Применение нанотехнологии химико-механического...
DESCRIPTION
Применение нанотехнологии химико-механического полирования (ХМП) для создания новых приборов. Фарафонов С.Б., Артёмов Е.А., Артёмов А.С. ООО «Инновационный альянс» Институт Общей физики им. А.М. Прохорова РАН. Дубна 2013. Современные способы - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
Применение нанотехнологии химико-механического полирования (ХМП) для
создания новых приборов
Фарафонов С.Б., Артёмов Е.А., Артёмов А.С.
ООО «Инновационный альянс»Институт Общей физики им. А.М. Прохорова РАН
Дубна 2013
2
Химическое Электрохимическое Фотоэлектрохимическое Механо-электрохимическое Химико-механическое Механическое Механохимическое Механо-термическое Магнитомеханическое Акустомеханическое Электронно-лучевое Лазерное и др.
Области применения технологии ХМП
Современнные нанотехнологии в электронике:Нанополирование (ХМП);Наноэпитаксия;Наноокисление;Нанолитография;Нанотравление;Наноструктуры;
6
Поверхность полупроводников после ХМП
АСМ изображения и сечения рельефа: а – Si (111), a = 0,5430нм; б – Ge (111), а = 0,5657нм; в – CdS (0001), а = 0,4134, с = 0,6749нм; г – SiC:6H (0001), а = 0,308, с = 0,252нм; д – ZnSe (100) после ХМП и последующего отжига в Н2.
а б в гРепл ЭМ поверхности при ув. 30 000: а – GaAs (100); б - InP (100); в - InAs (111); г – InSb (111), ХМПз.
а б в г д
А3В5
А4
А2В6
А4А4
7
Поверхность диэлектриков после ХМПАСМ изображения и сечения рельефа
α-Al2O3 (0001) бикристалл, ХМП
Scan: 2.5 x 2.5 мкм
α-Al2O3 (0001) ХМП, а = 0,4758нм, с = 0,1299нм .
ZrO2·Y2O3 (100) ХМП, а = 0,5141нм.
LiNbO3 y - cрез, а = 0,5150нм, с = 1,3816нм ХМП.
SrTiO3 (100) ХМП, а = 0,3904нм.CaF2 (111) ХМП, а =,5462нм.
Scan: 1,7 X 1,7 мкм
NdGaO3 (100) бикристалл, ХМП. MgAl2O4 после СК-1.
Кремниевые СБИС после ХМП АФС слоя Si3N4, h = 0,6мкм.
ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ ПОСЛЕ ХМП В ПРИБОРАХ
11
Технология изготовления лазерных мишеней из монокристаллов
CdS, CdSe, CdSSe, ZnCdS, ZnCdSe, ZnSe и ZnO для создания ЛЭЛТ с электронной накачкой видимого, УФ и ИК
диапазонов излучения
ЛМ:
- толщина 5-20мкм;- плоскостность ≤ 5N;- разнотолщинность ± 2мкм;- σ ≤ 1нм.
СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ