Download - Φ8” Si基板の塗布データASAP製リフトオフのアプリケーション リフトオフ後の顕微鏡写真 LED 縦型LED Tゲート NMP recycle & circulation system Fresh
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Φ8” Si基板の塗布データ
レジスト名 TCIR AZ-4620 PMER-LA900 THB-124N THB-126N PIX-3400
粘度[cP] 96 400 900 1500 1750 13000
厚み[um] 4 7 30 30 40 10
分布[(max-min)/ave][%] 1.39 1.67 2.68 3.18 3.76 4.7
ウェハ間分布[%] 0.84 1.51 1.13 - 1.02 1.51
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Φ12” Si基板の塗布均一性
Max. Min. Ave. Range 面内均一
29.69 28.76 29.20 0.93 3.18%
Y1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
29.05 28.98 28.85 29.03 28.99 29.30 29.69 29.68 29.64 29.52 29.51 29.36 28.99 29.05 29.18
Xa b c d e f g h i j k l m n o
29.05 29.06 28.96 29.05 28.76 29.16 29.57 29.68 29.14 29.21 29.08 29.28 28.89 29.10 29.20
基板: 300㎜径 Si wafer
レジスト: JSR THB-124N(1500cp)
目標膜厚: 30 μm (±5%)
塗布方法: 自動塗布
塗布条件: 300 rpm x 10 sec.
+1500 rpm x 20 sec. ベーク条件: 110℃ 300 sec
測定点: 29 ポイント (X, Y)
30(mm)
29
280 4 8 12 16
測定点(29点)
レジスト厚み
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スループット 参考例 (Φ8“)
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Baking unit Max.5-stage
VDP (HMDS) & Cooling unit
Spin Cup 1
Spin Cup 2
Cassette stage 1 Cassette stage 2Centering Unit
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Φ6” Si基板の塗布データ
回転カップによる「材料収率」大幅改善例
ポリイミド塗布(φ6” Si基板)12
6
0
9
3
15 micron 4 micron
70%削減 60%
削減
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マニュアル機 少量生産向け 量産機
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高圧ジェットによる「メタルリフトオフ」
レジスト膨潤が必要な場合
Before During Process
Patte rn 1Patte rn 2
After
膨潤(80℃加温NMP)
高圧ジェット(Max. 20Mp)
リンス(DIW or IPA)
Step 1 Step2 Step 3
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DeviceSoaking Process
RequiredPressure Value
(MPa)Chemical Heater
VCSEL 〇 7~15 recommendable
LED X 10 ~ 20
LD ○ 1~10 recommendable
SAW filter X 10~15
MEMS ○ 1~10 recommendable
Power IC(HEMT) ○ 10~15
High Frequency ( T - Gate ) ○ 1 ~ 5 recommendable
ASAP製リフトオフのアプリケーション
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リフトオフ後の顕微鏡写真
LED 縦型LED Tゲート
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NMP recycle & circulation system
FreshNMP Heater
High Pressure Soaking Line (Recycle)
Overflow
Washable Filter 10 & 5 micron
Washable Filter 1 micronor Disposable 0.2 micron
DrainTank
Used NMP Store Tub15L~20L
Metal Trap(Mesh) F P
P
F