【19】中華民國　　　　　　【12】專利公報 　（B）【11】證書號數：I399395【45】公告日： 中華民國 102 (2013) 年 06月 21日【51】Int. Cl.： C08J5/18

G02B1/00(2006.01)(2006.01)

C08G73/10 (2006.01)

發明　　　　　全 5 頁　

【54】名　　稱：具高折射指數之芳香族聚醯亞胺-氧化鈦混成薄膜及其製法HIGH REFRACTIVE INDEX AROMATIC POLYIMIDE POLYMERS-TITANIA HYBRID FILM AND ITS PREPARATION

【21】申請案號：098116292 【22】申請日： 中華民國 98 (2009) 年 05月 15日【11】公開編號：201040215 【43】公開日期： 中華民國 99 (2010) 年 11月 16日【72】發 明 人： 林柏翰 (TW) LIN, PO HAN；劉貴生 (TW) LIOU, GUEY SHENG；游洋雁

(TW) YU, YANG YEN；陳文章 (TW) CHEN, WEN CHANG【71】申 請 人： 國立台灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY

臺北市大安區羅斯福路 4段 1號【74】代 理 人： 謝秉原【56】參考文獻：

TW 200513481US 2008/0255335A1

TW 200916503

審查人員：趙偉志

[57]申請專利範圍1.　一種製備具有以下式(1)之重複單元之芳香族聚醯亞胺-氧化鈦混成光學薄膜之方法，

上述式中，A相對於羥

基可為對位及/或間位，且表示萘二氧基或可經鹵素原子取代之直鏈或分支鏈 C1-4 伸烷基；B表示共價鍵、可經鹵素原子取代之直鏈或分支鏈 C1-4 伸烷基、-O-、-CO-、-S-或-SO2 -；且 n為 10~100之值；該方法包括下列步驟：(a)使含羥基之芳香族二胺與芳香族二酸酐在室溫至 250℃之溫度範圍內進行反應，製備主鍵上含羥基之可溶性芳香族聚醯亞胺，其中該芳香族二胺及芳香族二酸酐之當量比(芳香族二胺/芳香族二酸酐)介於 0.5至2.0之範圍；(b)接著使步驟(a)所得之主鏈上含羥基之可溶性芳香族聚醯亞胺與通式 Ti(OR)4 之烷氧化鈦(其中 R為相同或不同且代表 C1-6 直鏈或分支鏈烷基)在酸催化劑及水存在下進行水解縮合反應(hydrolysis-condensation)，獲得芳香族聚醯亞胺-奈米結晶氧化鈦混成材料均勻溶液，其中烷氧化鈦相對於主鏈上含羥基之可溶性芳香族聚醯亞胺所含

之羥基之莫耳比(烷氧化鈦/羥基)在 1~10之範圍內；及(c)將該芳香族聚醯亞胺-奈米結晶氧化鈦混成材料均勻溶液塗佈成薄膜，獲得本發明之芳香族聚醯亞胺-奈米結晶氧化鈦混成薄膜。

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2.　如申請專利範圍第 1項之製備芳香族聚醯亞胺-氧化鈦混成光學薄膜之方法，其中該具有羥基之芳香族二胺係選自下列所組成組群之至少一種化合物：1,2-雙(4-胺基-3-羥基苯氧基)萘、1,3-雙(4-胺基-3-羥基苯氧基)萘、1,4-雙(4-胺基-3-羥基苯氧基)萘、1,5-雙(4-胺基-3-羥基苯氧基)萘、1,6-雙(4-胺基-3-羥基苯氧基)萘、1,7-雙(4-胺基-3-羥基苯氧基)萘、1,8-雙(4-胺基-3-羥基苯氧基)萘、2,3-雙(4-胺基-3-羥基苯氧基)萘、2,6-雙(4-胺基-3-羥基苯氧基)萘、2,7-雙(4-胺基-3-羥基苯氧基)萘、雙(3-胺基-4-羥基苯基)異全氟丙烷。

3.　如申請專利範圍第 1項之製備芳香族聚醯亞胺-氧化鈦混成光學薄膜之方法，其中該芳香族二酸酐係選自下列所組成之組群之至少一種化合物：4,4’-氧基二苯二甲酸酐、3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’-聯苯四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟異丙烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、雙(3,4-二羧基苯基)碸二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐。

4.　如申請專利範圍第 1項之製備芳香族聚醯亞胺-氧化鈦混成光學薄膜之方法，其中通式Ti(OR)4 之烷氧化鈦中 R均為丁基。

5.　一種芳香族聚醯亞胺-氧化鈦混成薄膜，其係由申請專利範圍第 1至 4項中任一項之方法所製得，且具有高達 50wt%之氧化鈦含量、在厚度 20-30微米範圍時之折射指數在 1.67至 1.92之範圍且光學透明度在可見光範圍。

6.　如申請專利範圍第 5項之芳香族聚醯亞胺-氧化鈦混成薄膜，其具有下列式(1)表示之重

複單元： 上述

式中，A相對於羥基可為對位及/或間位，且表示萘二氧基或可經鹵素原子取代之直鏈或分支鏈 C1-4 伸烷基；B表示共價鍵、可經鹵素原子取代之直鏈或分支鏈 C1-4 伸烷基、-O-、-CO-、-S-或-SO2 -；且 n為 10~100之值。

(2)

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7.　如申請專利範圍第 5項之芳香族聚醯亞胺-氧化鈦混成薄膜，其具有下列通式表示之重複

單元： 其中 n為 10-100之

值。

8.　一種具有下式(3)之結構作為重複單元之 2,3-聚(鄰-羥基醯亞胺)聚合物，

其中 n為

10~100之數。9.　如申請專利範圍第 8項之 2,3-聚(鄰-羥基醯亞胺)聚合物，其係作為合成申請專利範圍第

5至 7項中任一項之芳香族聚醯亞胺-氧化鈦混成薄膜之中間物。圖式簡單說明

圖 1顯示本發明之聚(鄰-羥基醯亞胺)之 TGA熱譜圖。圖 2顯示實施例 1及 2所得混成薄膜之電子掃描顯微鏡照片。圖 3顯示本發明之聚醯亞胺-氧化鈦混成薄膜之 X-射線繞射分析圖。圖 4顯示本發明之聚醯亞胺-氧化鈦混成薄膜之折射指數指數變化。

(3)

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