ch2 igbt
TRANSCRIPT
School of ECE University of Tehran 1
شده مجزا گيت با قطبي دو ترانزيستور
Insulated Gate Bipolar Transistor
IGBT
تاريخچه کار ساختمان و اصول
انواع انداز راه مدارهاي
School of ECE University of Tehran 2
ال ايده قدرت هادي نيمه کليدمشخصات
کوچک افت ولتاژ حالت وصل
زياد کليدزنيسرعت
باال جريان چگالي
آسان اندازي راه
School of ECE University of Tehran 3
قدرت الکترونيک متداول کليدهاي مقايسه
IGBTيامتوسط خوبخوب
خوب
عالي
Power Mosfetعالي بدعالي بد
GTO بدعالي بدعالي
متوسطعالي متوسطعالي قدرتترانزيستور
) بديا (عالي عالي بدعالي تريستور
افت ولتاژ وسيله نام حالت وصل
سرعت کليدزني
جريان چگالي باال
اندازي راه آسان
School of ECE University of Tehran 5
IGBTانواع
PunchPunch
ThroughThrough
Non PunchNon Punch
ThroughThrough
IhIh = 0.40 = 0.40 …… 0.45 0.45 IcIc
IhIh = 0.20 = 0.20 …… 0.25 0.25 IcIc
School of ECE University of Tehran 11
موجهاي شکل IGBT به هنگام
وصل شدن
شکل موجهاي به هنگام ديود
قطع شدن
و ديود به هنگام کليد زني IGBTشکل موجهاي
شکل موج ولتاژ
شکل موج جريان
توان لحظه اي و انرژي تلف شده به هنگام
وصل شدن
شکل موج ولتاژ
شکل موج جريان
توان لحظه اي و انرژي تلف شده به هنگام
قطع شدن
School of ECE University of Tehran 17
ديناميکي و استاتيکي قفل شدن زياد جريان در اثر پارازيت npn ترانزيستور روشن شدن استاتيکي قفل شدن
سريع در اثر قطع پارازيت npn ترانزيستور روشن شدن ديناميکي قفل شدن جريان
School of ECE University of Tehran 18
Power Moduleقدرت مدولساختار
شکل ظاهري مدول قدرت
مدار شماتيک
عناصر نماي افقي چيدمان
عناصر نماي مقطعي چيدمان
School of ECE University of Tehran 21
اضافه خطاي يا جريان گيري اندازه روشهاي جريان
a)a) Emitter current sensingEmitter current sensing
b)b) VVCECE monitoringmonitoring
استفاده از سنسور اثر هالحسگر جريان اميتر نظارت ولتاژ اميتر