Transcript
Page 1: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

3. Bipolární tranzistory

Prof. Ing. Pavel Bezoušek, CSc

Page 2: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistorSoučástka se třemi elektrodami:

emitor, báze, kolektor

P

P

N

Emitor

Kolektor

Báze

E

K

B

Stuktura PNP

Schématická značka

Emitor

Kolektor

BázeP

N

NE

K

B

Stuktura NPN

Schématická značka

Page 3: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Funkce tranzistoru NPN

Emitor KolektorBáze

vyprázd. oblast

x

n, p

pE

nB

pC

pC0nBpBB IIII

nC0nCC III

D

B

L

lnEI

nCnBnEE IIII

D

B

L

l1InE

N++ P+ N

E

B

C

+ 0,7 V + 5 V

UBE UCB

IB

ICIE

InCInB

InE

IpBIpC0

InC0délka báze

difuzní délka

Page 4: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Funkce tranzistoru NPN

nC0pC0 II

pC0nBB III

D

B

L

lEnB

nCnBE

II

III

5 rovnic pro 6 neznámých:

IE, IB, IC, InB, InC, UBE

nC0nCC III

1

U

UexpII

T

BEnE0E

Lze tedy vyjádřit 1 neznámou pomocí ostatních.

Následující vztah tuto závislost popisuje:

nC0pC0BC III

1

I

D

B

D

B

Ll

Ll

nC0BC III 1ββ

Page 5: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Základní parametry tranzistoru• Vztah mezi IC a IB lze upravit takto:

IC = (UCE,T).IB + (+1).ICB0(UCB,T)

(Přitom závislost i ICB0 na napětí je jen velmi malá.)

• Veličina (~ 10 až 500) se nazývá:

proudový zesilovací činitel při společném emitoru. Současně platí:

• Veličina ICB0 (~ 0,1 – 100 A) se nazývá: zbytkový proud kolektoru.

• Zavádí se ještě proudový zesilovací činitel při společné bázi:

.konstUCE B

C

ΔIΔI

β

1.

konstU

I

ICB

E

C

Page 6: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Aplikace tranzistoru

• Zesilování signálu:– Zesilovače slabého signálu (lineární operace)– Výkonové zesilovače (částečně nelineární operace)– Oscilátory (podstatně nelineární operace)

• Spínání signálu (nelineární operace):– Spínače a vypínače velkých proudů – Generátory impulzů– Logické obvody

Page 7: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Model tranzistoru NPN(Ebers – Moll)

CEB

T

CB

NI

CB0

T

EB

NI

EB0NC

T

CB

NI

CB0I

T

EB

NI

EB0E

III

1U

Uexp

αα1

I1

U

Uexp

αα1

IαI

1U

Uexp

αα1

Iα1

U

Uexp

αα1

II

IICD NIED

IEDICD

UEB

UCB

E CIE

B IB

IC

Page 8: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Tranzistorové zesilovače• Typy zapojení zesilovače:

– Se společným emitorem (SE, CE, E)– Se společnou bází (SB, CB, B)– Se společným kolektorem (SK, CC, C)

UBE UCEIE

IC

SE

IB

UEB UCB

IE IC

SB

UBC

UEC

IE´

SK

IB

IC

Page 9: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Zesilovač se společným emitoremStatické vlastnosti

mV25,9e

kTU

α1

αβI1ββII

αα1

U

Uexp

αα1

Iα1I

TN

NCB0BC

NI

CB0I

T

BE

NI

EB0NB

,,

1

UBE

UCE

IE

IC

IB

Po úpravě rovnic Ebers-Mollova modelu dostaneme:

Zapojení:

je tzv. proudový zesilovací činitel v zapojení SE

Page 10: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Zesilovač se společným emitoremStatické charakteristiky

Kolektorové charakteristiky

UCE

ICIB = 0,5 mA

0,2 mA

0,3mA

0,4mA

0,1 mA

Mezní přímka

Převodní charakteristiky

IC

IB

IB

IC

= IC/ IB

Různé UCE

Page 11: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Zesilovač se společným emitoremStatické parametry

• Proudový zisk: IC/IB - = - N/(1-N) -100 až - 300

• Vstupní vodivost: IB/UBE gvst IB/UT 10-3 až 10-2 S

• Výstupní vodivost: IC/UCE gvýst IB. /UCE 10-5 S

• Výkonový zisk: G 2gvst/gvýst 106

Page 12: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Zesilovač se společným emitoremAplikace

Univerzální zesilovač:

• Zesilovač proudu: GI = |IC/IB | = 100

až 300

• Zesilovač napětí: GU = |UCE/UBE | .RC.gvst 103

• Invertor (měnič polarity napětí)

• Výkonový zesilovač

UBE

UCE

IE

IC

IB

UCC

RC

Page 13: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Zesilovač se společným emitoremAplikace

Nízkofrekvenční zesilovač:

(zesilovač střídavých napětí a proudů)

• RCB a RBE udržují konstantní napětí na bázi UB = UCC.RCB/(RCB+RBE)

• RE zajišťuje konstantní proud IE = = (UB-UBE)/RE

• CIN, COUT oddělují vstupní a výstupní obvody (CINh11 1/fmin, COUTRC 1/fmin)

• CE blokuje odpor RE pro zesilovaný signál (CERE 1/fmin)

UIN

UOUTIE

IC

IB

UCC

RC

COUT

CIN

RCB

CERE

UBE

RBE

Page 14: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Zesilovače nízkého výkonuPokud je rozkmit napětí a proudu malý, lze vztahy mezi

proudy IC, IE, IB a napětími UCE, UBE, UCB linearizovat:

CC0CBB0B

CECE

CE0BE0CBE

BE

CE0BE0CC0C

CECE

CE0BE0BBE

BE

CE0BE0BB0B

ΔIII,ΔIII

ΔUU

U,UIΔU

U

U,UIII

ΔUU

U,UIΔU

U

U,UIII

Nebo:

IB = y11 UBE + y12 UCE

IC = y21 UBE + y22 UCE

A pomocí admitanční matice Y:

I = Y. U, Y yik

I [IB, IC]T, U [UBE, UCE]T

Page 15: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Zesilovače nízkého výkonuJiné matice

Kromě admitanční matice se používají u tranzistorů také tzv. hybridní matice:

CE

CEBC22

B

CEBC21

CE

CEBBE12

B

CEBBE11

U

U,IIh,

I

U,IIh

U

U,IUh,

I

U,IUh

UB = h11 IB + h12 UCE

IC = h21 IB + h22 UCE

V maticové formě: Hybridní matice:

CE

B

2221

1211

C

BE

ΔU

ΔI

hh

hh

ΔI

ΔU

2221

1211

hh

hh

Page 16: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Zesilovače se společnou bází

Zapojení:

CB0ENC

NI

CB0I

T

EB

NI

EB0E

IIαI

αα1

U

Uexp

αα1

II

Úpravou Ebers- Mollova modelu dostaneme vztahy pro hledané veličiny:

UEB UCB

IEIC

Page 17: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Zesilovače se společnou bázíStatické charakteristiky

Proudový zisk: = IC/IE +1

Vstupní vodivost: gvst = IE/UEB IE/UT 10-2 až 10-1 S

Výstupní vodivost: gvýst = IC/UEB IEN/UEB 10-5 S

Výkonový zisk: G 2gvst/gvst 100 až 200

Aplikace

• Vstupní stupně vf zesilovačů

• Zesilovače s nízkou vstupní impedancí

Page 18: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Zesilovače se společným kolektorem

N

NCB0BE

EB0

ENITBCEC

α1

αβI1βIβI

I

Iαα1lnUUU

,1

Zapojení:

Vstupní veličiny: UBC, IB

Výstupní veličiny: UEC, IE

Často nahrazujeme veličinami:

UIN = UCC + UBC; IB

UZ = UCC + UEC; IE

Ebers – Moll po úpravě:

UCC

UBC

UEC

IE

IB

IC

RZUZ

UIN

Page 19: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Zesilovače se společným kolektoremParamettry a aplikace

• Koncové stupně zesilovačů

• Výstupní obvody pro napájení zátěží

• Oddělovací členy

Proudový zisk: IE´/IB C = + ( + 1) + 100

Vstupní vodivost: IB/UBC gvst 1/( + 1)RZ

Výstupní vodivost: IC/UCE gvýst IB. /UCE 10-5 S

Výkonový zisk: G (+1)2gvýst/gvst 100

Statické parametry:

Aplikace:

Page 20: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Porovnání statických parametrů zesilovačů

Parametr SB SE SC

vstup. impedance 10 - 100 100 - 1 000 ( + 1)RZ

výstup. impedance

1 000 k - 1 M 10 k - 100 k 100 - 1 k

proudové zesílení 0,95 - 0,99 20 - 200 +1 20 - 200

napěťové zesílení 10 - 100 10 - 300 0,9 - 0.99

výkonové zesílení 10 - 100 100 - 2 000 10 - 200

mezní kmitočet f vysoký f

nízký f

fáz.posun proudu 0 0 180

fáz.posun napětí 0 180 0

zbytkový proud ICB0 0,1 - 10 A 10 A - 1 mA 10 A - 1 mA

saturační napětí 0,1 V 0, 5 V 0,3 V

Page 21: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Dynamické vlastnosti tranzistorůPři rychlých změnách napětí a proudů

pozorujeme, že se změny kolektorového proudu iC zpožďují za změnami emitorového

proudu iE.

Příčiny zpoždění:

celk = e + b + d + c

nabití difúzní

kapacity emitoru

transport bází transport

vyprázd. oblastí

nabití kapacity kolektoru

Page 22: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Dynamické vlastnosti tranzistorů

celk

0

jω1

To způsobí změnu zejména v koeficientu :

kde 0 je nízkofrekvenční (statická) hodnota veličiny

Pro veličinu lze pak napsat vztah:

0

0

0

0

0

0

111

1

1

1

T

celk

celk

celk

ff

jjj

j

Page 23: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Dynamické vlastnosti tranzistorů

• fT = 1/(2celk) … je tzv. tranzitní kmitočet, daný celkovou dobou tranzitu nosičů přes tranzistor

• f = fT/0 … je tzv. mezní kmitočetproudového zisku

Na vysokých kmitočtech f >> f platí přibližně:

f

fj

jf

f

ff

j

T

00 nezávisí na 0 alepouze na poměru fT/f

Page 24: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Dynamické vlastnosti tranzistorů

log0|

f

log|

fTf

0

celkcelkT ff

02

1,

2

1

Kvalitní vf tranzistor má:

• Malý odpor báze (vysoká dotace, malé 0)

• Malou difúzní kapacitu CBE

(heteropřechody)

• Krátká doba průchodu bází (nehomogenní dotace báze)

Page 25: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Šumový model tranzistoruNa velmi nízkých úrovních signálu se uplatní také vlastní šum

tranzistorů.

r´bb

rbc

Cbc

rc

rbj

išbCbj

ro

re

Cce

ic

B

E

C

uše

ušbušc

išc

išb, išc výstřelový šum přechodů BE a CB

ušb, uše, ušc tepelný šum

odporů kontaktů

Page 26: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Výkonové aplikace tranzistorůzapojení SE

UBE

UCE

IE

IC

IB

UCC

RC

UCE = UCC – RCIC

UCE < UCmax, UCE.ICPmax

UCE

ICIB = 10 mA

4 mA

6 mA

8 mA

2 mA

UCC

U = UCmax

P = Pmax

Zatěžovací přímka

Page 27: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Výkonové aplikace tranzistorůTřída A

• Úhel otevření 360

• Kolektorový proudprotéká po celouperiodu

• Malé zkreslení

• Nízká účinnost

• Vhodné pro malé astřední výstupnívýkony

Třída A

IC

UBE

Převodní charakteristika

UB0

IC0

Pracovní bod

Page 28: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Výkonové aplikace tranzistorůTřída A

• Dobrá linearita

• Nízká účinnost celk = Pnf/Pcelk 25%:

0,25

2

ΔIU

ΔIU

8

1

IU

ΔIΔU81

P

CCC

CCC

C0CC

CCE

celk

11

• Pnf je výkon všech harmonických kromě ss složky

• P1 je výkon 1. harm. složky

• Vhodné pro zesilovače nižšího a středního výkonu

IC

UB

UB0

IC0 IC

UB

Vstupní signál

Výstupní signál

Převodní charakteristika

Page 29: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Výkonové aplikace tranzistorůTřída B

• Úhel otevření je jen 180

• Kolektorový proud protékájen v jedné poloviněperiody

• Tranzistor pracuje v nelineární oblasti

• Velké zkreslení

• Lepší účinnost

• Vhodné pro střední a vyššívýstupní výkony

Třída B

IC

UB

Převodní charakteristika

Pracovní bod

UCE

Page 30: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Výkonové aplikace tranzistorůTřída B

• Pracovní bod: IC0 = 0, UB0 0

• Bez vstupního signálu tranzistorem neteče proud

• Značná nelinearita

• Vyšší účinnost celk 70 %:

0,39

πΔI

U

ΔIU

8

1

IU

ΔIΔU81

P

CCC

CCC

C0CC

CCE

celk

11

• Vhodné pro zesilovače středního a velkého výkonu

• Nelinearitu je nutno kompenzovat (např. dvojčinným zapojením)

IC

UB0

IC

Výstupní signál

Převodní charakteristika

UB

Page 31: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Výkonové aplikace tranzistorůTřída B – kompenzace nelinearity

RE

RC1 RC2

Cin1

Cin2

Cout2

Cout1

Uout

Uin

T1 T2

UCC

UC1

UC2

+ UCC

UC1UC1 UC2 UC2

Uin

t

t

+ UCC

-UCC

Uout

t

DVOJČINNÉ ZAPOJENÍ

Page 32: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Výkonové aplikace tranzistorůTřída C

• Úhel otevření je menší,než 180

• Pracovní bod leží ještěpřed začátkemcharakteristiky

• Velké zkreslení – obvyklenutno kompenzovat

• Dobrá účinnost

• Vhodné pro vysokévýstupní výkony

Třída C

IC

UB

Převodní charakteristika

Pracovní bod

UCE

Page 33: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Výkonové aplikace tranzistorůTřída C

• Pracovní bod: IC0 = 0, UB0 0

• Při nízkých výkonech zesilovač nezesiluje

• Velmi silná nelinearita

• Vysoká účinnost celk 90 %:

0,5

T

τΔIU

T

τΔIU

2

1

IU

ΔIΔU4

1

P

CCC

CCC

C0CC

CCE

celk

11

• Vhodné pro vf zesilovače velkého ale definovaného výkonu

IC

UB0

IC

Výstupní signál

Převodní charakteristika

UB

Page 34: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Tranzistor jako spínač

zatěžovací přímka

UCE

IC

Usat

Izbyt

sepnutý stav

rozepnutý stav

Důležité parametry spínače:

• Saturační napětí Usat (< 1 V)

• Zbytkový proud IC0 (...A)

• Max. kolektorový proud ICmax

• Max. kolektorové napětí UCmax

Page 35: ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 3. Bipolární tranzistory

Skutečné provedení tranzistorů

C E B

N

P

N++

Řez planárním tranzistorem

SiO2

200 m

Kovarová podložka

1 m

C

E B

N N++

B

Řez výkonovým tranzistorem

P E

B

C

E

B

Topologie planárního tranzistoru

Topologie výkonového tranzistoru


Top Related