bipolarni tranzistorleda.elfak.ni.ac.rs/education/elektronika/predavanja/2020... · 2020. 11....

1

Upload: others

Post on 28-Jan-2021

4 views

Category:

Documents


0 download

TRANSCRIPT

  • Bipolarni tranzistor

  • Koncept pojačavača

    2

    • Pojačavač je četvoropol koji pojačava snagu signala (napon, struju).

    iz ulv t A v t

  • Koncept pojačavača

    3

    • Pojačavač se može realizovati pomoću kontrolisanog izvora.

    iz1 1 ul

    P

    0,v kv v vR

    iz ul Pv k v R

  • Bipolarni tranzistor - principi

    4

    1. Ubacivanje slobodnih naelektrisanja

    • Inverzno polarisani PN spoj• Slobodna naelektrisanja koja su

    ubačena u osiromašenu oblast se kreću pod uticajem električnog polja

    • Kondukciona struja

  • Bipolarni tranzistor - principi

    5

    2. Asimetrično dopiranje

    • Direktno polarisani PN spoj• Koncentracija donora veća od

    koncentracije akceptora• Struju čine elektroni

  • Bipolarni tranzistor

    6

    • Tranzistor je poluprovodnička komponenta koja može da radi u nekoliko režima, koji se mogu kontrolisati naponima između njegovih priključaka. U zavisnosti od režima rada, tranzistor može pojačavati signal ili se ponašati kao prekidač.

    • Bipolarni tranzistor je tip tranzistora kod koga električnu struju čine oba nosioca naelektrisanja – elektroni i šupljine.

    • Bipolarni tranzistor su 1947. konstruisali, John Bardeen, WalterBrattain i William Shockley iz Bell laboratorije.

    • Otkriće tranzistora je omogućilo složenije elektronske uređaje i trasirao put ka razvoju integrisanih kola.

  • Bipolarni tranzistor - istorija

    7

    • Nobelova nagrada za fiziku 1956. godine

    John Bardeen Walter Brattain William Shockley

  • Bipolarni tranzistor - istorija

    8

  • Struktura bipolarnog tranzistora (NPN)

    9

  • Struktura bipolarnog tranzistora

    10

    Poprečni presekBC107

  • Režimi rada

    11

    Naponi Emitorski Kolektorski RežimVBE>0, VCB>0 direktno inverzno aktivna oblast

    VBE>0, VCB

  • Tranzistorski efekat – aktivan režim

    12

    CB CE BE 0V V V

  • Tranzistorski efekat – koncentracija nosilaca

    13

  • Tranzistorski efekat – aktivan režim

    14

  • Tranzistorski efekat – aktivan režim

    15

  • Tranzistorski efekat – aktivan režim

    16

  • Kolektorska struja

    17

    AE – površina emitorskog spojaWB – širina oblasti bazeNB – koncentracija akceptora u bazi

    BE BEC S S

    T T

    exp 1 expV VI I IV V

    2E e n

    SB B

    iA q n DIW N

  • Zavisnost struje kolektora od napona VBE

    18

    • Prenosna karakteristika• VCE konstantno• Familija karakteristika za

    različite vrednosti VCE

  • Zavisnost struje kolektora od napona VCE

    19

    • Izlazna karakteristika• VBE konstantno• Familija karakteristika za

    različite vrednosti VBE

  • Merene karakteristike

    20

  • Primer

    21

    Parametri tranzistora: IS=5·10-17A, β=100:

  • Primer

    22

    Parametri tranzistora: IS=5·10-17A, β=100:

  • Primer

    23

    Parametri tranzistora: IS=5·10-17A, β=100:

  • Primer

    24

    Parametri tranzistora: IS=5·10-17A, β=100:

  • Zavisnost struje kolektora od napona VCE

    25

    • Strujni izvor kontrolisan naponom VBE

    • Pojačavač!

  • Struje

    26

  • Struje

    27

    • Struja koju čine šupljine (struja baze) je proporcionalna struji koju čine elektroni (struji kolektora):

    • β je strujno pojačanje, zavisi od tipa tranzistora (50-200).

    C CI Iβ

    E B C B1I I I Iβ

  • Polarizacija

    28

    • Parametri tranzistora: IS=5·10-16A• ΔVul=10mV

    ulC S

    T

    exp 1VI IV∆

    uliz P C P S

    T

    exp 1VV R I R IV∆

    ∆ ∆

    16iz P C P 2.34 10 AV R I R∆ ∆

  • Polarizacija

    29

    • Za pojačanje 10, izlazni napon je Viz=100mV, dobija se:

    16izP

    C

    4,25 10VRI

    ∆Ω

  • Polarizacija

    30

  • Polarizacija

    31

    • Parametri tranzistora: IS=5·10-16A• ΔVul=10mV, VBE=750mV.

    ul 0C S

    T

    exp 1V VI IV

  • Polarizacija

    32

    Za Vul=0

  • Polarizacija

    33

    Za Vul=10mV

  • Polarizacija i radna tačka

    34

    • Bez polarizacije (V0=0) promena napona Vul od 10mV izaziva promenu kolektorske struje reda veličine 10-16A.

    • Sa polarizacijom naponom V0=750mV, promena napona Vul od 10mV izaziva promenu kolektorske struje od 0,78mA.

    • Radna tačka tranzistora određena je naponima polarizacije VBE, IC, VCE.

    izP

    C

    128VRI

    ∆Ω

  • Polarizacija i radna tačka

    35

  • Transkonduktansa

    36

    • Transkonduktansa predstavlja količnik promene struje kolektora i promene napona između baze i emitora:

    dIgdV

    CmBE

  • Transkonduktansa

    37

    dIgdV

    CmBE

    exp 1VI IV

    BE

    C ST

    expI IVgV V V

    S CBE

    mT T T

  • Transkonduktansa

    38

  • Transkonduktansa

    39

    • Transkonduktansa zavisi od radne tačke tranzistora.• Pojačanje je proporcionalno transkonduktansi.• Transkonduktansa je proporcionalna struji kolektora, veća

    transkonduktansa (samim tim i pojačanje) zahteva veću snagu generatora koji napaja kolo.

    Bipolarni tranzistorKoncept pojačavačaKoncept pojačavačaBipolarni tranzistor - principiBipolarni tranzistor - principiBipolarni tranzistorBipolarni tranzistor - istorijaBipolarni tranzistor - istorijaStruktura bipolarnog tranzistora (NPN)Struktura bipolarnog tranzistoraRežimi radaTranzistorski efekat – aktivan režimTranzistorski efekat – koncentracija nosilacaTranzistorski efekat – aktivan režimTranzistorski efekat – aktivan režimTranzistorski efekat – aktivan režimKolektorska strujaZavisnost struje kolektora od napona VBEZavisnost struje kolektora od napona VCEMerene karakteristikePrimerPrimerPrimerPrimerZavisnost struje kolektora od napona VCEStrujeStrujePolarizacijaPolarizacijaPolarizacijaPolarizacijaPolarizacijaPolarizacijaPolarizacija i radna tačkaPolarizacija i radna tačkaTranskonduktansaTranskonduktansaTranskonduktansaTranskonduktansa