2006 10.10 電気電子工学科基礎実験 1

電界効果トランジスタの動特性

FET(Field Effective Transistor) とは電圧制御型の能動素子

(VGS により ID を制御する )

D：ドレイン

S：ソース

G：ゲート

N チャンネル JFET ：接合型FET

D：ドレイン

S：ソース

G：ゲート

P チャンネル JFET ：接合型FET

2006 10.10 電気電子工学科基礎実験 2

DSG

P

NP

ID ：ドレイン電流

チャネル

N チャンネル JFET

空乏層の成長VDS: ソース・ドレイン間電圧

VGS: ゲート電圧

ピンチオフってなに？

VDS 0 ≧ （逆方向電圧）

VGS 0 ≦ （逆方向電圧）

2006 10.10 電気電子工学科基礎実験 3

出力信号波形観測

224

e E1

R1

R2

R3

R4 or R5

12V

S

DG

CH1: VGS + vGS CH2: VDS + vDS

VDS

VGS

vGS

vDS

t0

2006 10.10 電気電子工学科基礎実験 4

VDS

ID

VGS

VGS=0

VGS=-0.4

VGS=-0.8

VGS=-1.2

VGS=-1.6

-0.4-0.8-1.2-1.6-2.0

出力特性伝達特性

出力電圧入力電圧

出力電流

出力抵抗と相互コンダクタンス

電圧

電流

VDS

相互コンダクタンス

出力抵抗

0

2006 10.10 電気電子工学科基礎実験 5

VDS

ID

VGS

VGS=0

VGS=-0.4

VGS=-0.8

VGS=-1.2

VGS=-1.6

-0.4-0.8-1.2-1.6-2.0

動作点

12V

12VR4

直流負荷直線

VGS を 0 ～ ‐ 2.4 のように

変化させると

動作点 ID

VDS

ID

VGS= ‐1.0

（ E2 による）

VDS0

ID

VDSVDS

ID

2006 10.10 電気電子工学科基礎実験 6

動作点と波形

VDS

ID

VGS

VGS=0

VGS=-0.4

VGS=-0.8

VGS=-1.2

VGS=-1.6

-0.4-0.8-1.2-1.6-2.0

直流負荷直線

動作点

VGS= ‐1.0

0

t0

VD

S

VG

S

vG

S

vD

S

2006 10.10 電気電子工学科基礎実験 7

動作点が変わったら？

VDS

ID

VGS

VGS=0

VGS=-0.4

VGS=-0.8

VGS=-1.2

VGS=-1.6

-0.4-0.8-1.2-1.6-2.0

直流負荷直線

0

動作点

VGS= ‐2.0

vD

S

VD

S

VG

S

vG

S

!

2006 10.10 電気電子工学科基礎実験 8

実験上の注意出力波形の観察

R4 ， R5 の選択は静特性第 1 象限の結果から判断する動作点は静特性第 1 象限の結果により各班で決める波形は， DC カップリングで波形をスケッチする結果を図式解析によって、説明する増幅率の算出時に R4 （あるいは R5 ）を考慮すること