ch10 การไบอัสทรานซิสเตอร์ stabilized

353152 อเลกทรอนกส 1, ภาควชาครศาสตรไฟฟา มหาวทยาลยวทยาลยเทคโนโลยพระจอมเกลาพระนครเหนอ

บทท 10 การไบอสทรานซสเตอรในกระแสตรง(DC Biasing BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS )

DC Biasing Circuits Fixed-bias circuit

Emitter-stabilized bias circuit

Voltage divider bias circuit

DC bias with voltage

feedback

2

Emitter-Stabilized Bias Circuit

เพมตวตานทานในวงจร (RE) ทขา emitter ใหวงจรไบอสแบบเสถยรภาพ

Base-Emitter Loop

From Kirchhoff’s voltage law:

01 EBBEBBCC R)I(βVRIV

0 RIVRIV EEBEBBCC

EB

BECCB

)R(βR

VVI

1

Since IE = ( + 1)IB:

Solving for IB:

Collector-Emitter Loop


0 VR I V R I CCCCCEEE

Since IE IC:

) R (R – I V V ECCCCCE

Also:

EBEBRCCB

CCCCECEC

EEE

VV R – I V V

RIVV V V

R I V

Example 10.1 For the emitter bias network of Fig. 6, determine:

(a) Ib and IC.

(b) VCE , VC ,VE ,VB and VBC

(a)

(b)

6

Example 10.1 (cont.)

7

ขอสรปของการไบอสแบบ Stability

Stability หมายถง การทท าใหเสถยรภาพของวงจรดขนหรอมการเปลยนแปลงของกระแส(𝐼𝐶)และแรงดน(𝑉𝐶𝐸)ต ากวาวงจรไบอสคงทขณะทอณหภมเพมขนและ Beta () ของทรานซสเตอรเกดการเปลยนแปลง

โดยการน าตวตานทาน RE ตอเขาทขาอมเตอร เปนการปรบเสถยรภาพของทรานซสเตอร

Saturation Level

VCEcutoff: ICsat:

The endpoints can be determined from the load line.

mA0 I

V V

C

CCCE

ERCR

CCV

CI

VCE

V0

Example 10.2 Determine the saturation current for the network of Example 10.1.

which is about three times the level of for Example 10.1

10

mA 67.6

k 3

V 20

k 1k 2

V 20

EC

CCC

RR

VI

sat

Emitter Bias Configuration (cont.) การวเคราะหเสนภาระการท างาน

การวเคราะหเสนภาระการท างานของ emitter-bias ทงหมดตางจากการวงเคราะหของ fixed-bias

The collector–emitter loop equation that

defines the load line is the following:

Choosing IC=0 mA gives

Choosing VCE=0 V gives

11

)( ECCCCCE RRIVV

mA 0

CICCCE VV

V 0

CEVEC

CCC

RR

VI

Example 10.3(a) Draw the load line for the network of Fig. 9(a) on the characteristics for the transistor appearing in Fig. 9(b)

(b) For a Q-point at the intersection of the load line with a base current of 15 A, find the values of

and .

(c) Determine the dc beta at the Q-point.

(d) Using the beta for the network determined in part (c), calculate the required value of RB.

(a) Two points on the characteristics are required to draw the load line,

At VCE=0 V:

At IC=0 mA : VCE=VCC =18 V

The resulting load line appears in Fig. 10.

12

mA 45.5k 1.1k 2.2

V 18

EC

CCC

RR

VI

Example 10.3 (cont.)(b) From the characteristics of Fig. 10, we find

(c) The resulting dc beta is:

(d) Applying Eq. (2):

Solving for RB :

13

mA 3.3 V, 5.7 QQ CCE IV

220A 15

mA 3.3

Q

Q

B

C

I

I

)k 1.1)(1220(

V 7.0V 18

)1(

BEB

BECCB

RRR

VVI

k 1.243

V 7.31A 15

BR

k 910A 15

V 65.13

BR

Voltage Divider Bias

กระแสและแรงดนเกอบจะเปนอสระจากการเปลยนแปลงคาของ

นคอ การไบอสวงจรทมความเสถยรมากขน

Approximate Analysis

Where IB << I1 and I1 I2 :

Where RE > 10R2:


21

CC2B

RR

VRV

E

EE

R

VI

BEBE VVV

EECCCCCE RI RI V V

)R (RIV V

II

ECCCCCE

CE

Voltage Divider Bias Analysis

Transistor Saturation Level

EC

CCCmaxCsat

RR

VII

Cutoff: Saturation:

mA0 I

VV

C

CCCE

V0 VCE

ER

CR

CCV

CI

Load Line Analysis

Voltage-Divider Bias Configuration วงจรไบอสนจะมความเสถยรมาก กระแสและแรงดนไฟฟาทเกอบจะเปนอสระจากการเปลยนแปลงคาใด ๆ ใน .

การก าหนดคาการไบอสแบบวงจรแบงแรงดนไฟฟา ดงรป จะขนนอยหรอในความเปนจรงทเปนอสระจาก เบตา ของทรานซสเตอร

มสองวธทสามารถน ามาประยกตใชในการวเคราะหการก าหนดคาการแบงแรงดนไฟฟา วธการทแนนอน สามารถน าไปใชก าหนดคาแบบวงจรแบงแรงดนไดเลย วธการประมาณ สามารถน ามาใชเฉพาะในกรณทเงอนไขทเฉพาะเจาะจงทมความพงพอใจ 17

Voltage-Divider Bias Configuration (cont.)

วธการวเคราะหทแนนอน The input side of the network of Fig. can be

redrawn as shown in Fig. for the dc analysis.

The Thévenin equivalent network for the network to the left of the base terminal can then be found in the following manner:

The voltage source VCC is returned to the network and the open-circuit Thévenin voltage of Fig. 14 determined as follows. Applying the voltage divider rule gives

18

21

2121 ||

RR

RRRRRTh

CCRTh VRR

RVE

21

2

2


The Thévenin network is then redrawn as shown in Fig. 15, and IBQ

can be determined by first applying Kirchhoff’s voltage law in the clockwise direction for the loop indicated:

Substituting IE=(+1)IB and solving for IB

yields

Once IB is known, the remaining quantities of the network can be found in the same manner as developed for the emitter-bias configuration. That is,

19

ETh

BEThB

RR

VEI

)1(

)( ECCCCCE RRIVV

0 EEBEThBTh RIVRIE

Fig. 15

Example 10.4 Determine the dc bias voltage VCE and the current IC for the voltage-

divider configuration of Fig.

20

21

2121 ||

RR

RRRRRTh


วธการวเคราะหโดยประมาณ The input section of the voltage-divider configuration can be represented by

the network of Fig.

Where IB << I1 and I1 I2 :

Where RE 10R2:


21

CC

21

2B V

RR

RV

E

EE

R

VI

BEBE VVV

EECCCCCE RI RI V V

)R (RIV V

II

ECCCCCE

CE

Example 10.5 Repeat the analysis of Fig. using the approximate technique, and

compare solutions for and .

Testing:

Finally,

versus 12.22 V obtained in

Example 10.4

compared to 0.85 mA with the exact analysis.

22


Transistor Saturation

The resulting equation for the saturation current (when VCE is set to zero volts on the schematic) is therefore the same as obtained for the emitter-biased configuration. That is,

Load-Line Analysis

The load line will therefore have the same appearance as that of Fig. 8, with

23

EC

CCCmaxCsat

RR

VII

mA 0

CICCCE VV

V 0

CEVEC

CCC

RR

VI

DC Bias With Voltage Feedback

อกทางหนงของการปรบเสถยรภาพของวงจรไบอสทเปนแบบการปอนกลบจากขา collector ไปยงขาbase.

ในการไอบสใหวงจรจดภาระ(Q-point) มผลเพยงเลกนอยแตทรานซสเตอรจะขนอยกบ beta,

Base-Emitter Loop

)Rβ(RR

VVI

ECB

BECCB


0EEBEBBCCCC R–I–VR–IRI – V

Where IB << IC: CBCC IIII'

Knowing IC = IB and IE IC, the

loop equation becomes:

0 EBBEBBCBCC RβIVRIR – β–V

Solving for IB:

Applying Kirchoff’s voltage law:

IE + VCE + I’CRC – VCC = 0

Since IC IC and IC = IB:

IC(RC + RE) + VCE – VCC =0

Solving for VCE:

VCE = VCC – IC(RC + RE)

Collector-Emitter Loop

Base-Emitter Bias Analysis

Transistor Saturation Level

EC

CCCmaxCsat

RR

VII

Cutoff Saturation

mA0 I

VV

C

CCCE

V0 VCE

ER

CR

CCV

CI

Load Line Analysis

Transistor Switching Networks

ทรานซสเตอรทมเพยงแตแหลงจาย DC สามารถประยกตใชเปนสวตชอเลกทรอนกสได

Switching Circuit Calculations

C

CCCsat

R

VI

dc

CsatB

β

II

Csat

CEsatsat

I

VR

CEO

CCcutoff

I

VR

กระแสในยานอมตว:

เพอใหแนใจวาอมตว :

Emitter-collector

resistance at saturation

and cutoff:

Switching Time

Transistor switching times:

dron ttt

fsoff ttt

Troubleshooting Hints

- การประมาณคาแรงดน

-Test for opens and shorts with an ohmmeter.

-Test the solder joints.

-Test the transistor with a transistor tester or a curve tracer.

-Note that the load or the next stage affects the transistor operation.

VBE 0.7 V for silicon transistors

VCE 25% to 75% of VCC

PNP Transistors

การวเคราะหส าหรบทรานซสเตอรชนด PNP

วงจรการไบอส เหมอนกบ ทรานซสเตอรชนดNPN แตทแตกตาง กคอทศทางของกระแสจะไหลไปในทศทาง ตรงกนขาม

353152 วงจรอเลกทรอนกส 1

การบาน ท าลงA4

353152 วงจรอเลกทรอนกส 1

ch10 การไบอัสทรานซิสเตอร์ stabilized

Education