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独立 2 素子内蔵複合トランジスタ IMX25
特長 外形寸法図(Unit:mm) 1) SMT パッケージに 2SD2704K チップが 2 個入っている。 2) SMT3 の自動装着機により、装着が可能である。 3) 各トランジスタの素子間は独立しているため相互干渉がない。 4) 実装コスト及び面積が半減できる。 構造 エピタキシャルプレーナ型 NPN シリコントランジスタ 以下の特性は、Tr1、Tr2について共通です。
絶対最大定格(Ta=25C) 内部回路図
Parameter Symbol Limits Unit
VCBO 50 V
VCEO 20 V
VEBO 25 V
IC 300 mA
Tj 150 °C
Tstg −55~+150 °C
Pd 300(TOTAL) mW ∗
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
接合部温度
保存温度範囲
許容損失
∗ ただし、1素子当り200mWを超えないこと。 電気的特性(Ta=25C)
Parameter Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
Min.
50
20
25
−
−
820
−
−
−
−
−
−
−
50
−
−
−
0.1
0.1
2700
100
V IC=10μA
IC=1mA
IE=10μA
VCB=50V
VEB=25V
VCE=2V, IC=4mA
IC/IB=30mA/3mA
V
V
μA
μA
−
mV
Typ. Max. Unit Conditions
fT
Ron
Cob
−
−
−
35
0.7
3.9
−
−
−
VCE=6V, IE= −4mA, f=10MHz
IB=5mA, Vi=100mVrms, f=1kHz
VCB=10V, IE=0A, f=1MHz
MHz
Ω
pF
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
エミッタ・ベース降伏電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
利得帯域幅積
出力容量
出力オン抵抗
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ROHM : SMT6EIAJ : SC-74 標印略記号 : X25
(1)(2)(3)
0.3+0.1−0.05
1.6
2.8±
0.2
+0.2
−0.1
(6)(5)(4)
0.95 0.95
1.9±0.2
2.9±0.2 1.1+0.2
0.8±0.1
−0.1
0~0.1
0.3~
0.60.15 −0.06
+0.1
各端子とも同寸法
Tr2
Tr1
(4) (5) (6)
(3) (2) (1)
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Data Sheet IMX25
包装仕様
IMX25
Type
T110
3000
包装名
記号
基本発注単位 (個)
テーピング
電気的特性曲線
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.20.1
0.1
10
100
1000
CO
LLE
CT
OR
CU
RR
EN
T :
IC (m
A)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE(ON) (V)
Fig.1 エミッタ接地伝達静特性 ( Ι )
VCE=2V
25°C
−40°C
Ta=125°C
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.20.1
0.1
10
100
1000
CO
LLE
CT
OR
CU
RR
EN
T :
IC (m
A)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE(ON) (V)
Fig.2 エミッタ接地伝達静特性 ( ΙΙ )
VCE=6V
25°C
−40°C
Ta=125°C
1 10 100 100010
100
1000
10000
Ta= −40°C
Ta=25°C
Ta=125°C
DC
CU
RR
EN
T G
AIN
: hF
E
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.3 直流電流増幅率 -コレクタ電流特性 ( )
VCE=2V
1 10 100 100010
100
1000
10000
Ta= −40°C
Ta=25°C
Ta=125°C
DC
CU
RR
EN
T G
AIN
: hF
E
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.4 直流電流増幅率 -コレクタ電流特性 ( )
VCE=6V
1 10 100 10001
100
10
1000
10000
Ta= −40°C
Ta=25°C
Ta=125°C
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.5 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 -コレクタ電流特性 ( )
IC/IB=10/1
CO
LLEC
TOR
SAT
UR
ATIO
N V
OLT
AGE
: VC
E(sa
t) (m
V)
Fig.6 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 -コレクタ電流特性 ( )
1 10 100 10001
100
10
1000
10000
Ta= −40°C
Ta=25°C
Ta=125°C
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
IC/IB=20/1C
OLL
ECTO
R S
ATU
RAT
ION
VO
LTAG
E : V
CE(
sat) (m
V)
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Data Sheet IMX25
Fig.7 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 -コレクタ電流特性 ( )
1 10 100 10001
100
10
1000
10000
Ta= −40°C
Ta=25°C
Ta=125°C
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
IC/IB=50/1
CO
LLEC
TOR
SAT
UR
ATIO
N V
OLT
AGE
: VC
E(sa
t) (m
V)
Fig.8 ベース・エミッタ間飽和電圧 -コレクタ電流特性 ( )
1 10 100 1000100
1000
10000
Ta= −40°C
Ta=25°CTa=125°C
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
IC/IB=10/1
BA
SE
SA
TU
RA
TIO
N V
OLT
AG
E :
VB
E(s
at) (m
V)
Fig.9 ベース・エミッタ間飽和電圧 -コレクタ電流特性 ( )
1 10 100 1000100
1000
10000
Ta= −40°C
Ta=25°CTa=125°C
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
IC/IB=20/1
BA
SE
SA
TU
RA
TIO
N V
OLT
AG
E :
VB
E(s
at) (m
V)
Fig.10 ベース・エミッタ間飽和電圧 -コレクタ電流特性 ( )
1 10 100 1000100
1000
10000
Ta= −40°C
Ta=25°CTa=125°C
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
IC/IB=50/1
BA
SE
SA
TU
RA
TIO
N V
OLT
AG
E :
VB
E(s
at) (m
V)
Fig.11 利得帯域幅積ーエミッタ電流特性
1 10 1001
10000Ta=25°Cf=50MHzIE=0A
EMITTER CURRENT : IE (mA)
TR
AN
SIT
ION
FR
EQ
UE
NC
Y :
fT (M
Hz)
Fig.12 コレクタ出力容量 ーコレクタ・ベース間電圧特性 エミッタ入力容量 ー エミッタ・ベース間電圧特性
1 10 1000.1
1
10
100Ta=25°Cf=1MHzIE=0A
CO
LLE
CT
OR
OU
TP
UT
CA
PA
CIT
AN
CE
: C
ob (
pF)
EM
ITT
ER
IN
PU
T C
AP
AC
ITA
NC
E :
Cib
(pF
)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V) EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB (V)
0.1 1 100.1
1
100
10
Ta= 25°C
Ron測定回路はFig.15を参照
ON
RE
SIS
TA
NC
E :
Ron
(Ω
)
0.01 100
Fig.13 出力オン抵抗 ーベース電流特性 ( )
BASE CURRENT : IB (mA)
0.01 0.1 1 100100.1
1
100
10
Ta= 25°C
Ron測定回路はFig.16を参照
ON
RE
SIS
TA
NC
E :
Ron
(Ω
)
Fig.14 出力オン抵抗 ーベース電流特性 ( )
BASE CURRENT : IB (mA)
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Ron 測定回路図
Ron= ×RLv0
v0
vi−v0
RL=1kΩ
IB
出力入力
100mV(rms)1V(rms)f=1kHz
Vi V
Fig.15 Ron測定回路 ( )
Ron= ×RLv0
v0
vi−v0
RL=1kΩ
IB
出力入力
100mV(rms)1V(rms)f=1kHz
Vi V
Fig.16 Ron測定回路 ( ) 本製品は、帯電性の大きな環境では素子の劣化・破壊の恐れがありますので、取り扱いには必ず静電対策を講じてください。
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