imperfeicoes em solidos
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ENGENHARIA DE PRODUÇÃOMateriais de construção – EP04
Professor: Vanderlei da Rosa
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Roteiro – Imperfeições em sólidos
• Importância dos Defeitos• Imperfeições no Arranjo Cristalino• Tipos de Imperfeições no Arranjo Cristalino• Vibrações na Rede• Vazios• Defeitos Pontuais• Defeitos Lineares• Defeitos Planares• Defeitos Volumétricos• Exercícios• Bibliografia
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Os defeitos tem grande influência naspropriedades macroscópicas dos materiais.
Importância dos Defeitos
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Imperfeições no Arranjo cristalino
Rede sem defeitos, ideal,T= 0K Propriedades:EL, E,diagrama de fases,equilíbrio termodinâmico
ESTRUTURA CRISTALINA PERTURBAÇÕES NA ESTRUTURA CRISTALINAEstágio 1: vibração da rede, T>0Propriedades: k, , C
Estágio 2: defeitos pontuais(vacâncias, átomos intersticiais,substitucionais, Frenkel e Schottky)na redePropriedades: difusão, processosde transporte condução iônica,reações de estado sólido,transformações de fase, evoluçãoda microestrutura, deformação emTelevadas
Estágio 3: defeitos lineares, discordânciasPropriedades: mecânicas (deformaçãoplástica), fragilidade, dureza
Estágio 4: defeitos planares,falhas,contornos de grãos, de fases.Propriedades: magnéticas e dielétricas
Não apresenta redecristalina, defeitovolumétrico.
ESTRUTURA AMORFA
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• Todos os materiais apresentam imperfeições no arranjo de seus átomos, que reflete nocomportamento do mesmo.
• Controlar as imperfeições, significa obter materiais com diferentes propriedades e para novasaplicações.
• Podem existir diferentes tipos de imperfeições na rede:i) vibrações da rede: quantizadas por fônonsii) defeitos pontuais: vacâncias, átomos intersticiais, átomos substitucionais, defeito Frenkel eSchottky;iii) defeitos lineares: discordâncias;iv) defeitos planares: superfícies interna e externa e interfaces (falhas de empilhamento,contorno de fases, superfícies livres);v) defeitos volumétricos: estruturas amorfas ou não-cristalinas
Classificados pela ordemde grandeza na estrutura
Tipos de Imperfeições no Arranjo Cristalino
6Defeitos possíveis em um material a partir da dimensão em
que ocorrem na estrutura
Tipos de Imperfeições no Arranjo Cristalino
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As vibrações da rede são quantizadas por fônons.
Configuração cristalina ideal só ocorrehipoteticamente
temperatura do zeroabsoluto
demais temperaturas
vibração dos átomos na rede provocadistorções no cristal perfeito;
Vibrações na Rede
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O vazios surgem naturalmente devido a vibraçãotérmica. O número de vazios em equilíbrio podeser calculado pela termodinâmica:
Boltzmanndeconstanteaék vazioumformarparanecessáriaenergiaaéQ
retículonoregulareslocaisdenúmerooé
exp
B
v
S
B
vsv
NTk
QNN
Vazios
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O número de vazios no cobre a temperaturaambiente é de 1 a cada 1015 átomos e de 1 paracada 104 logo abaixo da temperatura de fusão.
Vazios adicionais (fora do equilíbrio) também sãocriados por tratamentos térmicos e mecânicos(deformação plástica, resfriamento rápido...)
Vazios
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Podem ser classificados segundo:
FORMA
ORIGEM DO DEFEITO
ESTEQUIOMETRIA
- vacância- átomo intruso- schottky- frenkel
- intrínseco- extrínseco
- sub rede de cátionsnãoestequiométrico
- sub rede de ânions
Defeitos Pontuais
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VACÂNCIAS:
Também denominado de lacuna
É a falta de um átomo na rede cristalina
Pode resultar do empacotamento
imperfeito na solidificação inicial,
ou decorrer de vibrações térmicas
dos átomos em temperaturas elevadas
Quanto a formaQuanto a forma
Defeitos Pontuais
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VACÂNCIAS:
O número de vacâncias varia com a temperaturanv = n exp (-Q/RT)
onde:nv: n° de vacâncias/cm3n: n° de pontos na rede/cm3Q: energia necessária para produzir a vacância (J/mol)R: cte dos gases (8,31 J/molK)T: temperatura em K
Quanto a formaQuanto a forma
Defeitos Pontuais
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VACÂNCIAS:
Exemplo: Calcule o n° de vacâncias por centímetro cúbico e o n° devacâncias por átomo de cobre, quando o cobre está (a) a temperaturaambiente, (b) 1084°C. Aproximadamente 83600 J/mol são requeridos paraproduzir uma vacância no cobre.Dados:a0 = 3,6151 x 10-8 cmQ = 83600 J/molR = 8,31J/mol K
Quanto a formaQuanto a forma
Defeitos Pontuais
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VACÂNCIAS:
nv = n exp (-Q/RT)
Exemplo - SoluçãoO número de átomos de cobre por parâmetro da rede por cm3 é:
n = n° átomos/célulavolume da célula unitária
n = 4 átomos/célula = 8,47 x 1022 átomos Cu/cm3(3,6151 x 10-8)3
O que se quer saber?
nv a Tamb e a 1084°C
Quanto a formaQuanto a forma
Defeitos Pontuais
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VACÂNCIAS:
nv = n exp (-Q/RT)
Exemplo - Solução(a) Tambiente:T = 25 + 273 = 298 K
nv = (8,47 x 1022) exp [-83600/(8,31 x 298)]nv = 1,847 x 108 vacâncias/cm3
nv = 1,847 x 108 vacâncias/cm3
n 8,47 x 1022 átomos de Cu/cm3
nv = 2,18 x 10-15 vacâncias/ átomos de Cun
Quanto a formaQuanto a forma
Defeitos Pontuais
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VACÂNCIAS:Exemplo - Solução
nv = n exp (-Q/RT)(b) T = 1084°C:T = 1084 + 273 = 1357 K
nv = (8,47 x 1022) exp [-83600/(8,31 x 1357)]nv = 5,11 x 1019 vacâncias/cm3
nv = 5,11 x 1019 vacâncias/cm3
n 8,47 x 1022 átomos de Cu/cm3
nv = 6,03 x 10-4 vacâncias/ átomos de Cun
Quanto a formaQuanto a forma
Defeitos Pontuais
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DEFEITO INTERSTICIAL:DEFEITO INTERSTICIAL:
Quando um átomo é abrigado poruma estrutura cristalina, principalmentese esta tiver um baixo fator deempacotamento
Conseqüência, distorção da rede
Quanto a formaQuanto a forma
Defeitos Pontuais
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DEFEITO SUBSTITUCIONAL:
Quando um átomo é deslocado desua posição original por outro, econforme o tamanho, pode
(a) aproximar os átomos da rede
(b) separar os átomos da rede
Conseqüência, distorção da rede
(a)
(b)
Quanto a formaQuanto a forma
Defeitos Pontuais
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DEFEITO SUBSTITUCIONAL:DEFEITO SUBSTITUCIONAL:
Átomo substitucional pequeno Átomo substitucional grande
Gera distorção na rede
Quanto a formaQuanto a forma
Defeitos Pontuais
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DEFEITO FRENKEL:DEFEITO FRENKEL:
Quando um íon desloca-se de suaposição no reticulado (formando umalacuna) para uma posição intersticial
Ocorre em compostos iônicos
Quanto a formaQuanto a forma
Defeitos Pontuais
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DEFEITO SCHOTTKY:DEFEITO SCHOTTKY:Quando ocorre lacuna de um par de
íonsOcorre para compostos que devem
manter o equilíbrio de cargas opostasSomente para compostos iônicos
Quanto a formaQuanto a forma
Defeitos Pontuais
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Regras:
1. A letra maiúscula indica o tipo de defeito pontual, isto é, um dos íons, dos quais a redecristalina é formada, ou se é vacância ou impureza;
NOTANOTAÇÇÃO KRÃO KRÖÖGERGER--VINKVINKPOSIÇÃO NA REDE
MTIPO i
CARGANA REDE
2. O subscrito indica a posição que o íon ou vacância ocupa na rede: 3 possibilidades:posição do cátion, do ânion ou intersticial;3. O superscrito indica o excesso de carga: se positiva: pontos; se negativa: traços; senão há excesso de carga, pode-se indicá-lo por X.
Ex.: MM e XX cátion e ânions em suas posições normais
VM e VX vacâncias de cátion e ânions
Mi e Xi cátion intersticial positivamente carregado ou ânion intersticial negativamentecarregado
Quanto a Origem do DefeitoQuanto a Origem do Defeito
Defeitos Pontuais
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INTRINTRÍÍNSECO:NSECO:
Surge no material apenas pelo efeito da TEMPERATURA
Vacâncias, defeitos tipo Schottky e tipo Frenkel são intrínsecosestão presentes em materiais puros
Termodinamicamente defeitos devem estar presentes em umaestrutura cristalina
Quanto a Origem do DefeitoQuanto a Origem do Defeito
Defeitos Pontuais
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INTRINTRÍÍNSECO:NSECO:
Surgimento de defeitos intrínsecos em estruturas cristalinas energiade formação
G= H - T S
Balanço entre variação de entalpia aumenta com acriação do defeito
variação da entropia
diminuição da energia livre na formação inicial do defeito
Quanto a Origem do DefeitoQuanto a Origem do Defeito
Defeitos Pontuais
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Normalmente existem mais defeitos presentes nos cristais do quecorresponde à concentração de equilíbrio termodinâmico
POR QUÊ?
Cristais preparados a altas temperaturas
intrinsecamente mais defeitos estão presentes emmaiores temperaturas
aumento do termo T S na energia livre
INTRINTRÍÍNSECO:NSECO:
Quanto a Origem do DefeitoQuanto a Origem do Defeito
Defeitos Pontuais
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INTRINTRÍÍNSECO:NSECO:FRENKEL: consiste em um par de defeitos: uma vacância e um átomo intersticial
Defeito na rede do cátion: MM VM + Mi
Defeito na rede do ânion: OO VO + Oi
Cálculo da concentração de defeito emfunção da temperatura
)2exp( kTgx FF
xF: concentração de defeitos FrenkelgF: energia livre de formação para defeito Frenkelk: constante de BoltzmannT: temperatura
IMPORTANTE: com 1gF, 2 defeitos são formados
FORMAÇÃO DO DEFEITO FRENKEL
Quanto a Origem do DefeitoQuanto a Origem do Defeito
Defeitos Pontuais
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INTRINTRÍÍNSECO:NSECO:SCHOTTKY: consiste em um pequeno número de vacâncias de ânions e cátions, comrelação estequiométrica
Defeito na rede : nulo VM + VX
Ex, para Al2O3: nulo 2VAl + 3VO
FORMAÇÃO DO DEFEITO SCHOTTKY
CONSIDERAÇÕES:
- Íons deslocados das posições normais darede são adicionados na superfície, noscontornos internos, ou nas discordâncias.
- Defeito Schottky causa aumento novolume do cristal.
- Contribuição anômala em a Televadasdevido a diminuição da densidade pelodefeito Schottky
Quanto a Origem do DefeitoQuanto a Origem do Defeito
Defeitos Pontuais
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INTRINTRÍÍNSECO:NSECO:OBSERVAÇÕES:1. A concentração de defeitos intrínsecos aumenta muito com a temperatura.2. O cálculo da energia absoluta de formação e da concentração de defeitos pode não ser
possível, pois o valor do termo S é incerto.3. A energia de formação dos três tipos possíveis de defeitos intrínsecos pode ser diferente
dependendo do tipo de estrutura cristalina, raio iônico, polarizibilidade; logo deve serdeterminada experimentalmente.
4. Em halogênios alcalinos hF é muito grande, e observa-se predominantemente defeitosSchottky.
5. Na estrutura tipo fluorita hF é pequeno, logo observa-se freqüentemente defeitos Frenkel.6. Em óxidos hSch é cerca de 2 a 3 vezes maior que em halogênios alcalinos, a concentração de
defeitos é muito pequena e só apresenta importância em altas temperaturasEx: xS,(Al2O3, PF) 10-7 = 0,1ppm defeitos intrínsecos em óxidos são freqüentemente
mascarados por defeitos extrínsecos.
Quanto a Origem do DefeitoQuanto a Origem do Defeito
Defeitos Pontuais
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Defeitos extrínsecos vacâncias cristais não-estequiométricosdefeitos intersticiais
Defeitos vêm de fora do cristal não são gerados pelatemperatura
Criados por diferentes mecanismos:(i) presença de impurezas(ii) adições intencionais (dopantes)(iii) mudança de valência(iv) mudança na pressão de oxigênio externa (não-estequiometria)
EXTREXTRÍÍNSECO:NSECO:
Quanto a Origem do DefeitoQuanto a Origem do Defeito
Defeitos Pontuais
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EXTREXTRÍÍNSECO:NSECO:
Principal interesse deste tipo de defeito
Conseqüências da substituição de íons damatriz da rede cristalina por íons de impurezaou adicionados intencionalmente que possuemvalência diferente.
Idéia fundamental do conceito de desordem extrínseca
cargas em falta ou em excesso são compensadas
COMO?
Quanto a Origem do DefeitoQuanto a Origem do Defeito
Defeitos Pontuais
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EXTREXTRÍÍNSECO:NSECO:
Através de uma mudança:
i) no número de lacunas ou de defeitos intersticiaisintrínsecos
ii) na valência dos íons da matriz da rede
Conseqüência: concentração dos defeitos intrínsecos é alterada
Quanto a Origem do DefeitoQuanto a Origem do Defeito
Defeitos Pontuais
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EXTREXTRÍÍNSECO:NSECO:Defeitos extrínsecos na estrutura devido a incorporação de íons:
levam a formação de soluções sólidas intersticial ou substitucional
= valência: isovalente valência: aliovalente
- são incorporados de forma simples;
- deve-se considerar a interação elásticaresultante da diferença dos raios iônicos
- aplica-se a regra de Hume-Rothery paradeterminar o tipo de solução sólida formada
ISOVALENTE
Quanto a Origem do DefeitoQuanto a Origem do Defeito
Defeitos Pontuais
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EXTREXTRÍÍNSECO:NSECO:
1. Excesso de cargas introduzidas deve ser compensada por defeitos hospedeiros: VM, VX, Mi e Xi.2. Causa grande concentração de defeitos na rede. É atérmico.3. O tipo de defeito induzido hospedeiro pode não ser predito, depende da energia de formação.4. Lei de conservação de massa: defeito hospedeiro dominante. Exemplos
ALIOVALENTE:
Exemplo 1: Defeitos Schottky na estrutura
Para o produto concentração de vacâncias no KCl
Ca2+ é incorporado como CaK e produz vacâncias V’K. Aconcentração de vacâncias de ânion VCl é então reduzida
)(]].[[ ' TKVV SClK
Exemplo 2: Defeitos Frenkel na estrutura
Y2O3 o defeito dominante na estrutura é o Frenkel de ânion
Incorporação de ZrO2 em Y2O3 é como ZrY e causaexcesso de oxigênio nos interstícios O”i. A concentraçãode vacâncias de oxigênio é reduzida.
)(]].[[ '' TKOV FiO
Quanto a Origem do DefeitoQuanto a Origem do Defeito
Defeitos Pontuais
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Exemplo: adição de Al2O3 em MgOaumenta a concentração de Al+3 na rede de MgO
COMO: incorporação de Al+3: 2 VM + Al Al+3 + 3Mg;
Representação esquemática da reação de adição de Al em MgO,observando-se a criação de lacunas.
EXTREXTRÍÍNSECO:NSECO:ALIOVALENTE:
Quanto a Origem do DefeitoQuanto a Origem do Defeito
Defeitos Pontuais
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Defeitos Pontuais
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Por que os materiais metálicos podem ser deformadosplasticamente?Por que as propriedades dos materiais podem serdrasticamente alteradas através do trabalho mecânico semque haja variação da composição química?Por que a deformação plástica pode ocorrer com tensõesmuito menores que a resistência teórica dos materiais?
Defeitos Lineares
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As respostas para estas questões estão nas idéias nostrabalhos de Taylor, Orowan e Polyani de 1934: “Adeformação plástica é devido a movimentação de umgrande número de discordâncias.
Defeitos Lineares
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Discordâncias associadas a cristalizaçãoe a deformação
– origem: térmica, mecânica e supersaturação de defeitos pontuais
Tipo de defeito responsável por deformaçãofalharompimento dos materiais
Quantidade e movimento das discordâncias podem sercontrolados pelo grau de deformação (conformação
mecânica) e/ou por tratamentostérmicos
Defeitos Lineares
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O tamanho e a direção da distorção do retículo cristalino,causada pela discordância é dada pelo vetor de Burgers (b).Discordância em aresta: formada por um semi-plano extra deátomos. O vetor de Burgers é perpendicular a linha dediscordância (slide anterior)Discordância helicoidal: é paralela a direção na qual o cristalse desloca (vetor de Burgers paralelo a linha de discordância.
Defeitos Lineares
Tipos de DiscordânciaTipos de Discordância
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Aresta Helicoidal
Defeitos Lineares
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A linha das discordâncias em arestas semovimentam paralelamente à tensãoaplicada.
Defeitos Lineares
Discordância em ArestaDiscordância em Aresta
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A linha das discordâncias helicoidais semove perpendicularmente a tensão aplicada
Defeitos Lineares
Discordância HelicoidaisDiscordância Helicoidais
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As discordâncias em arestasintroduzem tensõescompressivas, trativas ecisalhantes.As discordâncias helicoidaisintroduzem tensões cisalhantessomente.
Defeitos Lineares
Campos de DiscordânciaCampos de Discordância
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Vista superior da discordância
Plano extra
Defeitos Lineares
Discordância em CunhaDiscordância em Cunha
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Defeitos Lineares
Discordância em CunhaDiscordância em Cunha
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Discordânciaem cunhaDiscordância
em espiral
Em um cristal pode ocorrer os doistipos de discordância
Visualização de discordâncias namicroestrutura de um material
Defeitos Lineares
Discordância MistaDiscordância Mista
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Mais evidente dos defeitos de superfície devido a descontinuidade
Coordenação atômica na superfície não é comparável a dos átomos nointerior do cristal
Átomos superficiais tem seus vizinhos em apenas um lado, logopossuem mais energia e estão menos firmemente ligados aos átomosexternos
Defeitos Planares
SuperfSuperfíície Externacie Externa
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Microestrutura de metais e outrosmateriais sólidos consistem demuitos grãos
Grão: porção de material onde oarranjo cristalino é idêntico, variandosua orientação
Contorno de grão: fronteira entreos grãos
Defeitos Planares
Contorno de GrãoContorno de Grão
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Defeitos Planares
Contorno de GrãoContorno de Grão
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Vidros
Polímeros
Algumas estruturas semordenamento a longo alcance sãoconsideradas como defeitosvolumétricos, como é o caso dovidro e dos polímeros
Defeitos Volumétricos
Estruturas AmorfasEstruturas Amorfas
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Imperfeições em Sólidos
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1) Que tipo de defeitos podem ocorrer num cristal. Quais são os defeitos pontuais? Descreva-os.
2) Classifique os defeitos pontuais quanto à forma e origem.
3) O que são defeitos extrínsecos e intrínsecos?
4) O que é íon aliovalente e íon isovalente?
5) Calcule o número de vacâncias por cm3 e o número de vacâncias por átomo de cobre (a) atemperatura ambiente e (b) a 10840C (justo acima do ponto de fusão. 83,6 kJ são necessáriospara produzir uma vacância no cobre.)
6) Quais as conseqüências de um defeito tipo Frenkel na rede, por exemplo, do MgO?
7) O que são discordâncias e como podem ocorrer?
8) Qual o significado do vetor de Burgers? Qual a relação entre a discordância e a direção dovetor de Burgers para cada tipo de discordância?
9) Defina grão. O que é contorno de grão. Que tipo defeito é considerado um contorno de grão?
10) Como pode a superfície de um cristal ser considerado um defeito da estrutura cristalina?
11) O que são defeitos volumétricos?
12) Cite algumas propriedades influenciadas diretamente pela presença de defeitos.
EXERCÍCIOS
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Bibliografia
CALLISTER Jr., W.D., Ciência e engenharia dosmateriais – Uma introdução, LTC-Livros Técnicos eCientíficos Editora,5 ed., 2002.
BERGMANN Carlos – Apostila da Disciplina de Ciênciados Materiais - DEMAT - UFRGS
Van Vlack, L. H. Princípios de Ciência dos Materiais.Ed. Edgard Blucher, São Paulo, 1970.
Reed-Hill, R. E. Princípios de Metalurgia Física. Ed.Guanabara Dois, Rio de Janeiro, 1982.
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