лек. 9 полярн. ков. связи. типы кр
TRANSCRIPT
Лек 9
По степени смещения (поляризации) связующего электронного облака связь может быть
ПОЛЯРНОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ СВЯЗИ
1 неполярной ClCl HH
или ClndashCl HndashH
2 полярной H Cl
или Hδ+ ndash Clδ-
δ ndash эффективный заряд | δ | lt 1
3 ионный Na+ Clndash или
Na+ClndashНеполярная и ионная связи ndash крайние случаи полярной ковалентной связи
Поляризуемость связи ndash способность ее становится полярной (или более полярной) под действием внешнего электрического поля В результате поляризации может произойти разрыв связи с образованием ионов
H + Cl larr H Cl rarr H+ + Cl
диссоциация ионизация
ПОЛЯРНОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ СВЯЗИ
middot middot middot middot middot middot
‒
ТИПЫ КОВАЛЕНТНЫХ МОЛЕКУЛ
Неролярные молекулы ndash молекулы у которых центры тяжести положительных и отрицательных зарядов совпадают
Полярные молекулы ndash молекулы с ассиметричным распределением электронной плотности
Полярные молекулы иначе называют диполями те системами состоящими из двух равных по величине и противоположных по закону зарядов +q и ndash q находящихся на некотором расстоянии l друг от друга
ТИПЫ КОВАЛЕНТНЫХ МОЛЕКУЛ
Полярность молекулы как полярность связи оцени-вают величиной электрического момента диполя μ
μ = q l q+ qndash
l μ ndash векторная величинаединица измерения ndash Кл м
Следует различать полярность молекулы в целом и полярности связей
δ- 2δ+ δ- O = C = O
μco μco
μ = 06110 -29 Кл м(μ = 0)
O μон
δ+H H δ+
μон
ИОННАЯ СВЯЗЬ
Ионная связь возникает при переносе одного или нескольких электронов от одного атома к другому в результате чего атомы превращаются в ионы электростатически притягивающиеся друг к другу
Перенос электрона энергетически выгоден если атом отдающий электрон обладает низким потенциалом ионизации а атом присоединяющий электрон обладает большим сродством к электрону
Катионы легко образуются sndashэлементами анионы рndashэлементами 7-ой группы
С теоретической точки зрения ионная связь ndash крайний случай полярной ковалентной связи
Связи ионными на 100 практически не бывают Поэтому говорят о степени или доле ионности связи как в полярных так и ионных соединениях
ИОННАЯ СВЯЗЬ
РазностьОЭО 0 05 1 15 2 25 3 33
СтепеньИонности 0 6 18 34 54 71 82 89
Нeнаправленность и ненасыщаемость ионной связи
Распределение силовых полей двух разноименных
ионов
Степень ионности связи зависит от разности относи-тельной электроотрицательности элементов (ОЭО)
ИОННАЯ СВЯЗЬ
Деформируемость и поляризующее действие ионов
Схема взаимной деформации
ионов
Схема деформациивнешних электронных
оболочек
ДЕФОРМИРУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ ИОНОВ
влияние влияние влияние заряда размера (laquo+raquo) размера (laquondashraquo)
ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ
Ионы имеющие Ионы имеющие Ионы имеющие на внешнем на внешнем на внешнем слое 8 ē слое (8+n) ē слое 18 ē
8 ē lt 8+n ē lt 18 ē
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ
ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 (n ndash 1) d10~lt
или
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ
8 ē lt (8+n) ē lt 18 ē
или ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 lt (n ndash 1) d10
8 ē (Al3+ Mg2+ Ti4+ Zr4+ Hf4+ Be2+ Ji+)
(8+n)ē (Mn2+ Fe2+ Fe3+ Cr3+ Co2+ и тп)
18 ē (Zn2+ Cd2+ Hg2+ Sn4+ Pb4+ и тп)
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ХАРАКТЕР ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
Усиление взаимной деформации ионов
1 2 3 4
Увеличение полярности связи
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Общее правило температуры плавления хими-ческих соединений катионов с 18ē СВЭО и незаконченной (8+n)ē СВЭО лежат ниже чем аналогичные соединения 8ē катионов с близким радиусом
Fndash Clndash Brndash Indash
Mn2+ (098Аordm) 995 800 750 662 ordmC
Cu2+ (098Аordm) - 430 480 588 ordmC
Ca2+ (106Аordm) 1423 782 760 784 ordmC
Cd2+ (103Аordm) 1078 564 568 388 ordmC
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Экспериментальные данные свидетельствуют что между усилением поляризационного взаимо-действия и нагреванием существует известная аналогия а именно нагревание действует аналогично замене слабее поляризующего иона сильнее поляризующим или труднее деформируемого легче деформируемым охлаждение ndash наоборот
Вопрос Какая соль имеет более высокую температуру плавления NaCl или AgCl
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Соль NaCl AgCl
T пл 800 ordmС 457 ordmС
Ответ
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
Термическая диссоциация галогенидов Au3+
AuГ3 AuГ + Г2 (Г = F Cl Br I)
усиливается в направлении
фторид lt хлорид lt бромид lt иодид
Общее правило Чем больше деформируемость элементарного аниона соли тем легче происхо-дит перетягивание от него электронов к катиону 1Поэтому термическая устойчивость галогенидов любого данного катиона уменьшается в ряду
Fndash gt Clndash gt Brndash gt Indash
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
Поляризуемость связи ndash способность ее становится полярной (или более полярной) под действием внешнего электрического поля В результате поляризации может произойти разрыв связи с образованием ионов
H + Cl larr H Cl rarr H+ + Cl
диссоциация ионизация
ПОЛЯРНОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ СВЯЗИ
middot middot middot middot middot middot
‒
ТИПЫ КОВАЛЕНТНЫХ МОЛЕКУЛ
Неролярные молекулы ndash молекулы у которых центры тяжести положительных и отрицательных зарядов совпадают
Полярные молекулы ndash молекулы с ассиметричным распределением электронной плотности
Полярные молекулы иначе называют диполями те системами состоящими из двух равных по величине и противоположных по закону зарядов +q и ndash q находящихся на некотором расстоянии l друг от друга
ТИПЫ КОВАЛЕНТНЫХ МОЛЕКУЛ
Полярность молекулы как полярность связи оцени-вают величиной электрического момента диполя μ
μ = q l q+ qndash
l μ ndash векторная величинаединица измерения ndash Кл м
Следует различать полярность молекулы в целом и полярности связей
δ- 2δ+ δ- O = C = O
μco μco
μ = 06110 -29 Кл м(μ = 0)
O μон
δ+H H δ+
μон
ИОННАЯ СВЯЗЬ
Ионная связь возникает при переносе одного или нескольких электронов от одного атома к другому в результате чего атомы превращаются в ионы электростатически притягивающиеся друг к другу
Перенос электрона энергетически выгоден если атом отдающий электрон обладает низким потенциалом ионизации а атом присоединяющий электрон обладает большим сродством к электрону
Катионы легко образуются sndashэлементами анионы рndashэлементами 7-ой группы
С теоретической точки зрения ионная связь ndash крайний случай полярной ковалентной связи
Связи ионными на 100 практически не бывают Поэтому говорят о степени или доле ионности связи как в полярных так и ионных соединениях
ИОННАЯ СВЯЗЬ
РазностьОЭО 0 05 1 15 2 25 3 33
СтепеньИонности 0 6 18 34 54 71 82 89
Нeнаправленность и ненасыщаемость ионной связи
Распределение силовых полей двух разноименных
ионов
Степень ионности связи зависит от разности относи-тельной электроотрицательности элементов (ОЭО)
ИОННАЯ СВЯЗЬ
Деформируемость и поляризующее действие ионов
Схема взаимной деформации
ионов
Схема деформациивнешних электронных
оболочек
ДЕФОРМИРУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ ИОНОВ
влияние влияние влияние заряда размера (laquo+raquo) размера (laquondashraquo)
ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ
Ионы имеющие Ионы имеющие Ионы имеющие на внешнем на внешнем на внешнем слое 8 ē слое (8+n) ē слое 18 ē
8 ē lt 8+n ē lt 18 ē
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ
ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 (n ndash 1) d10~lt
или
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ
8 ē lt (8+n) ē lt 18 ē
или ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 lt (n ndash 1) d10
8 ē (Al3+ Mg2+ Ti4+ Zr4+ Hf4+ Be2+ Ji+)
(8+n)ē (Mn2+ Fe2+ Fe3+ Cr3+ Co2+ и тп)
18 ē (Zn2+ Cd2+ Hg2+ Sn4+ Pb4+ и тп)
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ХАРАКТЕР ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
Усиление взаимной деформации ионов
1 2 3 4
Увеличение полярности связи
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Общее правило температуры плавления хими-ческих соединений катионов с 18ē СВЭО и незаконченной (8+n)ē СВЭО лежат ниже чем аналогичные соединения 8ē катионов с близким радиусом
Fndash Clndash Brndash Indash
Mn2+ (098Аordm) 995 800 750 662 ordmC
Cu2+ (098Аordm) - 430 480 588 ordmC
Ca2+ (106Аordm) 1423 782 760 784 ordmC
Cd2+ (103Аordm) 1078 564 568 388 ordmC
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Экспериментальные данные свидетельствуют что между усилением поляризационного взаимо-действия и нагреванием существует известная аналогия а именно нагревание действует аналогично замене слабее поляризующего иона сильнее поляризующим или труднее деформируемого легче деформируемым охлаждение ndash наоборот
Вопрос Какая соль имеет более высокую температуру плавления NaCl или AgCl
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Соль NaCl AgCl
T пл 800 ordmС 457 ordmС
Ответ
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
Термическая диссоциация галогенидов Au3+
AuГ3 AuГ + Г2 (Г = F Cl Br I)
усиливается в направлении
фторид lt хлорид lt бромид lt иодид
Общее правило Чем больше деформируемость элементарного аниона соли тем легче происхо-дит перетягивание от него электронов к катиону 1Поэтому термическая устойчивость галогенидов любого данного катиона уменьшается в ряду
Fndash gt Clndash gt Brndash gt Indash
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
ТИПЫ КОВАЛЕНТНЫХ МОЛЕКУЛ
Неролярные молекулы ndash молекулы у которых центры тяжести положительных и отрицательных зарядов совпадают
Полярные молекулы ndash молекулы с ассиметричным распределением электронной плотности
Полярные молекулы иначе называют диполями те системами состоящими из двух равных по величине и противоположных по закону зарядов +q и ndash q находящихся на некотором расстоянии l друг от друга
ТИПЫ КОВАЛЕНТНЫХ МОЛЕКУЛ
Полярность молекулы как полярность связи оцени-вают величиной электрического момента диполя μ
μ = q l q+ qndash
l μ ndash векторная величинаединица измерения ndash Кл м
Следует различать полярность молекулы в целом и полярности связей
δ- 2δ+ δ- O = C = O
μco μco
μ = 06110 -29 Кл м(μ = 0)
O μон
δ+H H δ+
μон
ИОННАЯ СВЯЗЬ
Ионная связь возникает при переносе одного или нескольких электронов от одного атома к другому в результате чего атомы превращаются в ионы электростатически притягивающиеся друг к другу
Перенос электрона энергетически выгоден если атом отдающий электрон обладает низким потенциалом ионизации а атом присоединяющий электрон обладает большим сродством к электрону
Катионы легко образуются sndashэлементами анионы рndashэлементами 7-ой группы
С теоретической точки зрения ионная связь ndash крайний случай полярной ковалентной связи
Связи ионными на 100 практически не бывают Поэтому говорят о степени или доле ионности связи как в полярных так и ионных соединениях
ИОННАЯ СВЯЗЬ
РазностьОЭО 0 05 1 15 2 25 3 33
СтепеньИонности 0 6 18 34 54 71 82 89
Нeнаправленность и ненасыщаемость ионной связи
Распределение силовых полей двух разноименных
ионов
Степень ионности связи зависит от разности относи-тельной электроотрицательности элементов (ОЭО)
ИОННАЯ СВЯЗЬ
Деформируемость и поляризующее действие ионов
Схема взаимной деформации
ионов
Схема деформациивнешних электронных
оболочек
ДЕФОРМИРУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ ИОНОВ
влияние влияние влияние заряда размера (laquo+raquo) размера (laquondashraquo)
ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ
Ионы имеющие Ионы имеющие Ионы имеющие на внешнем на внешнем на внешнем слое 8 ē слое (8+n) ē слое 18 ē
8 ē lt 8+n ē lt 18 ē
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ
ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 (n ndash 1) d10~lt
или
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ
8 ē lt (8+n) ē lt 18 ē
или ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 lt (n ndash 1) d10
8 ē (Al3+ Mg2+ Ti4+ Zr4+ Hf4+ Be2+ Ji+)
(8+n)ē (Mn2+ Fe2+ Fe3+ Cr3+ Co2+ и тп)
18 ē (Zn2+ Cd2+ Hg2+ Sn4+ Pb4+ и тп)
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ХАРАКТЕР ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
Усиление взаимной деформации ионов
1 2 3 4
Увеличение полярности связи
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Общее правило температуры плавления хими-ческих соединений катионов с 18ē СВЭО и незаконченной (8+n)ē СВЭО лежат ниже чем аналогичные соединения 8ē катионов с близким радиусом
Fndash Clndash Brndash Indash
Mn2+ (098Аordm) 995 800 750 662 ordmC
Cu2+ (098Аordm) - 430 480 588 ordmC
Ca2+ (106Аordm) 1423 782 760 784 ordmC
Cd2+ (103Аordm) 1078 564 568 388 ordmC
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Экспериментальные данные свидетельствуют что между усилением поляризационного взаимо-действия и нагреванием существует известная аналогия а именно нагревание действует аналогично замене слабее поляризующего иона сильнее поляризующим или труднее деформируемого легче деформируемым охлаждение ndash наоборот
Вопрос Какая соль имеет более высокую температуру плавления NaCl или AgCl
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Соль NaCl AgCl
T пл 800 ordmС 457 ordmС
Ответ
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
Термическая диссоциация галогенидов Au3+
AuГ3 AuГ + Г2 (Г = F Cl Br I)
усиливается в направлении
фторид lt хлорид lt бромид lt иодид
Общее правило Чем больше деформируемость элементарного аниона соли тем легче происхо-дит перетягивание от него электронов к катиону 1Поэтому термическая устойчивость галогенидов любого данного катиона уменьшается в ряду
Fndash gt Clndash gt Brndash gt Indash
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
ТИПЫ КОВАЛЕНТНЫХ МОЛЕКУЛ
Полярность молекулы как полярность связи оцени-вают величиной электрического момента диполя μ
μ = q l q+ qndash
l μ ndash векторная величинаединица измерения ndash Кл м
Следует различать полярность молекулы в целом и полярности связей
δ- 2δ+ δ- O = C = O
μco μco
μ = 06110 -29 Кл м(μ = 0)
O μон
δ+H H δ+
μон
ИОННАЯ СВЯЗЬ
Ионная связь возникает при переносе одного или нескольких электронов от одного атома к другому в результате чего атомы превращаются в ионы электростатически притягивающиеся друг к другу
Перенос электрона энергетически выгоден если атом отдающий электрон обладает низким потенциалом ионизации а атом присоединяющий электрон обладает большим сродством к электрону
Катионы легко образуются sndashэлементами анионы рndashэлементами 7-ой группы
С теоретической точки зрения ионная связь ndash крайний случай полярной ковалентной связи
Связи ионными на 100 практически не бывают Поэтому говорят о степени или доле ионности связи как в полярных так и ионных соединениях
ИОННАЯ СВЯЗЬ
РазностьОЭО 0 05 1 15 2 25 3 33
СтепеньИонности 0 6 18 34 54 71 82 89
Нeнаправленность и ненасыщаемость ионной связи
Распределение силовых полей двух разноименных
ионов
Степень ионности связи зависит от разности относи-тельной электроотрицательности элементов (ОЭО)
ИОННАЯ СВЯЗЬ
Деформируемость и поляризующее действие ионов
Схема взаимной деформации
ионов
Схема деформациивнешних электронных
оболочек
ДЕФОРМИРУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ ИОНОВ
влияние влияние влияние заряда размера (laquo+raquo) размера (laquondashraquo)
ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ
Ионы имеющие Ионы имеющие Ионы имеющие на внешнем на внешнем на внешнем слое 8 ē слое (8+n) ē слое 18 ē
8 ē lt 8+n ē lt 18 ē
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ
ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 (n ndash 1) d10~lt
или
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ
8 ē lt (8+n) ē lt 18 ē
или ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 lt (n ndash 1) d10
8 ē (Al3+ Mg2+ Ti4+ Zr4+ Hf4+ Be2+ Ji+)
(8+n)ē (Mn2+ Fe2+ Fe3+ Cr3+ Co2+ и тп)
18 ē (Zn2+ Cd2+ Hg2+ Sn4+ Pb4+ и тп)
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ХАРАКТЕР ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
Усиление взаимной деформации ионов
1 2 3 4
Увеличение полярности связи
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Общее правило температуры плавления хими-ческих соединений катионов с 18ē СВЭО и незаконченной (8+n)ē СВЭО лежат ниже чем аналогичные соединения 8ē катионов с близким радиусом
Fndash Clndash Brndash Indash
Mn2+ (098Аordm) 995 800 750 662 ordmC
Cu2+ (098Аordm) - 430 480 588 ordmC
Ca2+ (106Аordm) 1423 782 760 784 ordmC
Cd2+ (103Аordm) 1078 564 568 388 ordmC
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Экспериментальные данные свидетельствуют что между усилением поляризационного взаимо-действия и нагреванием существует известная аналогия а именно нагревание действует аналогично замене слабее поляризующего иона сильнее поляризующим или труднее деформируемого легче деформируемым охлаждение ndash наоборот
Вопрос Какая соль имеет более высокую температуру плавления NaCl или AgCl
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Соль NaCl AgCl
T пл 800 ordmС 457 ordmС
Ответ
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
Термическая диссоциация галогенидов Au3+
AuГ3 AuГ + Г2 (Г = F Cl Br I)
усиливается в направлении
фторид lt хлорид lt бромид lt иодид
Общее правило Чем больше деформируемость элементарного аниона соли тем легче происхо-дит перетягивание от него электронов к катиону 1Поэтому термическая устойчивость галогенидов любого данного катиона уменьшается в ряду
Fndash gt Clndash gt Brndash gt Indash
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
ИОННАЯ СВЯЗЬ
Ионная связь возникает при переносе одного или нескольких электронов от одного атома к другому в результате чего атомы превращаются в ионы электростатически притягивающиеся друг к другу
Перенос электрона энергетически выгоден если атом отдающий электрон обладает низким потенциалом ионизации а атом присоединяющий электрон обладает большим сродством к электрону
Катионы легко образуются sndashэлементами анионы рndashэлементами 7-ой группы
С теоретической точки зрения ионная связь ndash крайний случай полярной ковалентной связи
Связи ионными на 100 практически не бывают Поэтому говорят о степени или доле ионности связи как в полярных так и ионных соединениях
ИОННАЯ СВЯЗЬ
РазностьОЭО 0 05 1 15 2 25 3 33
СтепеньИонности 0 6 18 34 54 71 82 89
Нeнаправленность и ненасыщаемость ионной связи
Распределение силовых полей двух разноименных
ионов
Степень ионности связи зависит от разности относи-тельной электроотрицательности элементов (ОЭО)
ИОННАЯ СВЯЗЬ
Деформируемость и поляризующее действие ионов
Схема взаимной деформации
ионов
Схема деформациивнешних электронных
оболочек
ДЕФОРМИРУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ ИОНОВ
влияние влияние влияние заряда размера (laquo+raquo) размера (laquondashraquo)
ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ
Ионы имеющие Ионы имеющие Ионы имеющие на внешнем на внешнем на внешнем слое 8 ē слое (8+n) ē слое 18 ē
8 ē lt 8+n ē lt 18 ē
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ
ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 (n ndash 1) d10~lt
или
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ
8 ē lt (8+n) ē lt 18 ē
или ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 lt (n ndash 1) d10
8 ē (Al3+ Mg2+ Ti4+ Zr4+ Hf4+ Be2+ Ji+)
(8+n)ē (Mn2+ Fe2+ Fe3+ Cr3+ Co2+ и тп)
18 ē (Zn2+ Cd2+ Hg2+ Sn4+ Pb4+ и тп)
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ХАРАКТЕР ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
Усиление взаимной деформации ионов
1 2 3 4
Увеличение полярности связи
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Общее правило температуры плавления хими-ческих соединений катионов с 18ē СВЭО и незаконченной (8+n)ē СВЭО лежат ниже чем аналогичные соединения 8ē катионов с близким радиусом
Fndash Clndash Brndash Indash
Mn2+ (098Аordm) 995 800 750 662 ordmC
Cu2+ (098Аordm) - 430 480 588 ordmC
Ca2+ (106Аordm) 1423 782 760 784 ordmC
Cd2+ (103Аordm) 1078 564 568 388 ordmC
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Экспериментальные данные свидетельствуют что между усилением поляризационного взаимо-действия и нагреванием существует известная аналогия а именно нагревание действует аналогично замене слабее поляризующего иона сильнее поляризующим или труднее деформируемого легче деформируемым охлаждение ndash наоборот
Вопрос Какая соль имеет более высокую температуру плавления NaCl или AgCl
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Соль NaCl AgCl
T пл 800 ordmС 457 ordmС
Ответ
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
Термическая диссоциация галогенидов Au3+
AuГ3 AuГ + Г2 (Г = F Cl Br I)
усиливается в направлении
фторид lt хлорид lt бромид lt иодид
Общее правило Чем больше деформируемость элементарного аниона соли тем легче происхо-дит перетягивание от него электронов к катиону 1Поэтому термическая устойчивость галогенидов любого данного катиона уменьшается в ряду
Fndash gt Clndash gt Brndash gt Indash
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
ИОННАЯ СВЯЗЬ
РазностьОЭО 0 05 1 15 2 25 3 33
СтепеньИонности 0 6 18 34 54 71 82 89
Нeнаправленность и ненасыщаемость ионной связи
Распределение силовых полей двух разноименных
ионов
Степень ионности связи зависит от разности относи-тельной электроотрицательности элементов (ОЭО)
ИОННАЯ СВЯЗЬ
Деформируемость и поляризующее действие ионов
Схема взаимной деформации
ионов
Схема деформациивнешних электронных
оболочек
ДЕФОРМИРУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ ИОНОВ
влияние влияние влияние заряда размера (laquo+raquo) размера (laquondashraquo)
ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ
Ионы имеющие Ионы имеющие Ионы имеющие на внешнем на внешнем на внешнем слое 8 ē слое (8+n) ē слое 18 ē
8 ē lt 8+n ē lt 18 ē
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ
ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 (n ndash 1) d10~lt
или
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ
8 ē lt (8+n) ē lt 18 ē
или ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 lt (n ndash 1) d10
8 ē (Al3+ Mg2+ Ti4+ Zr4+ Hf4+ Be2+ Ji+)
(8+n)ē (Mn2+ Fe2+ Fe3+ Cr3+ Co2+ и тп)
18 ē (Zn2+ Cd2+ Hg2+ Sn4+ Pb4+ и тп)
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ХАРАКТЕР ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
Усиление взаимной деформации ионов
1 2 3 4
Увеличение полярности связи
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Общее правило температуры плавления хими-ческих соединений катионов с 18ē СВЭО и незаконченной (8+n)ē СВЭО лежат ниже чем аналогичные соединения 8ē катионов с близким радиусом
Fndash Clndash Brndash Indash
Mn2+ (098Аordm) 995 800 750 662 ordmC
Cu2+ (098Аordm) - 430 480 588 ordmC
Ca2+ (106Аordm) 1423 782 760 784 ordmC
Cd2+ (103Аordm) 1078 564 568 388 ordmC
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Экспериментальные данные свидетельствуют что между усилением поляризационного взаимо-действия и нагреванием существует известная аналогия а именно нагревание действует аналогично замене слабее поляризующего иона сильнее поляризующим или труднее деформируемого легче деформируемым охлаждение ndash наоборот
Вопрос Какая соль имеет более высокую температуру плавления NaCl или AgCl
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Соль NaCl AgCl
T пл 800 ordmС 457 ordmС
Ответ
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
Термическая диссоциация галогенидов Au3+
AuГ3 AuГ + Г2 (Г = F Cl Br I)
усиливается в направлении
фторид lt хлорид lt бромид lt иодид
Общее правило Чем больше деформируемость элементарного аниона соли тем легче происхо-дит перетягивание от него электронов к катиону 1Поэтому термическая устойчивость галогенидов любого данного катиона уменьшается в ряду
Fndash gt Clndash gt Brndash gt Indash
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
ИОННАЯ СВЯЗЬ
Деформируемость и поляризующее действие ионов
Схема взаимной деформации
ионов
Схема деформациивнешних электронных
оболочек
ДЕФОРМИРУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ ИОНОВ
влияние влияние влияние заряда размера (laquo+raquo) размера (laquondashraquo)
ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ
Ионы имеющие Ионы имеющие Ионы имеющие на внешнем на внешнем на внешнем слое 8 ē слое (8+n) ē слое 18 ē
8 ē lt 8+n ē lt 18 ē
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ
ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 (n ndash 1) d10~lt
или
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ
8 ē lt (8+n) ē lt 18 ē
или ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 lt (n ndash 1) d10
8 ē (Al3+ Mg2+ Ti4+ Zr4+ Hf4+ Be2+ Ji+)
(8+n)ē (Mn2+ Fe2+ Fe3+ Cr3+ Co2+ и тп)
18 ē (Zn2+ Cd2+ Hg2+ Sn4+ Pb4+ и тп)
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ХАРАКТЕР ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
Усиление взаимной деформации ионов
1 2 3 4
Увеличение полярности связи
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Общее правило температуры плавления хими-ческих соединений катионов с 18ē СВЭО и незаконченной (8+n)ē СВЭО лежат ниже чем аналогичные соединения 8ē катионов с близким радиусом
Fndash Clndash Brndash Indash
Mn2+ (098Аordm) 995 800 750 662 ordmC
Cu2+ (098Аordm) - 430 480 588 ordmC
Ca2+ (106Аordm) 1423 782 760 784 ordmC
Cd2+ (103Аordm) 1078 564 568 388 ordmC
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Экспериментальные данные свидетельствуют что между усилением поляризационного взаимо-действия и нагреванием существует известная аналогия а именно нагревание действует аналогично замене слабее поляризующего иона сильнее поляризующим или труднее деформируемого легче деформируемым охлаждение ndash наоборот
Вопрос Какая соль имеет более высокую температуру плавления NaCl или AgCl
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Соль NaCl AgCl
T пл 800 ordmС 457 ordmС
Ответ
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
Термическая диссоциация галогенидов Au3+
AuГ3 AuГ + Г2 (Г = F Cl Br I)
усиливается в направлении
фторид lt хлорид lt бромид lt иодид
Общее правило Чем больше деформируемость элементарного аниона соли тем легче происхо-дит перетягивание от него электронов к катиону 1Поэтому термическая устойчивость галогенидов любого данного катиона уменьшается в ряду
Fndash gt Clndash gt Brndash gt Indash
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
ДЕФОРМИРУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ ИОНОВ
влияние влияние влияние заряда размера (laquo+raquo) размера (laquondashraquo)
ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ
Ионы имеющие Ионы имеющие Ионы имеющие на внешнем на внешнем на внешнем слое 8 ē слое (8+n) ē слое 18 ē
8 ē lt 8+n ē lt 18 ē
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ
ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 (n ndash 1) d10~lt
или
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ
8 ē lt (8+n) ē lt 18 ē
или ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 lt (n ndash 1) d10
8 ē (Al3+ Mg2+ Ti4+ Zr4+ Hf4+ Be2+ Ji+)
(8+n)ē (Mn2+ Fe2+ Fe3+ Cr3+ Co2+ и тп)
18 ē (Zn2+ Cd2+ Hg2+ Sn4+ Pb4+ и тп)
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ХАРАКТЕР ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
Усиление взаимной деформации ионов
1 2 3 4
Увеличение полярности связи
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Общее правило температуры плавления хими-ческих соединений катионов с 18ē СВЭО и незаконченной (8+n)ē СВЭО лежат ниже чем аналогичные соединения 8ē катионов с близким радиусом
Fndash Clndash Brndash Indash
Mn2+ (098Аordm) 995 800 750 662 ordmC
Cu2+ (098Аordm) - 430 480 588 ordmC
Ca2+ (106Аordm) 1423 782 760 784 ordmC
Cd2+ (103Аordm) 1078 564 568 388 ordmC
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Экспериментальные данные свидетельствуют что между усилением поляризационного взаимо-действия и нагреванием существует известная аналогия а именно нагревание действует аналогично замене слабее поляризующего иона сильнее поляризующим или труднее деформируемого легче деформируемым охлаждение ndash наоборот
Вопрос Какая соль имеет более высокую температуру плавления NaCl или AgCl
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Соль NaCl AgCl
T пл 800 ordmС 457 ordmС
Ответ
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
Термическая диссоциация галогенидов Au3+
AuГ3 AuГ + Г2 (Г = F Cl Br I)
усиливается в направлении
фторид lt хлорид lt бромид lt иодид
Общее правило Чем больше деформируемость элементарного аниона соли тем легче происхо-дит перетягивание от него электронов к катиону 1Поэтому термическая устойчивость галогенидов любого данного катиона уменьшается в ряду
Fndash gt Clndash gt Brndash gt Indash
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
Ионы имеющие Ионы имеющие Ионы имеющие на внешнем на внешнем на внешнем слое 8 ē слое (8+n) ē слое 18 ē
8 ē lt 8+n ē lt 18 ē
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ
ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 (n ndash 1) d10~lt
или
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ
8 ē lt (8+n) ē lt 18 ē
или ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 lt (n ndash 1) d10
8 ē (Al3+ Mg2+ Ti4+ Zr4+ Hf4+ Be2+ Ji+)
(8+n)ē (Mn2+ Fe2+ Fe3+ Cr3+ Co2+ и тп)
18 ē (Zn2+ Cd2+ Hg2+ Sn4+ Pb4+ и тп)
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ХАРАКТЕР ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
Усиление взаимной деформации ионов
1 2 3 4
Увеличение полярности связи
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Общее правило температуры плавления хими-ческих соединений катионов с 18ē СВЭО и незаконченной (8+n)ē СВЭО лежат ниже чем аналогичные соединения 8ē катионов с близким радиусом
Fndash Clndash Brndash Indash
Mn2+ (098Аordm) 995 800 750 662 ordmC
Cu2+ (098Аordm) - 430 480 588 ordmC
Ca2+ (106Аordm) 1423 782 760 784 ordmC
Cd2+ (103Аordm) 1078 564 568 388 ordmC
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Экспериментальные данные свидетельствуют что между усилением поляризационного взаимо-действия и нагреванием существует известная аналогия а именно нагревание действует аналогично замене слабее поляризующего иона сильнее поляризующим или труднее деформируемого легче деформируемым охлаждение ndash наоборот
Вопрос Какая соль имеет более высокую температуру плавления NaCl или AgCl
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Соль NaCl AgCl
T пл 800 ordmС 457 ordmС
Ответ
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
Термическая диссоциация галогенидов Au3+
AuГ3 AuГ + Г2 (Г = F Cl Br I)
усиливается в направлении
фторид lt хлорид lt бромид lt иодид
Общее правило Чем больше деформируемость элементарного аниона соли тем легче происхо-дит перетягивание от него электронов к катиону 1Поэтому термическая устойчивость галогенидов любого данного катиона уменьшается в ряду
Fndash gt Clndash gt Brndash gt Indash
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
1 СВЭО и ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ ДЕЙСТВИЕ
8 ē lt (8+n) ē lt 18 ē
или ns2np6 lt (n ndash 1) d1ndash9 lt (n ndash 1) d10
8 ē (Al3+ Mg2+ Ti4+ Zr4+ Hf4+ Be2+ Ji+)
(8+n)ē (Mn2+ Fe2+ Fe3+ Cr3+ Co2+ и тп)
18 ē (Zn2+ Cd2+ Hg2+ Sn4+ Pb4+ и тп)
ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ ВНЕШНЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ОБОЛОЧКИ ИОНА НА ЕГО ПОЛЯРИЗУЕМОСТЬ И ПОЛЯРИЗУЮЩЕЕ
ДЕЙСТВИЕ
1 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ХАРАКТЕР ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
Усиление взаимной деформации ионов
1 2 3 4
Увеличение полярности связи
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Общее правило температуры плавления хими-ческих соединений катионов с 18ē СВЭО и незаконченной (8+n)ē СВЭО лежат ниже чем аналогичные соединения 8ē катионов с близким радиусом
Fndash Clndash Brndash Indash
Mn2+ (098Аordm) 995 800 750 662 ordmC
Cu2+ (098Аordm) - 430 480 588 ordmC
Ca2+ (106Аordm) 1423 782 760 784 ordmC
Cd2+ (103Аordm) 1078 564 568 388 ordmC
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Экспериментальные данные свидетельствуют что между усилением поляризационного взаимо-действия и нагреванием существует известная аналогия а именно нагревание действует аналогично замене слабее поляризующего иона сильнее поляризующим или труднее деформируемого легче деформируемым охлаждение ndash наоборот
Вопрос Какая соль имеет более высокую температуру плавления NaCl или AgCl
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Соль NaCl AgCl
T пл 800 ordmС 457 ordmС
Ответ
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
Термическая диссоциация галогенидов Au3+
AuГ3 AuГ + Г2 (Г = F Cl Br I)
усиливается в направлении
фторид lt хлорид lt бромид lt иодид
Общее правило Чем больше деформируемость элементарного аниона соли тем легче происхо-дит перетягивание от него электронов к катиону 1Поэтому термическая устойчивость галогенидов любого данного катиона уменьшается в ряду
Fndash gt Clndash gt Brndash gt Indash
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
1 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ХАРАКТЕР ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ
Усиление взаимной деформации ионов
1 2 3 4
Увеличение полярности связи
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Общее правило температуры плавления хими-ческих соединений катионов с 18ē СВЭО и незаконченной (8+n)ē СВЭО лежат ниже чем аналогичные соединения 8ē катионов с близким радиусом
Fndash Clndash Brndash Indash
Mn2+ (098Аordm) 995 800 750 662 ordmC
Cu2+ (098Аordm) - 430 480 588 ordmC
Ca2+ (106Аordm) 1423 782 760 784 ordmC
Cd2+ (103Аordm) 1078 564 568 388 ordmC
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Экспериментальные данные свидетельствуют что между усилением поляризационного взаимо-действия и нагреванием существует известная аналогия а именно нагревание действует аналогично замене слабее поляризующего иона сильнее поляризующим или труднее деформируемого легче деформируемым охлаждение ndash наоборот
Вопрос Какая соль имеет более высокую температуру плавления NaCl или AgCl
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Соль NaCl AgCl
T пл 800 ordmС 457 ordmС
Ответ
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
Термическая диссоциация галогенидов Au3+
AuГ3 AuГ + Г2 (Г = F Cl Br I)
усиливается в направлении
фторид lt хлорид lt бромид lt иодид
Общее правило Чем больше деформируемость элементарного аниона соли тем легче происхо-дит перетягивание от него электронов к катиону 1Поэтому термическая устойчивость галогенидов любого данного катиона уменьшается в ряду
Fndash gt Clndash gt Brndash gt Indash
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Общее правило температуры плавления хими-ческих соединений катионов с 18ē СВЭО и незаконченной (8+n)ē СВЭО лежат ниже чем аналогичные соединения 8ē катионов с близким радиусом
Fndash Clndash Brndash Indash
Mn2+ (098Аordm) 995 800 750 662 ordmC
Cu2+ (098Аordm) - 430 480 588 ordmC
Ca2+ (106Аordm) 1423 782 760 784 ordmC
Cd2+ (103Аordm) 1078 564 568 388 ordmC
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Экспериментальные данные свидетельствуют что между усилением поляризационного взаимо-действия и нагреванием существует известная аналогия а именно нагревание действует аналогично замене слабее поляризующего иона сильнее поляризующим или труднее деформируемого легче деформируемым охлаждение ndash наоборот
Вопрос Какая соль имеет более высокую температуру плавления NaCl или AgCl
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Соль NaCl AgCl
T пл 800 ordmС 457 ordmС
Ответ
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
Термическая диссоциация галогенидов Au3+
AuГ3 AuГ + Г2 (Г = F Cl Br I)
усиливается в направлении
фторид lt хлорид lt бромид lt иодид
Общее правило Чем больше деформируемость элементарного аниона соли тем легче происхо-дит перетягивание от него электронов к катиону 1Поэтому термическая устойчивость галогенидов любого данного катиона уменьшается в ряду
Fndash gt Clndash gt Brndash gt Indash
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Экспериментальные данные свидетельствуют что между усилением поляризационного взаимо-действия и нагреванием существует известная аналогия а именно нагревание действует аналогично замене слабее поляризующего иона сильнее поляризующим или труднее деформируемого легче деформируемым охлаждение ndash наоборот
Вопрос Какая соль имеет более высокую температуру плавления NaCl или AgCl
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Соль NaCl AgCl
T пл 800 ordmС 457 ordmС
Ответ
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
Термическая диссоциация галогенидов Au3+
AuГ3 AuГ + Г2 (Г = F Cl Br I)
усиливается в направлении
фторид lt хлорид lt бромид lt иодид
Общее правило Чем больше деформируемость элементарного аниона соли тем легче происхо-дит перетягивание от него электронов к катиону 1Поэтому термическая устойчивость галогенидов любого данного катиона уменьшается в ряду
Fndash gt Clndash gt Brndash gt Indash
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
2 ВЗАИМНАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ПЛАВКОСТЬ ВЕЩЕСТВ
Соль NaCl AgCl
T пл 800 ordmС 457 ordmС
Ответ
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
Термическая диссоциация галогенидов Au3+
AuГ3 AuГ + Г2 (Г = F Cl Br I)
усиливается в направлении
фторид lt хлорид lt бромид lt иодид
Общее правило Чем больше деформируемость элементарного аниона соли тем легче происхо-дит перетягивание от него электронов к катиону 1Поэтому термическая устойчивость галогенидов любого данного катиона уменьшается в ряду
Fndash gt Clndash gt Brndash gt Indash
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
Термическая диссоциация галогенидов Au3+
AuГ3 AuГ + Г2 (Г = F Cl Br I)
усиливается в направлении
фторид lt хлорид lt бромид lt иодид
Общее правило Чем больше деформируемость элементарного аниона соли тем легче происхо-дит перетягивание от него электронов к катиону 1Поэтому термическая устойчивость галогенидов любого данного катиона уменьшается в ряду
Fndash gt Clndash gt Brndash gt Indash
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
3 ПОЛЯРИЗАЦИЯ ИОНОВ И ТЕРМИЧЕСКАЯ ДИССОЦИАЦИЯ ВЕЩЕСТВ
ион r СВЭО ион r СВЭО
Y3+ 106Аordm 8 ē Zr4+ 087Аordm 8 ē
Te3+ 105Аordm 18 ē Pb4+ 084Аordm 18 ē
Другой пример термическая диссоциация должна наступать тем легче чем сильнее поляризующее действие катиона
ТеГ3 gt YГ3 ZrГ4 gt PbГ4
Галогениды иттрия и свинца устойчивее галоге-нидов теллура и циркония соответственно
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
Построение энергетических зон при последовательном присоединении атомов в металлическом кристалле
1 2 4 8 16 N
МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
Металл Изолятор Полупроводник
Схема расположения энергетических зон в металле изоляторе и полупроводнике
а валентная зона б зона проводимости
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ КРИСТАЛЛОВ
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
В отличие от металлов кристаллы простых веществ образованных неметаллами обычно не обладают заметной электронной проводи-мостью они представляют собою изоляторы (диэлектрики) Хотя в этом случае тоже возможно образование непрерывных энергети-ческих зон но здесь зона проводимости отделена от валентной зоны запрещенной зоной т е значительным энергетическим промежутком ∆Е (рис изолятор)
ИЗОЛЯТОРЫ
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
Особыми свойствами отличающими их как от металлов так и от изоляторов обладают полупроводники При низких температурах их электрическое сопротивление весьма велико и в этих условиях они проявляют свойства изоляторов Однако при нагревании или при освещении электропроводность полупроводни-ков резко возрастает и может достигать величин сравнимых с проводимостью металлов
ПОЛУПРОВОДНИКИ
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
Зависимость электрических свойств полупроводников от температуры и освещенности объясняется электронным строением их кристаллов Здесь как и у изоляторов валентная зона отделена от зоны проводимости запрещенной зоной (рис полупроводник) Однако ширина запрещенной зоны ∆Е в случае полупроводников невелика Поэтому при действии квантов лучистой энергии bullили при нагревании электроны занимающие верхние уровни ва лентной зоны могут переходить в зону проводимости и участвовать в переносе электрического тока С повышением температуры или при увеличении освещенности число электронов переходящих в зону проводимости возрастает в соответствии с этим увеличи вается и электропроводность полупроводника
ПОЛУПРОВОДНИКИ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ МЕТАЛЛОВ
кч8 кч12 кч12
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕШЕТКИ степень заполнения
Тип упаковкиКоордина-ционное
число
заполненнаячасть
незапол-ненная
часть
Максимальноплотная
Центрированный куб
Простаякубическая
Тетраэдрическая (алмаз)
12
6
8
4
74
68
52
34
26
32
48
66
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
МЕТАЛЛЫПЛОТНЕЙШИЕ УПАКОВКИ ШАРОВ
КУБИЧЕСКАЯ ГЕКСАГОНАЛЬНАЯ
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SO4
H2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60
HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
М ndash молекулярная масса
температура кипения
температура плавления
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬЗамечено что соединения в которых атом водорода связан с атомами сильно электроотрицательных эле-ментов (F O N) обладают рядом аномальных свойств
H2O
H2SH2Se
H2Te
20 60 100 M 20 60 100 M -100
-60
-20
60 HF
HClHBr
HI
40
0
-40
-120
tordmC tordmC
температура кипения
температура плавления
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
Водородная связь ndash своеобразный гибрид электро-статического и донорно-акцепторного взаимо-действий Ее возникновение обязано ничтожно малому размеру иона (H+) способного внедряться в электронную оболочку соседнего (ковалентно с ним не связанного) атома
ВОДОРОДНАЯ СВЯЗЬ
нп водородная связь
δ+ δ- δ+ δ- δ+ δ- H ndash F --- H ndash F --- H ndash F
δ+
δ- δ-
δ+
middotmiddotmiddotmiddot
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
ТИПЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Наличиемолекул
Примерывеществ
Физическиесвойствавеществ
Прочностьсвязи
Силысвязы-вающиечастицы
Частицыобразующиекристаллы
Молеку-лярная
Ионная
молекулы
Ван-дер-Вальсовы
слабая сильная
легкоплавкимягкиемногие
растворимы
тугоплавкитвердые
растворимы
I2H2OCO2
оргв-ва
KClNa2SO4CO2CaO
малыемолекулы
нет молекул
электро-статические
ионы
Атомная
Ковалентная Металлическая
атомы атомы
ковалентныеэлектро-
статические
очень сильная разной силы
очень тугоплавкиочень твердыенерастворимы
разныесвойства
металлыалмаз SiO2BN SiC
нет молекул нет молекул
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ ВЕЩЕСТВ
BX6 ndash октаэдр
BX5 (SbF5) BX4 (CuCl42H2O) BX4 (SnF4)
BX3 (AlCl3) BX2 (MnCl2)
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
NaCl CsCl флюрит CaF2
рутил TiO2 цинковая обманка вюрцит ZnS CaF2
КООРДИНАЦИОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-
Икосаэдры В12
Р2infin С графит
C алмаз
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ ВЕЩЕСТВ БОРА УГЛЕРОДА ФОСФОРА
- Slide 1
- Slide 2
- Slide 3
- Slide 4
- Slide 5
- Slide 6
- Slide 7
- Slide 8
- Slide 9
- Slide 10
- Slide 11
- Slide 12
- Slide 13
- Slide 14
- Slide 15
- Slide 16
- Slide 17
- Slide 18
- Slide 19
- Slide 20
- Slide 21
- Slide 22
- Slide 23
- Slide 24
- Slide 25
- Slide 26
- Slide 27
- Slide 28
- Slide 29
- Slide 30
- Slide 31
- Slide 32
- Slide 33
- Slide 34
-