11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas
TRANSCRIPT
![Page 1: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/1.jpg)
1
11-PROPRIEDADES ELÉTRICAS, TÉRMICAS, ÓPTICAS E MAGNÉTICAS
DOS MATERIAIS
![Page 2: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/2.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
2
PROPRIEDADES ELÉTRICAS CONDUTIVIDADE ELÉTRICA (σ)
É o movimento de cargas elétricas (elétrons ou íons) de uma posição para outra.
σ = 1/ρ= n.q.µσ= condutividade elétrica (ohm-1.cm-1)
ρ= resistividade elétrica (ohm.cm)n= número de portadores de carga por cm3
q= carga carregada pelo portador (coulombs) [q do elétron= 1,6x10-19
coulombs]
µ= mobilidade dos portadores de carga (cm2/V.s)
R = ρ . l/A
![Page 3: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/3.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
3
PROPRIEDADES ELÉTRICAS SEMICONDUTORES
• Tem resistividade entre metais e isolantes
10-6-10-4 Ω.cm 1010-1020 Ω.cmA resistividade diminui com o aumento de temperatura (ao contrário dos metais)A resistividade diminui com a adição de certas impurezasA resistividade aumenta com a presença de imperfeições nos cristais.
![Page 4: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/4.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
4
PROPRIEDADES ELÉTRICAS EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
• Silício, Germânio (Grupo IV da Tabela Periódica)
• GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da Tabela Periódica)
• PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela Periódica)
•95% dos dispositivos eletrônicos são fabricados com Silício
• 65% dos dispositivos de semicondutores do grupo III-V são para uso militar
![Page 5: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/5.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
5
EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
SÃO USADOS PARA A FABRICAÇÃO DOS SEGUINTES DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS E OPTOELETRÔNICOS
• Transistor• Diodos• Circuito integrado• LEDS• Detetores de infravermelho Células solares, etc.
![Page 6: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/6.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
6
CAMPOS DE APLICAÇÃO DOS DISPOSITIVOS DE SEMICONDUTORES
• Indústria de computadores (memórias, microprocessadores, etc.)
• Indústria aeroespacial• Telecomunicações• Equipamentos de áudio e vídeo• Relógios• Na robótica• Sistemas industriais de medidas e controles• Sistemas de segurança• Automóveis• Equipamentos médicos,...
![Page 7: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/7.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
7
LIGAÇÃO QUÍMICA
A- METAISOs elétrons de valência não estão ligados a
nenhum átomo específico (estão livres)Há atração entre os elétrons livres (de valência) e os íons positivos (núcleo mais elétrons de valência)
Os metais têm elevada condutividade elétrica devido os elétrons estarem livres para moverem-se (alta mobilidade).
No entanto, a agitação térmica reduz o livre percurso médio dos elétrons, a mobilidade dos mesmos e como conseqüência a condutividade.
![Page 8: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/8.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
8
EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE
![Page 9: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/9.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
9
EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE
ESTRUTURA PERFEITA A
BAIXA TEMPERATURA
MOVIMENTO DOS ELÉTRONS A MAIS
ALTA TEMPERATURA
MOVIMENTO DOS ELÉTRONS
EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS
![Page 10: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/10.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
10
LIGAÇÃO QUÍMICA
B- SEMICONDUTORESTodos os semicondutores têm ligação covalente, com 4 elétrons de valência. Os semicondutores compostos (grupos III-V e II-VI) têm 4 elétrons de valência em média.
RESISTIVIDADE VERSUS TEMPERATURA
PARA UM SEMICONDUTORO aumento da temperatura fornece energia que liberta transportadores de cargas adicionais.
![Page 11: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/11.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
11
BANDAS DE ENERGIA
Os semicondutores se caracterizam por sua estrutura eletrônica em bandas de energia.
Os elétrons de valência de dois átomos adjacentes interagem entre si quando são aproximados um do outro, como acontece em um sólido cristalino. Isso faz com que novos níveis de energia sejam estabelecidos, originando então bandas de energia (são níveis discretos de energia, mas com diferenças apenas infinitesimais) A banda de energia corresponde à um nível de energia de um átomo isolado
• As bandas de energia nem sempre se sobrepõem• Assim como orbitais, as bandas de energia podem
comportar no máximo dois elétrons.
![Page 12: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/12.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
12
GAP DE ENERGIA (BANDA PROÍBIDA)
•É o espaço entre as bandas de energia
É o que distingue um semicondutor de um condutor ou isolante.
![Page 13: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/13.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
13
NÍVEL DE DE ENERGIA DE FERMI
•É definido como o nível de energia abaixo do qual todos os estados de energia estão ocupados a 0K.
![Page 14: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/14.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
14
CONDUTOR
Os elétrons nãopreenchem todos os estados possíveis da banda de valência e por isso a condução ocorre na banda de valência.
Num metal o nível de Fermi esta localizado na banda de valência.
Nível de Fermi
Banda de valência
incompleta
![Page 15: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/15.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
15
ISOLANTES
Os elétrons preenchem todos os estados possíveis da banda de valência e por isso a condução NÃO ocorre na banda de valência.
Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de
energia
• Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV
• Gap de um isolante é maior
Nível de fermi
BANDA DE
CONDUÇÃO
BANDA DE
VALÊNCIA
GAP DE ENERGIA
![Page 16: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/16.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
16
SEMICONDUTOR
Da mesma forma que nos isolantes, os elétrons preenchem todos os estados possíveis da banda de valência.
Nível de fermi
BANDA DE
CONDUÇÃO
BANDA DE
VALÊNCIA
GAP DE ENERGIA
Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de
energia
• Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV
• Gap de um isolante é maior
![Page 17: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/17.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
17
SEMICONDUTOR
Num semicondutor, os elétrons podem ser excitados para a banda de condução por energia elétrica, térmica ou óptica (fotocondução)
Quando um elétron é excitado para a banda de condução deixa um buraco ou uma vacância na banda de valência que contribui também para a corrente.
![Page 18: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/18.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
18
É a condução resultante dos movimentos eletrônicos nos materiais puros.
• Um semicondutor pode ser tipo "p" ( condução devido aos buracos) ou tipo "n" (condução devidos aos elétrons)
• Este tipo de condução se origina devido a presença de uma imperfeição eletrônica ou devido a presença de impurezas residuais.
CONDUÇÃO INTRÍNSECA (SEMICONDUTOR INTRÍNSECO)
CONDUÇÃO INTRÍNSECACONDUÇÃO INTRÍNSECA
![Page 19: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/19.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
19
CONDUÇÃO INTRÍNSECA (SEMICONDUTOR INTRÍNSECO)
É a condução resultante dos movimentos eletrônicos nos materiais puros.
![Page 20: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/20.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
20
CONDUÇÃO EXTRÍNSECA
Quando adiciona-se intencionalmente uma impureza dopante para proporcionar elétrons ou buracos extras.Os semicondutores extrínsecos podem ser:
Tipo p: com impurezas que proporcionam buracos extras.
Tipo n: com impurezas que proporcionam elétrons extras
Os processos utilizados para dopagem são difusão e
implantação iônica
![Page 21: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/21.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
21
(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P)
.Quando adiciona-se intencionalmente uma impureza dopante para CRIAR buracos extras.
• Impurezas tipo "p" ou aceitadores proporcionam buracos extras
Exemplo: Dopagem do Si (valência 4) com Boro (valência 3)
![Page 22: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/22.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
22
(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P)
BORO É UM DOPANTE
TIPO P PARA O SILÍCIO
PORQUE PROPORCIONA
BURACOS EXTRA
![Page 23: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/23.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
23
(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO P)
NÍVEL DE FERM I
![Page 24: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/24.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
24
(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO N)
Impurezas tipo "n" ou doadores.proporcionam elétrons extra
Exemplo: Dopagem do Si (valência 4) com Fósforo (valência 5)
![Page 25: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/25.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
25
(SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO TIPO N)NÍVEL DE FERMI
![Page 26: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/26.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
26
CONDUÇÃO EXTRÍNSECACONSIDERAÇÕES GERAIS
Os elétrons tem maior mobilidade que os buracos. A presença de impurezas pode alterar o tamanho do gap de energia do semicondutor.
![Page 27: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/27.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
27
OPERAÇÃO DO DIODO (JUNÇÃO P-N)
Dispositivos eletrônicos como transistors, circuitos integrados, chips, etc... usam a combinação de semicondutores extrínsecos tipo “p” e tipo “n” .
DIODO é um dispositivo que permite a corrente fluir em um sentido e não em outro. É construído juntando um semicondutor tipo “n” e tipo “p”.
![Page 28: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/28.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
28
JUNÇÃO P-N
-Quando uma voltagem é aplicada como no esquema abaixo, os dois tipos de cargas se moverão em direção à junção onde se recombinarão. A corrente elétrica irá fluir.
-Como no esquema abaixo, a voltagem causará o movimento de cargas para longe da junção. A corrente não irá fluir no dispositivo.
![Page 29: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/29.jpg)
29
PROPRIEDADES MAGNÉTICAS
![Page 30: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/30.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
30
PROPRIEDADES MAGNÉTICAS
A maioria dos elementos e materiais não exibem propriedades magnéticas.Materiais que exibem propriedades magnéticas:
Ferro, Níquel, Cobalto, Gadolíneo, algumas ligas (SmCo5, Nd2Fe14B, ...)
![Page 31: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/31.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
31
Ferromagnetismo
É a propriedade de concentrar as linhas de força magnética, caracterizada pela permeabilidade magnética.
Ferromagnéticos- permeabilidade magnética >1 (subst. Paramagnéticas) - elétrons desemparelhados
Ferro, Cobalto, Níquel e Gadolínio
Outros metais-permeabilidade magnética <1 (subst. Diamagnéticas) - elétrons emparelhados
![Page 32: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/32.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
32
PERMEABILIDADE MAGNÉTICA
Permeabilidade Magnética (µ)- está relacionada com a intensidade de magnetização. A intensidade de magnetização varia em função da intensidade do campo aplicado. É característica do material
µ= tg θ B/H
É dada em Gauss/Oersted
![Page 33: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/33.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
33
Domínios magnéticos
São regiões da estrutura do material onde todos os átomos cooperam magneticamente, ou seja, são zonas de magnetização espontânea (<0,05mm).
Quando um campo magnético é aplicado, os domínios magnéticos tendem a se alinhar com o campo e, então, o material exibe propriedades magnéticas.
![Page 34: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/34.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
34
Ponto de Curie
É a temperatura na qual os domínios
magnéticos são destruídos.
![Page 35: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/35.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
35
Curva de magnetização ou de histerese
• Indução residual (Br) - é a indução magnética que se conserva no corpo magnetizado, depois de anulada a intensidade do campo.
• É dada em Gauss• Força coercitiva (Hc)- é a intensidade de campo que
tem de ser aplicado para desmagnetizar.• É dado em Oersted • Material com elevado Hc = consome energia para
alinhar os domínios magnéticos, de uma direção para outra. A quantidade de energia necessária para magnetizar é proporcional a área do ciclo de histerese.
• Permeabilidade Magnética (µ)- é a intensidade de magnetização. A intensidade de magnetização varia em função da intensidade do campo. ë característica do material
• µ= tg θ B/H É dada em Gauss/Oersted
![Page 36: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/36.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
36
Classificação das ligas magnéticas
A classificação é feita de acordo com a forma da curva de histerese. O nome esta relacionado com as propriedades mecânicas/metalúrgicas da liga:
Ligas Magnéticas DurasLigas Magnéticas Macias
![Page 37: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/37.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
37
Ligas magnéticas duras
- Se caracterizam pelo grande valor de Hc e alto Br- São ligas endurecidas com estruturas desiquilibradas, dispersas- São utilizadas na fabricação de imãs permanentes
![Page 38: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/38.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
38
Ligas magnéticas macias
- Apresentam Hc de baixo valor e pequenas perdas de histerese e baixo Br.- São ligas organizadas. Geralmente metais puros com boa qualidade estrutural.- São empregadas como ligas a serem submetidas à magnetização alternada (núcleos de transformadores)
![Page 39: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/39.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
39
CURVA HISTERÉTICA PARA LIGAS MAG. DURAS E MACIAS
![Page 40: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/40.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
40
Papel dos elementos de liga
•Aumentam a força coercitiva ou “dureza” magnética
•Diminuem o tamanho de grão
A formação de uma segunda fase, pela adição de elementos de liga (acima do limite de solubilidade), contribui para o aumento do Hc. Quanto mais elevada a dispersão da segunda fase maior o Hc.
O endurecimento causado pela transformações de fase ou pela diminuição do tamanho de grão aumentam o Hc, porque evitam a redistribuição ao acaso dos domínios magnéticos.
![Page 41: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/41.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
41
INFORMAÇÕES ADICIONAIS
No xerox encontram-se tabelas com exemplos de materiais magnéticos moles e duros
![Page 42: 11 propriedades eletricas-oticas_termicas_magneticas](https://reader033.vdocuments.pub/reader033/viewer/2022042518/55acbed31a28ab70088b46f7/html5/thumbnails/42.jpg)
Ele
ani M
aria
da
Cos
ta -
DE
M/P
UC
RS
42
ESTUDAR (XEROX)
ASSUNTOS:SUPERCONDUTIVIDADE (Van Vlack)EFEITO PIEZOELÉTRICO (CALLISTER)PROPRIEDADES ÓPTICAS: OPACIDADE, TRANSPARÊNCIA E LUMINESCÊNCIA, LASER (Van Vlack)