물리 수행평가 - 반도체/led/트랜지스터
Post on 22-Jul-2015
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세부내용
열등의 에너지를 통해 전도성을 급격하게변화시킬 수 있는 고체의 물질로일반적으로는 규소결정에 불순물을 넣어서만드는 물질
에너지흡수
전자가이동
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CPU 외장메모리 태양전지판
세부내용
자유전자
다이오드의 모습 다이오드의 기호
P형과N형의반도체를접합시켜각각에전극을부착한것
순수한 반도체는 전류가 잘 흐르지 않아불순물을 섞어서 전류를 잘 흐르게 해주는과정
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세부내용
Light Emitting Diode (LED) LED TV
P형반도체에도달한전자들이에너지준위가낮은양공의자리로이동하면서, 에너지를빛의형태로방출하는다이오드
양공
다이오드를 얇게 제작할 때N형 반도체에 더 많은 량의
불순물을 넣는다
전류가 흐를때 전자가 이동
트랜지스터종류
P-N 접합다이오드에 P형반도체나N형반도체를더붙여만든것
이미터
베이스
컬렉터
저항이 다르다
트랜지스터는 근본원리가 매우 비슷하다
스위칭, 증폭용 대용량, 주파수특성
순방향 역방향
트랜지스터는베이스를 얇게
제작한다
전압변화
커다란변화
전압변화
전압이일정치보다클경우
전압이일정치보다작을경우
신호가 0과 1로이루어진디지털회로를제작하는데이용가능
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전자장치성능향상과소형화에기여
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