buffer layer 磊晶

1

Buffer layer磊晶• 成分 :為 AlN或 GaN

• 成長溫度約為 480 °c~550°c。

• 使用MOCVD磊晶，其主要氣體為氨氣 (NH3)與有機化合物三甲基鎵 (Trimethyl gallium, TMG) 反應後形成緩衝層 (Buffer layer)。

2

N-GaN磊晶• 成分 :為 GaN摻雜 Si

• 成長溫度約為 1050°c。

• 使用MOCVD磊晶，其主要氣體為氨氣 (NH3)、三甲基鎵 (Trimethyl gallium, TMG)與矽甲烷 (SiH4

)反應後形成。

3

Multiple Quantum Well磊晶• 成分 :InGaN/GaN(well/barrier)

• 成長溫度約為 770°c。

• 使用MOCVD磊晶，Well的部分主要氣體為氨氣(NH3) 、有機化合物三甲基鎵 (Trimethyl gallium, TMG)與三甲基銦 (Trimethyl-Indium, TMI)反應形成， Barrier的主要氣體為氨氣 (NH3)與有機化合物三甲基鎵 (Trimethyl gallium, TMG) 反應後形成。

4

Electron Blocking Layer磊晶

• 成分 :為 AlGaN摻雜Mg

• 成長溫度約為 950°c。

• 使用MOCVD磊晶，其主要氣體為氨氣 (NH3)、三甲基鎵 (Trimethyl gallium, TMG) 、三甲基鋁（ Trimethyl aluminum, TMAL ） 與 二 茂 鎂(CP2Mg )反應後形成。

5

P-GaN磊晶• 成分為 GaN摻雜Mg

• 成長溫度約為 950°c~1120°c。

• 使用MOCVD磊晶，其主要氣體為氨氣 (NH3)、三甲基鎵 (Trimethyl gallium, TMG) 與二茂鎂(CP2Mg )反應後形成。

6

參考資料• http://www.ledinside.com.tw/knowledge/20121018-23464.html• http://www.levitronix.com/cn/cmp-slurry-683.html• http://big5.made-in-china.com/info/article-5005884.html• http://een.ctu.edu.tw/ezfiles/16/1016/img/833/LED13.pdf• http://www.cnledw.com/inter/upload/201105061522121214.pdf• http://www.ieo.nctu.edu.tw/sclab/oedevicepdf/III-V_MOCVD.pdf