dispositivos de la electronica de potencia

8/7/2019 DISPOSITIVOS DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA

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DIODO

DISPOSITIVOS DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA

SCR

TRIAC

UJT

LASCR

GTO

DIAC

TRANSISTOR

PUT


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DIODO

ElDIODOes uno de los dispositivo mas importantes de los circuitos de potencia, aunque tienen, entre otras, las

siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario

al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodo de potencia

e caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad y una pequea

TIPO Especificacin de

Voltaje/corriente

Alta Frecuencia

(Hz)

Tiempos de

conmutacin

(S)

Resistencia en

estado activo

()

Smbolo caractersticas

Uso general 5000 V / 5000 A 1K 100 0.16 m

Alta

velocidad

3000 V / 1000 A 10K 2-5 1 m

Schouky 40 V / 60 A 20K 0.23 10 m

Tabla de especificaciones, circuito y patillaje

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tensin. En sentido inverso, deben de ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una

pequea Intensidad de fuga.


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SCR

ElSCRes un dispositivo electrnico rectificador controlado de silicio. Es un dispositivo triterminal (A o nodo, C octodo, G o gate o puerta de control muy similar al diodo de cuatro capas (shockley) que posee una entrada

adicional (G) que permite disparar el dispositivo antes del VBO.


Voltaje/corriente

Alta Frecuencia

(Hz)

Tiempos de

conmutacin

(S)

Resistencia en

estado activo

()


Tiristores de

control de

fase

1200 V / 5500 A 5K 40 2.1 m

Tiristores de

conmutacinrpida

1000 V / 1000 A 10K 20 0.47 m


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ElTRIAC

es un SCR bidireccional que se comporta como dos SCR en paralelo e invertido de tal manera que estedispositivo puede controlar corriente en cualquier direccin. Normalmente tiene una tensin de ruptura y elprocedimiento normal de hacer entrar en conduccin a un TRIAC es a travs de un pulso de disparo de puerta(positivo o negativo).



Voltaje/corriente

Alta Frecuencia

(Hz)

Tiempos de

conmutacin

(S)

Resistencia en

estado activo

()


TRIAC 1200 V / 300 A 400 200 - 400 3.57 m

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TRIAC

Q1TRIAC


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ElUJTes un dispositivo que tambin se le llama transistor de un unin esta constituido por dosregiones contaminadas con tres terminales externas: dos bases y un emisor. El emisor esta fuertemente

dopado con impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n. Por ello la resistencia entre las dosbases, RBB o resistencia o interbase es elevada (de 5 a 10 k ohms estando el emisor abierto). Elfuncionamiento delUJTes muy similar al del SCR.

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UJT


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ElLASCR

tambin se le conoce como foto SCR o SCR activado por luz es como su propio nombre lo indica un SCRcuyo disparo es controlado por luz. Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el SCR se dispara y permaneceen conduccin aunque desaparezca esa luz.



Voltaje/corriente

Alta Frecuencia

(Hz)

Tiempos de

conmutacin

(S)

Resistencia en

estado activo

()

LASCR 6000 V / 1500 A 400 200 - 400 0.53 m

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LASCR


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ElGTOes un tiristor que pude ser disparado por un pulsa positivo a su terminal gate y bloqueado si se aplica un impulsonegativo a esa misma terminal. El GTO se emplea actualmente en muchas aplicaciones interesantes en el dominio de altas

potencias cuyo control se realiza fcilmente mediante transistores bipolares. Los bajos requerimientos de potencia de sucontrol facilitan la aplicacin de tcnicas de modulacin de anchura de pulso.


TIPO Especificacin

de

Voltaje/corrient

e

Alta Frecuencia

(Hz)

Tiempos de

conmutacin

(S)

Resistencia en

estado activo

()


Transistores

desactivados

automaticamente

GTO

4500 V / 3000 A 10K 15 2.5 m

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GTO


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PUT

El PUT (transistor uni-union programable) es un dispositivo de disparo nodo puerta (anode gate)puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tencion mas negativa que el nodo, es

decir, la conduccion del PUTse realiza por control de sus terminales. El PUT es un dispositivoperteneciente a la familia de los dispositivos de uni-union y sus caracteristicas son muy similares alSCR

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DIAC

ElDIAC

es un de dos terminales que permite la conduccion en ambos sentidos sobrepasando ciertoumbral de tencion. El diac ( diffused silicon actrigger diode ) tiene una estructura hibrida entre la de untransistor y la de dos tiristores en antiparalelo.cuando conduce en sentido A2-A1, las capas operativasson P1N2P2N3 y cuando lo hacen en sentido contrario, las P2N2P1N1.

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TRANSISTOR

El funcionamiento y utilizacin del transistor de potencia es idntico al de las transistores normales,teniendo como caractersticas especiales las altas tenciones e intensidades que tienen que soportary por tanto, las altas potencias en disparar.

Existen tres tipos de transistores de potencia:

- Bipolar

- unipolar o FET ( transistor de efecto de campo)

- IGBT

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