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石 日 石 石 日 日. 指導教授:王文峰 學 生:林俊榮 學 號: 49514014 班 級:奈米四甲. Outline. 磊晶之目的 磊晶之製程 磊晶之設備. 磊晶之目的. 何謂磊晶 磊晶生長 ( Epi taxy). 同質磊晶 異質磊晶. 磊晶成長是為了提升元件性能,導引出晶圓單晶無法達到的新功能。. 半導體能隙 晶格常數. 磊晶之製程. 氣相磊晶 [Vapour Phase Epitaxy , VPE] - PowerPoint PPT Presentation

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Page 1: 石 日 石 石    日 日

指導教授:王文峰學 生:林俊榮

學 號: 49514014 班 級:奈米四甲

Page 2: 石 日 石 石    日 日

磊晶之目的

磊晶之製程

磊晶之設備

Page 3: 石 日 石 石    日 日

何謂磊晶

磊晶生長 (Epitaxy)

同質磊晶

異質磊晶

磊晶成長是為了提升元件性能,導引出晶圓單晶無法達到的新功能。

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半導體能隙 晶格常數

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氣相磊晶 [Vapour Phase Epitaxy , VPE]

液相磊晶 [Liquid Phase Epitaxy , LPE]

分子束磊晶 [Molecular Beam Epitaxy , MBE]

是在單晶襯底的生長界面上,從已經飽和溶質的溶液中定向生長出晶體薄層的方法

利用化學反應的方式,使得氣體反應物生成固態生成物,並沉積在晶 片表面的一種薄膜沉積技術。

在極高的真空狀況 (~10-10torr) ,以一種或多種原子或分子的熱束和結晶表面反應而完成。分子束磊晶法是一種蒸發過程而非化學氣相沉積。

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磊晶生長速率與原料氣體的種類、溫度、壓力及濃度等因素有關

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桶型反應器

常壓系統 ( 一大氣壓 )Si 晶圓是放置於渡SiC 的石墨感測器上。

晶圓朝反應器底部方向突出,以增加反應氣體流於晶圓表面的均勻度

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CVD 原理

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反應氣體傳送到反應器磊晶生長區域內 ↓ 反應產物傳送到晶片表面 ↓ 反應產物被晶面表面吸收 ↓ 在晶面表面發生化學反應 表面擴散、晶格崁入 ↓ 由晶面表面釋出殘留氣體及副產物 ↓ 將殘留氣體及副產物傳送到主氣流中 ↓ 將殘留氣體及副產物傳送到反應器外

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MOCVD

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MBE

是六十年代末在真空蒸發的基礎上發展起來一套成長極薄單晶薄膜的新技術

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