24 czerwca 2009 r. (środa), godz. 10:00 aula ichf pan, w-wa, ul. kasprzaka 44/52

SEMINARIUM W RAMACH PROJEKTU „Kwantowe nanostruktury półprzewodnikowe do zastosowań w biologii i medycynie - Rozwój i komercjalizacja nowej generacji urządzeń

diagnostyki molekularnej opartych o nowe polskie przyrządy półprzewodnikowe. ”

mgr. Sylwester Gawinkowski

„Przygotowanie stanowiska

mikroramanowskiego do analizy widm

modyfikowanych powierzchni”24 czerwca 2009 r. (środa), godz. 10:00

Aula IChF PAN, W-wa, ul. Kasprzaka 44/52

Instytut Chemii Fizycznej PAN

Instytut Chemii Fizycznej PAN

Instytut Chemii Fizycznej PAN

Stanowisko do mikroskopowych pomiarów widm Ramana i AFM

1. Raman, SERS, fluorescencja1. Raman, SERS, fluorescencja2. AFM, SNOM 2. AFM, SNOM ((skaningową mikroskopią bliskiego polaskaningową mikroskopią bliskiego pola

Raman+AFM=topografia+mapa RamanowskaRaman+AFM=topografia+mapa Ramanowska

Wyposażenie:Wyposażenie:Lasery: 325, 514, 633 nm Lasery: 325, 514, 633 nm (785)(785)Komora klimatycznaKomora klimatyczna

Instytut Chemii Fizycznej PAN

AFM

Instytut Chemii Fizycznej PAN

SERS PC na KLARITE

Instytut Chemii Fizycznej PAN

Topografia powierzchni porowatego GaN pokrytego warstwami Ag i Au

Instytut Chemii Fizycznej PAN

Williamson et al.,J. Phys. Chem. B, Vol. 109, No. 43, 2005

MGITC SERS na powierzchni pGaN

Instytut Chemii Fizycznej PAN

Plany

Rozbudowa układuZbudowanie bazy widm Ramana i SERS aminokwasówOptymalizacja powierzchni GaN jako substratu do SERSuFunkcjonalizacja powierzchni