2003 h1-h4 01 hantai a4 1 · 5 6 class i & class ii a型單層電容 50 56 68 82 100 120 150...
TRANSCRIPT
(2020.MAY) B-031-2
TECDIA Co., Ltd.www.tecdia.com
薄膜被動元件
21
目錄 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P1一般特點 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P1單層電容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P2單層電容樣式 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P2單層電容介電質規格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P2檢驗. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P3電容特性圖表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P4A型單層陶瓷電容(Class I & Class II / Class IV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P5 · P6B型單層陶瓷電容(Class I & Class II). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P7應用說明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P8C型單層陶瓷電容(Class I & Class II / Class IV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P9 · P10長方形電容 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P11陣列電容(Array Capacitors). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P12雙極電容(Binary Capacitors). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P12多連結電容(Row Capacitors). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P13IRC一體化電容電阻 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P14薄膜晶片電阻 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P15Ground Blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P16HCT 薄膜陶瓷基板. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P17單層電容客製選項 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P18包裝材料 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P18
附註一: 最小可以訂做106MΩ@25°C。附註二: 參見EIA-198-1-F
單層電容介電質規格
111122444
EIA等級*2
P457FC101112
捷科泰亞介電材料代號
4090
140280
1,6002,80016,00030,00050,000
介電常數(Nominal)
< 0.15% @ 1 MHz< 0.25% @ 1 MHz< 0.25% @ 1 MHz< 0.25% @ 1 MHz< 2.5% @ 1 kHz< 2.5% @ 1 kHz< 2.5% @ 1 kHz< 2.5% @ 1 kHz< 2.5% @ 1 kHz
導電耗散率(DF)@25℃
106 MΩ106 MΩ106 MΩ105 MΩ*1
105 MΩ105 MΩ104 MΩ104 MΩ104 MΩ
絕緣電阻(IR)@25℃
0 ± 30 ppm / °C-330 ± 60 ppm / °C-750 ± 120 ppm / °C
-1000 ± 250 ppm / °C± 15%± 15%± 22%± 22%± 22%
溫度特性
-55 °C to +125 °C-55 °C to +125 °C-55 °C to +125 °C-55 °C to +125 °C-55 °C to +125 °C-55 °C to +125 °C-55 °C to +125 °C-55 °C to +125 °C-55 °C to +125 °C
耐用溫度範圍
C0GS2HU2JM3KX7RX7RX7SX7SX7S
EIA溫度特性代碼*2
目錄
設計捷科泰亞的晶片電容大多為方形電容與級數電容。多連結電容與其他客製電容則為長方形。透過改變厚度、電極的尺寸大小及介電質常數所製造出的電容可涵蓋各式各樣的電容值。我們亦長年投身於製造有留邊電極的陶瓷電容。運用我們的專業可以製造出各式尺寸及容值的留邊電容。電極留邊可以預防銀膠溢膠所造成的短路。此設計同時也大幅減少了夾爪及自動拾放機造成的損害。
單層電容樣式
留邊
全面鍍金
表面
底面
A型
留邊
留邊
表面
底面
B型
全面鍍金
全面鍍金
表面
底面
C型
單層電容
一般特點陶瓷介電材料95%捷科泰亞製造的陶瓷基板是使用獨家鈦酸比例組成的陶瓷粉末經燒結後製成的。透過這些配方,可以做出一系列不同介電常數、溫度特性等性質的介電質。包括等級I及II的介電質。我們亦使用 GBBL 技術生產 EIA 等級IV的單層電容。
環境承諾捷科泰亞的環境政策可參見:www.tecdia.com。所有製造設施皆已通過ISO14001認證。所有電容皆符合RoH2規範。
電極鍍層我們將燒結後的基板細細研磨、拋光。在製造出光滑又平坦的表面後,用乾式濺鍍來鍍上金屬,以產生無論在微波或毫米波,頻率損失都極低且打線不易脫落的電極。
鍍金形式 適用金屬 功用
防止Ti擴散作為IRC與薄膜晶片電阻的電阻材料
牢牢穩固金屬與陶瓷間的連結
在焊錫時保護鍍層
高導電率且可焊線
防擴散層(Diffusion Prevention Layer)
吸附層(Adhesion Layer)阻氣性鍍膜(Barrier Layer)導電鍍膜(Conductive Layer)
TaN
TiW or TiPtAu
43
檢驗 電容特性圖表捷科泰亞的電容可廣泛運用於商業通訊系統、飛航及太空計畫等領域中。不論您需要應用於工業與商業上,還是需要特別高的可靠性,我們的產品都保持一致化的生產過程。不過,檢驗項目的選擇可依您的需求量身訂做。電容的檢驗可分為三大類:標準級、商業級和客製品。
單層電容的一般檢驗規格檢驗項目
項目 檢驗條件
實驗室檢驗項目
如果想獲得更多關於使用上的協助資訊,歡迎您造訪我們的網站。捷科泰亞有權在不另發通知的情形下修改發行於本型錄的產品資料或終止其販售。
*¹ Class IV產品採用Inspection lot AQL I(0.15%)*² 不適用於Class IV產品.
15
10
5
0
-5
-10
-15-55 -35 -15 5 25 45 65 85 105 125
電容
值變
化(%
)
溫度(°C)
溫度係數(Class I)
K=140K=280
K=40K=90
溫度係數(Class IV)
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25-55 -35 -15 5 25 45 65 85 105 125
電容
值變
化(%
)
溫度(°C)
K=50,000K=30,000K=16,000 K=1,600
K=2,800K=16,000K=30,000K=50,000
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-81 10 100 1,000 10,000
電容
值變
化(%
)
時間(小時)
經時變化係數
溫度係數(Class II)
電容
值變
化(%
)
溫度(°C)
振動頻率與電容值(GHz)
100
10
1
0.10.1 1 10 100 1,000 10,000
振動
頻率(
GHz
)
電容值(pF)
Class IV (10 mil-t)Class IV (6 mil-t)
Class I,II
直流偏壓特性圖
Class I
K=1,600K=2,800K=16,000 (6 mil-t)K=16,000 (10 mil-t)K=30,000 (6 mil-t)K=30,000 (10 mil-t)K=50,000 (6 mil-t)
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-300 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
電容
值變
化(%
)
電壓(Vdc)
檢驗數量
外觀檢查電容值導電耗散率(DF)絕緣電阻(IR)絕緣破壞電壓(DWV)焊線拉力測試400 °C 5分鐘長度與厚度
外觀
電氣特性
物理性質高溫測試尺寸
Inspection lot AQL II(1.0%)Inspection lot AQL II(1.0%)Inspection lot AQL II(1.0%)每批晶圓10片*¹每批晶圓10片每批晶圓3片每批晶圓5片*²每批晶圓3片
Inspection lot AQL II(1.0%)Inspection lot AQL II(1.0%)Inspection lot AQL II(1.0%)0*¹000*²0
容錯率
溫度循環測試 冷熱衝擊實驗 高溫耐電壓測試 電容值與導電耗散率測試 絕緣電阻測試 絕緣破壞電壓測試 焊線拉力測試 推力測試 溫度係數測試 浸漬測試 耐焊晶耐熱測試 耐濕測試 使用壽命測試 濕度(定常狀態) 定加速度測試 耐振動測試 高頻振動測試變頻振動測試
MIL-STD-883 / Method 1010 Cond. A / B / CMIL-STD-202 / Method 107 Cond. A / B / FMIL-STD-883 / Method 1015 Cond. A / B / C / FMIL-STD-202 / Method 305MIL-STD-202 / Method 302MIL-STD-202 / Method 301MIL-STD-883 / Method 2011 Cond. DMIL-STD-883 / Method 2019 less than 3 kgEIA-198 / Method 105MIL-STD-202 / Method 104MIL-STD-202 / Method 210 Cond. A / B / C / DMIL-STD-202 / Method 106MIL-STD-202 / Method 108 less than or equal 150 °CMIL-STD-202 / Method 103MIL-STD-883 / Method 2001 Cond. A / B / C / D / E / F / G / H / Y1MIL-STD-202 / Method 201MIL-STD-202 / Method 204 Cond. A / B / C / DMIL-STD-883 / Method 2007 Cond. A
K=1,600
K=2,800
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-55 -35 -15 5 25 45 65 85 105 125
65
Class I & Class II
A型單層電容
50566882
100120150180220270330390470560680820
1,0001,2001,5001,8002,2002,7003,3003,9004,7005,6006,8008,200
10,000
500560680820101121151181221271331391471561681821102122152182222272332392472562682822103
尺寸L × W
電容值代號
mils公差mm公差
尺寸代號
電容值(pF)
0010 × 10± 4
0.25 × 0.25± 0.10
0115 × 15± 5
0.38 × 0.38± 0.13
0220 × 20± 5
0.50 × 0.50± 0.13
0325 × 25± 5
0.63 × 0.63± 0.13
0430 × 30± 5
0.76 × 0.76± 0.13
0535 × 35± 5
0.88 × 0.88± 0.13
0640 × 40± 5
1.00 × 1.00± 0.13
0750 × 50± 10
1.25 × 1.25± 0.25
0860 × 60± 10
1.50 × 1.50± 0.25
0970 × 70± 10
1.75 × 1.75± 0.25
Class IV
Class IV
50566882
100120150180220270330390470560680820
1,0001,2001,5001,8002,2002,7003,300
500560680820101121151181221271331391471561681821102122152182222272332
尺寸L × W
電容值代號
mils公差mm公差
尺寸代號
電容值(pF)
0010 × 10± 4
0.25 × 0.25± 0.10
0115 × 15± 5
0.38 × 0.38± 0.13
0220 × 20± 5
0.50 × 0.50± 0.13
0325 × 25± 5
0.63 × 0.63± 0.13
0430 × 30± 5
0.76 × 0.76± 0.13
0535 × 35± 5
0.88 × 0.88± 0.13
0640 × 40± 5
1.00 × 1.00± 0.13
0750 × 50± 10
1.25 × 1.25± 0.25
0860 × 60± 10
1.50 × 1.50± 0.25
0970 × 70± 10
1.75 × 1.75± 0.25
K = 50,00010 V
-
K = 16,00050 V
100 V6 mils
10 mils
介電質材料
額定工作電壓
厚度 K = 30,00016 V
-
在表面電極留邊以幫助視覺辨認的同時,亦可防止爬膠導致短路的Class I 與Class II 電容。
Class I 與 II A型電容代號
101 K 2 P
電容值代號0R1 : 0.1 pF1R0 : 1.0 pF100 : 10 pF101 : 100 pF
尺寸代號
介電質等級1 : Class I (K = 40 - 280)2 : Class II (K = 1,600 - 2,800)
電容值公差代號A : ± 0.05 pF*B : ± 0.10 pF*C : ± 0.25 pF*J : ± 5%K : ± 10%M: ± 20%V : - 0% / + 100%Z : - 20% / + 80%*電容值低於 1.0pF
AMS
Class IV
厚度: 10 mils ± 1 mil (0.25 mm ± 0.025 mm)
0.10.20.30.40.50.60.81
1.21.51.82.22.73.33.94.75.66.88.210121518222733394750566882
100120150180220270330390470510
0R10R20R30R40R50R60R81R01R21R51R82R22R73R33R94R75R66R88R2100120150180220270330390470500560680820101121151181221271331391471511
B
10 × 10
0.25 × 0.25
mils
mm
電容值代號
尺寸代號
尺寸L × W
電容值(pF)
C
12 × 12
0.30 × 0.30
F
16 × 16
0.40 × 0.40
H
20 × 20
0.50 × 0.50
K
24 × 24
0.60 × 0.60
P
31 × 31
0.8 × 0.8
R
40 × 40
1.00 × 1.00
S
50 × 50
1.25 × 1.25
T
60 × 60
1.50 × 1.50
K = 40 K = 90 K = 140 K = 280 K = 1,600 K = 2,800
Class I
Class II
選購指南
TiW - Au, TaN - TiW - Au
TiW - Pt - Au, TaN - TiW - Pt - Au
表面
底面
電極電鍍方案
在表面電極留邊以幫助視覺辨認的同時,亦可防止爬膠導致短路的GBBL電容。
Class IV電容代號SK: 4 um厚鍍金SKT: 1.5 um厚鍍金
01 A 101 M 10 A 6
尺寸代號 表面陶瓷處理A: As Fi red
厚度代號6 : 6 mi ls (0.15 mm)1 : 10 mi ls (0.25 mm)
電容值公差代號M: ± 20%V : - 0% / + 100%Z : - 20% / + 80%
電容值代號100 : 10 pF101 : 100 pF102 : 1,000 pF103 : 10,000 pF
介電質材料代號10: K = 16,00011 : K = 30,00012 : K = 50,000
A型電容代號
SKT
選購指南厚度: 6 mils ± 1 mil (0.15 mm ± 0.025 mm)
TiW - Au, Ti - TiW - Au
Ti - Pt- Au
表面
底面
電極電鍍方案
附註: 製造按公制單位(mm)製造。英制單位(mils)僅供參考用。
附註: 製造按公制單位(mm)製造。英制單位(mils)僅供參考用。
附註: 製造按公制單位(mm)製造。英制單位(mils)僅供參考用。
8
Class I & Class II
B型單層電容
選購指南
0.10.20.30.40.50.60.81
1.21.51.82.22.73.33.94.75.66.88.210121518222733394750566882
100120150180220270330390470510
0R10R20R30R40R50R60R81R01R21R51R82R22R73R33R94R75R66R88R2100120150180220270330390470500560680820101121151181221271331391471511
B
10 × 10
0.25 × 0.25
mils
mm
電容值代號
尺寸代號
尺寸L × W
電容值(pF)
C
12 × 12
0.30 × 0.30
F
16 × 16
0.40 × 0.40
H
20 × 20
0.50 × 0.50
K
24 × 24
0.60 × 0.60
P
31 × 31
0.8 × 0.8
R
40 × 40
1.00 × 1.00
S
50 × 50
1.25 × 1.25
T
60 × 60
1.50 × 1.50
Class I
Class II
在電極表面與底面留邊以幫助視覺辨認的同時,亦可防止爬膠導致短路的Class I 與Class II 電容。
101 K 2 P
電容值代號0R1 : 0.1 pF1R0: 1.0 pF100: 10 pF101 : 100 pF
尺寸代號
介電質材料代號1 : Class I (K = 40 - 280)2: Class II (K = 1,600 - 2,800)
電容值公差代號A : ± 0.05 pF*B : ± 0.10 pF*C : ± 0.25 pF*J : ± 5%K : ± 10%M: ± 20%V : - 0% / + 100%Z : - 20% / + 80%*電容值低於 1.0pF
BMSTiW - Au, TaN - TiW - Au
TiW - Au, TaN - TiW - Au
表面
底面
電極電鍍方案
附註: 製造按公制單位(mm)製造。英制單位(mils)僅供參考用。K = 40 K = 90 K = 140 K = 280 K = 1,600 K = 2,800
7
Class I 與 II B型電容代號
8
捷科泰亞的單層陶瓷電容被廣泛應用在光通訊與無線通訊設備上,其中包含(卻不限於)
‧ 微波/光通訊收發器
‧ 合成器、發振器等訊號發射器
‧ TO-CAN/TOSA/ROSA/BOSA(光發射接收器件)
‧ 微波與光通訊調幅器
‧ 高頻率訊號與RF量測裝置
直流阻隔(DC Block)
在作為直流阻隔器運用時,晶片電容會被串接在電路中以防止線路中的直流
偏壓影響到其他電路。為了達到此效果,必須要選擇特定的電容值,好使電容
在遇到特定頻率的交流電時可形成短路供電流通過。
高頻旁路(High Frequency Bypass)
在作為高頻旁路時,晶片電容被放在分流器中接地,以提供低阻抗接地路線
的方式來消除高頻線路的雜訊。為達到此效果,必須使用準確的電容值。因
為同樣的通往接地的線路必須在對高頻率訊號來說為短路的同時,又對直
流偏壓或低頻率信號來說是高阻抗線路。如此一來,低頻信號便可以保留在
線路中,在最低消耗下維持電路。
阻抗匹配(Impedance Matching)
在阻抗匹配的應用中,會用一個晶片電容來在線路中提供所需的阻抗。電容
可以被用在大量的集總電路以減少信號反射,好讓信號在經過不同阻抗的電
路時仍能維持不被干擾。
在這些裝置中,單層陶瓷電容的功能可以被區分為三大類:
應 用 說 明
8
光收發模組 TOSA/ROSA 發振器/訊號發射器 微波電晶體
109
Class I & Class II Class IV
C型單層電容
選購指南
0.10.20.30.40.50.60.81
1.21.51.82.22.73.33.94.75.66.88.210121518222733394750566882
100120150180220270330390470510560680
0R10R20R30R40R50R60R81R01R21R51R82R22R73R33R94R75R66R88R2100120150180220270330390470500560680820101121151181221271331391471511561681
BC
10 × 10
0.25 × 0.25
mils
mm
電容值代號
尺寸代號
尺寸L × W
電容值(pF)
CC
12 × 12
0.30 × 0.30
FC
16 × 16
0.40 × 0.40
HC
20 × 20
0.50 × 0.50
KC
24 × 24
0.60 × 0.60
PC
31 × 31
0.8 × 0.8
RC
40 × 40
1.00 × 1.00
SC
50 × 50
1.25 × 1.25
TC
60 × 60
1.50 × 1.50
K = 40 K = 90 K = 140 K = 280 K = 1,600 K = 2,800
沒有留邊的Class I 與Class II 電容,在提升可焊性的同時,也達到電容值的最大化並減少寄生電容的產生。
選購指南厚度: 6 mils ± 1 mil (0.15 mm ± 0.025 mm)
選購指南厚度: 10mils ± 1 mil (0.25 mm ± 0.025 mm)
50566882
100120150180220270330390470560680820
1,0001,2001,5001,8002,2002,7003,3003,9004,7005,6006,8008,200
10,000
500560680820101121151181221271331391471561681821102122152182222272332392472562682822103
尺寸L × W
電容值代號
mils公差mm公差
尺寸代號
電容值(pF)
0010 × 10± 4
0.25 × 0.25± 0.10
0115 × 15± 5
0.38 × 0.38± 0.13
0220 × 20± 5
0.50 × 0.50± 0.13
0325 × 25± 5
0.63 × 0.63± 0.13
0430 × 30± 5
0.76 × 0.76± 0.13
0535 × 35± 5
0.88 × 0.88± 0.13
0640 × 40± 5
1.00 × 1.00± 0.13
0750 × 50± 10
1.25 × 1.25± 0.25
0860 × 60± 10
1.50 × 1.50± 0.25
0970 × 70± 10
1.75 × 1.75± 0.25
Class IV
50566882
100120150180220270330390470560680820
1,0001,2001,5001,8002,2002,7003,300
500560680820101121151181221271331391471561681821102122152182222272332
尺寸 L × W
電容值代號
mils公差mm公差
尺寸代號
電容值(pF)
0010 × 10± 4
0.25 × 0.25± 0.10
0115 × 15± 5
0.38 × 0.38± 0.13
0220 × 20± 5
0.50 × 0.50± 0.13
0325 × 25± 5
0.63 × 0.63± 0.13
0430 × 30± 5
0.76 × 0.76± 0.13
0535 × 35± 5
0.88 × 0.88± 0.13
0640 × 40± 5
1.00 × 1.00± 0.13
0750 × 50± 10
1.25 × 1.25± 0.25
0860 × 60± 10
1.50 × 1.50± 0.25
0970 × 70± 10
1.75 × 1.75± 0.25
最受歡迎的GBBL電容,擁有高容值密度,適合應用於低成本的去耦與旁路電路。
Class I
Class II
Class I 與 II B型電容代號
470 K 2 FC
電容值代號0R1 : 0.1 pF1R0: 1.0 pF100 : 10 pF101 : 100 pF
尺寸代號
電容值公差代號A : ± 0.05 pF*B : ± 0.10 pF*C : ± 0.25 pF*J : ± 5%K : ± 10%M: ± 20%V : - 0% / + 100%Z : - 20% / + 80%*電容值低於 1.0pF
CMS
介電質材料代號1 : Class I (K = 40 - 280)2: Class II (K = 1,600 - 2,800)
04 C 102 M 11 A 6
尺寸代號 表面陶瓷處理A: As Fired
厚度代號6 : 6 mils (0.15 mm)1 : 10 mils (0.25 mm)
電容值公差代號M: ± 20%V : - 0% / + 100%Z : - 20% / + 80%
電容值代號100 : 10 pF101 : 100 pF102 : 1,000 pF103 : 10,000 pF
介電質材料代號10 : K = 16,00011 : K = 30,00012 : K = 50,000
C型電容代號
SKT
Class IV
TiW - Pt - Au, TaN - TiW - Pt - Au
TiW - Pt - Au, TaN - TiW - Pt - Au
表面
底面
電極電鍍方案Ti - Pt - Au
Ti - Pt - Au
表面
底面
電極電鍍方案
附註: 製造按公制單位(mm)製造。英制單位(mils)僅供參考用。
附註: 製造按公制單位(mm)製造。英制單位(mils)僅供參考用。
附註: 製造按公制單位(mm)製造。英制單位(mils)僅供參考用。K = 50,000
10 V-
K = 16,00050 V
100 V6 mils
10 mils
介電質材料
額定工作電壓
厚度 K = 30,00016 V50 V
Class IV電容代號SK: 4 um厚鍍金SKT: 1.5 um厚鍍金
1211
長方形電容 陣列電容
捷科泰亞可以依照您的需求為您訂製指定的尺寸、介電常數、介電質、TC與任何符合您模具的樣式。
附註一: 製造按公制單位(mm)製造。英制單位(mils)僅供參考用。附註二: 第四頁的振動頻率與電容值圖不適用於此產品。
AMS100K3010
AMS120K3010
AMS140K3010
AMS160K3010
AMS180K3010
AMS200K3010
AMS100K6010
AMS120K6010
AMS210K6010
AMS240K6010
AMS260K6010
AMS300K6010
AMS350K6010
AMS400K6010
AMS450K6010
AMS500K6010
10
12
14
16
18
20
10
12
21
24
26
30
35
40
45
50
118 × 39 × 8
118 × 39 × 7
118 × 39 × 7
118 × 39 × 7
118 × 39 × 6
118 × 39 × 5
236 × 39 × 7
236 × 39 × 7
236 × 39 × 8
236 × 39 × 7
236 × 39 × 6
236 × 39 × 7
236 × 39 × 7
236 × 39 × 7
236 × 39 × 5
236 × 39 × 4
3.0 × 1.0 × 0.20
3.0 × 1.0 × 0.17
3.0 × 1.0 × 0.18
3.0 × 1.0 × 0.17
3.0 × 1.0 × 0.15
3.0 × 1.0 × 0.13
6.0 × 1.0 × 0.19
6.0 × 1.0 × 0.18
6.0 × 1.0 × 0.20
6.0 × 1.0 × 0.17
6.0 × 1.0 × 0.16
6.0 × 1.0 × 0.19
6.0 × 1.0 × 0.17
6.0 × 1.0 × 0.17
6.0 × 1.0 × 0.13
6.0 × 1.0 × 0.11
K = 90
K = 90
K = 130
K = 130
K = 130
K = 130
K = 40
K = 40
K = 90
K = 90
K = 90
K = 130
K = 130
K = 130
K = 130
K = 130
80 V
80 V
80 V
80 V
80 V
80 V
80 V
80 V
80 V
80 V
80 V
80 V
80 V
80 V
80 V
80 V
型號 電容值(pF)尺寸(mils)L × W × t
尺寸(mm)L × W × t 介電質 RMV
雙極電容
捷科泰亞販賣各式各樣高長寬比的電容,大量應用於氮化鎵(GaN)晶體管的製造。
陣列電容為3、4或5個電極共用一個底面,方便調整電容值以被運用在電路中。
雙極電容為在表面有兩個電極的長方形電容。可以在面向下時取代接線連接電路,避免線圈的電感效應。
AMG0R5B1AGBMG0R5B1AGAMG5R0K2AGBMG5R0K2AGAMG150K2BGBMG150K2BGAMG250K2BGBMG250K2BG
型號
0R50R55R05R0150150250250
各單位電容之電容值代號
0.250.252.52.57.57.5
12.512.5
元件電容值(pF)
12 × 2412 × 2412 × 2412 × 2420 × 3320 × 3320 × 3320 × 33
尺寸(mils)L × W
0.3 × 0.60.3 × 0.60.3 × 0.60.3 × 0.6
0.5 × 0.850.5 × 0.850.5 × 0.850.5 × 0.85
尺寸(mm)L × W
K = 140K = 140
K = 1,600K = 1,600K = 1,600K = 1,600K = 2,800K = 2,800
介電質
電極之間的關係是建立在電極間的相對大小(表面面積)而不是各電容的實際電容值。檢驗的標準僅基於表面積最大的電極。
附註一: 製造按公制單位(mm)製造。英制單位(mils)僅供參考用。附註二: 第四頁的振動頻率與電容值圖不適用於此產品。
附註一: 製造按公制單位(mm)製造。英制單位(mils)僅供參考用。附註二: 第四頁的振動頻率與電容值圖不適用於此產品。
AMB0R7B1GDBMB0R7B1GDAMB1R5K1GDBMB1R5K1GDAMB1R5K1JDBMB1R5K1JDAMB3R0K1JDBMB3R0K1JDAMB3R0K1LDBMB3R0K1LDAMB6R0K1LDBMB6R0K1LD
型號
0.7 / 0.35 / 0.180.7 / 0.35 / 0.181.5 / 0.75 / 0.381.5 / 0.75 / 0.38
1.5 / 0.75 / 0.38 / 0.191.5 / 0.75 / 0.38 / 0.193.0 / 1.5 / 0.75 / 0.383.0 / 1.5 / 0.75 / 0.38
3.0 / 1.5 / 0.75 / 0.38 / 0.193.0 / 1.5 / 0.75 / 0.38 / 0.196.0 / 3.0 / 1.5 / 0.75 / 0.386.0 / 3.0 / 1.5 / 0.75 / 0.38
陣列元件電容值(pF)
0R70R71R51R51R51R53R03R03R03R06R06R0
最大單位電容之電容值代號
20 × 2020 × 2020 × 2020 × 2020 × 3620 × 3620 × 3620 × 3636 × 3636 × 3636 × 3636 × 36
尺寸(mils)L × W
0.5 × 0.50.5 × 0.50.5 × 0.50.5 × 0.50.5 × 0.90.5 × 0.90.5 × 0.90.5 × 0.90.9 × 0.90.9 × 0.90.9 × 0.90.9 × 0.9
尺寸(mm)L × W
K = 140K = 140K = 280K = 280K = 140K = 140K = 280K = 280K = 140K = 140K = 280K = 280
介電質
陣列電容值代號
0R7 B 1 GD
最大單位電容之電容值代號0R7 : 0.7 pF1R5 : 1.5 pF3R0 : 3.0 pF6R0 : 6.0 pF
尺寸代號GD : 20 x 20 mil (0.5 x 0.5 mm)JD : 20 x 36 mil (0.5 x 0.9 mm)LD : 36 x 36 mil (0.9 x 0.9 mm)
A電容形式A: A型B : B型
介電質等級1: Class I (K = 40 - 280)
電容值公差代號A : ± 0.05 pF *B : ± 0.10 pF *C : ± 0.25 pF *K : ± 10%M: ± 20%*電容值低於 1.0pF
MB
雙極電容代號
0R5 B 2 AG
各單位電容之電容值代號0R5 : 0.5 pF5R0 : 5.0 pF150 : 15 pF250 : 25 pF
尺寸代號AG: 12 x 24 mil (0.3 x 0.6 mm)BG : 20 x 33 mil (0.5 x 0.85 mm)
A電容形式A : A型B : B型
介電質等級1: Class I (K = 40 - 280)2: Class II (K = 1,600 - 2,800)
電容值公差代號A : ± 0.05 pF *B : ± 0.10 pF *C : ± 0.25 pF *K : ± 10%M : ± 20%*電容值低於 1.0pF
MG
GD
LDJD
BGAG
標準品
標準品
標準品
Class I 與 II 電容代號AMS: A型BMS : B型
100 K 3010
尺寸代號電容值公差代號J : ± 5%K : ± 10%M : ± 20%V : - 0% / + 100%Z : - 20% / + 80%
AMSTiW - Au, TaN - TiW - Au
TiW - Pt - Au, TaN - TiW - Pt - Au, TiW – Au, TaN – TiW – Au
表面
底面
電極電鍍方案
TiW - Au, TaN - TiW - Au
TiW - Pt - Au, TaN - TiW - Pt - Au, TiW - Au, TaN - TiW - Au
表面
底面
電極電鍍方案
TiW - Au, TaN - TiW - Au
TiW - Pt - Au, TaN - TiW - Pt - Au, TiW - Au, TaN - TiW - Au
表面
底面
電極電鍍方案
電容值代號100: 10 pF120: 12 pF200: 20 pF
13 14
多連結電容 IRC 一體化電容電阻
2 個以上 A 型電容放置在單個晶片上以增加電容值密度的同時,也可以減少需要放置的元件來達到更理想的封裝效率。 電阻結合電容後放在Class IV(K=16,000)的電容中,集成單一晶片, 減少打線數量與BOM List 的元件數量。
Class IV電容代號SK : 4 um厚鍍金SKT: 1.5 um厚鍍金
00 A 101 N 10 A 6
尺寸代號
L2
電極數L2: 2電極。L3: 3電極。L4: 4電極。 表面陶瓷處理
A: As Fired厚度代號6: 6 mils (0.15 mm)
電容值公差代號N: ± 30%
電容值代號100: 10 pF101 : 100 pF102 : 1,000 pF
介電質材料代號10: K = 16,00011: K = 30,00012: K = 50,000
A型電容代號
SKTTiW - Au, Ti - TiW - Au
Ti - Pt - Au
表面
底面
電極電鍍方案
選購指南厚度: 10 mils ± 1 mil (0.250 mm ± 0.025 mm)
電容值代號271: 270 pF
M 10 A 1 - 201 R K
電容值公差代號M: ± 20%Z : - 20% / + 80%V : - 0% / + 100%
03
尺寸代號 電阻代號
電阻值公差代號K : ± 10%M: ± 20%
厚度代號1: 10mils (0.25mm)
表面處理A: As Fired
電阻值代號500: 50 Ω101 : 100 Ω
介電質材料代號10: K = 16,000
A
A型電容代號
271IRC電容代號SKR : 4 um厚鍍金SKTR: 1.5 um厚鍍金
SKTR
mils
公差
mm
公差
電容值代號
221
271
331
391
471
561
681
Resistance Code
500
101
201
電容值(pF)
220
270
330
390
470
560
680
Resistance (Ω)
50
100
200
尺寸 L × W
03
25 × 25
± 5 × ± 5
0.63 × 0.63
± 0.13 × ± 0.13
04
30 × 30
± 5 × ± 5
0.76 × 0.76
± 0.13 × ± 0.13
05
35 × 35
± 5 × ± 5
0.88 × 0.88
± 0.13 × ± 0.13
06
40 × 40
± 5 × ± 5
1.00 × 1.00
± 0.13 × ± 0.13
64
40 × 30
± 5 × ± 5
1.00 × 0.76
± 0.13 × ± 0.13
65
40 × 35
± 5 × ± 5
1.00 × 0.88
± 0.13 × ± 0.13
尺寸代號
K = 16,000100 V
介電質材料額定工作電壓
TaN - TiW - Au
Ti - Pt - Au
表面
底面
電極電鍍方案
電阻耐熱度(TCR)- 100 ± 50 ppm / °C (@ - 55 °C to + 85 °C )
電阻額定輸出100 mW @ < 70 °C70 mW @ < 85 °C**50 mW @ < 70 °C**35 mW @ < 85 °C
電阻加熱指示在N2 中以320 °C 加熱 5 分鐘
附註一: 製造按公制單位(mm)製造。英制單位(mils)僅供參考用。附註二: 第四頁的振動頻率圖不適用於此產品。
* 未提供電容值公差V
選購指南厚度: 6 mils ± 1 mil (0.15 mm ± 0.025 mm)
mils
公差
mm
公差
mils
公差
mm
公差
mils
公差
mm
公差
電容值代號
820
101
121
151
181
221
271
331
391
471
561
681
821
102
122
152
182
00
20 × 10
± 4 × ± 2
0.50 × 0.25
± 0.10 × ± 0.05
30 × 10
± 4 × ± 2
0.76 × 0.25
± 0.10 × ± 0.05
40 × 10
± 6 × ± 2
1.00 × 0.25
± 0.15 × ± 0.05
01
30 × 15
± 4 × ± 2
0.76 × 0.38
± 0.10 × ± 0.05
45 × 15
± 5 × ± 2
1.14 × 0.38
± 0.12 × ± 0.05
60 × 15
± 6 × ± 2
1.52 × 0.38
± 0.15 × ± 0.05
02
40 × 20
± 4 × ± 4
1.00 × 0.50
± 0.10 × ± 0.10
60 × 20
± 8 × ± 4
1.52 × 0.50
± 0.20 × ± 0.10
80 × 20
± 8 × ± 4
2.00 × 0.50
± 0.20 × ± 0.10
03
50 × 25
± 6 × ± 4
1.27 × 0.63
± 0.15 × ± 0.10
75 × 25
± 8 × ± 4
1.90 × 0.63
± 0.20 × ± 0.10
100 × 25
± 10 × ± 4
2.54 × 0.63
± 0.25 × ± 0.10
04
60 × 30
± 8 × ± 4
1.52 × 0.76
± 0.20 × ± 0.10
90 × 30
± 10 × ± 4
2.28 × 0.76
± 0.25 × ± 0.10
120 × 30
± 12 × ± 4
3.04 × 0.76
± 0.30 × ± 0.10
電容值(pF)
82
100
120
150
180
220
270
330
390
470
560
680
820
1000
1200
1500
1800
2電極。
3電極。
4電極。
尺寸代號
尺寸 L × W
K = 50,00010 V
K = 16,00050 V
介電質材料額定工作電壓
K = 30,00016 V
附註一: 製造按公制單位(mm)製造。英制單位(mils)僅供參考用。附註二: 第四頁的振動頻率與電容值圖不適用於此產品。附註三: 電極特性只能在表面與底面之間量測。 不應施加任何偏壓於頂端。
15 16
薄膜晶片電阻 Ground Blocks
SA Series - 1 SA Series - 2 SA Series - 3 MB Series
型號
SAW100K2A21H
SAW250K2A21F
SAW250K2A21H
SAW500K2A21F
SAW500K2A21H
SAW500K2A21HR
SAW500K2A21P
SAW750K2A21HR
SAW101K2A21H
SAW101K2A21HR
SAW201K2A21H
SAW102M2A21H
MBW200K2A21P
MBW250K2A21P
MBW500K2A21P
MBW750K2A21P
MBW101K2A21P
電阻值
10
25
25
50
50
50
50
75
100
100
200
1000
10 × 2
12.5 × 2
25 × 2
37.5 × 2
50 × 2
電阻值代號
100
250
250
500
500
500
500
750
101
101
201
102
200
250
500
750
101
尺寸(mils)L × W
20 × 20
16 × 16
20 × 20
16 × 16
20 × 20
20 × 40
31 × 31
20 × 40
20 × 20
20 × 40
20 × 20
20 × 20
31 × 31
31 × 31
31 × 31
31 × 31
31 × 31
尺寸(mm)L × W
0.50 × 0.50
0.40 × 0.40
0.50 × 0.50
0.40 × 0.40
0.50 × 0.50
0.50 × 1.00
0.80 × 0.80
0.50 × 1.00
0.50 × 0.50
0.50 × 1.00
0.50 × 0.50
0.50 × 0.50
0.80 × 0.80
0.80 × 0.80
0.80 × 0.80
0.80 × 0.80
0.80 × 0.80
配置
SA Series - 1
SA Series - 1
SA Series - 1
SA Series - 1
SA Series - 1
SA Series - 1
SA Series - 1
SA Series - 1
SA Series - 1
SA Series - 1
SA Series - 2
SA Series - 3
MB Series
MB Series
MB Series
MB Series
MB Series
電阻耐熱度(TCR)- 100 + / - 50 ppm / °C (@ - 55 °C to + 85 °C)
電阻額定輸出100 mW @ < 70 °C
電阻加熱指示在 N2 中以 320 °C 加熱 5 分鐘
標準品 標準品
參數 可訂製規格
長度:L
寬度:W
厚度:t
阻抗率
0.25 mm - 2.00 mm
0.13 mm - 2.00 mm
0.08 mm - 0.63 mm
3 × 10-5 Ωm nominal
訂製指南
型號
TGB025013015
TGB025025015
TGB025013025
TGB025025025
TGB050013015
TGB050025015
TGB050050015
TGB050013025
TGB050025025
TGB050050025
尺寸(mils)L × W × t
10 × 5 × 6
10 × 10 × 6
10 × 5 × 10
10 × 10 × 10
20 × 5 × 6
20 × 10 × 6
20 × 20 × 6
20 × 5 × 10
20 × 10 × 10
20 × 20 × 10
尺寸(mm)L × W × t
0.25 × 0.13 × 0.15
0.25 × 0.25 × 0.15
0.25 × 0.13 × 0.25
0.25 × 0.25 × 0.25
0.50 × 0.13 × 0.15
0.50 × 0.25 × 0.15
0.50 × 0.50 × 0.15
0.50 × 0.13 × 0.25
0.50 × 0.25 × 0.25
0.50 × 0.50 × 0.25
應用於偏壓、無線射頻電路等應用。 捷科泰亞的 Ground Blocks 是可客製的導電陶瓷墊片。在光通訊與微波通訊產業應用中,是輔助封裝的理想選擇。
Ground Block 代號
025 013 015
長度代號025: 0.25 mm050: 0.50 mm100: 1.00 mm 厚度代號
015: 0.15 mm025: 0.25 mm
寬度代號013: 0.13 mm025: 0.25 mm100: 1.00 mm
TGB電阻型號SAW : 一個電阻MBW: 兩個電阻
101 K 2A 1 1 H
電阻值代號100: 10 Ω101 : 100 Ω102 : 1,000 Ω
尺寸代號F : 16 x 16 mils (0.4 x 0.4 mm)H : 20 x 20 mils (0.5 x 0.5 mm)P : 31 x 31 mils (0.8 x 0.8 mm)HR: 20 x 40 mils (0.5 x 1.0 mm)
厚度代號2: 10 mils (0.25 mm)
額定輸出2A: 100 mW
0:無電鍍1 : TiW - Pt - Au2: TiW - Pt
電阻值公差代號J : ± 5%K : ± 10%M: ± 20%
SAWTaN - TiW - Au
TiW - Pt - Au
表面
底面
電極電鍍方案
Ti - Pt - Au
Ti - Pt - Au
表面
底面
電極電鍍方案
附註: 製造按公制單位(mm)製造。英制單位(mils)僅供參考用。
1817
薄膜陶瓷基板
捷科泰亞的薄膜陶瓷基板結合了陶瓷加工、基板處理與薄膜鍍金技術。特別擅長按圖製作薄膜陶瓷基板。為了對應小型化的高速通訊裝置,我們提供高精度的迴路製作、側面鍍金、薄膜電阻置入與AuSn焊接點預留。
TaN薄膜電阻
側面鍍金
99.6% 氧化鋁或
氮化鋁 170 W/m*K
厚度: 0.1mm – 3mm
預留AuSn焊接點
包裝
單層電容訂做選項
包裝
標準包裝
客製包裝
*如果您有指定Tray的大小,請與我們聯絡。
材質
Waffle Pack ABS
顏色
White / Natural
大小
2 inch
材質
Waffle Pack*
Blue tape (w/Ring)
Blue tape (w/o Ring)
顏色
Black
Blue
Blue
Conductive PC
PVC
PVC
大小
2 inch
Φ 6 inch
7.87 inch
AuSn 置入AuSn(金錫焊點)可以被放入任何A型(表層留邊)或C型(沒有留邊)捷科泰亞電容以更快更簡單地做出eutectic 製程。
底面不鍍金可以透過底面不鍍金來降低整體成本,但會使電容只能用銀膠連接。