МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА...

19
УНЦ МИЭТ УНЦ МИЭТ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ 2012

Upload: aricin

Post on 15-Jan-2016

61 views

Category:

Documents


0 download

DESCRIPTION

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ. 20 12. Пути снижения стоимости продукции. Оптимизация логистики производства Организация сборочного производства (печатные платы, корпуса, сборка) Проектирование и использование собственной элементной базы. - PowerPoint PPT Presentation

TRANSCRIPT

Page 1: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ МИЭТУНЦ МИЭТ

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯРЕШЕНИЯ

ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ПРОЕКТИРОВАНИЯ

ЭКБЭКБ

2012

Page 2: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

Пути снижения стоимости продукции

Оптимизация логистики производства

Организация сборочного производства (печатные платы, корпуса, сборка)

Проектирование и использование собственной элементной базы.

2012

Page 3: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

Дизайн-центр предлагает своим заказчикам:

Инновационные Технологии

Долгосрочную Стратегию

Профессиональный Подход

Превышение Требований Заказчиков

Центр проектирования ИС

Цель дизайн-центра - стать неотъемлемой частью вашей дизайн-команды с общим видением создания продуктов высокого качества в срок и

при минимальном бюджете

2012

Page 4: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

Центр проектирования ИС

Современный Дизайн-центр

«Проект-под-Ключ»

Конкурентная Цена с другими оффшорными компаниями

Дизайн-центр полностью оснащен самым современным оборудованием для разработки и верификации ИС

38 инженеров (3 КТН & 6 Магистров)2012

Page 5: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

Система Обеспечения Качества Проекта

Ид. Название задачи

1 Утверждение маршрута.

2 Получение маршрута проектированияна фабрике

3 Изучение маршрута

4 Уяснение и у тверждение маршрута.

5 Подготовка документации по проекту.

6 Описание схемы на уровне черного ящика

7 Описание зашивки ПЗУ

8 PLL

9 ADC

10 Разработка документации на ядро

11 Разработка документации на блокиперефирии

12 TIMER

13 WDTIMER

14 RSPORT

15 PORT16

16 NANDFLASH

17 Цифровая часть

18 Разработка тестов

19 Тесты на ядро

20 Тесты на блоки периферии

21 Тесты для самотестирования

22 Тесты для контроля годностикристалла.

23 Разработка зашивки ПЗУ

24 Запрос ОЗУ.

25 Запрос ПЗУ с нашей зашивкой.

26 Разработка интерфейса к ADC.

27 Разработка тестов к ADC.

28 Тестирование

29 Тесты на ядро

30 Тесты на блоки периферии

31 NANDFLASH

32 Тесты для самотестирования

33 Тесты в виде готовых программ

34 Тесты для контроля годности кристалла.

35 Оценка топологии.

36 Аналоговая часть

37 POR

38 BOR

39 PLL

40 Генератор частоты

41 Рекомендации по ADC

42 Разработка тестов

43 POR

44 BOR

45 PLL

46 Генератор частоты

47 Рекомендации по ADC

48 Тестирование

49 POR

50 BOR

51 PLL

52 Генератор частоты

53 Рекомендации по ADC

54 Оценка топологии

55 Оценка потребления

56 Подготовка данных для передачианалоговых блоков.

57 Запрос IP блока ADC

58 Проработка параметров

59 Максимально допустимые параметры

60 Характеристики по постоянному току

61 Параметры внешнего тактовогосигнала

62 Параметры ADC

63 Фиксирование интерфейсов.

64 Интерфейсы цифровой части

65 Интерфейсы аналоговой части

66 Интерфейсы входов/в ыходов

67 Сборка аналоговых и цифровых блоков.

68 Четкое описание выводовпроекта.

Сергей

Павлов

Павлов, Сергей

Колпаков

Колпаков

Колпаков

Колпаков

Капранов

Капранов

Колпаков

Колпаков

Колпаков

Колпаков

Колпаков

Капранов

Капранов

Капранов

Капранов

Ширкин

Капранов

Сергей

Сергей

Капранов

Капранов

Ширкин

Ширкин

Ширкин

Алексей

Ширкин

Ширкин

Ширкин

Павлов

Однолько

Однолько

Однолько

Однолько

Однолько

Однолько

Однолько

Однолько

Однолько

Ресурс1

Ресурс1

Ресурс1

Ресурс1

Ресурс1

Ресурс1

Ресурс1

Ресурс1

Ресурс1

Ресурс1

Ресурс1

Ресурс2

Павлов

Павлов

Павлов

Ресурс1

Колпаков

Колпаков

Павлов

Колпаков

П С В П В С Ч П С В П В С Ч П С В П В С Ч П С В П В С Ч П С В П В С Ч П С В П В С Ч П С В П В С Ч П С В П В С Ч П С В П В С Ч27 Июн '05 04 Июл '05 11 Июл '05 18 Июл '05 25 Июл '05 01 Ав г '05 08 Ав г '05 15 Ав г '05 22 Ав г '05 29 Ав г '05

Июль 2005 Август 2005 Сентябрь 2005

График Проекта

Чеклист

Коммерческое Предложение

Обзор этапа M1

2012

Page 6: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

Инфраструктура ДЦ Современные серверные станции IBM x3455 для САПР Cadence

Измерительное оборудование ведущих производителей Официальный САПР Cadence

2012

Page 7: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

2012

Технология производства ИС

Производство интегральных микросхем – X-FAB Semiconductor Foundries GMBH Широкий выбор технологий

производства ИС Сертификация ISO9001:2000,

TS16949:2002

Page 8: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

Семейство 16-разрядных микроконтроллеров

2012

К1894ВГ1Т 1894ВЦ1У TF-16T TF16BS

PLL (2-100) MHz (4-200) MHz - -POR & BOR + + + +

UART 4 2 - +Timer/Counter 1 2 1 +

Capture/Compare

- 1 (4 канала) - -

PWM -1 (3 комплим.

канала)- -

Parallel I/O 3×16 бит 2×16 бит - 1 × 16 битSerial I/O SPI SPI

DAC - 4, 10 bit -

ADC8 каналов, 10

разр.8 каналов, 10

разр.2 канала, 8 разр.3 канала, 16 разр.

MROM 1K×16 64K×16 0.5K×16 1K×16OTPROM - - 4K×16 -

SRAM 16K×16 4K×16 1K×16 8K×16Regulator

(LDO)- - + -

MAC - 16×16 = 40 - -F clock, MHz 50 50 10 10

P 1мА/МГц 1мА/МГц 1мА/МГц 300мкА/МГцVcc, В 3.3 3.3 3.3 2.4 ÷ 3.6

Technology 0.35 0.35 0.35 0.35

Page 9: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

Топология семейства 16-разрядных

микроконтроллеров

2012

Page 10: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

СБИС для интеллектуального

беспроводного датчика Автономный измеритель

физических величин Радио-интерфейс обмена

данными Минимальное количество

выводов

∑∆АЦП 16р.

16р.МК

RF 865 МГц

2012

Page 11: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

Структурная схема

Приемо-передатчик

беспроводной связи

ПЗУ512*16

Синхронный приемо-передатчик SPI

Импульсный счетчик

CS

MIS

O

SC

K

MO

SI

Ядро Микроконтроллера

1894Системная шина команд и данных

PD

8

AP/AN

Часы реального времени

VD

D

GN

D

Параллельный 8-миразрядный

порт Д

Узел таймера общего

назначения

INT

*

E-FLASH8K*16

Watchdog таймер

МодульАЦП16

CFL

CB

L

Узел управления и

распределения напряжения

питания

ОЗУ8K*16

IMP

2

U

ref

A

DC

_TE

ST

ISIN

K /

ISO

UR

CE

V

RE

FH

/ V

RE

FL

IN

N /

INP

RES

FCLK

Узел формирования тактовой частоты

XT

1

XT

2

RC

LK

Низкочастотный кварцевый генератор

Высокочастотный кварцевый генератор

XT

3

XT

4

FC

LK

LCLK

ICLK

PCLKУзел

управления и распределения

тактовой частоты

FCLK

RCLK

Асинхронный приемо-

передатчик UART

RX

TX

VD

DF

POR/BOR

2012

Page 12: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

Характеристики

Напряжение питания – 1.8 ÷ 3.6 В. Ток потребления – 300 мкА/МГц. Ток потребления в режиме Sleep – 1

мкА 16-разрядная RISC архитектура. 24-х выводной корпус. 16 КБ оперативная память. Энергосберегающие режимы работы. Интерфейсы UART, SPI. 16-разрядное сигма-дельта АЦП Радиочастотный приемопередатчик

864-865 МГц.2012

Page 13: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

16-разрядный Микроконтроллер с EPROM К1894ВГ2Т

2012

Page 14: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

Акселерометр (Xemics XE2004)

2012

Page 15: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

Реализовано в ASIC

2012

Page 16: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

Датчик дыма

BLOCK CASE

SENSOR BOARD

COVER

LED HOLE

LED

SMOKE CHAMBER

SOCKET FOR SMOKE -TEST SAMPLE

RGAIN

TEST- MODE PIN

IRED DETECTOR

2012

Page 17: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

Схема применения

IPS101

0.5kΩ

10μF

1kΩ

3MΩ

6.2kΩ

100kΩ

VL VL_R

VDD(8-30V)

VCC_IRED

STROBE

LED

Rosc

GND

R_IVcc (5V)

R_IA

VCC

ALARM

IRED

GAIN

TEST

C1

RL

C2

Rg

R_IA

R_I

Rosc

3MΩ 1MΩ

39pF

1MΩ

3MΩ

TEST on/off

Smoke chamber

100μF+

IR DETECTOR

IR EMITTER

Photodiode

SCHEME OF IR DETECTOR

12

1

2

1

2

3

4

5

67

8

9

10

11

12

14 13

1

2

3

4

1kΩ

RDOAPower Supply

General

General

LED

2012

Page 18: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

Датчики давления и температуры

2012

К1894ВГ2Т - специализированная СБИС для обработки мостовых датчиков.

Встроенный 16-разрядный АЦП и предварительный усилитель с коэффициентами 1,2,4,8,16,32 позволяют выполнять прецизионные измерения.

Встроенный подстраиваемый источник опорного напряжения.

16-разрядный микропроцессор выполняет необходимую цифровую обработку сигналов.

Низкая потребляемая мощность (менее 250 мкА/МГц) и низко потребляющие режимы работы обеспечивают длительное время автономной работы.

Диапазон рабочих температур -60…125°С Интегрированная среда разработки и отладки

программного обеспечения предоставляет все средства для быстрой разработки приборов.

Page 19: МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ РЕШЕНИЯ ДИЗАЙН-ЦЕНТРА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭКБ

УНЦ УНЦ МИЭТМИЭТ

2012

Датчик угловых/линейных перемещений (датчик Холла) Информация о проекте Измерение скорости/направления вращения и определение

относительного или абсолютного углового положения вала (двигателя).

БИС также позволяет определять линейное перемещение объекта.

Выходной сигнал – инкрементальный квадратурный код (аналогично

оптическим энкодерам) и SSI-интерфейс Максимальное угловое разрешение 0.09 градуса (12 бит) Максимальная измеряемая скорость вращения – 13636

оборотов/мин. (для кольца с 22 полюсными парами) Максимальная скорость линейного перемещения – 20 м/с

(при длине полюсной пары 4 мм) Диапазон измеряемого магнитного поля 3-60 мТ Максимальная частота магнитного поля 10 кГц Автоматическая компенсация постоянной составляющей