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The Best Foundry Partner For Your Success

Dongbu HiTek

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동부그룹

회사 개요

연 혁

위 상

조직도

사업장 현황

Global Network

Capacity

3대 기술방향

제품 포트폴리오

기술 로드맵

Customer Support

Contents

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설 립: 1969년

매 출: 30조원

자 산: 50조원

인 원: 37,000명

계열사: 56개 계열사 (60개 사업부문)

사업분야: 7대 분야

농업 · 건강 · 유통

반도체 · IT · 전자

건설 ·에너지 · 부동산

물류 · 여객 · 콘텐츠

보험 · 증권 · 은행

사회공헌

동부그룹

동부그룹은 세계 인류에 기여하는 ‘An Excellent Global Company’로 성장하기 위해

7대 사업분야를 중심으로 힘차게 도약하고 있습니다.

철강 · 금속 · 화학

(이상 2011년 기준)

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회사 개요

설립 년도 1997년

매 출 5,343억원 (2011년)

자 산 1조 1,839억원 (2011년)

인 원 2,500명

생산 제품 시스템반도체 (아날로그, 디스플레이, RF 등)

공정 기술 90nm ~ 0.35um

생산 능력 94,000장(200mm 웨이퍼)/월

동부하이텍은 국내 최대의 시스템반도체 파운드리 기업 입니다.

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연 혁

1997 동부전자 설립

Fab 1(부천) 완공 (미국 텍사스인스트루먼츠와 기술이전 및 제품공급 전략적 제휴)

2000 Fab 2(상우) 완공 (일본 도시바와 기술이전 및 제품공급 전략적 제휴)

2001 국내 최초 시스템반도체 파운드리 공급

2002 아남반도체 인수 (4세대 첨단기술 및 양산 Capa. 확보)

2004 0.13미크론급 공정 파운드리 상업생산

2007 동부하이텍으로 사명 변경

2008 업계 최초 0.18미크론급 BCDMOS 공정개발 및 양산·공급

세계 최소형 LCD 구동 칩 개발 및 양산 (종합반도체 사업 진출)

2010 특화 파운드리 분야 세계 1위 달성

2001년, 국내 최초로 시스템반도체 파운드리를 공급하였고 2010년에는 특화 파운드리

분야에서 세계 1위를 달성하였습니다.

연 혁

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위 상

세계 1위 특화 파운드리 기업이며, 세계 5위의 파운드리 기업입니다

(Unit:$M) 2010년 특화 파운드리 기업 순위 2010 Foundry Ranking

자료 : Gartner, 2011년 3월

Future leaders in Analog/Mixed-Signal Foundry

자료 : 2008년 EE Times

2010 Rank

Company 2010 2009

1 TSMC 13,332 8,997

2 UMC 3,824 2,730

3 Globalfoundries 3,520 1,101

4 SMIC 1,554 1,070

5 Dongbu HiTek 512 378

6 TowerJazz 509 298

7 Vanguard 505 381

8 IBM 500 383

9 MagnaChip 410 265

10 Samsung 390 290

- Chartered 0 1,540

* Globalfoundries : 2009년 12월, Chartered 인수

*

자료 : Gartner, 2011년 3월

2010 Rank Company 2010

1 Dongbu HiTek $512M

2 TowerJazz $509M

3 Vanguard $505M

위 상

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조직도 조직도

Foundry Business 생산본부 품질경영실 Brand Business

혁신추진담당 인사담당

C E O

마케팅 담당

영업 담당

TE 센터

공정개발센터

Display사업 담당

Sensor사업 담당

기술지원 담당

생산지원 담당

Fab1 담당

FAb2 담당

경영지도팀

기획관리실

전략 담당

재무 담당

구매 담당

인사지원 담당

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Fab 1 (부천)

Fab 2 (음성)

Fab 2

생산능력 42,000 wfs/month

기술개요 0.25, 0.18, 0.15, 0.13, 0.11, 0.09um

주요제품 Mixed Signal, Flash, RF CMOS, CIS, HV CMOS, Logic

웨이퍼 크기 8 inch (200mm)

위 치 충청북도 음성

Fab 1

생산능력 52,000 wfs/month

기술개요 0.35, 0.25, 0.18, 0.15um

주요제품 BCDMOS, Analog CMOS, HV CMOS, Logic

웨이퍼 크기 8 inch (200mm)

위 치 경기도 부천

사업장 현황

경기도 부천과 충북 음성에 위치한 2개의 Fab에서 세계 최고 수준의 시스템반도체를

생산하고 있습니다.

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한국: Fab1(부천)/Fab2(음성)

산타클라라, 오스틴 / 미국

타이페이 / 대만

도쿄 / 일본

햄프셔 / 영국

밀라노/이탈리아

미국, 일본, 대만, 영국, 이탈리아에 R&D, 마케팅 네트워크를 구축하고 있습니다

Global Network

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0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

2007 2008 2009 ~2011

42

28

[Kwfs/Month]

Fab1

Fab2

50

30

52

40

52

42

현재 월 94,000장의 생산능력을 확보하고 있으며, 향후 더욱 확대해 나갈 계획입니다

Capacity

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기술 방향 – 3大 기술분야

고전압 아날로그, Sensor, Mixed-Signal 등 3대 기술분야에 기술역량을 집중하고 있습니다

3대 기술 방향

CMOS (＜50V)

BCD

＞700V

Camera

Medical

Industrial

High Voltage Analog

Sensor

Specialty Logic

e-NVM

RF

High Performance Mixed

Mixed Signal

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제품 포트폴리오 - 3C + 1I (Computer, Communication, Consumer, Industrial)

컴퓨터, 통신, 가전, 산업기기 등 4대 분야 첨단 IT기기를 타겟으로 사업을 전개하고 있습니다.

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Process Available Technology Planned Technology

: Available :Planned

Low Voltage BCDMOS

Medium -High

Voltage BCDMOS

Ultra-High Voltage BCDMOS

기술 로드맵 - BCDMOS

기술 로드맵을 바탕으로 제품을 확대해 나가고 있습니다.

0.35um 5.5V CMOS 12V-24V LDMOS

0.35um 3.3V or 5V / 8V CMOS 12V-60V LDMOS

0.35um 3.3V or 5V / 8V CMOS 12V-85V LDMOS

0.35um 5V and 20V CMOS 700V LDMOS Non-Epi

0.35um 5V and 20V CMOS 700V LDMOS Non-Epi

0.18um 1.8V / 5V CMOS 7V-40V LDMOS (BD180LV)

0.18um 1.8V / 5V CMOS 12V-60V LDMOS (BD18 1st Generation)

0.18um 1.8V / 5V CMOS 12V-85V LDMOS (BD180X)

0.18um 1.8V / 5V CMOS 12V-120V LDMOS Further Enhancement

0.18um 1.8V / 5V CMOS 7V-40V LDMOS BEOL 0.11um (BD150LV)

0.18um 1.8V / 5V CMOS Isolated LDMOS Platform (12V-40V)

0.18um Rsp Enhancement (BD180LVp)

0.18um 1.8V / 5V CMOS Isolated LDMOS Platform (12V-60V)

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Process Available Technology Planned Technology

Analog CMOS

Logic/ Mixed Signal

기술 로드맵을 바탕으로 제품을 확대해 나가고 있습니다. : Available :Planned

기술 로드맵 – Analog CMOS

0.35um 3.3V or 5V CMOS

0.18um 1.8V / 5V CMOS 7V-30V HVCMOS (AN180)

0.18um 1.8V/ 5V CMOS 7V-24V HVCMOS (HP180)

0.35um 1P4M 3.3V / 5V

0.18um 1P6M 1.8V / 3.3V or 5V

0.11um 1P8M 1.2V / 2.5V or 3.3V

0.11um Low Noise 1P8M 1.2V / 3.3V

0.18um Low Power 1P6M 1.8V / 3.3V

0.11um 1P8M 1.2V / 2.5V or 3.3V 4um AL Inductor

0.13um 1.5V / 5V CMOS 7-30V HVCMOS TaN Resistor (AN130)

0.18um 1.8V / 3.3V CMOS 7V-24V HVCMOS (HP180_3.3V)

0.11um Low Noise 1P8M 1.2V / 2.5V or 3.3V 4um Al Inductor

0.18um AN/HP RF CMOS TBD (CMOS PA Target)

0.11um 1P8M 1.2V / 2.5V or 3.3V High BV AD3MOS

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Process Available Technology Planned Technology

기술 로드맵을 바탕으로 제품을 확대해 나가고 있습니다. : Available :Planned

기술 로드맵 – HV CMOS

HV CMOS (Mobile)

HV CMOS (TV)

HV CMOS (IT)

0.35um 1P2M (16L) LV : 5V HV : 45V / 40V (A/Sym)

0.11um 1P4M (28L) LV : 1.2V MV : 5.5V HV : 30V (A/Sym) 6TSRAM : 1.488um2

0.11um 1P4M (32L) LV : 1.2V MV : 5.5V HV : 30V (A/Sym) SDTRAM : 0.5um2

0.35um FE / 0.16um BE 1P3M (21L) LV : 3.3V MV : 18V(Vg), 9V(Vd) HV : 18V (A/Sym)

0.18um FE / 0.16um BE 1P3M (23L) LV : 1.8V MV : 18V(Vg), 9V(Vd) HV : 18V (A/Sym)

0.25um / 0.16um 1P3M (21L) LV : 2.5V MV : 9V(Vg), 4.5V(Vd) HV : 9V (Sym)

0.18um / 0.16um 1P3M (21L) LV : 1.8V MV : 9V(Vg), 4.5V(Vd) HV : 9V (A/Sym)

0.35um 1P3M (19L) LV : 3.3V MV : 13.5V(Vg), 7V(Vd) HV : 13.5V (A/Sym)

0.18um / 0.16um 1P3M (23L) LV : 1.8V MV : 13.5V(Vg), 7V(Vd) HV : 13.5V (A/Sym)

0.11um 1P4M (28L) LV : 1.5V MV : 5.5V HV : 30V (A/Sym) With MOM

0.18um / 0.16um 1P3M (23L) LV : 1.8V MV : 20V(Vg), 10V(Vd) HV : 20V (A/Sym)

0.11um 1P3M (23L) LV : 1.2V MV : 9V(Vg), 4.5V(Vd) HV : 9V (A/Sym)

0.11um 1P3M (23L) LV : 1.2V/1.5V MV : 5.5V HV : 30V (Sym) Mask Reduction

0.11um 1P3M(23L) LV : 1.2V MV : 20V(Vg), 10V(Vd) HV : 20V(A/Sym))

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Process Available Technology Planned Technology

: Available :Planned

CIS

기술 로드맵 - CIS

기술 로드맵을 바탕으로 제품을 확대해 나가고 있습니다.

0.18um FSI Compact 2.8um pixel 1.8V / 3.3V CIF / VGA / 1.3M

0.13um FSI Compact 2.2um pixel 1.5V / 3.3V (LP) VGA / 1.3M / 2M

0.11um FSI Compact 1.75um pixel 1.5V / 2.8V (LP) 1.3M / 2M

0.11 FEOL + 0.09 BEOL Smart 1.4um pixel 1.5V / 2.8V (LP) 3M / 5M

Gesture sensor

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Process Available Technology Planned Technology

: Available :Planned

sFlash

기술 로드맵 – Non Volatile Memory

기술 로드맵을 바탕으로 제품을 확대해 나가고 있습니다.

eFlash

0.13um ETOX n-type 0.158um2 1.8V or 3.3V / 5V

0.13um SONOS eFlash SONOS n-type 0.28um2 1.5V / 3.3V

0.09um ETOX n-type 0..81um2 1.8V or 3.3V / 5V

0.13um Smart eFlash 2T p-ETOX 1.5V / 5V

0.13um TSC eFlash 2T p-ETOX 1.5V / 3.3V / 8V

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IP Support

Virage Logic

Kilopass

ARM

Analog Chips

Synopsys

Chipidea

Library Support

Virage Logic

ARM

Synopsys

eSilicon

PDK Support

Mentor

Cadence

Spring Soft

Tanner

다양한 고객 지원 서비스로 최상의 솔루션을 제공하기 위해 노력하고 있습니다.

Customer Support - IP, Library, PDK

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Account Request

TM Review

Account open

Customer DBHs

* NDA : Non Disclosure Agreement

* TM : Technical Marketing

FDK Download IP & Library Download

NDA 체결

FDK Link IP & Library Link

YourFabTM

Initialized Page

Main Page

YourFabTM Service Flow

Customer Support - YourFabTM Service

고객이 제품의 생산 현황을 실시간으로 모니터링 할 수 있는 온라인 통합 시스템(YourFabTM)

운영하고 있습니다.

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Customer Support - ShuttleChipTM Service

2012 ~ 2013 MPW Schedule

고객이 설계한 반도체의 상업 생산 가능성을 검증할 수 있도록 ShuttleChipTM Service를

제공하고 있습니다.

Process Tech Fab

2013 2013

1Q 2Q 3Q 4Q

Jan Feb Mar Apr May Jun Jul Aug Sep Oct Nov Dec

Analog / BCD

(An180&

BD180&HP180)

0.18um

Fab1 Analog /BCD

(BD350&UHV700) 0.35um

Analog /BCD

& Mixed

0.15 ~

0.18um

Mixed Signal 0.11um

Fab2 e-Flash 0.13um

CIS 0.18um

13

20 03

5 23

06

09

03

24

23

29

15

10

24

08

12

10 21

24

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Quality Certification

ESH Certification

Security Certification

ISO/TS 16949, ISO 9001, QS9000, ISO13485

PSM, ISO14001, OHSAS 18001

ISO27001

ROHS 활동

- 전 생산제품에 로하스 규정 적용 - 납(Pb), 수은(Hg), 카드뮴(Cd), 크롬(Cr6+), PBB, PBDE 불포함

Customer Support - 주요 인증

지속적인 품질 증진과 철저한 관리로 세계 최고 수준의 반도체를 생산하기 위해 노력하겠습니다.

Thank You