束縛系 qed 高次補正の検証: オルソポジトロニウムの崩壊率の精密測定
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2007 / 1 / 24. 束縛系 QED 高次補正の検証: オルソポジトロニウムの崩壊率の精密測定. 片岡 洋介. Contents Introduction Setup Analysis Conclusion. 1. Introduction. Motivation. オルソポジトロニウム (o-Ps) spin triplet の e + , e - の束縛系、 約 142ns で 3γ に崩壊する 崩壊率は、ほぼ完全に QED によって記述される 束縛系 QED のよいプローブ o-Ps 崩壊率の計算 - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
束縛系 QED 高次補正の検証:オルソポジトロニウムの崩壊率の精密測定
片岡 洋介
2007 / 1 / 24
Contents 1. Introduction2. Setup3. Analysis4. Conclusion
• オルソポジトロニウム (o-Ps) – spin triplet の e+, e- の束縛系、約 142ns で 3γ に崩壊する– 崩壊率は、ほぼ完全に QED によって記述される 束縛系 QED のよいプローブ
• o-Ps 崩壊率の計算– 束縛系は自由粒子と異なり非摂動論的、高次補正の計算が難しい– 計算手法の発達で O(α2) 補正項の計算が可能になった
2000 G.S.Adkins et. al. O(α2) 補正項 = 240ppm ~ 現在の実験精度
• 本実験の動機
– さらに実験精度を向上させ、 O(α2) の補正項を検証する
Motivation
測定手法• 基本的な測定法
1. 陽電子をターゲットの物質へ入射、 o-Ps を生成2. フリースペースへ放出された o-Ps が 3γ 崩壊3. この時間差を計る
pick-off annihilation ~物質との相互作用による対消滅 観測される崩壊率: λobs=λ3γ+λpick
• pick-off の補正方法– 外挿法(ミシガン大) ~ ターゲット密度を変えて真空まで外挿する
方法– ターゲットとしてガスや Cavity 表面を使用
– pick-off 直接補正(東大) ~ pick-off を直接測定し補正する方法– pick-off と 3γ 崩壊の分離は、 2γ,3γ のエネルギー分布の違いを利用する利点① pick-off の時間依存性を含めることができる利点② 密度に対する linearity を要求しない
Gas
Gas
Gas
Gas
Gas
SiO2
SiO2
SiO2
Cavity
Cavity
Cavity
Cavity
O(α2) QED
without O(α2)correction
崩壊率測定の歴史
外挿法 ( ミシガン大 )systematic なズレ( o-Ps の寿命問題)
熱化にかかる時間 の見積もりに問題があった
熱化過程を正確に扱うことが重要
外挿法 ( ミシガン大 )
pick-off 直接補正 ( 東大 )
現在では、2つの実験手法とも約 200ppm の精度で QED の計算値を支持次の焦点は O(α2) 補正項の検証
pick-off 直接補正 ( 東大 )
セットアップの概要セットアップ設計の指針
① 高統計化 前回の測定: 1 年の測定時間で統計誤差
170ppm
② さらに時間特性 ( 分解能 ) に優れたシステム
前回の測定: 崩壊時間 100ns 未満の領域で 崩壊率の上昇が見られた
prompt(t=0) 付近でsystematic な上昇
セットアップ 線源まわり
測定室は ±0.5℃
Side View
セットアップの構成
セットアップの構成
① Ps formation assembly ( 線源、シリカ )
② YAP シンチレータ• タイムスペクトラム測定用時間分解能 σ=1ns (E>150keV)
③ Ge 検出器• pick-off ratio 測定用エネルギー分解能 σ=0.5keV @0.5MeV
Ps formation assembly• 陽電子線源
前回の測定 22Na 68Ge (Endpoint 1.7MeV) この線源に基づいて設計
• トリガー– 薄いプラシン (200μm) で線源を挟む– アルミナイズドマイラーで光収集
• アンチトリガー– 約半数の e+ がシリカを抜ける DAQ レートを圧迫
– 円筒形プラシン (1mm) で陽電子を捕捉 トリガーを veto シリカパウダー
ライトガイド
½ インチ PMT( トリガー用 )
68Ge
e+
65mm
プラシン(1mm)
105mm
1 インチ PMT ( アンチトリガー用 )
YAP シンチレータシンチレータの選択① 高統計化 ( 線源強化 ) のために pile up を減らす② 時間分解能をさらに小さくする
• 高速な YAP シンチレータを採用– pile up を一桁抑制– 時間分解能 1ns (E>150keV)
name YAP (YAlO3)
atomic number 39
density 5.37 g/cm3
emision peak 370 nm
light output 40% of NaI
decay constant 30 ns
光の吸収長 15 ~ 20 cm
signal shape (FADC)
τ= 230ns τ= 30ns
前回のシンチ
size: 50mm×50mm×33mm
データサンプルRUN I RUN II
period 2.3 month 3.1 month
trigger rate 10.8kHz 6.8kHz
events 1.4×1010 1.6×1010
target aerogel powder
• 異なるタイプのシリカターゲットで 2 回測定2005 autumn RUN I シリカエアロジェル2006 spring RUN II シリカパウダー
シリカエアロジェル(0.03g/cm3)
シリカパウダー(0.035g/cm3)
SiO2 grain ~ 10nm ρ0=2.2g/cm3
シリカの凝集構造
• pick-off は、密度よりフリースペースの大きさに依存 内部構造の異なる物質での測定は、 実験手法の systematic な test となる
Time Walk 補正 for Ge• 時間軸の基準 prompt event (e+ annihilation, p-Ps) を使う• 補正に使う変数 測定した立ち上がり時間: Thr150mV - Thr50mV
-50mV( ~ 50keV)
-150mV( ~ 150keV)
ΔT=Thr150mV-Thr50mV
Thr50mV Thr150mV
150ns
prompt event検出時
間
立ち上がり時間slow rise component (SRT) 時間特性が非常に悪いためカット
時間分解能 σ=5ns
3γ SRT cut efficiency• 3γ の MC data に apply する必要がある efficiency を data から求める
MC 3γ data に apply
SRT cut 前後
promptなだれ込み
SRT cut 前SRT cut 後
3γ SRT cut efficiency エネルギー依存性
ほぼ純粋に 3γ の領域
pick off 2γ の分離MC simulation (Geant4) で生成した 3γ spectrum を利用する1. 3γSRT cut efficiency を apply2. 480keV-505keV で normalize3. o-Ps spectrum から差し引く
pick
pickpick FFkeVkeVN
keVkeVN
3
33
, )505480(
)4511(
~λ
λ
γ
~ 0.14 (MC で評価 )pick-off ratio
normalize
RUN I (aerogel)
(MC)
Ge エネルギースペクトラム
• 内部構造の違いを示唆 パウダーの方が凝集構造が強く フリースペースの間隔が大きい
normalize
(MC)
RUN II (powder)
• RUN II も同様に pick off 2γ の分離
RUN I (aerogel) と比べ pick off の大きさが約
3
1
RUN II ( パウダー )
熱化過程を反映
RUN I (エアロジェル)
pick-off ratio
3
222
)()(
)())(()(
tt
ttCtdt
d
pick
• decay rate fitting 関数への組み込み 解析的な関数 (4 parameter) で fitting
parameters RUN I RUN II
C 2.71×103 5.87×104
θ∞ 1.24×10-2 0
2β 3.02 2.75
θ60 4.04×10-2 1.61×10-2
Reduced χ2 1.00 1.11
• fitted parameter
• エラーの伝播の評価
① 各 parameter を ±1σ ずらして固定、 他の parameter を fit し直す ② 得られた関数で decay rate を求める ③ decay rate の変化( σi )をエラーの伝播とする
4
1
22
2
)()(
i
iipick
negpos
pick off 関数の不定性
decay rate fitting 関数に組み込みpick-off の補正がかかる
Time Walk 補正 for YAP• 優れた時間特性により、 Time Walk は小さい
エネルギーを変数として Time Walk 補正
150keV以下はカット• Time Walk 大きい
150keV以上を decay rate fitting に使う• 時間分解能 1.2ns
Time Spectrum of YAP
Ctd
tN
teN
t pickpickpicktRobs
stop
03
3033
1exp1
Fitting function : pick-off ratio( 測定値 )
free parameters : N0, λ3γ, CYAP の efficiency ~ 0.7 (MC で評価 )
3600ns (fixed)
tstart (scan)
fitting region
σ=1.2ns
TDC Non-linearity
2GHz clock type TDC• full range は専用のモジュールで calibration• Non-linearity は random event でチェック
•prompt付近で 0.05% 程度の excess
原因: トリガーによるエレキの Latch 解除時 base line が動揺
random event のデータで補正
TDC の relative bin width
Decay rate fitting for RUN Ipick off function の外挿領域
統計エラーのみ• 内側 : time spectrum の統計• 外側 : pick off の統計エラーを含む
decay rate
prompt付近拡大
安定
安全のため pick-off の内挿領域を使用 Tstart=60ns を採用
Decay rate fitting for RUN II
pick off function 外挿領域
統計エラーのみ• 内側 : time spectrum の統計• 外側 : pick off の関数の統計を含む
安定
安全のため pick-off の内挿領域を使用 Tstart=60ns を採用
prompt付近拡大
① 3γ subtraction3γ の差引きの変化は、主として pick-off peak の左側に効く
keVE
keVE
keVE
keVEasym ENEN
515
511
511
507
)()(
pick-off の非対称性、統計の範囲内でprompt の非対称性と一致
• 統計エラーは Normalization にして 0.33% 、 0.34% 89ppm(91ppm)
RUN I: pick-off peak RUN II: pick-off peak
ピーク非対称性
normalization
ピーク非対称
性
② Detector efficiency of Ge85Sr 514keV γ 線で MC を評価• 基本的に Geant4 の再現性はよい• 光電ピークに約 1% のテールがでる 電荷収集の不完全性
)518483(
)4514(
keVkeVN
keVkeVNR
~
Pb X
514keV peak
Geant4Data
response functionに取り込む
• response function
で parametrize MC の再現性 ΔR=0.04%
その他の寄与• SRT cut efficiency 統計 0.09%
• powder 密度不均一性 (RUN II のみ ) 10% の変化 0.24%
• Monte Carlo 統計 0.07%
33 ppm (28ppm)
exp で fit
光電ピーク 光電ピーク + テール
•response function
で parameterize
MC の再現性 ΔR=2.0% (1.3%) 64ppm (19ppm)
③ Detector efficiency for YAP
)700150(
)700400(
keVkeVN
keVkeVNR
~~
PMTYAP
角の部分で収集しにくい
対角方向
光電
面
85Sr 514keV γ 線で MC を評価• 光電ピーク、テールを引く• 光の吸収長~ 20cm
光収集効率を入れる
Geant4 simulationAbs. length = 20cm
光電ピーク 光電ピーク+コンプトン
data
geant4
④ Other systematic source• TDC
– KEK 製 2GHz clock count type– 32μs の full range を 0.5ns(1clock) の精度で calibration less than 15 ppm
• Zeeman effect– B=0.5±0.1 gauss ( 測定値 ) 5ppm
• Stark effect– charge の寄与: 3×10 - 9 C/g (測定値) 10 - 7ppm– dipole の寄与: OH 基表面密度、 dipole moment 3ppm (4ppm)
• Three-photon annihilation– pick-off 、 3γ 崩壊の寄与 less than 91ppm (33ppm)
測定結果
1 .)(0008.00010.0
.)(0009.00388.7
ssysstatPso
1 .)(0007.00007.0
.)(0009.00414.7
ssysstatPso
For RUN I
For RUN II
1 .)(0007.00009.0
.)(0006.00401.7
ssysstatPso
Combined
• total error 150ppm
2 つの RUN 1.6σ でコンシステント (systematic error の一部は correlate)
全体: total error内側: statistic error
O(α2) QED
without O(α2)correction
東大
東大ミシガン大
東大
• 崩壊率測定の歴史 (update)
今回の測定• 過去3つの実験とコンシステント• O(α2) QED 計算値とコンシステント
• Total error 150ppm• 前回の測定と比べて 1.6倍向上
1 .)(0007.00401.7 stotalPso
ちなみに、過去4つの実験を combine すると
without O(α2) correction との差は 2.6σ
• O(α2) 補正項との比較
今回の測定は、 0.1σ from O(α2) QED 1.7σ from without O(α2) correction
O(α2) QED とコンシステント
まとめ• pick-off を直接補正する実験手法に基づき、 パウダー、エアロジェルを用いた2回の測定を行った 2つの RUN でコンシステントな測定値を得た
• 実験精度は約 150ppm 、前回の測定と比べ 1.6倍精度が向上した
• 測定値は O(α2) QED 計算値とコンシステント
Logic Unit
Latch
TDC
veto
resetTrigger
DetectorTiming signal
T0 の timing でNIM signal が入る
TDC
Stop signal
Base line の動揺
•Stark Shift物質の電場による崩壊率の変化
λ3γ Flux Factor |ψ(r=0)|∝ ∝ 2
摂動 ψ=ψ0+Eψ1+E2ψ2+…
1. Charge 3×10-9 C/g ( 測定値 ) クーロン電場 1×10-7ppm
2. dipole moment (Si-OH) p=1.7×10-18 esu ・ cm 面密度 0.44/nm2
dipole 電場 3ppm
)/1014.5(
248||
||
90
2
02
0
212
3
3
cmVE
E
EE
電場の2乗
SiO2 grainr+0.1nm300nm