クワッド信号スイッチ搭載の

500 mA ロードスイッチ データシート ADP1190 特長

低い入力電圧範囲： 1.4 V～ 3.6 V パワー・スイッチ： 3.6 Vで 60 mΩ の低 RDSON 、アク

ティブ放電付き

4 個の通常オープンの SPST 信号スイッチ：1.8 V で 2 Ω の RDSON 、一端にアクティブ・プルダウン付き

500 mA の連続動作電流 1.2 V ロジックで動作できる制御ロジックに対応するレ

ベル・シフト機能を搭載

超低シャットダウン電流： 0.7 μA 未満 超小型 1.2 mm × 1.6 mm × 0.5 mm、12 ボール、0.4 mm

ピッチの WLCSP パッケージ

アプリケーション

携帯電話

SIM カードの切断スイッチ デジタル・カメラおよびオーディオ機器

バッテリ駆動の携帯機器

機能ブロック図

4MΩ

T1S1P

N

T2S2P

N

T3S3P

N

T4

GND

OUT

S4P

N

EN 5msDEBOUNCE

IN

OFF

ON

LOAD SWITCH

1125

9-00

1

図 1.

概要

ADP1190 は 4 個の信号スイッチを搭載した高集積ハ

イサイドロードスイッチで、1.4 V ～ 3.6 V で動作で

きるように設計されています。このロードスイッチ

は電源バッテリの寿命を延ばすためにパワー・ドメ

インの絶縁を行います。ロードスイッチはオン抵抗

の小さい P チャンネル MOSFET で、最大 500 mA の連続負荷電流を供給し、電力損失を最小限に抑えま

す。このロードスイッチと共に、4 個の通常オープン

の 2 Ω SPST 信号スイッチが搭載されています。

優れた動作性能に加えて、ADP1190 は面積が 1.92 mm2 未満、高さ 0.50 mm で、最小のプリント回路ボ

ード(PCB) スペースに収まります。ADP1190 は超小型

の 1.2 mm × 1.6 mm、12 ボール、0.4 mm ピッチの

WLCSP パッケージで供給されます。

Rev. 0

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に関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。ま

た、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありませ

ん。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。

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ADP1190 データシート

目次 特長 .................................................................................... 1

アプリケーション ............................................................ 1

機能ブロック図 ................................................................ 1

概要 .................................................................................... 1

改訂履歴 ............................................................................ 2

仕様 .................................................................................... 3

タイミング図 ................................................................ 3

絶対最大定格 .................................................................... 4

熱データ ........................................................................ 4

熱抵抗 ............................................................................ 4

ESD の注意 ................................................................... 4

ピン配置と機能の説明 .................................................... 5

代表的な性能特性 ............................................................ 6

動作原理 ........................................................................... 9

アプリケーションのブロック図 .................................. 10

外形寸法 ......................................................................... 11

オーダー・ガイド ...................................................... 11

改訂履歴

4/13—Revision 0: Initial Version

Rev. 0 － 2/12 －

データシート ADP1190

仕様 特に指定がない限り、VIN = 1.8 V、VEN = VIN、ILOAD = 200 mA、TA = 25°C。

表 1. Parameter Symbol Test Conditions/Comments Min Typ Max Unit INPUT VOLTAGE RANGE VIN TJ = −40°C to +85°C 1.4 3.6 V EN INPUT

EN Input Threshold VEN_TH 1.4 V < VIN < 1.8 V, TJ = −40°C to +85°C (active low) 0.35 1.2 V 1.8 V ≤ VIN ≤ 3.6 V, TJ = −40°C to +85°C (active low) 0.45 1.2 V

Logic High Voltage VIH 1.4 V ≤ VIN ≤ 3.6 V 1.2 V Logic Low Voltage VIL 1.4 V ≤ VIN ≤ 3.6 V (chip enable) 0.35 V EN Input Pull-Up Resistance REN 4 MΩ

CURRENT Ground Current1 IGND OUT open, TJ = −40°C to +85°C 2 µA Shutdown Current IOFF EN = VIN or open 0.7 µA

EN = VIN or open, TJ = −40°C to +85°C 2 µA Analog Switch Off Current IA_OFF Into S1, EN = VIN or open 0.4 µA

LOAD SWITCH VIN TO VOUT RESISTANCE

RDSON

VIN = 3.6 V, ILOAD = 200 mA, EN = 1.5 V 60 mΩ VIN = 2.5 V, ILOAD = 200 mA, EN = 1.5 V 80 mΩ VIN = 1.8 V, ILOAD = 200 mA, EN = 1.5 V, TJ = −40°C to +85°C

100 170 mΩ

SIGNAL SWITCH RESISTANCE RDSON Maximum value of analog input sweep VIN = 3.6 V, ILOAD = 10 mA, EN = GND 0.6 Ω VIN = 2.5 V, ILOAD = 10 mA, EN = GND 1 Ω VIN = 1.8 V, ILOAD = 10 mA, EN = GND 2.0 Ω

RDS Flatness VIN = 3.6 V, ILOAD = 10 mA, EN = GND 0.5 Ω VIN = 1.8 V, ILOAD = 10 mA, EN = GND 1 Ω

OUTPUT DISCHARGE RESISTANCE

RDIS On load switch output and each analog switch output, T1, T2, T3, and T4

215 Ω

−3 dB BANDWIDTH BW3dB VIN = 3.6 V, RLOAD = 50 Ω, CLOAD = 5 pF, see 図 23 50 MHz VOUT TIME

Turn-On Delay Time tON_DLY ILOAD = 200 mA, EN = GND, CLOAD = 0. 1 μF 5 ms Turn-Off Delay Time tOFF_DLY VIN = 3.6 V, ILOAD = 200 mA, EN = 1.5 V, CLOAD = 0.1

μF 4 μs

1 グランド電流にはEN プルダウン電流が含まれます。

タイミング図

90%

10%

TURN-OFFDELAY

TURN-ONDELAY

TURN-OFFTIME

TURN-ONTIME 11

259-

004

図 2. タイミング図

Rev. 0 － 3/12 －

ADP1190 データシート

絶対最大定格

表 2. Parameter Rating IN to GND −0.3 V to +4.0 V OUT to GND −0.3 V to VIN Sx to GND −0.3 V to +4.0 V Tx to GND −0.3 V to +4.0 V EN to GND −0.3 V to +4.0 V Continuous Load Switch Current

TA = 25°C ±1 A TA = 85°C ±500 mA

Continuous Diode Current −50 mA Storage Temperature Range −65°C to +150°C Junction Temperature +150°C Operating Junction Temperature Range −40°C to +125°C Operating Ambient Temperature Range −40°C to +85°C Soldering Conditions JEDEC J-STD-

020

上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デ

バイスに恒久的な損傷を与えることがあります。この

規定はストレス定格の規定のみを目的とするものであ

り、この仕様の動作のセクションに記載する規定値以

上でのデバイス動作を定めたものではありません。デ

バイスを長時間絶対最大定格状態に置くとデバイスの

信頼性に影響を与えます。

熱データ

絶対最大定格は、組み合わせにではなく個別に適用さ

れます。ジャンクション温度の制限値を超えると、

ADP1190 は損傷を受けることがあります。周囲温度を

監視しても、TJ が規定温度範囲内にあることを保証でき

ません。消費電力が大きく、熱抵抗が大きいアプリケ

ーションでは、最大周囲温度の定格を下げる必要があ

る場合があります。

中程度の消費電力で、PCB の熱抵抗が小さいアプリケ

ーションでは、ジャンクション温度が規定値内にある

限り、最大周囲温度が 最大制限値を超えても問題はあ

りません。デバイスのジャンクション温度(TJ) は、周

囲温度(TA)、デバイスの消費電力(PD)、パッケージのジ

ャンクション/周囲間熱抵抗 (θJA)に依存します。

最大ジャンクション温度 (TJ)は、次式を使って周囲温

度(TA)と消費電力 (PD) から計算します。 TJ = TA + (PD × θJA)

パッケージのジャンクションと周囲の間の熱抵抗(θJA) は、4 層ボードを使ったモデルと計算に基づいています。

ジャンクションと周囲の間の熱抵抗は、アプリケーシ

ョンとボードのレイアウトに大きく依存しています。

最大消費電力が大きいアプリケーションでは、ボードの

熱設計に注意する必要があります。θJA の値は、PCB の

材料、レイアウト、環境条件によって変わります。θJA の規定値は、4 × 3インチの 4層回路ボードに基づいて

います。ボード構成の詳細については、JESD51-7 と

JESD51-9 を参照してください。 詳細情報については、

Web サイト www.analog.com の AN-617 アプリケーショ

ン・ノート「ウェハー・レベル・チップ・スケール・

パッケージ」を参照してください。

ΨJB はジャンクションとボード間の熱特性評価パラメー

タで、単位は°C/Wです。パッケージの ΨJB は 4 層ボー

ドを使ったモデルと計算に基づいています。JESD51-12「Guidelines for Reporting and Using Electronic Package Thermal Information」によれば、熱特性評価パラメータ

は熱抵抗と同じものではありません。ΨJB は、熱抵抗

θJBとは異なり、1 つではなく複数のサーマル・パスを

通る電力成分を測定します。したがって、ΨJBのサーマ

ル・パスにはパッケージ上面からの対流やパッケージ

からの放射が含まれており、これらの要素があるため、

ΨJB は実際のアプリケーションに非常に役に立ちます。

最大ジャンクション温度(TJ)は、次式を使ってボード温

度 (TB) と消費電力(PD) から計算します。 TJ = TB + (PD × ΨJB)

ΨJBの詳細については、JESD51-8 および JESD51-12 を

参照してください。

熱抵抗

θJA と ΨJBは最悪の条件、すなわち表面実装パッケージ

の場合、デバイスを回路ボードにハンダ付けした状態

で規定しています。

表 3. 熱抵抗 Package Type θJA ΨJB Unit 12-Ball WLCSP 130 29.2 °C/W

ESD の注意 ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイ

スです。電荷を帯びたデバイスや回路ボード

は、検知されないまま放電することがありま

す。本製品は当社独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはいますが、デバイスが

高エネルギーの静電放電を被った場合、損傷

を生じる可能性があります。したがって、性

能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対

する適切な予防措置を講じることをお勧めし

ます。

Rev. 0 － 4/12 －

データシート ADP1190

ピン配置と機能の説明

TOP VIEW(BALL SIDE DOWN)

Not to Scale

ADP1190

GND T1 S1

EN T2 S2

IN T3 S3

OUT T4 S4

1

A

B

C

D

2 3

1125

9-00

2

図 3. ピン配置

表 4. ピン機能の説明 ピン番

号 記号 説明 A1 GND グラウンド。 B1 EN イネーブル入力。アクティブ・ロー。 C1 IN 入力電圧。 D1 OUT ロードスイッチの出力電圧。 A2 T1 チャンネル 1 のアナログ・スイッチ。SIM カード・ソケットに接続してください(アクティブ放電機能

を搭載)。 B2 T2 チャンネル 2 のアナログ・スイッチ。SIM カード・ソケットに接続してください(アクティブ放電機能

を搭載)。 C2 T3 チャンネル 3 のアナログ・スイッチ。SIM カード・ソケットに接続してください(アクティブ放電機能

を搭載)。 D2 T4 チャンネル 4 のアナログ・スイッチ。SIM カード・ソケットに接続してください(アクティブ放電機能

を搭載)。 A3 S1 チャンネル 1 のアナログ・スイッチ。マイクロコントローラに接続してください。 B3 S2 チャンネル 2 のアナログ・スイッチ。マイクロコントローラに接続してください。 C3 S3 チャンネル 3 のアナログ・スイッチ。マイクロコントローラに接続してください。 D3 S4 チャンネル 4 のアナログ・スイッチ。マイクロコントローラに接続してください。

Rev. 0 － 5/12 －

ADP1190 データシート

代表的な性能特性 特に指定がない限り、VIN = 1.8 V、VEN = VIN、CIN = COUT = 1 µF、TA = 25°C。

1.2 3.63.22.82.42.01.6

RD

S ON

(Ω)

VIN (V)

0

0.02

0.04

0.06

0.08

0.10

0.12

0.145mA10mA50mA100mA250mA500mA

1125

9-00

5

図 4. 入力電圧 (VIN ) 対 ロードスイッチの RDSON（各種負荷電

流）

–40 –5 25 55 85

RD

S ON

(Ω)

TEMPERATURE (°C)

0

0.02

0.04

0.06

0.08

0.10

0.12

10mA50mA100mA250mA500mA

1125

9-00

6

図 5. ロードスイッチの RDSON の温度特性

（各種負荷電流、 VIN = 1.8 V）

–40 –5 25 55 85

RD

S ON

(Ω)

TEMPERATURE (°C)

0

0.02

0.04

0.06

0.08

0.09

0.01

0.03

0.05

0.07

10mA50mA100mA250mA500mA

1125

9-00

7

図 6.ロードスイッチの RDSON の温度特性

(各種負荷電流、VIN = 3.6 V）

10 100 1000

VOLT

AG

E D

RO

P (V

)

ILOAD (mA)

0

0.02

0.04

0.06

0.07

0.01

0.03

0.05

1.4V1.5V1.6V1.8V2.0V2.4V2.8V3.0V3.3V3.6V

1125

9-00

8

図 7. 負荷電流 対 ロードスイッチの電圧降下（各種入力電圧）

1.2 2.4 3.62.0 3.21.6 2.8

GR

OU

ND

CU

RR

ENT

(µA

)

VIN (V)

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.05mA10mA50mA100mA250mA500mA

1125

9-00

9

図 8. 入力電圧対グラウンド電流（各種負荷電流）

–40 –5 25 55 85

GR

OU

ND

CU

RR

ENT

(µA

)

TEMPERATURE (°C)

0

0.2

0.1

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

10mA50mA100mA250mA500mA

1125

9-01

0

図 9. グラウンド電流の温度特性 （各種負荷電流、VIN = 1.8 V）

Rev. 0 － 6/12 －

データシート ADP1190

–40 –5 25 55 85

GR

OU

ND

CU

RR

ENT

(µA

)

TEMPERATURE (°C)

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

10mA50mA100mA250mA500mA

1125

9-01

1

図 10.グラウンド電流の温度特性（各種負荷電流、VIN = 3.6 V）

–50 –30 –10 10 30 50 70 90

SHU

TDO

WN

CU

RR

ENT

(µA

)

TEMPERATURE (°C)

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.61.4V1.6V1.8V2.4V2.8V3.3V3.6V

1125

9-01

2

図 11.シャットダウン電流の温度特性（各種入力電圧）

1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6

GR

OU

ND

CU

RR

ENT

(µA

)

VIN (V)

0

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

+25°C–5°C–40°C

+55°C+85°C

1125

9-01

3

図 12. 入力電圧対無負荷時グラウンド電流（各種温度）

0 3.63.22.82.42.01.61.20.80.4

RD

S ON

(Ω)

ANALOG SWITCH VOLTAGE (V)

0

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

3.6V2.2V1.8V1.6V1.4V

1125

9-01

4

図 13. アナログ・スイッチ電圧 対 信号スイッチの RDSON

0 1.81.61.41.21.00.80.60.40.2

RD

S ON

(Ω)

ANALOG SWITCH VOLTAGE (V)

0

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

+25°C–5°C–40°C

+55°C+85°C

1125

9-01

5

図 14.アナログ・スイッチ電圧 対 信号スイッチの RDSON

（各種温度、VIN = 1.4 V）

0 1.81.61.41.21.00.80.60.40.2

RD

S ON

(Ω)

ANALOG SWITCH VOLTAGE (V)

0

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

+25°C–5°C–40°C

+55°C+85°C

1125

9-01

6

図 15.アナログ・スイッチ電圧 対 信号スイッチの RDSON

（各種温度、 VIN = 1.8 V）

Rev. 0 － 7/12 －

ADP1190 データシート

0 3.63.22.82.42.01.61.20.80.4

RD

S ON

(Ω)

ANALOG SWITCH VOLTAGE (V)

0

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

+25°C–5°C–40°C

+55°C+85°C

1125

9-01

7

図 16.アナログ・スイッチ電圧対信号スイッチの RDSON

（各種温度、VIN = 3.6 V）

CH1 2.0V BWCH3 1.0V BW

CH2 1.0V BW M1.0ms A CH1 880mVT 10.80%

1

2

3

T

ENABLE

T1

VOUT

1125

9-01

8

図 17. 代表的なターンオン遅延時間 （VIN = 1.8 V、負荷電流： 50 mA）

CH1 2.0V BWCH3 2.0V BW

CH2 2.0V BW M1.0ms A CH2 1.08VT 65.40%

1

2

3

T

ENABLE

T1

VOUT

1125

9-01

9

図 18. 代表的なターンオン遅延時間 （VIN = 3.6 V、負荷電流：100 mA ）

CH1 1.0V BWCH3 2.0V BW

M2.0ms A CH1 40.0mVT 10.40%

1

3

T

ENABLE

VOUT

1125

9-02

0

図 19. イネーブルのデバウンス動作（VIN = 1.8 V）

CH1 1.0V BWCH3 2.0V BW

M2.0ms A CH1 1.08VT 10.00%

1

3

T

ENABLE

VOUT

1125

9-02

1

図 20.イネーブルのデバウンス動作（VIN = 3.6 V）

Rev. 0 － 8/12 －

データシート ADP1190

動作原理 ADP1190 はハイサイドロードスイッチと4個の信号ス

イッチを集積化したデバイスです。ロードスイッチ

と信号スイッチはEN ピンにロー信号を与えることに

よりオンされます。ENピンには4 MΩ のプルアップ

抵抗が内蔵されているので、オープン・コレクタま

たは機械的スイッチで駆動できます。デバイスがデ

ィスエーブルされると、T1～ T4ピンは公称215 Ωの

抵抗によってアクティブにプルダウンされます。EN の機械的スイッチを使用するために、ENピンには5 ms のデバウンス・カウンタが内蔵されています。つ

まり、デバイスをイネーブルする前に5 ms の間EN をローに保つ必要があります。このタイムアウトの前

に EN がハイに遷移すると、カウンタがリセットさ

れて新たに5 ms のカウントが開始されます。

信号パスは、オン抵抗2 Ω のPMOS/NMOS 伝送ゲート

によって制御されます。ブレーク・ビフォア・メー

クのロジック制御により、信号パスがイネーブルさ

れる前はアクティブ・プルダウンが確実にオフにな

っています。

これらの機能に加えて、ADP1190 は面積が1.92 mm2 未満、高さ0.50 mmで、最小のプリント回路ボード

(PCB)スペースに収まります。ADP1190は超小型の1.2 mm × 1.6 mm、12ボール、0.4 mm ピッチのWLCSPパ

ッケージで供給されます。

1125

9-02

3

4MΩ

T1S1P

N

T2S2P

N

T3S3P

N

T4

GND

OUT

S4P

N

EN 5msDEBOUNCE

IN

OFF

ON

図 21. ESD 保護素子を含めたブロック図

Rev. 0 － 9/12 －

ADP1190 データシート

アプリケーションのブロック図

4MΩ

T1S1 P

N

T2S2 P

N

T3S3 P

N

T4S4 P

N

MICRO-CONTROLLER SIM CARD

GND

OUT

I/O

I/O

RST

CLK

GND

VCC

EN

IN

VIN = 1.4V TO 3.6V

CONNECTOR

1125

9-00

3

図 22. 代表的なアプリケーション

50Ω

50Ω

P N

VOUT

VS

NETWORKANALYZER 11

259-

022

図 23. 帯域幅測定のセットアップ

Rev. 0 － 10/12 －

データシート ADP1190

外形寸法

A

B

C

D

0.5600.5000.440

1.241.201.16

1.641.601.56

123

BOTTOM VIEW(BALL SIDE UP)

TOP VIEW(BALL SIDE DOWN)

END VIEW

0.3000.2600.220

1.20REF

0.80REF

0.40BSC

BALL A1IDENTIFIER

02-2

2-20

13-A

SEATINGPLANE

0.2300.2000.170

0.3300.3000.270

COPLANARITY0.04

図 24. 12 ボール・ウェハー・レベル・チップスケール・パッケージ[WLCSP] (CB-12-10)

寸法単位：mm

オーダー・ガイド

モデル 1 温度範囲 パッケージ

パッケージ・

オプション マーキング

ADP1190ACBZ-R7 −40°C ～ +85°C 12 Ball Wafer Level Chip Scale Package [WLCSP] CB-12-10 LNE 1 Z = RoHS 準拠製品

Rev. 0 － 11/12 －

ADP1190 データシート

注記

Rev. 0 － 12/12 －