ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ...
DESCRIPTION
ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И МЕХАНИЗМЫ ПЕРЕНОСА КОНТАКТОВ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК Al - TiW - PtSi / n - Si , Al-TiW-Pd2Si/n-Si, Al-T iW / n - Si , AlNi / n - Si, Al-TiCu / n - Si ,. Актуальность темы. - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
![Page 1: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/1.jpg)
ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы
ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И МЕХАНИЗМЫ ПЕРЕНОСА
КОНТАКТОВ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd2Si/n-Si, Al-TiW/n-Si,AlNi/n-Si, Al-TiCu/n-Si,
![Page 2: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/2.jpg)
Актуальность темы
Миниатюризация полупроводниковых структур выдвигает на передний план задачи:
совершенствование технологии; исследование микро- и наноструктур; внедрение их в промышленное производство.
Основные тенденции развития:
микроминиатюризация многофункциональное использование приборов.
![Page 3: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/3.jpg)
Достижения в области физики низкоразмерных систем,
развитие технологии, интерес к тонким
структурамсоздают предпосылки для разработки новых контактов с заведомо известными качествами, проявляющимися в узком диапазоне изменения действующих факторов.
Преимущества КМП
1. Большое быстродействие
2. Простота технологии
3. Способность выполнять различные функции
4. Возможность создания приборов на различных
полупроводниках
5. Плотная упаковка элементов
![Page 4: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/4.jpg)
EF
1
2
3 4
EV
EF
EC
qV
Рис.1.2. Процессы переноса электронов в ДШ при прямом смещении
C
r
R
Рис.1.1. Эквивалентная схема контакта металл –полупроводник.
i1
2
1
i2i4
i3
Рис.1.3.Контакт металл-полупроводник при наличии поверхностных электронных состояний
![Page 5: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/5.jpg)
Цель исследования Изучение электро-физических параметров,
электронной структуры и механизмов переноса носителей заряда КМП с различными
металлическими пленками (Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd2Si/n-Si, Ti10W90/n-Si,
TiCu/n-Si, AlNi/n-Si), подразумевающее:
• выявление функциональных возможностей новых контактных структур;
• анализ физических явлений, на основе которых могут быть созданы многофункциональные приборы.
![Page 6: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/6.jpg)
Задачи исследования
Для достижения настоящей цели были поставлены следующие задачи:
• исследовать ВАХ диодов Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd2Si/n-Si, Ti10W90/n-Si, TiCu/n-Si, AlNi/n-Si в широкой области изменения температуры;
• исследовать диэлектрические свойства диодов Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si на основе анализа C-V и G/w-V характеристик в широкой области изменения частоты и смещения;
• разработать метод вычисления плотности поверхностных состояний на основе измерения ВАХ;
• исследовать расределение поверхностных состояний диодов Al-TiW-Pd2Si/n-Si, Ti10W90/n-Si, AlNi/n-Si в запрещенной зоне кремния;
![Page 7: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/7.jpg)
• исследовать влияние освещения на характеристики диодов Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si;
• исследовать индуктивные свойства диодов Al-TiW-PtSi/nSi и Al-TiW-Pd2Si/n-Si;
• исследовать зависимость ВАХ от геометрических размеров диодов с поликристаллической (TiCu/n-Si) и аморфной (AlNi/n-Si и Ti10W90/n-Si) металлическими пленками;
• разработать метод вычисления толщины диэлектрического зазора КМП;
• исследовать влияние металлической пленки на электронную структуру полупроводниковой подложки методом фотолюминесценции (ФЛ).
![Page 8: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/8.jpg)
Объект исследования В качестве объекта исследования были выбраны
контактные структуры на основе барьера Шоттки
с различными по роду и кристаллической структуре
металлическими пленками:
Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd2Si/n-Si - монокристаллическая,
TiCu/n-Si - поликристаллическая,
AlNi/n-Si, Ti10W90/n-Si - аморфная.
Научный интерес представляют :
многообразие металлизации с применением одного вида кремниевой подложки n-Si(111) 14-ти диодов малых
геометрических размеров, расположенных в одной матрице и полученных в едином процессе.
![Page 9: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/9.jpg)
Научная новизна С применением КМП малых геометрических размеров на основе кремния,
изготовленных с использованием различных металлических пленок и технологических методов, многообразия экспериментальных и
теоретических методов
впервые:
1. выявлены особенности электрофизических параметров, механизмов переноса тока, электронной структуры ДШ с монокристаллической - Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd2Si/n-Si, поликристаллической TiCu/n-Si и аморфной AlNi/n-Si, Ti10W90/n-Si металлизациями; предложены механизмы их возникновения;
2. определены причины появления ОДС на ВАХ ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si; значительная роль туннельного переноса тока обоснована наличием на границе раздела пятен с высокой степенью легирования;
3. зависимость диэлектрических потерь в ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd2Si/n-Si от смещения и тестового сигнала, интенсивности освещения объяснена значительной ролью поверхностных состояний и электронной структуры на границе раздела М-П;
![Page 10: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/10.jpg)
4. выявлены индуктивные свойства ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd2Si/n-Si в широком интервале изменения смещения, и тестового
сигнала, интенсивности освещения. Механизм обнаруженного явления заключается в обмене электронами между поверхностными состояниями на границе раздела М-П, расположенных ниже уровня Ферми и зоной проводимости кремния;
5. предложена новая методика вычисления плотности распределения поверхностных электронных состояний на основе ВАХ. С применением этого метода к диодам с аморфной металлизацией в запрещенной зоне кремния обнаружены поверхностные состояния титана, силицида титана, вольфрама и алюминия, никеля и свободной валентности кремния соответственно в диодах Ti10W90/n-Si и AlNi/n-
Si;
6. разработан оригинальный метод вычисления толщины диэлектрического зазора КМП. С применением этого метода оценена толщина диэлектрического зазора диодов TiCu/n-Si с поликристаллической металлизацией; электрически активная площадь диодов изменяется в широкой области значений; отличие фрактальной размерности периметра контактной площади от топологической можно объяснить зернистой структурой поликристаллической пленки;
![Page 11: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/11.jpg)
7. в результате металлизации и последующего отжига в полупроводнике формируются продленные структуры – электрически и оптически активные центры, включения нанокристаллитов кремния, а также области разупорядоченного кремния (аморфно-нанокристаллические композиции). Появление этих дефектов объясняется особенностями кристаллической структуры металлической пленки и кремниевой подложки;
8. учет туннелирования в функции Норде обуславливает более строгий анализ и позволяет вычислить величину последовательного сопротивления и высоты барьера при туннельном переносе тока.
![Page 12: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/12.jpg)
Достоверность результатов обеспечена
• комплексным характером исследований;
• достаточным количеством идентичных измерений c применением современных приборов высокой точности;
• хорошо апробированных экспериментальных и теоретических методик;
• численной обработкой на основе компьютерных программ EXEL, MATLAB;
• применением теоретического анализа;
• сравнением полученных данных с существующими теориями.
![Page 13: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/13.jpg)
1. Характер неоднородности границы раздела контактов металл- полупроводник диодов (Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd2Si/n-Si, Ti10W90/n- Si, TiCu/n-Si, AlNi/n-Si) определяется составом и кристаллической структурой контактирующих металла и полупроводника;
2. Туннельный эффект в диодах Al-TiW-Pd2Si/n-Si связан с проникновением атомов платины в пустоты кремния и дополнительным легированием полупроводника в результате постобработки;
3. Возможность вычисления плотности распределения поверхностных состояний в запрещенной зоне полупроводника и их идентификации с использованием ВАХ;
На защиту выносятся следующие положения:
![Page 14: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/14.jpg)
4. Особенности и причина изменения электрически активной площади контакта с поликристаллической металлизацией и ее отличие от внешней площади диода;
5. Возможность вычисления эффективной толщины диэлектрического зазора контакта металл-полупроводник с поликристаллической металлизацией на основе анализа ВАХ.
6. Причины возникновения диэлектрических потерь и индуктивных свойств диодов Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si .
7. Особенности спектров фотолюминесценции диодов, их зависимость от выбора контактирующих материалов и причины их возникновения.
![Page 15: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/15.jpg)
Практическая значимость
определяется следующими выводами:
Экспериментально изучены (I-V, C-V и G/ω-V ), и характеристики диодов Al-TiW-PtSi/n-Si, в широкой области изменения температуры. Выявлено, что при низких температурах контактная структура Al-TiW-PtSi/n-Si может быть использована в качестве туннельного диода:
1. На основе анализа экспериментальных характеристик и исследованы
диэлектрические свойства контактных структур Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si в широкой области изменения температуры и тестового сигнала. Исследование параллельной проводимости диодов Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si в широкой области изменения температуры и тестового сигнала представляет интерес для использования указанных КМП в качестве аналогов индуктивности;
2. Метод вычисления распределения плотности поверхностных состояний позволяет выявить электронные состояния в запрещенной зоне полупроводника КМП;
![Page 16: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/16.jpg)
3. С применением разработанного теоретического метода определения
толщины диэлектрического зазора возможно определение толщины
зазора из ВАХ;
4. Метод ФЛ выявил возникновение протяженных дефектов при осаждении металлической пленки на полупроводник в КМП;
5. Результаты исследования при освещении выявили возможность использования диодов в качестве светодиодов (СД);
6. Проведенные исследования диодов Шоттки малых размеров (1х10-6см2 ÷ 14х10-6см2) создают предпосылку для изготовления многофукциональных приборов;
7. Результаты могут иметь важное значение при отработке технологических режимов получения диодов Шоттки и оценке взаимосвязи свойств материала с параметрами приборов.
![Page 17: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/17.jpg)
Рис. 1.5. Диодная матрица диодов Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd2Si/n-Si, Al-TiW/nSi, AlNi/n-Si, Al-TiCu/n-Si.
![Page 18: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/18.jpg)
Рис.1.6. Измерительная установка
![Page 19: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/19.jpg)
ГЛАВА II
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ДИОДОВ ШОТТКИ
Al-TiW-PtSi/n-Si
Обоснование проблемы
Миниатюаризации интегральных схем (уменьшение площади контакта) приводит к возрастанию роли неоднородного распределения заряда по площади. Существуют естественные флуктуации полупроводника, обусловленные дискретным характером распределения объемного заряда.
Синтез новых материалов на кремнии с целью использования преимуществ традиционной кремниевой технологии.
Низкое сопротивление силицидов металлов VШ группы, к которой относится платина, объясняется относительно малыми атомными расстояниями металл-кремний в этих силицидах.
Структуры силицид металла - кремний имеют высокие значения электрофизических параметров
Цель настоящей работы показать:
Атомарно гладкие бездефектные контакты неизбежно имеют неоднородности барьера Шоттки, обусловленные дискретностью заряда легирующей примеси.
![Page 20: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/20.jpg)
Формирование силицида (PtSi) на поверхности n-Si,
рассогласование параметров решеток силицида и кремния и
гексагональные пустоты в кристаллической решетке (111)
ориентированного кремния приводят к перестройке электронных
состояний полупроводника. Это же, в свою очередь, к дискретному
изменению концентрации заряда в приповерхностном слое и
флюктуации толщины ОПЗ .
![Page 21: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/21.jpg)
Рис 2.1. ВАХ ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si (№8) при различных температурах.
Рис.2.2.Зависимость высоты барьера показателя идеальности диода
Al-TiW-PtSi/n-Si от температуры.
![Page 22: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/22.jpg)
kT
IRVq
nkT
IRVqII ss
s exp1exp
kT
qTAAI B
s02* exp
,
)(ln Id
dV
kT
qn
0
2*
0 lnI
TAA
q
kTB
![Page 23: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/23.jpg)
)/ln( 2ATI s
)/( kTq
Рис.2.3. Зависимость
(Al-TiW-PtSi/nSi,
диод №8)
от
)/( kTq
Рис.2.4. ВАХ при низких температурах 79К и 120К (Al-TiW-PtSi/n-Si, диод №8)
kT
qA
AT
I Bapp
0*2
0 lnln
)/exp()(exp( 2 kTqVVVII pp
![Page 24: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/24.jpg)
2
2
2exp
2
1
S
BB
S
BP
dPVIVI BB ,
kT
q sGBB 2
2
00
![Page 25: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/25.jpg)
Рис.2.5. Зависимость высоты барьера ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si от
коэффициента идеальности при различных температурах
(диод №11)
)2/( kTqРис.2.6.Зависимость ВБ при нулевом смещении от для ДШ
Al-TiW-PtSi/n-Si в соответствии с распределением Гаусса
= 0.85 эВGB0S = 0.095
![Page 26: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/26.jpg)
Рис.2.7. Зависимость КИ ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si от 1/T
в соответствии с распределением Гаусса.
Рис. 2.8. Модифицированная зависимость Ричардсона для ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si в
соответствии с распределением Гаусса.
mod0B
= 0.82 эВ А*==169Acm-2K-А2
![Page 27: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/27.jpg)
dlSiapp DAA *)111(
*
,
А* =0.144 Acm-2K-2 - 244 Acm-2K-2
D= 5,5x10-4 - 0,92, при T=120 -360K
Rn+- n =(6,9х10-6 - 3,44х10-8) Омсм2
![Page 28: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/28.jpg)
Рис.2.9.Зависимость для ДШ Al-Ti PtSi/n-Si
Рис.2.10. ВАХ туннельного тока : I exp- экспериментальная, I th1- ТЭ,
I th2- туннельный ток.
)( kTEcthEE oo
ooo
*)/exp(*)/exp(* 2 kTqVkTDTSAI b
qkTE /0
![Page 29: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/29.jpg)
*200 m
NqE
s
d
1expexp
9
4*)(
31
31
0
32
32
2
kT
IRVqx
kT
Vq
kT
q
qV
kTTAAVI sbbB
bb
patch
2/1
0
3
0 27
4
VVqNR
nBd
effs
Nd = 1,5 E + 19 cm -3
S = 2,5х10-13 см2 D=2,8х10-7см
![Page 30: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/30.jpg)
Рис.2.11. Обратные ВАХ ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si
при различных температурах.
Рис.2.12.Экспериментальная и теоретически вычисленные обратные ВАХ ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si:
1 – ТЭЭ, 2- силы зеркального отражения, 3 - лавинный пробой, 4 – экспериментальная, 5- усредненнная, 6 - с учетом туннелирования.
![Page 31: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/31.jpg)
Рис.2.13. Зависимость Eo’ от kT/q для
различных значений E00 (17 meV, 21 meV, 27,5 meV).
Рис.2.14. Потенциальный барьер при дискретном распределении заряда.
Фo-V
Фb
EF
RSi=1,17 A, Rhq=2,15 A, RPt=1,39 A, Rn+=28A
![Page 32: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/32.jpg)
Рис.2.15. Зависимость емкости (a) и нормированной проводимости (b) ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si от напряжения смещения при
различныхтемпературах (100кГц, 10 мВ).
C = C1 C2/( C1+ C2)
![Page 33: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/33.jpg)
Рис.2.16. Зависимость емкости C(V,f) и приведенной проводимости G/w(V,f) ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si от
напряжения смещения при различных частотах (Т=300К, 10 мВ).
![Page 34: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/34.jpg)
Рис.2.17. Зависимость сопротивления контакта Al–TiW–PtSi/n-Si от напряжения смещения при различных частотах и комнатной температуре.
. Рис.2.18. Зависимость сопротивления
контакта (Rs ) структуры Al–TiW–PtSi/n-Si от частоты при различных значениях напряжения смещения и комнатной
температуре.
122 ))(( CGGRs
![Page 35: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/35.jpg)
Рис.2.19. Частотные зависимости C(V)-f (a) и G/w(V)-f (b) характеристик Al–TiW–PtSi/n-Si структур при комнатной температуре и разных смещениях
![Page 36: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/36.jpg)
Рис.2.20. Зависимость диэлектрической проницаемости ( ) ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si от смещения при различных частотах
Рис.2.21. Зависимость диэлектрических потерь ( ) ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si от смещения при различных частотах
A
Cd
C
C i
00
A
Gd
C
G i
i
0
![Page 37: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/37.jpg)
Рис.2.22. Зависимость тангенса диэлектрических потерь ДШ
Al-TiW-PtSi/n-Si от смещения при различных частотах.
Рис.2.23. Частотная зависимость ас-проводимости ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si при различных смещениях и комнатной температуре
tan
0tan AdCac
![Page 38: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/38.jpg)
Рис. 2.24 Частотная зависимость (a) ε, (b) ε”, (с) tanδ и ac-проводимости Al-TiW-PtSi/n-Si для различных смещений при комнатной температуре
![Page 39: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/39.jpg)
Рис.2.25.Частотная зависимость реальной M’(a) и мнимой M” (b) частей электрического модуля ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si от частоты при различных смещениях и комнатной температуре
.
2222*
1*
jMjMM
![Page 40: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/40.jpg)
ХАРАКТЕРИСТИКИ СТРУКТУРЫ Al-TiW-Pd2Si/n-Si,
ПОЛУЧЕННЫЕ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ I-V , C-V, и C/ω –V ИЗМЕРЕНИЙ, В
ЗАВИСИМОСТИ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ЧАСТОТЫ
Рис. 3.1. ВАХ ДШ Al-TiW-Pd2Si/n-Si при различных температурах Рис.3.2. Зависимость lnIs/AT2
от 1000/T для Al-TiW-Pd2Si/n-Si
![Page 41: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/41.jpg)
Рис.3.4. Зависимость от q/2kT для ДШ Al-TiW-Pd2Si/n-Si в соответствии с распределением Гаусса
Рис.3.3. Зависимость высоты барьера ДШ Al-TiW-Pd2Si/n-Si от коэффициента идеальности при различных температурах.
0B
eVBG 535,0 VS 069,0
![Page 42: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/42.jpg)
.
Рис.3.6. Модифицированная зависимость Ричардсона для
ДШ Al-TiW-Pd2Si/n-Si
Рис.3.5. Плотность состояний, определенная из ВАХ ДШ Al-TiW-Pd2Si/n-Si (диод № 8)
d
os
i
oss W
Vndq
VN
1)(1
)( 1
![Page 43: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/43.jpg)
Рис.3.7. Емкость C(V,f) (a),проводимость G/w(V,f) (b) и сопротивление ДШ Al-TiW-Pd2Si/n-Si при комнатной температуре
.
![Page 44: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/44.jpg)
Рис.3.8. Частотные зависимости характеристик структуры Al-TiW-Pd2Si/n-Si
при комнатной температуре.
![Page 45: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/45.jpg)
Рис.3.9. Изменение диэлектрической проницаемости от напряжения смещения структуры Al-TiW–Pd2Si/n-Si при различных частотах.
![Page 46: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/46.jpg)
’, (
Рис.3.10. Частотная зависимость (a) ε’ ,(b) ε’’, (c) tan Al-TiW-Pd2Si/n-Si при различных значениях приложенного смещения и комнатной температуре
![Page 47: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/47.jpg)
Рис.3.11. Частотная зависимость ас-проводимости и электрического модуля Al-TiW-Pd2Si/n-Si для различных фиксированных значений приложенного
смещения при комнатной температуре.
![Page 48: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/48.jpg)
Рис.4.1. ВАХ ДШ Al-TiCu/n-Si в интервале температур (298458)К при прямом смещении (a - №2, b- №6, c-№ 9, d-№10).
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КОНТАКТОВ
МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК Al-TiCu/n-Si С ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ
МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКОЙ
![Page 49: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/49.jpg)
Рис. 4.2. Зависимость ВБ диодов Al-TiCu/n-Si от фактора идеальности при различных температурах (a - №1, b- №3, c- №13).
![Page 50: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/50.jpg)
Рис.4.3.Модифицированная зависимость Ричардсона для Al-TiCu/n-Si структур с учетом распределения Гаусса.
![Page 51: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/51.jpg)
Рис. 4.4.Зависимость ВБ при нулевом смещении от q/kTдля ДШ Al-TiCu/n-Si согласно распределению Гаусса
(a - №1, b- №8, c- №13).
![Page 52: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/52.jpg)
T ( К ) A3 ( см2) A8 ( см2) A13( см2)
298 - 343 3,07x10-9 3,78x10-11 4,36x10-10
343- 403 1,42x10-6 4,71x10-7 7,32x10-4
403 - 458 7,11x10-2 2,86x10-2 2,86x10-2
Значения электрически активной площади диодов Al-TiCu/n-Si
соответственно с внешними площадями 3х10-6 см2,
8x10-6 см2 и 13x10-6 см2.
![Page 53: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/53.jpg)
Рис. 4.5. Триада Кох
![Page 54: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/54.jpg)
Рис.4.6. Ковер Серпинского
![Page 55: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/55.jpg)
• D=ln N/ln r(N) N- число фрагментов, r(N) – масштабный множитель.
r(N)= 3; N = 8; D= 1,892789;
r(N)= 5; N = 24; D= 1,974636;
r(N)= 10; N = 99; D= 1,995635;
r(N)= 100; N = 9999; D= 1,999978;
Полученный результат может быть использован при точном проектировании приборов.
![Page 56: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/56.jpg)
Определение эффективной толщины диэлектрического зазора КМП
поликристаллической металлической пленкой
)exp( xAI x
)1)(exp()(
)exp()exp(
21
21
kT
qVdd
ddII xx
s
1)exp( kTqV
)exp(4
00
kTS
nevI bn
s
kT
q
L
Vm b
x01
22
10 )*2(2
,
,
,
xi
Bd
)1(exp2
)ln()ln(si
ii
sI
In
nI
IB
.
![Page 57: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/57.jpg)
Эффективные значения толщины диэлектрического зазора для диодов Al-TiCu/n-Si с различными внешними площадями
V,V d2
(x10-8см)
d3
(x10-8см)
d6
(x10-8см)
d8
(x10-8см)
d10
(x10-8см)
d13
(x10-8см)
0,2 7,68 7,6 7,64 7,21 6,98 6,99
0,25 7,57 7,55 7,29 6,67 7,12 6,68
0,3 7,62 7,59 7,34 6,99 6,88 6,68
0,35 7,62 7,22 6,56 6,98 6,54 6,02
0,4 7,65 6,99 6,02 7,01 6,97 5,81
0,45 7,51 6,99 6,58 6.83 6,67 5,92
0,5 7,59 6,76 6,21 6,79 6,82 5,86
![Page 58: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/58.jpg)
A 3
1.0E-07
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
-16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2
Voltage (V)
Cu
rren
t (A
)
A3
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Voltage (V)
Cu
rre
nt
(A)
A 5
1.0E-07
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
-16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2
Voltage (V)
Cu
rren
t (A
)
A 5
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Voltage (V)
Cu
rre
nt
(A)
ИССЛЕДОВАНИЕ ДШ Al-Ti10W90/n-Si И AlNi/n-Si С АМОРФНЫМ МЕТАЛЛИЧЕСКИМ СПЛАВОМ
![Page 59: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/59.jpg)
A 7
1.00E-07
1.00E-06
1.00E-05
1.00E-04
1.00E-03
1.00E-02
-16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2
Voltage (V)
Cu
rre
nt
(A)
A 7
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Voltage (V)
Cur
rent
(A)
A 11
1.00E-07
1.00E-06
1.00E-05
1.00E-04
1.00E-03
1.00E-02
-16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2
Voltage (V)
Cu
rren
t (A
)
A 11
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
Voltage (V)
Cu
rren
t (A
)Рис.5.1. ВАХ ДШ Al-Ti10W90/n-Si с аморфной
металлизацией ( диоды №3, №5, №7, №11)
![Page 60: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/60.jpg)
n
Рис.5.2. Зависимость высоты барьера от КИ для диодов Al-TiW/n-Si с различными геометрическими размерами: a) №3, b) №5, c) №7, d) №11, e) №14).
![Page 61: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/61.jpg)
0B kTq 2/Рис. 5.3. Зависимость
для ДШ Al-Ti10W90/n-Si согласно распределению Гаусса. от
![Page 62: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/62.jpg)
A (10-6 см 2) (эВ)
(n=1)
(В) (эВ)
3 0.575 0.099 0.6685
5 0.5671 0.088 0.6444
7 0.5773 0.087 0.6417
11 0.5624 0.088 0.6432
14 0.5565 0.072 0.621
Значения высоты барьера и параметра отклонения
nB 0 s
GB0
![Page 63: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/63.jpg)
Вычисление плотности поверхностных состояний
21 VVV )(12
kT
qV
kT
qV
s eeII
dV
dV
kT
q
dV
Id s 2ln
dV
dV
kT
q
dV
Id s 1*
* ln;
W
ddV
dmqd
dV
dVi
1
2
12
1
41
W
ddV
dmqd
L
d
dV
dVi
1
2
11
2
1
1
4
;
01
1
2
4
)ln
)(1(1
de
dV
Id
L
d
e
kT
dV
dms
i
o
s
i
de
L
d
dV
Id
L
d
e
kT
dV
dm
1
1
2*
**
1
2
*
4
)ln
)(1(
;
;
![Page 64: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/64.jpg)
Рис.5.4.Распределение плотности ПЭС диода Al-TiW/n-Si.
TiSi2- 0.65 эВ
Ti – 0.01- 0.5 эВ; 0.29 – 0.33 эВ
W – 0.43 эВ, 0.74эВ, 0.86эВ
TiSi - 0.63 эВ
WSi – 1.03 эВ
![Page 65: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/65.jpg)
A 4
1.0E-10
1.0E-09
1.0E-08
1.0E-07
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1
Voltage (V)
Curr
ent (
A)
A4
1.0E-10
1.0E-09
1.0E-08
1.0E-07
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Voltage (V)
Cu
rren
t (A
)
A13
1.0E-09
1.0E-08
1.0E-07
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1
Voltage (V)
curr
ent (
A)
A13
1.0E-09
1.0E-08
1.0E-07
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
Voltage (V)C
urr
ent
(A)
Рис.5.5. ВАХ диодов Шоттки AlNi/n-Si ( а)- №4, в) – №13).
![Page 66: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/66.jpg)
Рис.5.7. Зависимость эффективного значения ВБ диодов AlNi/n-Si от напряжения смещения и геометрических размеров.
Рис.5.6. Зависимость КИ диодов AlNi/n-Si (№4,6,13) от напряжения
смещения и геометрических размеров.
![Page 67: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/67.jpg)
A 4
y = -0.0516x + 0.7239
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0 1 2 3 4 5n
b (e
V)
A 14
y = -0.0505x + 0.7099
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0 1 2 3 4 5
n
b (e
V)
Рис.5.8.Зависимость высоты барьера от КИ для диодов AlNi/n-Si с различными геометрическими размерами: a) №4, b) №14.
![Page 68: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/68.jpg)
A4
y = -0.0031x + 0.7102
0.645
0.65
0.655
0.66
0.665
0.67
0.675
10 12 14 16 18 20
q/2kT (eV)-1
Bar
rier
hei
gh
t (e
V)
A 14
y = -0.0041x + 0.7242
0.64
0.645
0.65
0.655
0.66
0.665
0.67
0.675
0.68
10 12 14 16 18 20
q/2kT (eV)-1
Bar
rier
hei
gh
t (e
V)
Рис.5.9. Зависимость высоты барьера от q / 2kT для ДШ AlNi/n-Si согласно распределению Гаусса
![Page 69: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/69.jpg)
Рис.5.10.Распределение плотности ПЭС
диода AlNi/n-Si (№ 6 )
Свободные валентности кремния (M-Si) – (0.33 – 0.41) эВ; (0.54 – 0.56 ) эВ
Структурные дефекты на поверхности (Aq, Cu, Ni) - 0.66 эВ; 0.71эВ; 0.74эВ
![Page 70: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/70.jpg)
ВЛИЯНИЕ ОСВЕЩЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si
Al-TiW-Pd2Si/n-Si
1.00E-09
1.00E-08
1.00E-07
1.00E-06
1.00E-05
1.00E-04
1.00E-03
1.00E-02
-15 -10 -5 0 5 10V (V)
I (A
)
Dark
5 mW/cm2
10 mW/cm2
15 mV/cm2
16 mW/cm2
20 mW/cm2
Рис.6.1. ВАХ ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si , измеренные при комнатной температуре в темноте и при освещении (диод №8).
![Page 71: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/71.jpg)
VC VG /Рис. .
(a ) и
6.2 ( b) характеристики ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si в темноте и при разных интенсивностях освещениия 2 мВт/см 2, 5 мВт/см 2, 8мВт/см 2, 13 мВт/см 2, 16
мВт/см 2, 20 мВт/см 2 ( f=500кГц, Т=300 К)
![Page 72: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/72.jpg)
Al-TiW-Pd2Si/n-Si
0.00E+00
1.00E-10
2.00E-10
3.00E-10
4.00E-10
5.00E-10
6.00E-10
7.00E-10
8.00E-10
-5 0 5 10 15
V (V)
C (F
)
Dark
5 mW/cm2
10 mW/cm2
15 mW/cm2
16 mW/cm2
Al-TiW-Pd2Si/n-Si
0.0E+00
2.0E-10
4.0E-10
6.0E-10
8.0E-10
1.0E-09
1.2E-09
-5 0 5 10 15
V (V)
G/w
(F)
Dark
5 mW/cm2
10 mW/cm2
15 mW/cm2
16 mW/cm2
Рис.6.3.C-V ( a) и G/ w –V (b) характеристики ДШ Al-TiW-Pd2Si/n-Si в темноте и при разных интенсивностях освещениия 2 мВт/см 2, 5 мВт/см 2, 8мВт/см 2, 13 мВт/см 2, 16 мВт/см 2, 20 мВт/см 2 (f = 500 кГц, T = 300K
![Page 73: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/73.jpg)
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
0.0E+00
1.0E-09
2.0E-09
3.0E-09
4.0E-09
C (V)
V (V)f (kHz)
Al-TiW-Pd2Si/n-si
0 1 2 3 4 5 6 7 8 910
0.0E+00
4.0E-09
8.0E-09
1.2E-08
G/w (F)
V (V) f (kHz)
Al-TiW-Pd2Si/n-Si
и
Рис.6.4. С– V и G/.w-V ДШ Al-TiW-Pd2Si/n-Si при разных частотаx и освещенности 15 мВт/см2.
![Page 74: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/74.jpg)
00.5
11.5
22.5
33.5
4
0.00E+00
3.50E+04
7.00E+04
1.05E+05
1.40E+05
Rs
(W)
V (V)P (mW/cm2)
Al-TiW-PtSi/n-si
0.0E+001.0E+042.0E+043.0E+044.0E+045.0E+04
Rs (W
)
V (V)
P (mW/cm2)
Al-TiW-Pd2Si/n-Si
Рис.6.5. Зависимость последовательного сопротивления ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si от смещения при различных
интесивностях освещения и частоте тестового сигала 500 кГц.
![Page 75: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/75.jpg)
Рис.7.1.Зависимость индуктивности ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si от напряжения смещения и
температуры (A=7E-6cm2, f=100kHz, Vosc=10mV).
Рис.7.2.Зависимость индуктивности ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si от смещения
и амплитуды тестового сигнала (A=7E-6cm2, T=300K, f=500kHz).
bCL
2
1
Диоды Шоттки Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si
как аналоги индуктивности.
![Page 76: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/76.jpg)
-2 -1.8 -1.6 -1.4 -1.2 -1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2
35
710
2030
5070100200300500
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
1.0E+04
1.0E+05
1.0E+06
L (Hn)
V (V)
f (kHz)
Рис.7.3.Зависимость индуктивности ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si от смещения и частоты (A=7E-6см2, T=300K, Vosc= 20мВ).
Рис.7.4.Зависимость индуктивности ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si от смещения и температуры ( A8 = 8x10-6 см2, f = 100 кГц, Vosc=20 мВ).
![Page 77: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/77.jpg)
Рис.7.5.Зависимость индуктивности ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si от смещения и температуры (A11 = 11x10-6см2 , f= 100 кГц, Vosc=10 мВ).
![Page 78: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/78.jpg)
-3.75 -2.35 -0.95 0.45 1.85 3.25 4.65
5.0E+00
2.0E+01
7.0E+01
3.0E+02
1.0E+031.0E-06
1.0E-04
1.0E-02
1.0E+00
1.0E+02
L (Hn)
V (V)
f (kHz)
Рис.7.6. Зависимость индуктивности ДШ Al-TiW-Pd2 Si/n-Si от смещения и частоты (A=8E-6cm2, T=300K, Vosc=10mV).
Рис. . Зависимость индуктивности ДШ Al-TiW-Pd2 Si/n-Si от смещения и частоты (A=6 E-6cm2, T=300K, Vosc=10mV .
-3.75 -2.5 -1.25 0 1.25 2.5 3.75 5
1
3.0E+00
7.0E+00
2.0E+01
5.0E+01
1.0E+02
3.0E+02
7.0E+02
5.0E+03
1.0E-04
1.0E-02
1.0E+00
1.0E+02
1.0E+04
L (Hn)
V (V)
f (kHz)
![Page 79: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/79.jpg)
-4 -3.5 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0
5
10
50
100
500
1000
1.0E-02
1.0E+00
1.0E+02
1.0E+04
L (Hn)
V (V)
f (kHz)
Рис.7.8. Зависимость индуктивности ДШ Al-TiW-Pd2 Si/n-Si от смещения и часто- ты (A=6 E-6cm2, T=300K, Vosc=10mV) в темноте.
Рис.7.9 Зависимость индуктивности ДШ Al-TiW-Pd2 Si/n-Si от смещения и частоты (A=6 E-6cm2, T=300K, Vosc=10mV) при интенсивности освещения 10 мВт/см2.
-4 -3.5 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5
510
50
100
500
1000
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
L (Hn)
V (V)
f (kHz)
-4 -3.5 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5
510
50
100
500
1000
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
L (Hn)
V (V)
f (kHz)
Рис.7.10. Зависимость индуктивности ДШ Al-TiW-Pd2Si/n-Si от смещения и частоты (A=6 E-6cm2, T=300K, Vosc=10mV), 16мВт/см2.
![Page 80: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/80.jpg)
Рис.8.1. Спектр ФЛ кремниевой подложки.
Изучение воздействия металлической пленки на энергетическую структуру кремния методом
фотолюминесценции
![Page 81: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/81.jpg)
Рис.8.1. Спектры ФЛ Al/n-Si контакта металл - полупроводник Рис.8.2.Спектры ФЛ ДШ Al-PdAl/nSi.
0.87эВ – D2; 0.98 – Al; 0.79эВ – D1; 0. 87 эВ – Pd, D2; (0.97-0.99)эВ – Al; 1.15 эВ – Si; 1.4 эВ – во всех спектрах.
![Page 82: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/82.jpg)
Рис.8.3. Спектры ФЛ ДШ Al-TiW-Pd2Si/n-Si
Рис.8.4. Спектры ФЛ ДШ Al-TiW/n-Si.
(0.81 – 0.828)эВ - D1; 0.96 эВ – Si; (1.4 -1.45) эВ -– во всех спектрах.
0.856 эВ -W; 1.11 эВ – Si, 0.985 эВ – D4; 1.43 эВ – Продл. дефект;
![Page 83: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/83.jpg)
Уровни, характерные соответствующей металлической пленке: (0.98 эВ (Al) – Al/n-Si; 0.87 эВ (Pd) , 0.97 эВ (Al) – Al-AlPd/n-Si; 0.86 эВ (W) –Al-TiW/n-Si).
Продленные структуры –электрически и оптически активные центры (D1-D4 – соответственно 0.79 эВ -0.985 эВ).
Аморфно-нанокристаллические композиции 1.26 эВ -1.5 эВ.
![Page 84: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/84.jpg)
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
1. Установлено, что электро-физические параметры, электронная структура и механизмы переноса диодов Шоттки малых геометрических размеров (1÷14х10-6см 2) Al-TiW-PtSi/n-Si Al-TiW-Pd2Si/n-Si с монокристаллической, Al-TiCu/n-Si поликристаллической, Al-TiW/n-Si и AlNi/n-Si аморфной металлизациями в широкой области изменения смещения, температуры и тестового сигнала определяются характером и степенью неоднородности границы раздела КМП. Неоднородность границ раздела обусловлена в диодах: Al-TiW-PtSi/n-Si- наличием пятен (10-13см2) с высокой степенью легирования (1019см-3), Al-TiW-Pd2Si/n-Si, Al-TiW/n-Si и AlNi/n-Si – поверхностными состояниями (Nss~1013эВ-1см-2), Al-TiCu/n-Si –зернистой структурой поликристаллической металлизации.
![Page 85: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/85.jpg)
2. Установлено, что большой коэффициент рассогласования параметров решеток PtSi/n-Si и наличие деформированных гексагональных пустот в кристаллической решетке Si(111) приводят к проникновению атомов платины в пустоты кремния в приграничной области контакта и формированию в области пространственного заряда локальных пятен с высокой степенью легирования. Показано, что появление отрицательного сопротивления на ВАХ при температурах в области 79-120К и преобладающая роль туннельного переноса носителей в диодах Al-TiW-PtSi/n-Si обусловлены наличием высоколегированных локальных пятен.
3. Сравнением характеристик диодов, их параметров отклонения,
зависимостей емкости и проводимости от смещения и частоты, отношения
параметров и в 5 и 10 раз выявлено: в Al-TiW-PtSi/n-Si преобладающую
роль играют объемные процессы, а в Al-TiW-Pd2Si/n-Si - поверхностные,
что обусловлено параметрами рассогласования кристаллических решеток
PtSi/n-Si и Pd2Si/n-Si, соответственно равных 0,12 и 0,02.
![Page 86: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/86.jpg)
4. Показано, что отсутствие зависимости от обратного смещения и сильная
зависимость последовательного сопротивления (G/ω) при прямом
смещении обусловлены отсутствием диэлектрического зазора между
металлом и полупроводником в ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si.
5. Выяснено, что зависимость диэлектрических характеристик Al-TiW-
PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si от частоты (<1Мгц) обусловлена вкладом
поверхностных электронных состояний на КМП.
6. электрически активная площадь контакта диодов Al-TiCu/n-Si
с поликристаллической металлизацией изменяется в широком диапазоне
(3,78x10-11÷6,27x10-1) и даже принимает значения намного
превышающие значения внешней площади диода. Показано, что
фрактальная размерность периметра контактной поверхности D=1.9999
превышает топологическую размерность (1). Диодная структура
представляет собой совокупность спонтанно подключаемых элементарных
диодов, обусловленную зернистой структурой поликристаллической
металлической пленки TiCu.
![Page 87: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/87.jpg)
7. Впервые разработан метод вычисления толщины диэлектрического зазора на основе вольт-амперных характеристик. На основе предложенного метода оценена эффективная толщина диэлектрического зазора диодов Al-TiCu/n-Si (7.65 x10-8см ÷ 5.52 x10-8см).
8. Предложен метод вычисления плотности электронных состояний на основе вольт-амперных характеристик. С применением разработанного
метода выявлены дискретные уровни вольфрама, силицида титана, а также никеля, алюминия и свободной валентности кремния в
запрещенной зоне кремния, соответственно, для диодов Al-Ti10W90/n-Si и Al-Ni/n-Si.
![Page 88: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/88.jpg)
9. Теоретически обоснован метод вычисления индуктивности контактов металл-полупроводник. Показано, что отрицательные значения приведенной проводимости, индуктивные свойства диодов Al-TiW-PtSi/n- Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si обусловлены обменом зарядом между поверхностными электронными состояниями, расположенными ниже уровня Ферми, и зоной проводимости. Значения индуктивности диодов Al-TiW-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si меняются в широком интервале в зависимости от температуры, частоты и геометрических размеров КМП. При определенных условиях (температура 300K; частота 100 кГц, 200 кГц; амплитуда 10мВ, 20 мВ) индуктивные свойства в диодах Al-Ti|W-PtSi/n-Si и Al-TiW-Pd2Si/n-Si не проявляются. Такое поведение показывает, что на границе раздела имеются поверхностные электронные состояния с различными временами жизни и вкладом в емкость и проводимость. Пики индуктивности при большой амплитуде (40 мВ) переменного сигнала (ДШ Al-TiW-PtSi/n-Si), малые значения индуктивности и слабая зависимость ее от смещения при частоте 10 МГц (ДШ Al-TiW-Pd2Si/n-Si ) связаны с схемными причинами.
![Page 89: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/89.jpg)
10. Выявлено, что воздействие металла и технологического процесса
формирования контактов металл-полупроводник диодов Шоттки
Al/n-Si, Al-TiW/n-Si Al-TiW-Pd2Si/n-Si и Al-PdAl/n-Si) на
энергетическую структуру полупроводника. В исследованных
структурах в результате металлизации и последующего отжига в
запрещенной зоне кремния, образуются уровни соответствующих
металлов; дефекты, дислокации (0.79 – 0.985 эВ); включения
нанокристаллитов кремния в более широкозонную матрицу
(1.26 эВ- 1.455 эВ); результаты также хорошо коррелируют
с дефектной моделью и моделью стеклообразной
мембраны контактов металл-полупроводник.
![Page 90: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/90.jpg)
11. Полученные результаты могут в перспективе найти применение при
изготовлении многофункциональных приборов:
• Диоды Al-TiW-PtSi/n-Si в температурной области 79 ÷ 120К могут быть использованы в качестве туннельных.
• Закономерность в изменениях характеристик диодов с поликристаллической металлизацией (Al-TiCu/n-Si ) создает предпосылки для разработки новых многофункциональных приборов, работающих в узком диапазоне действующих факторов.
• Меняя условия получения контактной структуры c аморфным металлическим сплавом и применяя метод вычисления плотности поверхностных электронных состояний, можно заранее задавать сеть поверхностных электронных состояний и управлять электрофизическими параметрами прибора.
• Учет фрактальной геометрии позволит осуществить точное проектирование приборов с малыми линейными размерами металлических элементов.
![Page 91: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/91.jpg)
• Создавая определенную структуру поверхностных электронных состояний, можно использовать диоды Шоттки в качестве аналогов индуктивности.
• Диоды на основе барьера Шоттки могут быть использованы как светодиоды с дислокационной люминесценцией.
![Page 92: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/92.jpg)
Апробация работы
Материалы диссертации докладывались на:
1.16.1-third Baku Intern. Congr. Energy, Ecol., Economy – Scien. p, v. l.6,17p.196, Baku, 19-22 September, 1995;
2. International Conference on Solar Energy and the Islamic countries (SEIC), p. 653-676 Iran, Tehran, 6-9 November,1995;
3. the Fourth Baku International Con-gress on Energy, Ecology, Economy. Sciencific technical periodical, volume 7, Baku, September 23-26, p.348-350,1997;
4. Республ. науч. конф. «Актуальные проблемы физики», Баку, с.140-141,1998;
5. 2 Inter-national Non-Renewable Energy Sources Congress 2 IN-RESC, p.719-723 Tehran, Iran, December,1998;
6. Респ. Конфер. «Современные проблемы прикладной физики и химии», с.34, 1999;
7. International Eco-Energy Academy, Scientific Technical Periodical, volume 10, Procee-dings of the fifth Baku International Congress “Energy, Ecology, Economy, Baku, Sept.21-24, p.103-108, 1999;
![Page 93: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/93.jpg)
8. International Conference on Fluid and Thermal Energy Conversion 2000/ Indonesia, Bandung, , p.41-48, 2000;
9. Rabitə və elm. Resp. Konfr. s.110-112, 2002;
10. The 23 Conference оn Solid State Science & Workshop on Physics and Appli-cation Potential of Functional Ceramic, Thin Films/ 28 Sept-2 Oct.2002,Egypt, Sharm El-Sheikh, Sinai.,p.28, 2002;
11. International Conference on Fluid and Thermal Ener-Conversion 2003/ -Indonesia, Bandung, p.110-112, 2003;
12. The 24 Conference on Solid State Physics and Materials Science, 22-26 February 2004, Safaga, Red Sea, Egypt, p.22,2004;
13. Conference proceeding –Second International Conference on Technical and Physical Problems in Power Engineering, Tabriz-Iran,6-8 September 2004, p. 452-454,2004;
14. Х1 Υoĝun Madde Fiziĝi, Ankara Toplantısı, s.34, 3 aralıik, 2004;
15. Türk Fizik Dernegi 23.Fizik Kongresi, 13-16 Eylül, 2005, Muĝla-Türkiye, s.622, 2005;
16. Beүnəlxalq Konfrans “Fizika-2005”, 7-9 iүun 2005 (AMEA-nın 60 ill. Həsr olun.), Məqalələr toplusu, s.243-244, 2005;
![Page 94: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/94.jpg)
17. Труды 5-ой Междун. научно-техн.конференции “Микроэлек-троные преобразователи и приборы на их основе», МЭП, 5-8 декабря 2005г. Баку, с.93-96,2005;
18. Türk Fizik Dernegi 23.Fizik Kongresi, 13-16 Eylül, 2005, Mugla-Türkiye, 1343-1346, 2005;
19. Conference proc./ Third Intern. Conference on Technical and Physical Problems in Power Engi-neering, 27-31may, р. 738-740, 2006, Turkiye, Ankara;
20. Υoĝun madde fiziĝi, Ankara toplantısı, 3 kasım 2006, s.108;
21. 6-th International Conference of the Balkan Physical Union (BPU-6) –August 22-26, 2006, Stanbul;
22. « Fizikanin muasir problemleri», 1 Resp.Konfransi, 6-8 dekabr, 2007, s.157-158;
23. «Fizikanın müasir problemleri”, 2-ci Respublika Konfr. 28-29 noүabr, Bakı, 2008, с.39-41;
24. Condensed Matter Physics Conference of Balkan Countries (CMPC- BC), 2008, Book of Abstracts, 26-28 May 2008, Mugla, Turkey;
![Page 95: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/95.jpg)
25. Труды Междун. Конфер «Научно-технич. прогресс и современная авиация», Баку, февр.2009. с.311-312;
26. BDU-nun 90 illik yubileyine həsr olunmuş Beynəlxalq elmi Konfrans materiaları ( Təbiət elmləri), Bakı, 2009,s. 240-241;
27. “Fizikanin muasir problemleri” III respublika konfransı, BDU FPI, 17-18 dekabr, 2009, Bakı, s.34-36.
![Page 96: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/96.jpg)
ПУБЛИКАЦИИ
1. Əfəndiyeva İ.M., Əsgərov Ş.Q.,Aĝaүev M.N., Qənbərzadə M.Ə.,Abdullaүeva L.K.Ti10 W90 –nSi Şottki barүerləri hündürlüүünün tədqiqi, Bakı Universiteti. Xəbərləri,fizika- riy aziyyat elm. ser, 1999, №1,. s.93-95.
2. Əfəndiyeva İ.M., Əsgərov Ş.Q.,Qənbərzadə M.Ə.,Həsənov M.H. (PtSi+TiW-Al)-nSi Şottki diodlarında tunn.cərəүanın.rolu. Fizika, c. 5, №2, с.84—86, 1999.
3. Эфендиева И.М. Ганбарзаде М.А.,Агаев М.Н.,Абдуллаева Л.К Обратные ВАХ диодов Шотки ( PtSi+TiW-Al)-nSi. Fizika, cild 6, №1, с.9-10, 2000.
4. Эфендиева И.М. Роль последователь-ного сопротивления и туннелирования в диодах Шоттки . AMEA-nınXəbərləri, Fiz.-Riaz. Elm.Seri., cild 13,№2, s. 94-97, 2003.
5. Эфендиева И.М., Абдуллаева Л.К.Электронные свойства границы раздела TiW-nSi. Beүn. Konfr.“Fizika-2005”,7-9/06/2005 (AMEA-nın 60 ill. Həsr olun.),Məqalələr toplusu, s.243-244.
6. Эфендиева И.М., Абдуллаева Л.К.,Гасанов М.Г.,Кулиева Т.З.,Алтундал Ш. Влияние флуктуаций потенциала диодов (Al-TiW+PtSi)-nSi на характер механизма переноса , Тр.5-ой Межв. н-т. Конф.“Микроэл. преоб-разов.и приборы на их основе»,МЭП,5-8/12/05 Баку, с.93-96
![Page 97: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/97.jpg)
7. Afandiyeva İ.M. , Altındal Ş.,Abdullaүeva L.K. Correlation between barrier height b (C-V) determined from C-V and b (I-V) determined from forward bias I-V charactheristis. Türk Fizik Dernegi 23.Fizik Kongresi, 13-16 Eylül, 2005, Mugla-Türkiye, 1343-1346.
8. Эфендиева И.М., Абдуллаева Л.К.,Шарбатов В.Х.,Алтундал Ш. Флуктуации потенциала диодов (Al-TiW+PtSi)-nSi AMEA-n Xəbərləri, Fiz.-Riaz. Elm.Seri. 2006,№2, s.115-118.
9. Afandiyeva İ.M. Altındal Ş.,Abdullaүeva L.K. Research of the equivalent circuit parameters of the (AL-TiW+PtSi)-nSi Shottky diodes . Proc. Ш Int. Conf. Techn.&Phys.Prob. in Power Engin.27-31/05/2006, р. 738-740,Turkiye, Ankara.
10. Эфендиева И.М., Температурная за-висимость флуктуационных токов через КМП. Journal of Qafgaz University, 2006, number 17, p.56-61.
11. Afandiyeva İ.M . Özçelik S.,Altındal Ş.,Abdullaүeva L.K.,Askerov Sh.G. Analogue of the ind-uctance on the basis of (AlTiW+PtSi)/nSi Scottky diode. Fizika, 2007, cild XIII, No1-2, s.299-300
12. Afandiyeva İ.M . Altındal Ş.,Guliyeva T.Z.,Sharbatov V.Kh.Rezearch of the dependence of capa-citor characteristics of (Al-TiW+PtSi) /nSi diode on the temperature Fizika, 2007, cild XIII, No1-2, s.220-221
13. Afandiyeva İ.M . Sh.G.Askerov, L.K.Abdullayeva, Sh.S.Aslanov. The obtaining of Al-Ti10W90-Si(n) Schot-tky diodes and investigation of their interface surface state density. Solid State Elect-ronics, 51 (2007), 1096-1100.
14. İ.M.Əfəndiyeva, Ş.Q. Əsgərov, L.K.Abdullayeva, M.N.Aĝaүev, M.H.Həsənov Al0,8Ni0,2/nSi dio-dları aүrılma sərhə-ddinin electron xassələri Fizika, Х111,№3, 2007, s.62-65.
![Page 98: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/98.jpg)
15. Afandiyeva İ.M . Dökme İ.,Altındal Ş.,Bülbül M.,Tataroĝlu A.Frequency and voltage effects on the dielectric pro-perties and electrical. conductivity of Al-TiW-Pd2Si/n-Si structures. Microelectronic Engineering, 85, 2008, 247-252
16. Afandiyeva İ.M ., Dökme İ.,Altındal Ş.,Askerov Sh.G, Abdullayeva L.K.The frequency and volt.dependent elec-tr.charact.ofAl-TiW- Pd2Si/n-Si truc.using I-V, C-V and G/w-V measurements. Microelectronic Engineering,85, 2008, 365.
17. Afandiyeva İ.M . , Dökme İ. Altındal Ş.The distribution of the barrier height in Al-TiW-Pd2Si/n-Si Schottky diodes from I-V-T measurements. Semiconductor science and Technology / 23 (2008), 1-6
18. Эфендиева И.М.,Асланов Ш.С. , Годжаева Ш.М. Кулиева Т.З. Абдуллаева Л.К.Исследование диэлектрических характеристик диода Шоттки Al-TiW-PtSi/n-Si. Fizikanın müasir problemleri”2-ci Resp. Konfr. Mater., 28-29 noүabr, Bakı, 2008, 39-41
19. Afandiyeva İ.M . Kural M.H., Altındal Ş.Illumination dependence of current voltage and admittance-voltage characteristics of (Al-TiW-PtSi)-n-Si Schottky diodes Journal of optoelectronics and advanced materials, vol.2, No2, 2008, p,85-88 ( Condensed Matter Physics Conference of Balkan Countries CMPC- BC2008..
20. Эфендиева И.М. Определение эффек-тивной толщины зазора КМП с поликристаллическим металлическим слоем . Тр.Межд.Конф.Науч.-технич. прогресс и современная авиация Баку, февр.2009. с.311-312.
21. Əfəndiyeva İ.M . L.K.Abdullayeva, Ş.M. Qocayeva, M.H.Həsənov. Al0.8Ni0.2/n-Si diodla-rında potensial cəpərin hündürlüyünün müxtə-lif üsullarla təyini. BDU 90 il. Bey. Elmi Konfr.materialları Təbi-ət elmləri), Bakı, 2009, 240-241.
![Page 99: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/99.jpg)
22.
Əfəndiyeva İ.M . Abdullүaeva L.K. Quliүeva T.Z. Qocaүeva Ş.M., Aĝaүev M.N. Amorf xəlitəli Al0,8-Ni0,2/n-Si diodlarının emission parametrləri arasında korrelүasi-үanın tədqiqi. Fizikanın müasir pro-blemleri III Respub-lika Konfransının ma-terialları, BDU FPI, 17-18 dekabr, 2009, Bakı, s.34-36.
23.
İ.M.Afandiyeva. Investigation of potential barrier height of Shottky diode AlTiCu/n-Si. Fizika, XV,4, 2009, 85-88.
24.
И.М.Эфендиева . Исследование электрофизичес. парамет-ров КМП Al-TiCu/n-Si с поликристалличес. металлической пленкой. AMEA-nın Xəbə-rləri, Fiz. riү. elm. seriү. XXX, №2, 2010, 118-129.
25.
Əfəndiyeva İ.M . Əsgərov Ş.Q., AbdullaүevaL.K., Quliүeva T.Z, Qocaүeva Ş.M. Müxtəlif ölçülü Al-TiW/n-Si Şottki diodlari cəpər hündürlüүünün tədqiqi. Azerbaijan Journ of Phsics Fizika, vol.XVI, Number 2, 2010. s. 20-23.
26.
И.М.Эфендиева. Фрактальные исследо-вания границы раздела КМП Al-TiCu/n-Si. Journ.of Qafgaz University, vol.1, 29,2010,p. 86-91
27.
Afandiyeva İ.M . ÜslüH., Altındal Ş, Aydemir U., Dökme İ.˙The interface states and series resistance effect on the forvard and reverse bias I-V, C-V and G/w-V charateristics of Al-TiW-Pd2Si/n-Si Schottky barrier diodes. Journal of Alloys and Compounds, 503(2010) 96-102.
![Page 100: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/100.jpg)
28. Afandiyeva İ.M . Üslü H.,Dökme İ, Altındal Ş, Illumination effect on I-V, C-V and G/w-V char-acteristics of Al-TiWPd2 Si/ n-Si structures at room temperature. Surface and Interface Analysis.42 (2010) 807-811.
29. Afandiyeva İ.M . The temperature, frequency and voltage dependent characteristics of Al-TiW-Pd2Si/n-Si stru-cture using I-V, C-V and G/ω-V measurem. Azerbaijan Journal of Physics. Fizika, XVI, 3-4, 2010, p.102-110.
30. Afandiyeva İ.M . Özçelik S., Abdullayeva L.K.Photoluminescence study of metal film’s impact on silicon energetic structure.Journ. of Qafgaz University,vol.1, N 29, 2010, p. 96-99.
31. Afandiyeva İ.M . Frequency, voltage and temperature effects on the inductive properties of Al-TiW-PtSi/n-Si Schottky diodes. AMEA-nın Xəbərləri, Fiz. riү. elm. seriү. XXXI, №2, 2011, 29-39.
32. И.М.Эфендиева, Ş.Altındal* , Ш.М.Годжаева, М.Г.Гасанов. Индуктивные свойства диодов Шоттки Al-TiW-Pd2Si/n-Si. Qafqaz 2011, Journal of Qafgaz University, N 31, 2011, p.76-79.
33. Afandiyeva İ.M . M.Bülbül, Ş.Altındal, S.Bengi, Frequency dependent dielectric properties and electrical conductivity of Platinum silicide/Si contact structures with diffusion barrier Microelectronic Engineering, 93 (2012) 50–55.
34. Afandiyeva İ.M . S.Demirezen, Ş.Altındal . Tepmerature dependence of forvard and reverse bias current-voltage characteristics in Al-TiW-PtSi/n-Si Schottky barrier diodes with amorphous diffusion barriers. J.Alloys and Compaunds ,2013,552, 423-429.
![Page 101: ЭФЕНДИЕВА ИЗЗЕТ МАМЕД кызы ЭЛЕКТРО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ,](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062309/56813fff550346895dab3125/html5/thumbnails/101.jpg)
СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ !!!