电容器

电容器 电容器 是一种能储存电荷的容器．属于被动是一种能储存电荷的容器．属于被动式储能电子器件式储能电子器件 . . 它在电子设备中充当整流器的平它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源的退耦、交流信号的旁路、交直流电滑滤波、电源的退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等。路的交流耦合等。

• 电容器的构造是由两片靠得较近的金属片，电容器的构造是由两片靠得较近的金属片，中间再隔以绝缘物质而组成的．它的表示符中间再隔以绝缘物质而组成的．它的表示符号为号为 : :

一一 l ll l 一 ，用字母“一 ，用字母“ C”C” 来表示。来表示。

就现在的产量来说，铝电解电容器在电容器中占第二位．这类电容器本来是一般的直流电容器，但现在已经从直流发展到交流、从低温发展到高温、从低压发展到高压 . ( 温度已可做到 150℃, 额定电压做到 700V)

•── 容量？耐压？ 容量？耐压？

• 根据国际根据国际 IEC 384-4IEC 384-4 规定，低于规定，低于 315V315V 时，时，Vs=1.15×WVVs=1.15×WV ，高于，高于 315V315V 时，时， Vs=1.1×Vs=1.1×WVWV 。。 VsVs 是涌浪电压，是涌浪电压， WVWV 是额定电压是额定电压 (w(working voltage)orking voltage) 。。

• 价钱。价钱。

• 品牌品牌

• 系列型号系列型号

• 适用工作温度适用工作温度

• 容量误差容量误差

散逸因数散逸因数 -- 损失角（损失角（ DFDF ））

漏电流（漏电流（ LcLc ））

等效串联电阻（等效串联电阻（ ESESRR ））

耐纹波电流（耐纹波电流（ IracIrac ））

真正有关电容器品质的几个重要参数真正有关电容器品质的几个重要参数 ::

散逸因数散逸因数 -- 损失角（损失角（ DFDF ））

• 散逸因数散逸因数 dissipation factor (DF) dissipation factor (DF) 存在于所有电存在于所有电容器中，容器中， DFDF 值越小表明电容损耗越小，性能也值越小表明电容损耗越小，性能也就越好。但铝电解电容的损失角相当高。就越好。但铝电解电容的损失角相当高。 DFDF 值值与温度、容量、电压、频率与温度、容量、电压、频率 ............ 都有关系；当容都有关系；当容量相同时，耐压愈高的量相同时，耐压愈高的 DFDF 值就愈低。此外温度值就愈低。此外温度愈高愈高 DFDF 值愈高，频率愈高值愈高，频率愈高 DFDF 值也会愈高。值也会愈高。

漏电流（漏电流（ LcLc ））

• 漏电流漏电流 (leakage current) (leakage current) 它的计算公式是它的计算公式是 :I:I ＝＝ K×CVK×CV 。。 II 的单位是的单位是 μμ

AA ，， KK 是常数是常数 .. 电容器容量愈高，漏电流就电容器容量愈高，漏电流就愈大。如果你有容量愈大平滑效果愈好的想愈大。如果你有容量愈大平滑效果愈好的想法，这个「漏电流」也请考虑在内。法，这个「漏电流」也请考虑在内。

等效串联电阻（等效串联电阻（ ESRESR ））

• 容量愈大 容量愈大 ESRESR 愈低愈低 ;;• 额定电压愈大额定电压愈大 ESRESR 愈低愈低 ;;• 低频时低频时 ESRESR 高，高频时高，高频时 ESRESR 低；低；• 温度愈低，温度愈低， ESRESR 愈高。愈高。• 良好的电路设计，应该考虑到低温时的良好的电路设计，应该考虑到低温时的 ESRESR 值值 ..

注意注意 :: 在开关电路中过低的在开关电路中过低的 ESRESR 值容易引起振荡值容易引起振荡

等效串联电阻相当于耗能元件，它的损耗功率变成等效串联电阻相当于耗能元件，它的损耗功率变成热量，从而影响了电容的寿命。热量，从而影响了电容的寿命。

• ESRESR 值大的电容温升高值大的电容温升高 ..

• 阿雷尼厄斯阿雷尼厄斯 1010 度法则度法则

耐纹波电流（耐纹波电流（ IracIrac ））

• 前面谈到的前面谈到的 DFDF 值、漏电流、值、漏电流、 ESRESR 值值 ...... 等，其等，其值都是愈低愈好，但现在要提的耐纹波电流值都是愈低愈好，但现在要提的耐纹波电流 ripplripple currente current却是愈高愈好。特别是在大电流输出场却是愈高愈好。特别是在大电流输出场合，电源平滑滤波电容器的耐纹波电流合，电源平滑滤波电容器的耐纹波电流 IracIrac 就显就显得格外重要。得格外重要。

低频纹波以低频纹波以 120Hz120Hz做标准做标准

高频纹波以 高频纹波以 10KHz10KHz做标准做标准

• 电容器耐纹波电流的能力与频率刚好成正比。电容器耐纹波电流的能力与频率刚好成正比。• 锁螺丝式电容的耐纹波电流能力通常比插锁螺丝式电容的耐纹波电流能力通常比插PCPC板式来得高。板式来得高。

RIFARIFA 的电容在耐纹波电流方面要优于其它品牌的电容在耐纹波电流方面要优于其它品牌 ,1000μF,1000μF 相当于其它厂牌相当于其它厂牌 121200μF00μF 。德国。德国 SiemensSiemens 、英国、英国 BHCBHC 电容，在电容，在 IracIrac 这项特性上也常优于一般这项特性上也常优于一般日制品。。日制品。。

• 能在短時間內做靜電能與動電能的互變，短路電能在短時間內做靜電能與動電能的互變，短路電流約比電池大流約比電池大 10001000倍。倍。

• 儲蓄電能少，但接受電能的功率大，亦即充放電儲蓄電能少，但接受電能的功率大，亦即充放電的時間很短，效率極高。的時間很短，效率極高。

• 容抗與頻率、电容量有直接的關係。容抗與頻率、电容量有直接的關係。 Xc = 1/2π fcXc = 1/2π fc ，，即頻率即頻率 //容量愈高則容抗愈小，反之則愈大。容量愈高則容抗愈小，反之則愈大。

• 在在 ACAC電路中，其電流相位比電壓基準提前電路中，其電流相位比電壓基準提前 9090°°，，有進相作用。有進相作用。

固体钽电容器是固体钽电容器是 19561956 年由美国贝乐试验室首年由美国贝乐试验室首先研制成功的，它的性能优异，是所有电容器先研制成功的，它的性能优异，是所有电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品，价格中体积小而又能达到较大电容量的产品，价格较为昂贵。较为昂贵。

钽电解电容和铝电解电容一样，有极性区分，厂钽电解电容和铝电解电容一样，有极性区分，厂家会在电容的正极做相应的标示。目前家会在电容的正极做相应的标示。目前 SMTSMT 技术技术发展迅速，小型化、贴片式已成为钽质电解电容发展迅速，小型化、贴片式已成为钽质电解电容的主流。的主流。

• 目前生产的钽电解电容器主要有烧结型固体、箔目前生产的钽电解电容器主要有烧结型固体、箔形卷绕固体、烧结型液体等三种，其中烧结型固形卷绕固体、烧结型液体等三种，其中烧结型固体约占目前生产总量的体约占目前生产总量的 95%95%以上，而又以非金属以上，而又以非金属密封型的树脂封装式为主体。它的工作介质是在密封型的树脂封装式为主体。它的工作介质是在钽金属表面生成的一层极薄的五氧化二钽膜。钽金属表面生成的一层极薄的五氧化二钽膜。

贴片钽电容的封装：贴片钽电容的封装：

• 封装代码 封装代码 Y A X B C DY A X B C D规格尺寸 规格尺寸 LL （（ mmmm） ） 3.2 3.8 3.5 4.7 6.0 7.33.2 3.8 3.5 4.7 6.0 7.3W (mm) 1.6 1.9 2.8 2.6 3.2 4.3W (mm) 1.6 1.9 2.8 2.6 3.2 4.3T T （（ mmmm） ） 1.6 1.6 1.9 2.1 2.5 2.81.6 1.6 1.9 2.1 2.5 2.8

注意注意：规格相同但封装不同的钽质电容不可代用。：规格相同但封装不同的钽质电容不可代用。

如：如： 10UF/16V”B”10UF/16V”B” 型与型与 10UF/16V”C”10UF/16V”C” 型不可相型不可相互代用。互代用。

钽质电容的优点钽质电容的优点 ::

易于加工、有最高的比容效率、适宜于小型化。

在一定温度范围内性能稳定。 工作过程中具有自我复原能力，故障率随时间下降。

工作温度范围大， -55℃~+125℃

比铝电容有更好的频率特性。

性能和可靠性不会随时间而退化。

钽电容对库存期无限制，电介质稳定，不必矫正。

单片陶瓷电容器 (通称贴片电容 ) 是目前产量最大的电容器。因其体积小、价格低、使用寿命长、利于自动化作业，而被广泛应用于各类电子产品中。

• 贴片电容常用的有贴片电容常用的有 NPONPO、、 X7RX7R 、、 Z5UZ5U、、 Y5VY5V 等不同等不同规格，它们的主要区别是填充的介质不同。在相同的规格，它们的主要区别是填充的介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。作用不同来选用不同的电容器。

针对不同的介质种类我们来逐一了解：针对不同的介质种类我们来逐一了解：

NPONPO 电容器电容器 • NPONPO是一种具有温度补偿特性的贴片电容器。它是一种具有温度补偿特性的贴片电容器。它

的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。成的。

• NPONPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从之一。在温度从 -55℃-55℃ 到到 +125℃+125℃ 时容量变化为时容量变化为 00±30ppm/℃±30ppm/℃ 。。

• NPONPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同。随频率变化的特性也不同。

NPONPO 电容器相应封装可选取的容量范围：电容器相应封装可选取的容量范围：

NPO电容器适用于各种高频电路，如：高频振荡、计时、谐振、耦合等。

X7RX7R 电容器电容器 • X7RX7R 电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当

温度在温度在 -55℃-55℃ 到到 +125℃+125℃ 时其容量变 化为时其容量变 化为 15%15%，，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

• X7RX7R 电容器的容量在不同的电压和频率条 件下是电容器的容量在不同的电压和频率条 件下是不同的，它也随时间的变化而变化，表现为不同的，它也随时间的变化而变化，表现为 1010年年变化了约变化了约 5%5%。 。

• 在相同的体积下电容量可以比在相同的体积下电容量可以比 NPONPO做的大。 做的大。

X7RX7R 电容器相应封装可选取的容量范围：电容器相应封装可选取的容量范围：

X7R 电容器主要应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中

Z5UZ5U 电容器电容器 • Z5UZ5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。工作电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。工作

温度范围 温度范围 +10℃ --- +85℃.+10℃ --- +85℃. 温度特性 温度特性 +22% --- - 5+22% --- - 56% 6% 。对于。对于 Z5U Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和电容器主要的是它的小尺寸和低成本。但它的电容量受环境和工作条件影响较低成本。但它的电容量受环境和工作条件影响较大。　　大。　　

尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（串联电感（ ESLESL ）和等效串联电阻（）和等效串联电阻（ ESRESR ）低、）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。 其是在退耦电路的应用中。

Z5U电容器主要应用于退耦、隔直、旁路等电路中

Z5UZ5U 电容器相应封装可选取的容量范围：电容器相应封装可选取的容量范围：

Y5VY5V 电容器电容器

• Y5VY5V 电容器是一种有一定温度限制的通用电电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在容器，在 -30℃-30℃ 到到 85℃85℃ 范围内其容量变化范围内其容量变化可达可达 +22%+22% 到到 -82%-82% 。。 Y5VY5V 的高介电常数的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出很高的电允许在较小的物理尺寸下制造出很高的电容量。容量。

Y5VY5V 电容器相应封装可选取的容量范围：电容器相应封装可选取的容量范围：

Y5V 电容器主要应用于隔直、旁路等电路中

独石电容又叫积层电容是由贴片电容用两根引线将电极引出，再用环氧树脂包封而成，它具备贴片电容的各种电性能，同时又增强了机械强度和耐湿性，被广泛应用于电子精密仪器。

陶瓷电容又叫圆板型瓷片电容，介质主要为钛酸钡，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。有干式涂装和湿式涂装两种，按其介质可分为 CLASS-Ⅰ温度补偿型； CLASS-Ⅱ高诱电率型； CLASS-Ⅲ半导体型。

溫度補償型溫度補償型 (CLASS-I(CLASS-I ）陶瓷電容器）陶瓷電容器

測試條件 1MHz 1.0V~5.0Vrms. 25±3℃

容量範圍 0.5pF~1200pF

誤差判定

誤差代字 C D J K M

允許誤差 ±0.25pF ±0.5pF ±5% ±10% ±20%

• 应用在低損耗﹑穩定性高或要求溫度係數有明顯应用在低損耗﹑穩定性高或要求溫度係數有明顯規定的諧振電路中的。規定的諧振電路中的。

• 具有高品質因素﹑高穩定性具有高品質因素﹑高穩定性 ((溫度變化率低）。 溫度變化率低）。

靜電容量﹕

品質因數﹕

測試條件 溫度特性 容量範圍 判定標准

1MHz 1.0Vrms. 25±3℃

NPO~N750S2L(SL)

C≧30pF Q≧1000

C＜ 30pF Q≧400+20C

N3300~N4700S3N(YN)

C≧30pF Q≧500

C＜ 30pF Q≧200+10C

絕緣電阻﹕

額定電壓分類 測試電壓 / 時間 判定標准額定電壓≦ 50V 10V/1 分鐘

10,000MΩ 以上額定電壓≧ 500V 500V/1 分鐘

高誘電率型高誘電率型 (CLASS-II(CLASS-II ）陶瓷電容器）陶瓷電容器• 应在旁路或藕合之電路中。应在旁路或藕合之電路中。• 非線性的溫度特性非線性的溫度特性 ---- 靜電容量變化率。靜電容量變化率。靜電容量﹕

測試條件 1KHz 1.0V~5.0Vrms. 25±3℃

容量範圍 80pF~0.2μF

誤差判定 誤差代字 K M Z P

允許誤差 ±10% ±20% +80/-20% +100/-0%

損失角 ( 散逸因數 )﹕

測試條件 溫度特性 判定標准1KHz

1.0Vrms. 25±3℃

X7R Y5E Y5PZ5F Z5P Z5U

2.5%Max.

Z5U Y5U Y5V 5.0%Max.

   

絕緣電阻﹕

額定電壓分類 測試電壓 / 時間 電容量分類 判定標准

額定電壓≦ 50V 10V/1 分鐘 ＜ 20nF 10,000MΩ 以上額定電壓≧ 500

V 500V/1 分鐘 ≧20nF 7,500MΩ 以上

耐壓測試﹕

額定電壓分類 測試電壓 測試時間 充放電流

R.W＜ 1KV R.W×2.50

1~5 秒 ＜ 50mA

R.W=KV R.W×2.00

R.W>1KV R.W×1.75

R.W≧3KV R.W×1.50

R.W≧10KV R.W×1.20

半導體型半導體型 (CLASS-III(CLASS-III ）陶瓷電容器）陶瓷電容器一種半導體特性之電容器﹐应用在低壓旁路或藕合之電路中。 一種半導體特性之電容器﹐应用在低壓旁路或藕合之電路中。

非線性的溫度特性非線性的溫度特性 ----靜電容量變化率。靜電容量變化率。 靜電容量﹕

測試條件 1KHz 1.0V~5.0Vrms. 25±3℃

容量範圍 0.01pF~0.2μF

誤差判定 誤差代字 K M Z P

允許誤差 ±10% ±20% +80/-20% +100/-0%

損失角 ( 散逸因數 )﹕

測試條件 溫度特性 判定標准

1KHz 0.1Vrms. 25±3℃

Y5P Y5R Y5U Y5V

5.0%Max.

絕緣電阻﹕

測試電壓 測試時間 判定標准

12V 16V 1 分鐘

100MΩ 以上25V 50V 1000MΩ 以上

耐壓測試﹕

額定電壓分類 測試電壓 測試時間 充放電流

R.W=12V

R.W×2.50 1~5 秒 ＜ 50mA R.W=16V

R.W=25V

R.W=50V

EIA

第一碼 X Y Z        

  -55 -30 +10        

第二碼 2 4 5 6 7    

  +45 +65 +85 +105 +125    

第三碼 E F P R T U V

  ±4.7% ±7.5% ±10% ±15%+22-33%

+22-56%

+22-82%

美国电子工业协会对电容温度特性的规定 :

EIA RS-198D 标准 :

YY电容属于电容属于 ACAC 类陶瓷电容，主要应用於类陶瓷电容，主要应用於 EMIEMI滤波抑制高频干滤波抑制高频干扰或连接输入端与地端扰或连接输入端与地端 ,,防止产品对人体产生电击。 防止产品对人体产生电击。

靜電容量﹕

測試條件 1KHz 1.0V~5.0Vrms. 25±3℃

容量範圍 Y2 100pF~10000pF Y1 100pF~4700pF

誤差判定誤差代字 K M Z

允許誤差 ±10% ±20% +80/-20%

損失角 ( 散逸因數 )﹕

測試條件 溫度特性 判定標准

1KHz1.0Vrms. 25±3℃

Y5P Y5U 2.5%Max.

Y5V 5.0%Max.

測試電壓 / 時間 判定標准

DC 500V/1 分鐘 10,000MΩ 以上

額定電壓 測試電壓 測試時間 充放電流 浪涌雷击电压

Y1 AC 400V AC 4000V 1 分鐘 無擊穿或飛弧

8KV

Y2 AC 250V AC 2500V 5KV

耐壓測試﹕

絕緣電阻﹕

薄膜电容器是以金属箔当电极，以低损耗薄膜材料作介质卷绕而成 , (或在薄膜上以真空蒸镀上一层很薄的金属，再卷绕成电容 ) 它具有无极性，绝缘阻抗很高，频率特性优异 ( 频率响应宽广 ) ，而且介质损耗很小 ，有一定的自恢复能力等优点而被得到广泛应用。

薄膜电容器种类繁多 ,制造工艺多样化 . 属技术密集型产品 , 近几年市场需求量以每年 20%的速度递增 .

X电容常用于输入端 EMI 的滤波 ,抑制低频端的电磁干扰 . 由镀金属聚丙烯薄膜卷绕 ,装入高绝缘塑胶壳后用环氧树脂封装而成 .安规等级分为X1和 X2.

X1X1 电容特性电容特性 ::• 额定温度额定温度 :-40~+100℃:-40~+100℃• 额定电压额定电压 ::300VAC300VAC• 容量范围容量范围 :0.0047~4.7uF:0.0047~4.7uF• 介电强度介电强度 ::1290VDC/11290VDC/1分钟或分钟或 4000VDC/14000VDC/1秒秒• 容量误差容量误差 ::±5%(±5%(JJ) ±10%() ±10%(KK) ±20%() ±20%(MM))• DFDF 值值 : 0.1%MAX at 1KHz: 0.1%MAX at 1KHz• 绝缘电阻绝缘电阻 :0.33uF:0.33uF 以下以下≥≥ 30000M30000MΩΩ 0.33uF(0.33uF(含含 )) 以上≥以上≥ 10000M10000MΩΩ

X2X2电容特性电容特性 ::• 额定温度额定温度 :-40~+100℃:-40~+100℃• 额定电压额定电压 ::275VAC275VAC• 容量范围容量范围 :0.001~2.2uF:0.001~2.2uF• 介电强度介电强度 ::1183VDC/11183VDC/1分钟或分钟或 2000VDC/12000VDC/1秒秒• 容量误差容量误差 :±5%(J) ±10%(K) ±20%(M):±5%(J) ±10%(K) ±20%(M)• DFDF 值值 : 0.1%MAX at 1KHz: 0.1%MAX at 1KHz• 绝缘电阻绝缘电阻 :0.33uF:0.33uF 以下≥以下≥ 30000M30000MΩΩ 0.33uF(0.33uF(含含 )) 以上≥以上≥ 10000M10000MΩΩ

涤纶电容采用聚脂薄膜作介质、以铝箔为电极卷绕而成 , 外部浸封环氧树脂 , 单向引出 , 为有感式。适用于电子设备的直流或脉动电路中 .

• 额定温度额定温度 :-40~+85℃:-40~+85℃• 额定电压额定电压 :50VDC/100VDC:50VDC/100VDC• 容量范围容量范围 :0.001~0.1uF:0.001~0.1uF• 介电强度介电强度 :2.5:2.5倍的额定电压倍的额定电压 55秒秒• 容量误差容量误差 :±5%(J) ±10%(K) ±20%(M):±5%(J) ±10%(K) ±20%(M)• DFDF 值值 : 1.0%MAX at 1KHz: 1.0%MAX at 1KHz• 绝缘电阻绝缘电阻 :50000M:50000MΩΩ MIN at 25℃ MIN at 25℃

涤纶电容特性涤纶电容特性 ::

　该电容器采用聚丙烯作介质，并用真空蒸镀法将铝沉积在薄膜上作电极卷绕而成，环氧树脂包封，为无感式绕制，适应频率高 ,稳定性好 .

金属化聚丙烯电容特性金属化聚丙烯电容特性 ::• 额定温度额定温度 :-40~+85℃:-40~+85℃• 额定电压额定电压 :100/250/400/630VDC:100/250/400/630VDC• 容量范围容量范围 :0.001~10uF:0.001~10uF• 介电强度介电强度 :1.75:1.75倍的额定电压倍的额定电压 55秒秒• 容量误差容量误差 :±5%(J) ±10%(K) :±5%(J) ±10%(K) • DFDF 值值 : 0.1%MAX at 1KHz: 0.1%MAX at 1KHz• 绝缘电阻绝缘电阻 :0.33uF:0.33uF 以下≥以下≥ 30000M30000MΩΩ 0.33uF(0.33uF(含含 )) 以上≥以上≥ 10000M10000MΩΩ

　该电容器采用镀金属聚脂薄膜卷绕而成，也是无感式绕制，与 CBB电容相比 ,其介质稳定性要差 ,DF 值较大 ( 有 1%) 适应频率稍低 , 价格要便宜些 .

此电容为无感结构，由金属化聚酯薄膜以堆积方式制成此电容为无感结构，由金属化聚酯薄膜以堆积方式制成 ,,矩矩形阻燃塑壳和阻燃环氧树脂封装形阻燃塑壳和阻燃环氧树脂封装 ..具有体积小，容量大，自愈良好，使用寿命长等特点具有体积小，容量大，自愈良好，使用寿命长等特点 ..别名 别名 校正电容 校正电容 适用于隔直流、旁路、藕合、降躁＼滤波电路。 适用于隔直流、旁路、藕合、降躁＼滤波电路。

无感电容特性无感电容特性 ::

• 额定温度额定温度 :-40~+100℃:-40~+100℃• 额定电压 额定电压 50/63/100/250/400V DC50/63/100/250/400V DC• 容量范围 容量范围 0.001~1.0μF 0.001~1.0μF • 容量偏差 容量偏差 ±5%±5%（（ JJ））±10%±10%（（ KK ））±20%±20%

（（ MM））•介电强度介电强度 :1.6:1.6 倍的额定电压倍的额定电压 55秒秒• DFDF 值值 : 0.1%MAX at 1KHz: 0.1%MAX at 1KHz• 绝缘电阻绝缘电阻 :0.33uF:0.33uF 以下≥以下≥ 10000M10000MΩΩ 0.33uF(0.33uF(含含 )) 以上≥以上≥ 3300M3300MΩΩ

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