: thanhlam1910 [email protected] sau: … hoc quang dien tu/semina tren lop...bạn đang truy cập...
TRANSCRIPT
Bạn đang truy cập nguồn tài liệu chất lượng cao do www.mientayvn.com phát hành.
Đây là bản xem trước của tài liệu, một số thông tin và hình ảnh đã bị ẩn đi. Bạn chỉ xem được toàn bộ tài liệu với nội
dung đầy đủ và định dạng gốc khi đã thanh toán. Rất có thể thông tin mà bạn đang tìm bị khuất trong phần nội dung
bị ẩn.
………………………………………………………………………………………
Liên hệ với chúng tôi: [email protected] hoặc [email protected]
………………………………………………………………………………………
Thông tin về tài liệu
Số thứ tự tài liệu này là (số thứ tự tài liệu dùng để tra cứu thông tin về giá của nó): 1793C
Định dạng gốc: ppt
………………………………………………………………………………………
Chúng tôi không bán tài liệu này do chúng tôi không phải là tác giả của nó.
Tập tin có cài pass (bạn sẽ nhận được pass sau khi đã thực hiện theo các yêu cầu ở mục 1, 3, 5, 8, 9, 10 trong liên kết
sau: http://mientayvn.com/Trao_doi_tai_nguyen.html):
www.mientayvn.com/Cao%20hoc%20quang%20dien%20tu/Semina%20tren%20lop/Quang_phi_tuyen_1792_1794/1793_Seminar/1793C_Su_tu_tu_tieu_va_tu_bay.rar
………………………………………………………………………………………
Các tài liệu được tặng miễn phí kèm theo:
www.mientayvn.com/Tai_lieu_cung_chu_de/1793C.doc………………………………………………………………………………………
Đối với sinh viên, học viên cao học của bộ môn vật lý ứng dụng, khoa vật lí-vật lí kỹ thuật, đại học khoa học tự
nhiên TPHCM: gửi cho chúng tôi địa chỉ mail lớp, chúng tôi sẽ cung cấp thông tin để các bạn truy cập miễn phí tài
liệu.
………………………………………………………………………………………
Đối với sinh viên khoa vật liệu, đại học khoa học tự nhiên TPHCM: các bạn muốn sử dụng tài liệu này phải có
email giới thiệu của một trong các tác giả có bài đăng trên trang web của chúng tôi. Các tác giả này phải công tác tại
khoa vật liệu. Trong email giới thiệu, xin ghi thật ngắn gọn, và đầy đủ thông tin, không cần chào hỏi.
Chi tiết xin xem tại:
http://mientayvn.com/dich_tieng_anh_chuyen_nghanh.html
1
SỰ TỰ TỤ TIÊU
và SỰ TỰ BẪY
GVHD : TS. Lê Thị Quỳnh Anh
HVTH : Nguyễn Thị Hà Trang
Trường ĐH KHTN TPHCM
Bộ môn VẬT LÍ ỨNG DỤNG
Chuyên ngành QUANG HỌC
Môn học : QUANG PHI TUYẾN
4
Self-trapping of a 10μm-diameter beam inside a 20mm-long
lithium niobate (LiNbO3) crystal subject to a 20 C rise in
temperature.
5
1. Độ phân cực phi tuyến và chiết suất phi tuyến
Độ phân cực phi tuyến : (1)
Nếu sóng ánh sáng tới là (2)
Thay (2) vào (1) :
Nếu chỉ quan tâm đến các số hạng có cùng tần số với
sóng tới :
2 3 ...P E E E
cosoE E t kz
2
3
1cos 1 cos 2
2
3 1cos cos3
4 3
o o
o
P E t kz E t kz
E t kz t kz
3
1
2
1
3cos cos
4
3
4
o o
o
P E t kz E t kz
P E E
(3)
(4)
6
1. Độ phân cực phi tuyến và chiết suất phi tuyến
Mặt khác, theo định nghĩa độ điện thẩm :
1o r oD E E P
22 1
31 1
4
or
o o o
EPn
E
Độ điện
thẩm tuyến
tính
Đặt : 2 1 ,
o
n
2
3
8 o
n
(5)
2 2 2 2 222 2
25 2 1t o o
nn n n E n E
n
Do nên 2n n
(6)
Dạng gần đúng của (6) : (7) 2
2t on n n E
7
1. Độ phân cực phi tuyến và chiết suất phi tuyến Từ biểu thức (7) :
Nếu n2 > 0 thì chiết suất của môi trường lớn nhất ở vị trí
có cường độ sóng cao nhất.
2
2t on n n E
Hình 1 : Chùm Gauss trong môi trường với chiết suất
, ở đó n2 > 0.2
2t on n n E
2
oE r
rO O
r
nt(r)
Với chùm Gauss, chùm tia bị hội tụ vào vùng trục : Sự tự tụ tiêu
8
2. Sự tự tụ tiêu
Phương trình sóng đối với điện trường :
(n2 << n)
Khảo sát chùm lan truyền dọc trục z và phân cực dọc
trục x :
Giả thiết biến đổi chậm theo trục z
2 2 2
2 2 2 2
22 2 2 2
12 0t
o
n E EE E n nn E
c t c t
(8)
1
2
i t kz
o xE E e kc e
oE r 2
20oE
z
2 2 2 2
2 2
22 2 2 2 2
12 08 : o
E E E En nn E
x y z c t
(9)
9
2. Sự tự tụ tiêu
2 22 22
2 2 2 2
22
2
22
2
2
2 2 2 2
2
2 2
1 1.
2 2
1
2
1
2
1cos . ,
2
1 19 .
2 2
i t kz i t kzo oo
i t kzoo
i t kz
o
T
o
o
o
i t kz i t kzoo o
E EE Ee E e
x y x y
EEik k E e
z z
EE e
t
nk
c
EE E t dt E
T
EE e ik k E e
z
222
2
2
2
2
2 2
2 0
20
2
i t k
oo o o
zo
o
n nn
E k nE ik E E
z
E
n
Ee
c
10
2. Sự tự tụ tiêu
Nếu hiệu ứng phi tuyến không tồn tại (n2 = 0) thì phương trình (10) là phương trình tuyến tính trong chất điện môi.
là hệ quả của sự nhiễu xạ.
Nếu thì (10) biểu diễn sự lan truyền của sóng phẳng.
Nếu tiết diện của chùm được đặc trưng bởi bán kính ao thì
Sự tự tụ tiêu sẽ khử nhiễu xạ nếu
222 22 0o
o o o
E k nE ik E E
z n
(10)
2
oE
2 0oE
2 2
o o oE a E
22 22
o o o
k nE E a E
n
Hay 22
2
2
o o
na E
k n
11
2. Sự tự tụ tiêu
Công suất ngưỡng của sự tự tiêu :
22 2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
.2 2
8
oC o o o
C
o
o
o
ncP a I a E
nc n cn
k n
k
Pn
k
c
n
(11)
* Công suất ngưỡng của sự tự tụ tiêu không lớn lắm.
12
2. Sự tự tụ tiêu
Trong đó : A, S là hàm số thực theo
Hàm gọi là eikonal
Thay (12) vào (10). Sau đó đồng nhất phần thực và phần
ảo của hai vế ta được :
.ikS r
oE r A r e
r
S r
222 22 0o
o o o
E k nE ik E E
z n
(10)
(12)
22
2 22 2
2
0
2
AA S
z
A n ASS
z k A n
(13)
(14)
13
2. Sự tự tụ tiêu
Với chùm Gauss, A có dạng :
2.exp
2
A w ro oA rw z w z
Với chùm đối xứng trục :
er
22
2
1
r r r
(15)
Đưa (15) vào phương trình (13) :
2 2 2
2
2
2 2
1 4 2 21
2
1
,
0S r S r
r dwS r z
w dz
dw
r r w r dz
(16)
(17)
14
2. Sự tự tụ tiêu
Đưa (17), (15) vào phương trình (14)22 2 2 2
2 2
2 2 2 2
2 2 21 expon Ad w r r
rdz k w w nw w
2
2
22
2
21
rw
re
w
(18)
(19)
2 2 22 2 2 22 2 2 2
2 2 2 2 2 3 2
22 2 2 4 21 1o o on A n A n Ad w r r r
rdz k w w nw w k n w k w nw
2 22
2
2 2 2
21 4 o on A wd w
dz w k n
Giả thiết rằng không phụ thuộc vào r. Đồng nhất hai vế :
Thay (19) vào (18)
(20)
15
2. Sự tự tụ tiêu
2 22
2
2 2 2
21 4 o on A wd w
dz w k n
2 2
2
2
2
1/2
2
2
2
'0 , 0 0
12
8
10
4
2
o o o
oC
o
C o
o
o
oo
nc w AP
cP
n
kw n
w w w
P zw
w
P z
z
z w
: Công suất của chùm
: Công suất ngưỡng của sự tự tụ tiêu
: vị trí mặt sóng có độ cong cực đại
Với
(20)
16
12 2
1 1o
C o
P zw z w
P z
12 2
1*
*
C o
o
C o
zP P w z w
z
P P w z w
Xảy ra sự tự bẫy
( khi đó nhiễu xạ và tự tiêu đã bù trừ lẫn nhau )
Vị trí chùm tụ lại thành vết :
2
12
2
0 1 1
1
0 1 1C o
S o
C o
C
Pz
P z P zw z
P z P
zP
z
17
2. Sự tự tụ tiêu
2a
2a
a)
b)
a) Sự truyền ánh sáng trong môi trường phi tuyến
b) Sơ đồ tương đương
zf
21
Điều kiện cho sự tự bẫy ở photopolymer là cường độ
quang trung bình phải nhỏ hơn giá trị ngưỡng gần đúng :
oave
UI
oU
: critical exposure needed to cure the photopolymers
: the monomer radical lifetime
22
tc :a parameter chosen to equal the time needed to attain the critical
exposure at the location of maximum intensity of the optical beam