I   

    方程式在 Q-點將 I  D 對 V GS 取微分得之 

     

      

     

     

      

     

     

      

       

      

     

     

      

     

     P 

    GS 

     P 

     DSS 

     P  P 

    GS  DSS 

     P 

    GS 

    GS  P 

    GS  DSS 

     P 

    GS  DSS 

    GS GS 

     D

     I 

    V V 

    V  I 

    dV 

    V  I 

    V  I 

    dV 

    dV 

    dI 

    1)(

    2)

    10(12

    1121

    2

     

    註:n-ch.JFET,VP為負  

      

     

     P 

    GS 

     P 

     DSS 

    GS 

     D

     I 

    dV 

    dI 1

    )(

    2 為正。 

     p-ch.JFET,VP為正   

      

     P 

    GS 

     P 

     DSS 

    GS 

     D

    V V 

    V  I 

    dV dI  1

    )(2 為負。 

    為使  g m 不論 n-ch或 p-ch皆為正值,上式(-VP) ,“-”號去除且 V  P 取絕對值。 

    公式:轉移電導   msV 

     I  g 

     P 

    GS 

     P 

     DSS m   :單位1

      

       

    當 V GS =0時,得最大 g m 值,記 g mo, P 

     DSS 

     I 2gmo     。 

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    5

    (2)由   2t GS  D   V V  K  I     

    )(2)01)((2

    )()(2)(2

    t GS t GS 

    t GS 

    GS 

    t GS t GS 

    GS GS 

     D

    V V  K V V  K 

    V V dV 

    d V V  K V V  K 

    dV 

    dV 

    dI 

     

    公式:轉移電導  )(2g m   t GS    V V  K     

    § 8-3 共源極放大器 

    說明:(1)電路使用接面場效電晶體(2)直流用固定偏壓 

    目的 分析電路的(1)電壓增益 AV (2)輸入電阻 Ri(3)輸出電阻 RO 

    步驟: 

    1、劃交流等效電路 (1)交連電容  C 1 和  C 2,目的在阻隔直流,耦合交流 交流分析中視為短路 。(2)直流電壓源 -V GG 及 +V  DD,令為零。 (3)FET用小訊號模型 

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    6

    注意:(1)電流源 g mV  gs 的方向為實際方向。 (2)電流為實際方向電壓降的正或負才有意義。 

    2、交流分析 

    (1)電壓增益 AV  V i=V  gs V o=- g mV  gs( R D∥r o) AV =- g m ( R D∥r o)

    (2)輸入電阻 Ri  Ri= RG 

    (3)輸出電阻 RO 

    O

    OO

     I 

    V R    ,條件:令 V i=0,且不含 R L

    o DO   r  R   //R     

    例題 1、對下圖,固定偏壓之共源極組態電路,  I  DSS = 10mA,  V  P = -8V,且V  A=140V

    ,求(1

    )電壓增益 AV 

    (2

    )輸入電阻 Ri 

    (3

    )輸出電阻 RO 

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    8

    2、交流三特性 

    (1)電壓增益  V  A  )//( o Dm

    i

    oV    r  R g 

    V  A    

    (2)輸入電阻  i R  Gi   R R    

    (3)輸出電阻   O R  O DO   r  R R   //  

    例題 1. 下圖電路,設  JFET參數 IDSS= 8mA、V p=-4V、VA=100V,求下圖電路

    (1)電壓增益  V  A   (2)輸入電阻  i R   (3)輸出電阻   O R  

    Solution: (一)、直流部份 

    (1)   1   DS  DGS    I  R I V   

    (2)

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    9

    22

    22

    2

    148

    16

    1

    2

    118

    4181  D D D D

     D

     P 

    GS 

     DSS  D   I  I  I  I  I 

    V  I  I   

     

      

     

     

      

     

     

      

       

    )(820852

    1   2

    不合或  mAmA I  I  I   D D D 

     

    (3)   V  I V   DGS    21    

    (4)   V  R R I V V  S  D D DD DS    10)14(220)(    

    (5)   V V V V  GS  P  sat  DS    2)2()4()(    

    (二)、交流参數部份 

    (1)   k  I 

    V r 

     D

     AO   50

    2

    100 

    (2) 轉移電導   msV 

     I  g 

     P 

    GS 

     P 

     DSS m   2

    4

    21

    4

    821

    2

     

      

     

     

      

       

    (三)、交流特性部份 

    (1)電壓增益  V  A  

    4.77.32

    54

    2002

    504

    5042)50//4(2)//(  

      o Dm

    i

    oV    r  R g 

    V  A  

    (2)輸入電阻  i R     M  R R Gi   1  

    ( 3)輸出電阻   O R  

      k r  R R O DO   7.350//4//  

    例題 2. 對下圖,自給偏壓之共源極組態電路,已知参數  I  DSS = 4mA, V  P= -2V,且歐萊電壓 V  A=100V,求(1)電壓增益 AV (2)輸入電阻 Ri(3)輸出電阻 RO 

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    10

    解:(一)、直流部份 

    (1)   1   DS  DGS    I  R I V   

    (2)22

    22

    444

    114

    2141  D D D D

     D

     P 

    GS  DSS  D   I  I  I  I 

     I 

    V  I  I   

     

      

     

     

      

     

     

      

       

    )(410452 不合或   mAmA I  I  I   D D D    

    (3)   V  I V   DGS    11    

    (4)   V  R I V V   D D DD D   123115    

    (5)   V  R R I V V  S  D D DD DS    11)13(115)(    

    (二)交流參數部份 

    (1)   k  I 

    V r 

     D

     AO 100  

    (2) 轉移電導   msV V 

    V  I  g 

     P 

    GS 

     P 

     DSS m   2

    211

    24212

      

      

      

        

    (三)交流特性部份 

    畫交流等效電路【方法:令(1)直流=0 (2) 電容 C短路  (3)FET用模型)】 

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    11

    (電流源方向為實際電流方向,外接負載 RL,與 RD並聯)

    (1)電壓增益  V  A  

    3)100//3//3(2)////(     o L Dmi

    oV    r  R R g 

    V  A  

    NOTE:此電路有外接負載 RL,RL要與   O D   r  R   //   再並聯。 

    (2)輸入電阻  i R     M  R R Gi   1  

    (3)輸出電阻   O R     k r  R R O DO   31 0 0//3//  

    NOTE:電路的輸出電阻   O R ,是不包含 RL的。 

    問題:為何 FET放大器的放大倍數 (電壓增益  V  A )一般都很小(甚小於 BJT放大器)? 

    Ans:FET放大器的 3種組態:共源,共洩,共閘。 做電壓放大,需用共源極放大器,有旁路電容時電壓增益  V  A   較無旁路電容時大。

    本電路: 3)3//3(2)//()////(     L Dmo L Dmi

    oV    R R g r  R R g 

    V  A  

    (1) 

    轉移電導   m g   小,一般在個位數 ms級;而 BJT的  值較大,典型:100~200。

    本電路:   msV 

     I  g 

     P 

    GS 

     P 

     DSS m   2

    2

    11

    2

    421

    2

     

      

     

     

      

       

    (2)  RD不可太大,否則 FET會落在歐姆區,不是放大器的工作區(夾止區)。 

     NOTE:FET要在夾止區,電路的   DS V    要大於   )( sat  DS V    。 

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    12

    二、共源極組態電路,無旁路電容 C S ,且考慮 r o的情況: 

    (此解說電路的 FET用 JFET,偏壓用自給偏壓)

    分析步驟: 

    1、劃交流等效電路(端點 D不能標在節點上,如下圖應往左標) 

    2、交流三特性 

    (1) 

    電壓增益 V  A  

    [輸入 KVL] V i=V  gs+V  RS=V  gs+ I  D RS V  gs=V i- I  D RS

    [輸出 KCL]   I  D= g mV  gs+ I’= g mV  gs+(V o-V  RS )/r d= g m(V i- I  D RS )+(- I  D R D- I  D RS )/r d  

     I  D [1+ RS g m+( R D+ RS )/r d ]=  g mV i

     DS S m

    im D

     R R R g 

    V  g 

    1

    I  

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    13

    R  

    1

    -R -IV DDD  

     DS S m

    imO

     R R R g 

    V  g  

     DS S m

     Dm

    i

    o

     R R R g 

     R g 

     A

    1  ------------公式(記)

    相位關係 

    V i 與  V o 相位差為  180°(2) 輸入電阻  i R  

    Gi   R R    

    (3) 輸出電阻   O R  

    令 V i=0V V G=0V(接地) V  RG=0V(短路)

    [KVL] V  gs+V  RS=0

     V  gs=-V  RS =-( I o+ I  D) RS

    [KCL]   I o= g mV  gs+ I ’- I  D , I ’=(V O-V  RS )/r d  

     I o = g mV  gs+(V O-(-V  gs))/r d - I  D

    =( g m+1/r d )V  gs+1/r d (- I  D R D)- I  D 

    =

    -( I o

    + I  D) RS ( g m

    +1/r d )

    -( R D /r d 

    +1) I  D 

     I o(1+ RS g m+ RS /r d )=- I  D( RS g m+ RS /r d + R D /r d +1) 

     DS S m

    S S mO

     D

     R R R g 

     R R g  I 

     I 

    1

    )1(

     

     D D R I OV  

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    14

    O

     D

     DS S m

    S S mO

    O

    O

    O  I 

     R

     R R R g 

     R R g  I 

     I 

    V  R

    1

    )1(

     

     DS S m

     D

    S S m

    O

     R R R g 

     Rr 

     R R g 

     R

    1

    )1(

      -------------公式(記)

    例題 3. 設  JFET參數 IDSS= 8mA、Vp=-4V、VA=100V,求下圖電路(1)ID (2) VGS(3) VDS (4 ) VDS(sat) 

    Solution: (1)   1   DS  DGS    I  R I V   

    (2)

    22

    22

    2

    148

    16

    1

    2

    118

    4181  D D D D

     D

     P 

    GS 

     DSS  D   I  I  I  I  I 

    V  I  I   

     

      

     

     

      

     

     

      

       

    )(820852

    1   2 不合或  mAmA I  I  I   D D D    

    (3)   V  I V   DGS    21    

    (4)   V  R R I V V  S  D D DD DS    10)14(220)(    

    (5)   V V V V  GS  P  sat  DS    2)2()4()(    

    NOTE:1、   DS V    > )( sat  DS V    ,FET在夾止區。 

    NOTE:2、若   mA I  D   8   =>   V  I V   DGS    81     ,已超出 VP (=-4V),表示 OFF ,

    故   mA I  D   8   不合。 

    例題 4. 續上(例題 3),若参數 VA=100V,求交流  (1)ro (2) gm (3) RO (4) AV (5) Ri

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    15

    (1)   k  I 

    V r 

     D

     AO   50

    2

    100 

    (2) 轉移電導   msV 

     I  g 

     P 

    GS 

     P 

     DSS m   2

    4

    21

    4

    821

    2

     

     

     

     

     

     

     

       

    (3)輸出電阻  

      k 

     R R R g 

     Rr 

     R R g 

     R

     DS S m

     D

    S S m

    O   4

    50

    521

    4)50

    121(

    1

    )1(

     

    (4)電壓增益  58.21.3

    8

    50

    521

    42

    1

     DS S m

     Dm

    i

    oV 

     R R R g 

     R g 

    V  A  

    (5)輸入電阻    M  R R Gi   1  

    例題 5. 附圖電路,已知 D-NMOS參數    V V  P    3   ,   mA I  DSS  6   ,VA=155V,試求:

    (1)   GS V    (2)   D I   (3)   DS V   (4) )( sat  DS V    (5)  V  A   (6)  i R   (7)   O R  

    Solution: (一)、直流部份 

    (1) V  R R

     RV V   DDG   5.1

    10110

    1018

    21

    2

     

    (2) 75.0   DS  DS    I  R I V   

    (3)  DS GGS    I V V V    75.05.1    

    (4) 代入轉移方程式 

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    16/39

    16

    0108443

    336108883

    29

    227

    161

    43

    496

    4

    1

    2

    3625.05.16

    3

    75.05.1161

    2

    222

    2

    2

    22

      

      

     

      

     

     

      

     

     

      

     

     D D

     D D D D D D D

     D D D

     P 

    GS  DSS  D

     I  I 

     I  I  I  I  I  I  I 

     I  I  I 

    V  I  I 

    )(55.111.3   不合或   mAmA I  D    

    (5) V  I V V V   DS GGS    825.01.375.05.175.05.1    

    (6) V  R R I V V  S  D D DD DS    095.10)75.08.1(1.318)(    

    (7) V V V V  GS  P  sat  DS    175.2)825.0()3()(    

    NOTE:1、   DS V    > )( sat  DS V    ,FET在夾止區。 

    NOTE:2、若   mA I  D   55.11  

    =>   V  I V V V   DS GGS    1625.755.1175.05.175.05.1     ,已超出

    VP (=-3V),表示 OFF ,故   mA I  D   55.11   不合。 

    (二)、交流参數部份 

    (1)   k  I 

    V r 

     D

     AO   50

    1.3

    155 

    (2) 轉移電導   msV 

     I  g 

     P 

    GS 

     P 

     DSS m   9.2

    3

    825.01

    3

    621

    2

     

      

     

     

      

       

    (

    三)

    、交流特性部份 

    (3)輸出電阻 

     R R R g 

     Rr 

     R R g 

     R

     DS S m

     D

    S S m

    O

    78.1226.3

    8.119.3

    051.0175.21

    8.1)015.0175.21(

    50

    8.175.075.09.21

    8.1)50

    75.075.09.21(

    1

    )1(

     

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    17/39

    17

    (4)電壓增益 

    6.126.3

    22.5

    50

    8.175.075.09.21

    8.19.2

    1

     DS S m

     Dm

    i

    oV 

     R R R g 

     R g 

    V  A  

    (5)輸入電阻    M  R R Ri   17.9

    120

    1100

    10110

    1011010//110// 21  

    例題 6. 對下圖,自給偏壓之共源極組態電路,已知  I  DSS = 8mA,  V  P = -4V,且 V  A=100V,求(1)電壓增益 AV (2)輸入電阻 Ri(3)輸出電阻   O R  

    Solution: 

    (一)、直流部份 

    (1)   1   DS  DGS    I  R I V   

    (2)

    22

    22

    2

    148

    16

    1

    2

    118

    4181  D D D D

     D

     P 

    GS 

     DSS  D   I  I  I  I  I 

    V  I  I   

     

      

     

     

      

     

     

      

       

    )(820852

    1   2 不合或  mAmA I  I  I   D D D    

    (3)   V  I V   DGS    21    

    (4)   V  R R I V V  S  D D DD DS    4.11)13.3(220)(    

    (5)   V V V V  GS  P  sat  DS    2)2()4()(    

    (二)、交流参數部份 

    (1)   k  I 

    V r 

     D

     AO   50

    2

    100 

    (2) 轉移電導   msV V 

    V  I  g 

     P 

    GS 

     P 

     DSS m   2

    421

    48212

      

        

      

       

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    18

    (三)、交流特性部份 

    (3)輸出電阻 

      k 

     R R R g 

     Rr 

     R R g 

     R

     DS S m

     D

    S S m

    O   2.3

    50

    3.421

    3.3)50

    121(

    1

    )1(

     

    (4)電壓增益  14.2086.3

    6.6

    50

    3.421

    3.32

    1

     DS S m

     Dm

    i

    oV 

     R R R g 

     R g 

    V  A  

    (5)輸入電阻    M  R R Gi   1  

    三、共源極放大器無旁路電容 C S ,但不考慮 r o的情況 

    交流三特性的分析方法: 

    1、畫交流等效電路,由等效電路分析。 

    2、用原來無旁路電容 C S ,但考慮 r o的公式,再令 r o=∞即可。 

    (1)電壓增益  V  A  

     DS S m

     Dm

    i

    oV 

     R R R g 

     R g 

    V  A

    1

    ,令 r o=∞ S m

     Dm

    i

    oV 

     R g 

     R g 

    V  A

    1

     

    (2)輸入電阻  i R  

    自給偏壓:   Gi   R R    分壓器偏壓:   21 // R R Ri    

    (3)輸出電阻   O R  

     DS S m

     D

    S S m

    O

     R R R g 

     Rr 

     R R g 

     R

    1

    )1(

    ,令 r o=∞   DO   R R    

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    19

    § 8-5 接面場效電晶體,分壓器偏壓,之共源極組態電路 

    分析步驟:(此電路有旁路電容  C S )

    1、劃交流等效電路 

    (1)交連電容  C 1 和  C 2,目的在阻隔直流,耦合交流交流分析中視為短路 。(2)是否有旁路電容  C S ,會影響交流特性 (3)直流電壓源  V  DD,令為零。 (4)FET用小訊號模型 

    2、交流三特性 

    JFET或 D-MOS或分壓器偏壓的 E-MOS(參考 8-10), 有旁路電容的共源極放大器,交流三特性公式皆相同。 

    (1)電壓增益  V  A  

    )//( o Dmi

    oV    r  R g 

    V  A    

    (2)輸入電阻  i R  21 // R R Ri    

    (3)輸出電阻   O R  O DO   r  R R   //  

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    21

    (1)   k  I 

    V r 

     D

     AO   40

    4.3

    136 

    (2) 轉移電導   msV 

     I  g 

     P 

    GS 

     P 

     DSS m   6.2

    4

    4.11

    4

    821

    2

     

     

     

     

     

     

     

       

    (3)電壓增益  V  A  

    6.2)40//1(6.2)//(     o Dmi

    oV    r  R g 

    V  A  

    (4)輸入電阻  i R  

      M  R R Ri3

    1

    4.2

    8.04.0//2// 21  

    (5)輸出電阻   O R  

      k r  R R O DO   140//1//  

    8-6 接面場效電晶體,自給偏壓,之共汲極組態電路(源極隨耦器)

    說明: 

    1

    、輸出從源極端S

    取出。 

    2、相似於  BJT 射極隨耦器組態。 3、電路中 R D無存在價值。 

    分析步驟: 1、劃交流等效電路 

    (1)交連電容  C 1 和  C 2,目的在阻隔直流交流分析中視為短路 。 (2)直流電壓源  V  DD,令為零。 (3)FET用小訊號模型 

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    22

    2、交流三特性 

    (1)電壓增益  V  A  

    )//(1)//(

    oS m

    oS m

    i

    oV 

    r  R g r  R g 

    V V  A

     

    (2)輸入電阻  i R  Gi   R R    

    (3)輸出電阻   O R  

    OS 

    m

    O   r  R g 

     R   ////1

     

    推導 RO , RO 定義 :令 V i=0V O

    OO

     I 

    V  R    

    1. 當令 V i=0V V G=0V(接地)  V o=-V  gs 

    2.[KCL]

    )11

    (S O

    mO

    O

    O

    OOm Rr  gsmO

     Rr  g V 

     R

    V V  g  I  I V  g  I 

    S O  

    OS 

    m

    oS 

    mO

    OO   r  R

     g 

    r  R g 

     I 

    V  R   ////

    1

    11

    1

      - - - - - 公式  (記) 

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    23

    例題 1. 下圖電路,設  JFET參數 IDSS= 8mA、V p=-4V、VA=100V,求下圖電路(1)電壓增益  V  A   (2)輸入電阻  i R   (3)輸出電阻   O R  

    Solution: 

    (一)、直流部份 

    (1)   1   DS  DGS    I  R I V   

    (2)

    22

    22

    2

    148

    16

    1

    2

    118

    4181  D D D D

     D

     P 

    GS 

     DSS  D   I  I  I  I  I 

    V  I  I   

     

      

     

     

      

     

     

      

       

    )(82085

    2

    1   2 不合或  mAmA I  I  I   D D D    

    (3)   V  I V   DGS    21    

    (4)   V  R I V V  S  D DD DS    181220    

    (5)   V V V V  GS  P  sat  DS    2)2()4()(    

    (二)、交流参數部份 

    (1)   k  I 

    V r 

     D

     AO   50

    2

    100 

    (2) 轉移電導   msV V 

    V  I  g 

     P 

    GS 

     P 

     DSS m   2

    421

    48212

      

      

      

        

    (三)、交流特性部份 

    (1)電壓增益  V  A  

    3

    2

    )50//1(21

    )50//1(2

    )//(1

    )//(

    oS m

    oS m

    i

    oV 

    r  R g 

    r  R g 

    V  A  

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    24

    (2)輸入電阻  i R     M  R R Gi   1  

    (3)輸出電阻   O R  

      k r  R g 

     R OS m

    O3

    11//

    2

    150//1//

    2

    1////

    § 8-7 接面場效電晶體,自給偏壓,之共閘極組態電路 

    說明: 

    1、類似  BJT 共基極組態。 

    2、FET的特性,閘極 G與通道 D-S間不導通。 3、由源極端 S輸入,汲極端 D輸出,因為不是由閘極端 G輸入,故 FET高輸入電阻的特性,在共閘極組態電路不存在。 

    分析步驟: 1、劃交流等效電路 

    (1)交連電容  C 1 和  C 2,目的在阻隔直流交流分析中視為短路 。 

    (2

    )直流電壓源  V  DD

    ,令為零。 

    (3)FET用小訊號模型 

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    26

    1.由圖知  V i =-V  gs 且  V o= I’R D I’ =V o / R D 

    2.[KCL]

    )1

    ()11

    ()1

    (

    而   ,

    ,

    m

    i

    d  D

    O

    Om

    i

     D

    O

     DO

    im

    Oi gsmr 

     g r 

    V r  R

    V r 

    V  g 

    r V 

     R

     R I V 

    V  g 

    V V V  g  I  I 

     

    )//)(1(11

    1

    d  D

    m

    d  D

    m

    i

    oV    r  R

    r  g 

    r  R

     g 

    V V  A  

      -----------公式(記) 

    若   d r    則 )//( d  Dmi

    oV    r  R g 

    V  A    

     NOTE:(比較)有旁路電容的共源極放大器的 )//( d  Dmi

    oV    r  R g 

    V  A     。 

    例題1.

    下圖電路,設  JFET

    參數 IDSS= 8mA

    、V p=

    -4V

    、VA=100V

    ,求下圖電路(1)電壓增益  V  A   (2)輸入電阻  i R   (3)輸出電阻   O R  

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    27

    Solution: 

    (一)、直流部份 

    (1)   1   DS  DGS    I  R I V   

    (2)

    22

    22

    2

    148

    16

    1

    2

    118

    4181  D D D D

     D

     P 

    GS 

     DSS  D   I  I  I  I  I 

    V  I  I   

     

      

     

     

      

     

     

      

       

    )(82085

    2

    1   2 不合或  mAmA I  I  I   D D D    

    (3)   V  I V   DGS    21    

    (4)   V  R R I V V  S  D D DD DS    10)14(220)(    

    (5)   V V V V  GS  P  sat  DS    2)2()4()(    

    (二)、交流参數部份 

    (1)   k  I 

    V r 

     D

     AO   50

    2

    100 

    (2) 轉移電導   msV V 

    V  I  g 

     P 

    GS 

     P 

     DSS m   2

    421

    48212

      

      

      

        

    (三)、交流特性部份 

    (1)電壓增益  V  A  

    4.77.32)50//4()50

    12()//)(

    1(     d  D

    mV    r  Rr 

     g  A  

    (2)輸入電阻  i R  

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    28/39

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    29/39

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    30

    § 8-9 增強型金氧半場效電晶體  (E-MOSFET)

    輸出電流 I  D 與 輸入電壓 V GS 關係:轉移方程式   2t GS  D   V V  K  I     

    n-channel轉移曲線 V t 為正值 

    圖解

     

    圖解

     

    圖解

     

     

    轉移電導   t GS m   V V  K  g     2  

    § 8-10 E-NMOS汲極回授偏壓之共源極組態電路 

    增強型金氧半場效電晶體  (E-MOSFET),有 2種偏壓方法: 一、汲極回授偏壓 二、分壓器偏壓 

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    31/39

    31

    以下,我們將分別討論這 2種偏壓的共源極組態電路,8-10先分析汲極回授偏壓之共源極組態電路。 

    1、交流等效電路 

    2、交流三特性 

    (1) 電壓增益  V  A  

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    32/39

    32

    設   Rr  R o D   )//(   ,由 R

    V v g  I    O gsmi     ,另一方面

     F 

    Oii

     R

    V V  I 

        ,而且   gsi   vV     。 

    )1

    ()11

    ( F 

    mi

     F 

    OO

    im

     F 

    OiO gsm

     F 

    Oii

     R g V 

     R RV 

     R

    V v g 

     R

    V V 

     R

    V v g 

     R

    V V  I   

     

    )////)(1

    (11

    1

     F o D

     F 

    m

     F 

     F 

    m

    i

    oV    Rr  R

     R g 

     R R

     R g 

    V  A  

      ---------公式(記)

     NOTE:JFET或 D-MOS或其他偏壓的 E-MOS,有旁路電容的共源極放大器的

     V  A   公式如下: )//( o Dmi

    oV    r  R g 

    V  A     。 

    此汲極回授偏壓的共源極放大器,(沒有  S  R   電阻,交流等效電路等同於有旁路

    電容),但是, R F 會造成負回授,所以公式中 F 

    m R

     g 1

    要減 (兩者單位相同) 。 

    一般 R F 甚大,可以忽略,如此  )//( o Dmi

    oV    r  R g 

    V  A     。參考例題 2.可知。 

    (2) 輸入電阻  i R  

    由 F 

    V i

     F 

    V ii

     F 

    Oii

     R AV 

     R AV V 

     RV V  I  )1(

     

     

     F 

    i

    ii

     A

     R

     I 

    V  R

    1  ---------公式(記)

    (3) 輸出電阻   O R  

    令   0 00   gsmi gsi   v g V vV    ,由  OV    看回 

     F O DO   Rr  R R   ////   ---------

    公式(

    記)

     NOTE:JFET或 D-MOS或其他偏壓的 E-MOS,有旁路電容的共源極放大器的 O R 公式如下:   O DO   r  R R   //  

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    33/39

    33

    例題 1. E-NMOS 洩極回授偏壓之共源組態電路,已知  K= 0.2mA/ V2,Vt = 3 V,VA =135V,  求直流  (1) ID (2)VGS (3)VDS (4) VDS(sa t) 。 

    Solution: 

    (1)   D D D DD DS GS    I  R I V V V    212  

    代入 

    081414

    )43681(5

    1)29(

    5

    1

    )3212(2.0

    2

    22

    22

     D D

     D D D

     Dt GS  D

     I  I 

     I  I  I 

     I V V  K  I 

     

    二次方程式  02   cbxax  

    a

    acbb x

    2

    42  

    449.2125.56125.564

    385125.5

    8

    81444141   2

     D I   

    )(6.7574.77.2676.2

      不合或  mAmA I  D    

    (2)、(3):   V  I  R I V V V   D D D DD DS GS    6.67.2212212    

    (4)   V V V V  GS t  sat  DS    6.36.63)(    

    NOTE:1.  DS V    > )( sat  DS V    ,FET在夾止區。 

    NOTE:2.   mA I  D   6.7 =>   V  I  R I V V V   D D D DD DS GS    2.36.7212212     ,

    小於  Vt (=3V),表示 OFF ,故   mA I  D   6.7   不合。 

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    34

    例題 2. 續例題 1,若參數 VA=135V,求交流  (1)ro (2) gm (3) RO (4) AV (5) Ri

    Solution: 

    (1)   k  I 

    r   D

     A

    O   507.2

    135 

    (2) 轉移電導     msV V  K  g  t GS m   44.1)36.6(2.022    

    (3)電壓增益  V  A  

    76.2

    92.144.1)50//2(44.1

    )10000//50//2)(0001.044.1()////)(1

    (

      F o D F 

    m

    i

    oV    Rr  R

     R g 

    V  A

     

    (4)輸入電阻  i R  

      M  A

     R R

     F i   66.2

    76.3

    10

    )76.2(1

    10

    (5)輸出電阻   O R     k  Rr  R R  F O DO   92.150//210000//50//2////  

    例題 3. 附圖電路,已知   V V t  2   ,   225.0 V mA K     ,   V V  A   160   ,試求: 

    (1)   GS V    (2)   D I   (3)   DS V   (4) )( sat  DS V    (5)  V  A   (6)  i R   (7)   O R  

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    36

    (3)電壓增益  V  A  

    456.3

    92.18.1

    )50//2(8.1

    )10000//50//2)(0001.08.1()////)(1

    (

      F o D F 

    m

    i

    oV    Rr  R

     R g 

    V  A

     

    (4)輸入電阻  i R  

      M  A

     R R

     F i   24.2

    456.4

    10

    )456.3(1

    10

    (5)輸出電阻   O R  

      k  Rr  R R  F O DO   92.150//210000//50//2////  

    § 8-11 E-NMOS分壓器偏壓之共源極組態電路 

    1、交流等效電路與使用  JFET 時相同,故交流 3大特性皆相同。 

    2、交流三特性 

    (1)電壓增益  V  A  

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    37

    )//( o Dmi

    oV    r  R g 

    V  A    

    (2)輸入電阻  i R  21 // R R Ri    

    (3)輸出電阻   O R  O DO   r  R R   //  

    例題 1. 附圖電路,已知   V V t  2   ,   22.0 V mA K     ,   V V  A   138   ,設   V V  DD   30 ,

      M  R   1001 ,     M  R   502 ,     k  R D   3 ,     k  RS    2   ,試求:(1)   GS V    (2)   D I  (3)   DS V   

    (4

    ))( sat  DS V 

      (5

    ) V  A

      (6

    ) i R

      (7

    )  O R  

    Solution: 

    一、直流部份 

    (1) V  R R

     RV V   DDG   10

    50100

    5030

    21

    2

     

    (2) 2   DS  DS    I  R I V   

    (3)  DS GGS    I V V V    210  

    (4) 代入轉移方程式 

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    38

    064374

    )43264(5

    1)28(2.0

    )2210(2.0

    2

    22

    22

     D D

     D D D

     Dt GS  D

     I  I 

     I  I  I 

     I V V  K  I 

     

    32.262.464

    34562.4

    8

    64443737  2

     D I   

    )(94.63.2   不合或   mAmA I  D    

    (5)  V  I V V V   DS GGS    4.53.2210210    

    (6) V  R R I V V  S  D D DD DS    5.18)23(3.230)(    

    (7)  V V V V  GS t  sat  DS    4.34.52)(    

    NOTE:1、   DS V    > )( sat  DS V    ,FET在夾止區。 

    NOTE:2、若   mA I  D   94.6   =>   V  I V V V   DS GGS    88.394.6210210     ,

    小於  Vt (=2V),表示 OFF ,故   mA I  D   94.6   不合 

    二、交流參數部份 

    (1)   k  I 

    V r 

     D

     AO   60

    3.2

    138 

    (2) 轉移電導     msV V  K  g  t GS m   36.1)24.5(2.022    

    三、交流特性部份 

    (3)電壓增益  V  A  

    共源極放大器,有旁路電容,  V  A   公式如下: 

    08.4336.1     Dmi

    oV    R g 

    V  A  

    (4)輸入電阻  i R  

      M  R R Ri   33.33150

    5000

    50//100// 21  

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    39/39

    (5)輸出電阻   O R  

      k r  R R o DO   86.263

    18060//3//  

     NOTE:此電路若無旁路電容,則交流特性如下。 

    (3)電壓增益  V  A  共源極放大器,沒有旁路電容,  V  A   公式如下: 

    07.18.308.4

    08.072.3

    08.4

    60

    32236.11

    336.1

    1

     DS S m

     Dm

    i

    oV 

     R R R g 

     R g 

    V  A

     

    (4)輸入電阻  i R  

      M  R R Ri   33.33150

    500050//100// 21  

    (5)輸出電阻   O R  

     R R R g 

     Rr  R R g 

     R

     DS S m

     D

    S S m

    O

    96.28.3

    375.3

    08.072.3

    3)03.072.3(

    60

    5236.11

    3)602236.11(

    1

    )1(