atividade aula 01 eletronica industrial

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Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Ceará Diretoria de Ensino a Distância – DEAD Escola Técnica do Brasil – ETEC Curso: Técnico em Eletrotécnica Disciplina – Eletrônica Industrial ATIVIDADE – AULA 01 Aluno: Antonio Amauri da Silva Gomes Polo: Fortaleza Com base na leitura dos conteúdos desenvolvidos na AULA 01, responda às questões a seguir. 1ª Questão Qual o tipo de semicondutor utilizado na fabricação de diodos de potência? Silicio 2ª Questão Com base nas informações fornecidas pelo fabricante (SEMIKRON) do diodo de potência SKN60F14, escreva os valores seguintes. a) Tensão reversa máxima (V RRM ): 1700V; Corrente média máxima (I AV ): 60A; Tensão direta máxima (V TO ): 1V; Tempo de recuperação reversa (t rr ): 2100ηs. Corrente eficaz máxima (I RMS ): 120A;

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aula o1

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DISCIPLINA

Instituto Federal de Educao, Cincia e Tecnologia do Cear

Diretoria de Ensino a Distncia DEAD

Escola Tcnica do Brasil ETEC

Curso: Tcnico em Eletrotcnica

Disciplina Eletrnica Industrial

ATIVIDADE AULA 01

Aluno: Antonio Amauri da Silva GomesPolo: Fortaleza

Com base na leitura dos contedos desenvolvidos na AULA 01, responda s questes a seguir.1 Questo

Qual o tipo de semicondutor utilizado na fabricao de diodos de potncia?Silicio

2 QuestoCom base nas informaes fornecidas pelo fabricante (SEMIKRON) do diodo de potncia SKN60F14, escreva os valores seguintes.a) Tenso reversa mxima (VRRM): 1700V;Corrente mdia mxima (IAV): 60A;

Tenso direta mxima (VTO): 1V;Tempo de recuperao reversa (trr): 2100s.

Corrente eficaz mxima (IRMS): 120A;

3 QuestoO transistor, em aplicaes de potncia, como, por exemplo, em conversores estticos, empregado como amplificador ou como chave?

empregado como chave

4 QuestoCite duas caractersticas importantes do MOSFET de potncia.

1. Tempos de comutao extremamente curtos. Desse modo podem operar com frequncias mais elevadas;

2. Alta impedncia de entrada, entre gate e source. Desse modo a potncia consumida e a complexidade dos circuitos de comando so muito menores e o ganho mais alto;

5 QuestoCite duas caractersticas importantes do IGBT de potncia.

1. Possui caractersticas de baixa queda de tenso no estado ligado do transistor bipolar com as timas caractersticas de chaveamento do MOSFET;

2. Preferncia sobre o MOSFET em aplicaes onde as perdas por conduo podem degradar sua eficincia;

6 QuestoDescreva o princpio de funcionamento do SCR.

Quando o SCR est diretamente polarizado (anodo positivo em relao ao catodo) e uma tenso positiva (com relao ao catodo) aplicado na porta (G) faz com que o SCR entre no estado ligado, funcionando assim, como um diodo. Entretanto, no a porta que interrompe a corrente que circula no SCR. Ela interrompida quando a corrente do anodo cai abaixo de um determinado valor chamado de corrente de sustentao. De forma similar ao que ocorre com um diodo, o SCR bloqueia a corrente na direo inversa quando inversamente polarizado.7 QuestoDefina:

a) Corrente de manuteno IH;

a mnima corrente de anodo que, ainda, mantm o tiristor no estado de conduo.b) Corrente de travamento IL.

a mnima corrente de anodo que, no momento do disparo pelo gatilho, mantm o tiristor no estado de conduo, mesmo que o pulso de corrente de gatilho seja removido.

8 QuestoCite seis formas de disparo do SCR.

Por Pulso de Corrente no Gatilho (gate)

Por Temperatura

Por Luz ou radiao

Por Tenso de Breakover, VBO

Por Rudo

Por degrau de tenso dV/dt

9 QuestoExplique como so realizadas as formas de disparo por:

a) Pulso de Corrente no Gatilho (gate).SCR disparado pela aplicao de um pulso positivo de corrente no gatilho, conseguido pela polarizao direta da juno gate-catodo. medida que a corrente de gatilho aumenta, a tenso de bloqueio direta diminui.b) Tenso de Breakover, VBO.O SCR poder ser levado do estado de bloqueio para o estado de conduo, sem aplicao de pulso no gatilho aplicando-se uma tenso em sentido direto que supere a tenso de breakover mxima especificada pelo fabricante.

c) dV/dt.Quando o SCR est no estado de bloqueio, se a taxa de crescimento da tenso entra anodo-catodo for alta, causar um fluxo elevado de corrente, atravs dos capacitores das junes, podendo ser suficiente para dispar-lo. O valor desta corrente pode at danificar o SCR, devendo ser protegido contra dV/dt elevado.10 QuestoCom base nas informaes fornecidas pelo fabricante (SEMIKRON) do SCR de potncia SKT553/16E, escreva os valores seguintes:

b) Tenso reversa mxima (VRRM): 1700V;Corrente mdia mxima (ITAV): 550A;

Tenso direta mxima (VDRM): 1600V;Corrente eficaz mxima (ITRMS): 1200A;

Tenso direta mxima (VTO): 0,925 V;Corrente de travamento (IL): 500/2000mA;

Tenso entre gate e catodo mn (VGT): 3V;Corrente de manuteno (IH): 150/500mA;

Taxa crescimento da tenso (dV/dt): 1000V/s;Corrente de gate mn (IGT): 250mA.

11 QuestoQual a principal diferena entre um diodo e um SCR?

A principal diferena do SCR para o diodo o controle de altas correntes12 QuestoQual a principal diferena entre um SCR e um TRIAC?

O triac e usado em corrente alternada e o scr em continua.Outra diferenca e que o triac necessita de uma tenso maior que 30v para disparar o gate

13 QuestoPor que se associa um circuito SNUBBER aos tiristores?

14 QuestoQual a principal diferena entre um GTO e um SCR (ou TRIAC)?

Sua principal diferena que pode ser desligado pela aplicao de um pulso de corrente negativa de gatilho.

15 QuestoCom base no circuito a seguir, escreva os nomes dos seguintes componentes:

TIC206D: _Triac_;

DB3: _Diac_.

ELETRNICA INDUSTRIAL - ATIVIDADE DA AULA 01 Prof. George Cajazeiras 6 de 6

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