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Prof. Dr. Aparecido Nicolett PUC-SP Aula 03 MOSFET Tipo Intensificação (pág. 190 a 196)

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Page 1: Aula 03 MOSFET Tipo Intensificação - pucsp.brelo2eng/Aula_03n.pdf · MOSFET Tipo Intensificação (pág. 190 a 196) Slide 1 MOSFET Tipo Intensificação • MOS – Metal Óxido

Prof. Dr. Aparecido NicolettPUC-SP

Aula 03 MOSFET Tipo Intensificação

(pág. 190 a 196)

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Slide 1 MOSFET Tipo Intensificação

• MOS – Metal Óxido Semicondutor.

• Equação de Shockley não é válida para este dispositivo.

MOSFET canal N

• Canal para condução só existirá após aplicação de tensão na porta.}

A região de fonte e dreno devem estar alinhadas com a porta.

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Slide 2 Operação Básica e Curvas Características

• Para VGS = 0 V, não existe o cana N formado por uma grande quantidade de portadores livres, ao contrário de um JFET canal N, onde para esta situação ID = IDSS.

• Depleção dos portadores majoritários (lacunas) e aproximação dos portadores minoritários (elétrons).

• O valor de VGS necessário para formar a camada de inversão é chamado de Tensão de Limiar(VT).

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Slide 3 Operação Básica - Saturação

• VDS alto e VGS constante, inicia-se o processo de constrição (saturação). A partir deste ponto, IDS = cte..

GSDSDG VVV −= [5.11]

• Para VGS fixo, à medida que aumenta VDS, diminui VDG, o que reduz a quantidade de portadores livres (elétrons) nesta região.

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Slide 4 Operação Básica - Saturação

Para VGS = 8 V, a saturação ocorre para VDS = 6 V.

VDS = f(VGS)

VTVV GSDSsat −= [5.12]

Portanto, VT = 2 V.

• Para VDS > VDSsat, MOS em saturação.

• Para VDS < VDSsat, MOS em triodo.

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Slide 5 Operação Básica - Saturação

• Para VGS > VT e VDS > VDSsat, tem-se:

2GSD )VTV(kI −= [5.13]

2)ligado(GS

D)VTV(

)ligado(Ik−

= [5.14]

ID (ligado)

VGS (ligado)} Ponto particular das curvas.

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Slide 6 Operação Básica - Saturação

ID(ligado) = 10 mA

VGS(ligado) = 8 V

K = 0,278x10-3 A/V2

ID = 0,278x10-3(VGS – VT)2 (i)

ID(ligado) = 7 mA

VGS(ligado) = 7 V

K = 0,28x10-3 A/V2 ID = 0,28x10-3(VGS – VT)2 (ii)

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Slide 7 Curva de Transferência

ID x VGS{ ID = 0A, VGS < VT

ID = k(VGS – VT)2, VGS > VT

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Slide 8 MOSFET Tipo P

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Slide 9 MOSFET Tipo P

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Slide 10 Símbolos

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Slide 11 Folha de Dados

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Slide 12

Exemplo 5.4:

Utilizando os dados fornecidos na folha de dados da figura 5.41, e considerando uma tensão de limiar VT = 3 V, determine:

a)K.

b)A curva de transferência.

k = ? ID = 3 mAVGS = 10 VVT = 3 V