a mechanizmus igazolása -...
TRANSCRIPT
Felületi vizsgáló módszerek
A mechanizmus igazolása
Előzmények
Laplace-nyomás • Oka: felületi feszültség
• Leírása: mechanikai, termodinamikai
• Következményei: kapilláris jelenségek
• görbült felületek
Adszorpció • Oka: a felületi feszültség
• Leírása: Gibbs-féle izoterma -> Langmuir-izoterma
• Következményei: felületi reakciók formális kinetikája
AdsSub AdsSub AdsKörny AdsKörny SubKörny SubKörnyG A A A
A felületek tisztasága (ismétlés)
Közvetlen mérési technikák: XX. sz. vége (!)
A viszonylag nagy ütközési szám miatt a felület soha nem tiszta: • 1 bar nyomáson 3 x 1027m-2 s-1(108 ütközés/atom )
Nagy vákuum technikák szükségesek • 1 10-9 Pa 3 x 1013m-2 s-1 (105 sec minden ütközés között,
egy atomon)
Rendkívül körülményes az előkészítés (reprodukálhatóság)
Ütközések száma a felületen
(a szennyeződés valószínűsége)
elérik a falatnem érik el
a falat
vx x t
2
2
0
0
1/2 1/2
/2
0 0
0
ütközések száma d
fluxus = d
d d2 2
1d
2
x
x x x
w x x x
mv kT
x x x x x
ax
NA t v f v v
Z N v f v v
m kTv f v v v e v
kT m
xe xa
1/2
1/2
1 1
2 4 4
8
Aw
nNkT pZ N c c
m V kT
kTc
m
- Egy részecske akkor éri el a t idő alatt falat, ha vx> 0 és a jelölt térfogaton belül van. - N részecskeszám koncentráció és a térfogat szorzatából csak a pozitív sebességűeket vesszük figyelembe, Maxwell eloszlást és standard integrált.
1/2
2W
pZ
mkT
Elektronmikroszkópia
A felbontás: kb 2-50 nm • Hullámhossz ( a gyorsító elektromos tértől függ 40 kV-
nál 6.1 pm) cca 10 pm • Fókuszálhatóság (mágneses tér) nem túl jó
SEM, és TEM (REM) • Pásztázó • Transzmissziós • STEM
Vezető minta kell (arany) • „sputter coater” argon ionokkal „kiütött” Au atomokkal vonja be Szárítás, fixálás stb…
Transzmissziós elektronmikroszkóp
Az elv megegyezik a fénymikroszkóp elvével
A lencsék mágnesek
105-szeres nagyítás
Rugalmasan szórt elektronok alkotják a képet elsődlegesen
Transzmissziós elektronmikroszkóp
A fénymikroszkóp elvén működik
Vékony mintát kell készíteni
Reflexiós elektronmikroszkóp
A rugalmasan visszaszórt elektronok adják a képet
Rosszabb felbontású mint a transzmissziós
A minta felületét jobban visszaadják
Nem kell vékony minta
Pásztázó elektronmikroszkóp
(SEM)
40-100 keV
A pásztázó elektronsugár „termékei”
(haszontalanok, kivéve a STEM)
Előre szórt elektronok. Nincs energiaveszteség, nincs irányváltozás. (legnagyobb intenzitás)
Rugalmatlanul szóródó elektronok. Kis energiaveszteség, kis szögben szóródás (a hullámhossz változik és így zavaró a hatása) Rugalmasan szóródó elektronok. Nincs energiaveszteség, az irányváltozás 10 fok nagyságrendű.
A pásztázó elektronsugár „termékei”
Visszaszórt (backscattered) elektronok. Az eredeti nyalábból rugalmas és rugalmatlan nagyszögű szórást mutató elektronok. Képalkotásra felhasználható a pásztázó elektronmikroszkópban. Szekunder elektronok.. Első-sorban gyengén kötött, külső héjon lévő elektronok, melyeket a nyaláb kiüt a helyükről. Röntgen-fotonok. (karakterisztikus sugárzás) Auger-elektronok. (Auger spektroszkópia, itt nem használják)
A SEM képalkotó eljárás
Rovar (SEM)
TiO2 nanocső
Röntgendetektorral minőségi analitika
(röntgen fotonok)
YBa2Cu3O7 magashőmérsékletű szupravezető minta EDX spektruma
(EDX = Energy Dispersive X-ray microanalysis)
G4_PAMAM_Au_NPS
(TEM)
Ionizációs technikák (field ionization
microscopy, AP (atomic probe)-FIM (field
ion), atomi méretű felbontás)
1. Nagy vákuumot állítanak elő és bele- helyeznek egy fém tű alakú mintát (pozitívra polározzák, ernyő negatív), majd heliummal töltik fel a rendszert 2. A hélium ütközve egyedi atomokon ionizálódik és az He+ kirepül 3. A felületen diffúzió folyik (Re on Re) felhevítik, majd lehűtve vizsgálják 4. tipikus érték CO-ra W-on: 140 kJ/mol az aktiválási energia a diffúzióra. 5. XPS: minőségi analitika és UPS: kötés
LEED (Kis energiájú elektrondiffrakció)
Az elektronhéjon szóródik (interpretáció nehéz, mert nem következik a tömbfázisból az induló szerkezet, ha idegen molekula van rajta). Nem az adszorbeált anyagot
látjuk!
Tiszta Pt Propinnal fedve
CH3C- gyök
Képalkotás történik
Az alagúteffektus elmélete szerint egy részecske egy d szélességű és V0 magasságú potenciálgáton (1.2. ábra) akkor is véges valószínűséggel képes áthatolni, ha az E energiája kisebb a potenciálgát magasságánál, E < V0. Az áthaladás valószínűsége: P
(Ez a képlet csak aszimptotikusan, határesetben igaz.)
Alagúthatás mikroszkópia (STM)
1. Pt-Rh (v. W) tű: Az elektron áthaladásának valószínűsége exponenciálisan csökken a távolsággal
Pásztázó alagút(hatás) mikroszkóp III. – a hegy (tip)
• Az STM hegy természetesen vezető kell, hogy legyen ezen kívül pedig követelmény az anyagával szemben, hogy ellenálló legyen :• Volfrám, • platina-iridium ötvözet • A „hegyezés” legkifinomultabb az elektrokémiai maratás: • a volfrám esetében kálium-hidroxid (KOH) • a platina-iridium ötvözet esetében kálium-klorid vizes oldata • az STM képalkotását alig befolyásolják a mikroszkóp hegyének geometriai viszonyai. • A legegyszerőbb STM alkalmazásokban gyakran elég egy finom vágóeszközzel kis szögben elvágni egy volfrám huzalt. • Az ilyen módszerrel elkészített STM hegyek geometriája véletlenszerően alakul ki, a csúcs görbületi sugara 100 nm és 1 μm közé esik.
Atomerő(?) mikroszkópia (AFM)
AFM
EM felvétel
AFM „tapping mode”
morse-mód
http://virtual.itg.uiuc.edu/training/AFM_tutorial/
Sztirol-izobutlén-sztirol
A tárgyalt mikroszkópok
Szilárd fázisú NMR
felületi jelenségekre
Alapelve
2
3
ˆ Zeeman effektus
ˆ ˆ dipoláris csatolás
ˆ kémiai eltolódás anizotrópia
ˆ ˆ skaláris csatolás, quadrupolus hatás
ˆ ˆ ˆ ˆ ˆ =
Z Z
I SD IS
IS
CS
SC Q
Z D CS SC
h I
hIS
r
hI
0
0
H B
H H D
H B
H H
H H H H H ˆ QH
A szögletes zárójelben lévő mennyiségek tenzorok (3x3), oldatban kiátlagolódnak. Ennek oka a gyors molekuláris mozgás. [D] zérus nyomú, a többi diagonalizálható. http://www.solidnmr.hu/download/solidNMR.pdf
Dipoláris csatolás
CaSO4.H2O
Nagyon ritka eset, hogy nem fedi el a
relaxáció a kémiai eltolódást
Magic Angle Spinning: NMR
Az irányfüggő kölcsönhatásokat a B0- hoz viszonyított szögük határozza meg: ½(3cos2f-1) ami 54.7o-nál zérus A dipoláris csatolásokat pedig forgatással nyomhatjuk el.
Csaknem folyadékkal azonos (13
C -
CP_MAS)
Impulzus szekvenciák („bő” spinek)
A dipoláris csatolás csökkentése
Impulzusszekvenciák
WA(ugh)HU(ber)HA(berlen) a dipoláris csatolás eltörlésére
Adszorbeált alkohol SnO2 felületen
(CP-time)
Szilárd fázisú NMR:
tanulságok
1. Nagyon nehéz a tömbfázistól elkülöníteni a felületi magokat
2. Ha a tömbfázis nem tartalmazza mérendő magot, akkor igen
hasznos lehet
3. 1H NMR a dipoláris csatolás miatt (gyors relaxáció) kevéssé hasznos
4. Kis érzékenysége miatt jelentős adszorbeált mennyiségnek kell jelen lenni.
Pórusos anyagok
felülete
Vizsgálómódszerek
Fogalmak
Porozitás: fajlagos hézagtérfogat:
Mérése: • Gázadszorpció, gőzadszorpció (tartály, porózus anyag és
a Boyle-Mariotte törvény), BET izoterma
• Higany porozimetria:
• nyomásmérés:
hézagV
Vf
1 1 2 1 2( ) ( )r rp V V p V V Vf f
A krio-porozimetria alapjai 1
Azon a hőmérsékleten, ahol a szilárd és a folyadékállapot kémiai potenciálja megegyezik, ott az olvadás/fagyás történik reverzíbilisen. Az ehhez tartozó hőmérséklet a fagyáspont és az olvadáspont, amely egymással megegyezik, és a két mennyiséget egyenlővé téve a Tm/Tf kiszámítható. (A Tm az olvadáspont, a Tf a fagyáspontot jelenti.)
folyadék
fal
jég
fal
lm lw
Ml
VF A
V
( )s ss l
f ssl lwMs Ml
V V VF A A
V V
V a pórustérfogat, VM móltérfogat, l folyadék s szilárd, A pórus felület
Krio-porozimetria alapjai 2
ha s
f m s Ms Mls l sll
VV VF F F A
V
A képletben szereplő felületi energia tag felelős az effektusért mert annál nagyobb, minél nagyobb az A/V hányados ez pedig a kisebb pórusokra nagyobb. A hőmérséklet bevezetése:
, ,
( )0
( )0
( )0
Ehrenfest
( )
s l trM s M l tr
p p tr
trs l tr
tr
HS S S
T T T
HT T
T
Krio-porozimetria alapjai 3
A F =0 egyensúlyban, azaz T=Teq
00
M sl s seq c
s s
V T A AT T K
H V V
Ez az egyenlet szigorúan csak a szilárd darabkára igaz, de a pórusméretnek megfelel, ha a vízréteg igen vékony. „large pore limit”. Kc = 30 nm/K (25 elméletileg, de a felületi feszültség bizonytalan) A geometria fontos és a hiszterézist is magába foglalja: Gömb: Tf = -3Kc/r Tm = -2Kc/r Henger: = -2Kc/r -Kc/r Rés: = -Kc/2r
NMR-krioporozimetria
Elve: • A szilárd fázisú anyagok 1H NMR jelei igen szélesek a
a dipoláris relaxáció miatt, ezért megfelelő módszerrel
„eltüntethetők” a spektrumból.
Gyakorlata • Spin echo szekvencia
• Fokozatos hőmérsékletnövelés v. csökkenés
Spin ekhó
Kieselgel 60
1.E+06
2.E+06
3.E+06
4.E+06
255 257 259 261 263 265 267 269 271 273 275
T/K
inte
nsit
y
1D spin echo, 8 impulzus, echo idő 1.8-2.6 ms T várakozási idő: 300 s, lépték 0,1 K eurotherm szabályzás
y = -2.93987E-03x6 + 2.05937E-01x5 - 5.41694E+00x4 + 7.00517E+01x3 -
4.71035E+02x2 + 1.53821E+03x - 1.81384E+03
-20
0
20
40
60
80
100
0 2 4 6 8 10 12 14
Measured
Calculated
normalizalt
Polinom.
(Measured)
Méret, méret-eloszlás
0
20
40
60
80
100
120
3 4 5 6 7 8 9 10
diameter/nm
% d
istr
ibut
ion
Commercial silica gel is available in grains
or globular granules 5-7 to 10-2 mm in size.
Various brands of silica gel have a mean
effective pore diameter of 20–150
angstroms and a specific surface of 102-103
m2/g.
Warning! The following article is from The
Great Soviet Encyclopedia (1979). It might be
outdated or ideologically biased.
Aerogél, Debrecen (Lázár István)
0.E+001.E+062.E+063.E+064.E+065.E+06
250 260 270 280
T/K
Int
0
20
40
60
80
100
1 10 100 1000
pore size/nm
%
0
20
40
60
80
100
0 5 10 15 20
pórusméret/nm
elosz
lás
%
%
fit
Adatsor30
1
2
3
4
5
0 20 40 60 80 100
pore size/nm
distr
ibut
ion %
fit
Adatsor3
2005.05.20 diffúzió
Reverzíbilis diffúzió (Brown-mozgás)
NMR-diffúziometria
Saját diffúzió: • nincs koncentráció-gradiens
• Saját „méretének” megfelelő távolságot ugrik (λ) τ idő alatt
• t idő alatt N = t/τ
• Csak z koordináta mentén mozog:
„egy dimenziós bolyongás”
Annak a valószínűsége, hogy t idő mulva z helyen lesz:
z
2
2
1/ 2 2
22
( ) e2
z
tP t Dt
Ahogyan látjuk (NMR)
A anomális diffúzió:
Kolloidikus (meg az NMR spektroszkópus is!!):
1/ 2 1/ 2( ) (2 )z t D t 1/ 2( ) (2 ) ( )z t D f t
2 ( )( )
2eff
z tD t
t
1( )
1
effD t t
ha 1 normális, ha =0 "gátolt"
Ahogyan mérjük:
Stimulált echo (Stejskal ,Tanner 1965)
2 2 2
2 1
2
3
0 / 2e e
MTDG
T TI I
TM
z z
B0 B0+
B0-
B0
90o
G G
AQ
z
B0
90o-x 90o
Minden állandó G változik
D0
Dt
Dapp
„szabad diffúzió”
„gátolt diffúzió”
„pórusméret megszabta diffúzió”
idő
Mért diffúziós együttható függése a diffúziós
időtől pórusos rendszerekben
Víz diffúziója fában
0.0E+00
5.0E-10
1.0E-09
1.5E-09
2.0E-09
2.5E-09
5 25 45 65 85
DELTA/ms
D(m
ért
)/m
2s-
1
D1
D2
0 0
20
0
1 4 / 9
6
mért D
mért permeff
mért
mért D
AD D D t
V
D D D aD
D D t
Gyors: A/V-ből d(gömb) 5 mikron Lassú: 40 mikron
SEM felvételek
Vége