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1Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Tema 1.5.1.- Disipación de temperaturaen semiconductores: Radiadores de calor
Desarrollo y Construcciónde Prototipos Electrónicos
U.D. 1.5.- Elementos complementarios de circuitos
IntroducciónEn un dispositivo semiconductor la circulación de corriente el!ctrica produce una perdida
de ener"#a $ue se trans%orma en calor. El calor produce un aumento de temperatura en el dispositivo
semiconductor y si este aumento es incontrolado inicialmente se pueden dar dos situaciones:1. Reducción de la vida &til del componente.'a vida media de un semiconductor se ci%ra en unas 1((.((( )oras *unos 1+ a,os de
%uncionamiento ininterrumpido y al"unos %aricantes lle"an a a%irmar $ue la vida &til de unsemiconductor se reduce a la mitad por cada 1( /C de elevación de temperatura sore la especi%icadaen sus valores m0imos asolutos.+. Destrucción del dispositivo.
2i el semiconductor se caliente )asta alcan3ar o superar la m0ima temperatura de la uniónespeci%icada por el %aricante provocar0 la destrucción irreversile del mismo.
Conclusiones:1 El estudio t!rmico de los dispositivos en potencias medias y elevadas resulta %undamental para unóptimo rendimiento de los mismos.+ En electrónica de potencia la re%ri"eración tiene un papel important#simo para optimi3ar el%uncionamiento y alar"ar lo m0s posile la vida &til del semiconductor.
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+Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Es evidente $ue la capacidad de evacuación de calor al medio amiente variar0 se"&n el tipode c0psula pero en cual$uier caso ser0 demasiado pe$ue,a por lo $ue ser0 necesaria una ayudaadicional para trans%erir el calor mediante un dispositivo denominado re%ri"erador *)eatsin4sradiador o disipador de calor $ue presente un mayor volumen y super%icie actuando de puente entre lac0psula y el medio amiente para evacuar el calor.
En la tala se resumen las tres %ormas 0sicas de transmisión de calor desde un %ococalor#%ico al espacio $ue lo rodea.
C6DUCCI76
2e trata del principal medio de trans%erencia de calor y se asa en la trans%erencia de ener"#acin!tica entre mol!culas es decir se transmite por el interior del cuerpo mediante circulación decalor. 'a tendencia ser0 conse"uir una temperatura estale en todos los puntos del cuerpomomento en el $ue la cantidad de calor $ue atraviesa el cuerpo ser0 m0ima. En este tipo detransmisión de calor es %undamental tener en cuenta la conductividad t!rmica de cada sustancia.
C68ECCI76
Consiste en transmitir el calor de un sólido mediante la circulación de un %luido $ue lo transporte aotro lu"ar. 2i el proceso se reali3a de %orma natural se denomina convección natural y si lacirculación del %luido es provocada se denomina convección %or3ada.
R9DI9CI76
Cual$uier cuerpo $ue est! a una temperatura por encima de cero "rados elvin emite calor mediante emisiones electroma"n!ticas. 'a emisión depende del estado de la super%icie siendo lasmate m0s %avorales $ue las p0lidas y el color ne"ro tiene el mayor poder de radiación ra3ón $ue
;usti%ica el enne"recimiento de los radiadores de calor.
En lo re%erente a disipación de temperatura en semiconductores tan solo se tienen encuenta las dos primeras dado $ue la transmisión por radiación es despreciale a las temperaturasen $ue se va a traa;ar.
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'a c0psula de un dispositivo semiconductor no es su%iciente para disipar el eceso de temperatura $uese "enera en la unión.Para $ue un semiconductor disipe la potencia "enerada es imprescindile mantener la temperatura dela unión por dea;o del valor m0imo dado por el %aricante por lo $ue si esta aumenta paramantenerla a un nivel se"uro deemos evacuar al eterior la ener"#a calor#%ica $ue se "enera en launión.2iempre $ue eista una di%erencia de temperatura entre dos puntos se producir0 un %lu;o de ener"#acalor#%ica del punto m0s caliente al m0s %r#o aun$ue eisten %actores $ue di%icultan el paso de ener"#a y$ue se denominan resistencias t!rmicas.aciendo un s#mil con la ley de )m podemos estalecer un circuito t!rmico en el $ue lastemperaturas las aseme;amos a las tensiones las resistencias el!ctricas a las resistencias t!rmicas yle %lu;o de ener"#a calor#%ica a una corriente el!ctrica. En la %i"ura vemos es$uemati3ado lo dic)oanteriormente.
Circuito t!rmico
FdaF ;c Fcd
Donde:T;GTemperatura de la unión del semiconductorH TaGTemperatura amienteHTcGTemperatura de la capsula del semiconductorH TdGTemperatura del disipadorHPDGPotencia disipada en el semiconductorH F;cGResistencia t!rmica entre la unión y lacapsulaH FcdGResistencia t!rmica entre capsula y disipadorH y FdaGResistencia t!rmica
entre el disipador y el amiente.
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5/625Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Por similitud con el circuito el!ctrico podemos decir $ue:Circuito t!rmico
T j−T a= P D⋅θ ja
2ustituyendo y despe;ando: P D= T j−T a
θ jcθ cd θ da
'a resistencia t!rmica se de%ine como elcociente entre la variación de temperatura entre dospuntos y la potencia $ue pasa entre ellos. 2e mide en/C= o = y como )emos indicado se representa conla letra "rie"a T)eta *F.
Para el estudio detallado de las resistencias
t!rmicas vamos a tomar como ase el e;emplo $ueaparece en el 9P'IC9TI6 JU''ETI6 2J9(+1 dea"osto de 1+ de la %irma JURR-JR6 reali3ado poruert Jia"i. 2e trata del circuito de la %i"ura en el $uese reali3a un estudio as0ndose en un modelo t!rmicopara encapsulado T(
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Resistencias t!rmicas
Unidades K 9'T9 PTE6CI9 J9L9 PTE6CI9
Potencias M 1(( 1( 1( 1
T ; /C 1> .+ 15> +.+ 1 .
Fcd /C= (.1+ (.1+ (. (.
Td /C 55 +N 15
Fda /C= (.< (.< 1+ 1+Ta /C +5 +5 +5 +5
El c0lculo de un circuito como el anterior arro;a los datos de la tala $ue con posterioridad veremoscomo otenerlos.
Es$uema para un monta;econ encapsulado T++(.
R i t i t! i R i t i ió l F;
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7/62>Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Resistencias t!rmicas: Resistencia unión-capsula F;c
Es la resistencia t!rmica entre la unión del cristal semiconductor y la c0psula en la $ue sealo;a el dispositivo. El calor "enerado en la unión dee pasar desde este punto al eterior.
Oeneralmente es un dato $ue suministra el %aricante y en cual$uier caso depende del tipo dec0psula empleada en su %aricación.
Eteriormente no se puede variar o in%luir en dic)o valor. Puesto $ue los semiconductores
tienen di%erentes encapsulados es posile otener di%erentes resistencias t!rmicas entre la unión y lac0psula. En la tala si"uiente y a titulo orientativo se muestran al"unas resistencias t!rmicas t#picas.
Encapsulado 2 ;c */C=
T(-5 a +((
T(++(................ 1> a 5
'os %aricantes suministran este dato de %orma eplicita o de %orma impl#cita con datos $uepermiten su calculo o ien de %orma indirecta mediante curvas.
En cual$uier caso los datos $ue suministran los %aricantes no son independientes y serelacionan entre s#.'os datos asociados son: A Potencia $ue puede disipar el dispositivo A 0ima T; permitida A Resistencia t!rmica A Temperatura para la $ue se especi%ican los datos anteriores.
R i t i t! i R i t i ió l F;
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8/62NTema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Resistencias t!rmicas: Resistencia unión-capsula F;c
E;emplo:8amos a utili3ar las )o;as de datos de distintos %aricantes de un mismo dispositivo
semiconductor para ver en $ue %orma nos suministran los datos antes citados. En concreto vamos aanali3ar los transistores JD1
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9/62Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Resistencias t!rmicas: Resistencia unión-capsula F;c
En la )o;a de caracter#sticas de la %irma PI'IP2 2EIC6DUCTR2* dentro devalores l#mite leemos:
2ymol P9R9ETER C6DITI62 9S. U6IT
Ptot Total poer Dissipation *Tm ≤ >( /C N
T ; Luntion Temperature 15( /C
Este %aricante suministra los si"uientes datos t!rmicos:
Rt) ;-a
*Resistencia t!rmica unión - amiente G 1(( =
Rt) ;-m
*Resistencia t!rmica unión - ase de monta;e G 1( =
El %aricante 2T suministra los si"uientes datos:
2ymol Parameter 8alue Units
Ptot Total Dissipation at Tc ≤ +5 /C 1+5
Ptot Total Dissipation at Tam ≤ +5 /C 1+5
T ; a. peratin" Luntion Temperature 15( /C
Este %aricante suministra los si"uientes datos t!rmicos:R
t) ;-case *Resistencia t!rmica unión - capsula G 1( /C=
8amos a ver como todos los datos nos permiten lle"ar a las mismas conclusiones. 2i el circuitot!rmico lo %orman el encapsulado y la unión semiconductora aplicando la similitud con el circuitoel!ctrico podemos poner:
P D=T j−T c
θ jc
; P D=T j−T a
θ ja
Resistencias t!rmicas: Resistencia unión capsula F;c
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10/621(Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Resistencias t!rmicas: Resistencia unión-capsula F;c
B9JRIC96TE D9T2 2UI6I2TR9D2 D9T2 C9'CU'9D2
B9IRC'D Pc*T
cG+5 /C-1+5
Pc*T
aG+5 /C-1+5
T ;G15( /C
θ jc=T j−T c
P D=
150−2512.5
=10 ºC /W
θ ja=T j−T a
P D=
150−25
1.25
=100 ºC /W
6 2emiconductor PD*T
cG+5 /C-1+5
PD*T
9G+5 /C-1+5
T ;G15( /C
2 ;c
G1( /C=
2 ;a
G1(( /C=
2uministra todos los datos de %ormaeplicita
P)ilips Ptot
*Tm
≤>( /C - N
T ;G15( /C
2 ;c
G1( =
2 ;a
G1(( =
P D=T j−T c
θ jc=
150−7010
=8W
P D=T j−T a
θ ja=
150−70
100=0.8W
2T Ptot
*Tc≤+5 /C - 1+5
Ptot
*Ta≤+5 /C - 1+5
T ;G15( /C
2 ;c
G1( /C=
θ ja=T j−T a
P D=
150−251,25
=100 ºC /W
Resistencias t!rmicas: Resistencia unión-c0psula F;c
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11/6211Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Resistencias t!rmicas: Resistencia unión-c0psula F;c
8emos $ue P)ilips suministra los datos en dos escalas de temperatura. 8amos a reali3ar losc0lculos pertinentes para ver la potencia disipada a +5 /C de temperatura de c0psula y amiente.
Para poder e%ectuar el c0lculo y tener unidades con"ruentes deemos pasar las temperaturasa la escala elvin.
15( /C G 15( - +>
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12/621+Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Resistencias t!rmicas: Resistencia unión-c0psula F ;c
20.0
P
(W),POW
ERDISSIPATION
10.0
T (°C), CASE TEMPERATURE
125
C 2.5
00.0
25
C
5.0
7.5
7550 100 150 175
17.5
12.5
15.0Powe De!"#$%
En al"unas ocasiones los %aricantes nos dar0n este dato en%orma anal#tica indicando el %actor de reducción de potenciapara temperaturas superiores a la indicada para los datossuministrados.En el e;emplo $ue nos ocupa 6 2emiconductor nos indica$ue el mar"en de reducción *Derate 9ove es de 1( m=/Cpara una PD G 1+5 dado a una Ta G +5 /C y de 1(( m=/Cpara una PD G 1+5 dado a una Tc G +5 /C.Este dato nos va a permitir otener la potencia $ue puededisipar nuestro semiconductor a una temperatura di%erente ala especi%icada.E;emplo: Calcular la potencia $ue puede disipar el transistordel e;emplo anterior a una temperatura de >( /C en la
c0psula a partir de los datos indicados de un %actor dereducción de 1(( m=/C.Podemos decir $ue la potencia se va a reducir en un valordado por:
70−25 ºC ⋅100 mW
1 ºC = 4500 mW = 4.5 W T c=70 ºC P 70=12.5−4.5=8W
La potencia P D indicada en los casos anteriores es la dada por el fabricante (normalmente a una temperatura
de 25ºC de cápsula o ambiental ! no es la potencia "ue disipará el dispositi#o semiconductor en un circuitoconcreto$
E;emplos propuestostener los datos de m0ima disipación de potencia T; y t!rmicos de las )o;as de datos de distintos%aricantes para los transistores +6
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14/621Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Resistencias t!rmicas: Resistencia c0psula disipador Fcd
En el monta;e del componente la m#nima %uer3a re$uerida para un uen contacto t!rmico var#a se"&n eltipo de enc0psulado. 'a resistencia t!rmica de contacto se reduce al incrementar la %uer3a de contactopero no si"ue una %unción proporcional como vemos en la %i"ura.
1&0
Co$"!'"o 'o$ !#!$"e e*'"#'o (+#'!)
Co$"!'"o 'o$ %!! "*+#'! (##'o$!)
Co$"!'"o e$ e'o
Re
#
"e$'
#!"*+#'!,
e'
o$"!'"o(°C
-W)
120100
1
2
.0&0200
0
/e! ,e 'o$"!'"o (N)
80
7
.
8
5
&
3
2001.0 180
Resistencias t!rmicas: Resistencia c0psula - disipador Fd
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Resistencias t!rmicas: Resistencia c0psula disipador Fcd
Entre las dos super%icies eisten muc)os puntos de contacto pero no una super%icie de contactocomo vemos en la %i"ura de manera $ue es conveniente considerar:
W El uso de silicona $ue rellene los intersticios de aireW 'a limpie3a de las super%icies.
C!2( 0) !
D # (# 2! ,o
P!" #' 0)! ,e( 0 '# e,! ,
I$" e( "#' #o ,e! #e
Deemos procurar $ue la resistencia entre la c0psula y el disipador sea lo m0s reducida posile a %inde %acilitar la circulación del calor. Para conse"uir este %in adem0s de reali3ar una correcta selección
del monta;e adecuado deemos tener en cuenta los si"uientes %actores:a. antener las super%icies tan lisas y planas como sea posile.. antener la 3ona de contacto entre amas tan "rande como sea posile.c. 'os pasadores tornillos o pernos usados para su;etar el semiconductor al re%ri"erador se deen
apretar adecuadamente tanto como sea posile sin deteriorar los elementos y se"&n el par de aprieterecomendado por el %aricante.
Resistencias t!rmicas: Resistencia c0psula - disipador Fd
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1@Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Resistencias t!rmicas: Resistencia c0psula disipador Fcd
En la tala se dan los valores t#picos de resistencia t!rmica c0psula-disipador para los principalesencapsulados se"&n los elementos empleados en el monta;e.
Bormas de contacto
C0psula DirectoDirecto m0s
siliconaDirecto m0s mica
Directo m0s micam0s silicona
T(< (+5 /C= (1+ /C= (N( /C= (( /C=
T(
( /C= A A
T(( /C= +.( /C= 15( /C=
Resistencias t!rmicas: Resistencia c0psula - disipador Fcd
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1>Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
p p cdBormas de contacto
C0psula DirectoDirecto m0s
siliconaDirecto m0s mica
Directo m0s micam0s silicona
T(5 1+( /C= (>( /C= A A
T(@@ 11( /C= (@5 /C= A A
T(1+@ 1( /C= 1.( /C= 1( /C= 1
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1NTema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
p p cd
En las talas podemos apreciar $ue el menor valor de resistencia t!rmica entre lac0psula y el disipador se da cuando eiste un contacto directo con pasta de silicona.
Este tipo de monta;e ser0 el ele"ido si no se re$uiere aislamiento el!ctrico entre lac0psula y el disipador.
En estas mismas circunstancias y si no es posile el uso de silicona lo m0sapropiado es el monta;e con contacto directo.
En el caso de ser imprescindile el aislamiento el!ctrico el monta;e m0s apropiadoes el $ue emplea mica y silicona.
El monta;e con solo mica solamente se emplea si se re$uiere poca disipación de
calor y un uen aislamiento el!ctrico.
Todos estos aspectos son decisivos a la )ora de seleccionar el sistema de monta;epuesto $ue cuanto m0s pe$ue,a sea la F
cd menor ser0 la super%icie de aleta re%ri"eradora
necesaria.
Resistencias t!rmicas: Resistencia del re%ri"erador Fdo Fda
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1Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
" d daRepresenta el paso por convección al aire del %lu;o de calor a trav!s del re%ri"erador. Este
dato una ve3 calculado nos suministra el valor incó"nita del re%ri"erador a emplear. 'os principales%actores de los $ue depende son:
a. Coe%iciente de trans%erencia por convección. Este par0metro depende de la cantidad de aire $uese mueva por la super%icie del disipador. 2e puede epulsar m0s calor si se %uer3a $ue el aire se mueva
por encima de la super%icie del radiador ya sea de %orma natural por su colocación vertical o de %orma%or3ada mediante el empleo de ventiladores.. tro %actor $ue a%ecta a esta resistencia es la emisividad. Un cuerpo ne"ro asore y emite calor
me;or $ue cual$uier otra sustancia. Es ló"ico entonces $ue los disipadores se construyan conmateriales $ue ten"an uena emisividad. 'a emisividad del cuerpo ne"ro est0ndar es 1. Por e;emplo laemisividad de la laca de cual$uier color est0 entre (N y (5 y la da la pintura "rasa de cual$uier colorentre (+ y (@. T!n"ase en cuenta $ue el t!rmino cuerpo ne"ro tiene poco $ue ver con el color ópticode un material. Cuerpos de cual$uier color pueden tener altas emisividades y ser considerados comocuerpos ne"ros. Por e;emplo el aluminio anodi3ado tiene una emisividad de (N independientementede su color óptico.
c. Un <imo %actor $ue determina esta resistencia es el 0rea del disipador y la proimidad alsemiconductor. Este motivo ori"ina la construcción de los disipadores a ase de aletas.
Resistencias t!rmicas: Resistencia unión - amiente F ;a
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+(Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
;
Esta resistencia t!rmica va a depender de la presencia o no de dispositivo re%ri"erador y de latemperatura amiental.
Cuando )alamos de resistencia t!rmica unión amiente sin disipador nos re%erimos a lasuma de resistencia entre la unión y la c0psula y la resistencia entre la c0psula y el amiente.
2e trata de un par0metro $ue especi%ican impl#cita o epl#citamente los %aricantes.
θ ja = θ jc θ caCuando )alamos de resistencia unión amiente con disipador nos re%erimos a la suma de
resistencias unión c0psula m0s c0psula disipador m0s la propia resistencia del disipador.
2e trata de un valor dependiente del tipo de disipador $ue usemos $ue ser0 un valor adeterminar y de la resistencia entre la c0psula y el disipador $ue depender0 del tipo de monta;e y delos par0metros anteriormente descritos.
θ ja = θ jc θ cd θ d
Bi;0ndonos en todos los %actores dados )asta a)ora es %0cil determinar el circuito e$uivalentede la %i"ura $ue aparece en el 9P'IC9TI6 JU''ETI6 2J9(+1 $ue vamos a simpli%icar al de la %i"ura
si"uiente $ue nos permite estalecer la ley de )m t!rmica y escriir la ecuación ad;unta.
'ey de )m t!rmica
FdaGFdF ;c Fcd
θ equivalente = θ ja = θ jc θ cd θ d
'ey de )m t!rmica
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+1Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
'a trans%erencia de calor en un sistema como el anterior vendr0 dada por:
P D = T j − T a
θ ja=
T j − T aθ jc θ cd θ d
6aturalmente la ecuación se estalece para el circuito t!rmico completo deiendo adaptarsela misma a las condiciones particulares en caso de %altar al"&n elemento.'a potencia $ue puede disipar un dispositivo en %unción de la temperatura de la c0psula ser0
la dada por la ecuación si"uiente $ue nos permitir0 calcular la Tc conocidas la potencia $ue dee
disipar y la F ;c cuando el dispositivo se monta sin disipador.
P D
= T j − T c
θ jc⇒ T
c = T
j− P
D⋅θ
jc [ sin disipador ]
2i le montamos un disipador podemos poner:
P D = T c − T a
θ cd θ d ⇒ T c = P D⋅θ cd θ d T a [CON disipador ]
De %orma similar a la anterior podemos otener la temperatura del disipador a partir deal"una de las ecuaciones si"uientes:
T d = P D⋅θ d T aT d = T c− P D⋅θ cd
Temperaturas e im0"enes t!rmicas
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++Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
En nuestro circuito t!rmico intervienen cuatro temperaturas caracter#sticas se"&n los puntosdestacales del circuito y $ue anali3amos se"uidamente.
Temperaturas e im0"enes t!rmicas: Temperatura de la unión T ;
El valor m0imo de temperatura de la unión es un dato $ue deen suministrar los %aricantes
y es a$uel valor al $ue no deemos lle"ar o sorepasar para no deteriorar el dispositivo. 2uelenespeci%icarlo como T ;ma o ien con el mar"en de temperatura de traa;o *operatin" temperature ran"e.
2i por cual$uier motivo no tenemos accesiilidad a este dato nos resultar0 &til la talasi"uiente en la $ue se dan los valores t#picos de distintos dispositivos semiconductores %i"urandoresaltado el valor a emplear.
Dispositivo semiconductor Ran"o de T; en valores m0imos
Unión de Oermanio 1(( a 1+5 /CUnión de 2ilicio 15( a +(( /C
LBET 15( a 1>5 /C
2BET 1>5 a +(( /C
Diodos Xener 15( a 1>5 /C
Diodos Unión 15( a +(( /C
ULT 1(( a 1+5 /C
Tiristores 1(( a 1+5 /C
Deemos distin"uir entre la temperatura m0ima de unión permitida para un determinaddispositivo semiconductor y la temperatura de unión a la $ue pretendemos $ue traa;e dic)o dispositivy $ue ló"icamente siempre deer0 ser menor.
Temperaturas e im0"enes t!rmicas: Temperatura de la unión T ;
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+(Z de la m0ima.
'e asi"naremos valores a [4[ se"&n el mar"en de se"uridad $ue pretendamos y lascondiciones $ue estale3camos.
8alor de 4 Condiciones de %uncionamiento
(5
\ 0imo mar"en de se"uridad.
\ Dise,os normales a temperaturas moderadas poco caliente.
\ ayor tama,o de re%ri"erador.
(@
\ Dise,os en los $ue se puede traa;ar con temperaturas medias.
\ Permite economi3ar con el tama,o y precio del re%ri"erador.
(>
\ 0imo ries"o para el semiconductor.
\ 0imo econom#a en disipador.
\ Ei"e $ue el re%ri"erador se sit&e en el eterior del e$uipo y en posiciónvertical. 2e puede me;orar la disipación si se emplean ca;as met0licas comoveremos se"uidamente.
Por tanto en nuestros c0lculos deemos modi%icar la temperatura de unión se"&n la ecuación:
T j = k ⋅T jma
Temperaturas e im0"enes t!rmicas: Temperatura de la unión T ;
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+Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
2i su;etamos el semiconductor al c)asis del e$uipo y este es met0lico puede proporcionaruna disipación adicional. Para tenerlo en cuenta en los c0lculos necesitamos conocer la resistenciat!rmica de las c)apas.
En el 0aco de la %i"ura vemos las curvas$ue nos permiten determinar la resistencia t!rmicade c)apas de aluminio montadas verticalmente en%unción de su espesor.
'os valores para c)apas de core sonentre un 1( y un 15 Z menores y para c)apas de)ierro o acero entre un 1( y un 15 Z mayores.
Temperaturas e im0"enes t!rmicas: Temperatura de la c0psula Tc
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+5Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
6o es un dato $ue se pueda suministrar en los manuales ya $ue depende de la potencia $ue deedisipar el dispositivo en un circuito concreto de las caracter#sticas y tipo de monta;e del disipador y de latemperatura amiente. 2er0 por tanto un %actor a calcular cuando cono3camos los datos citados.
Temperaturas e im0"enes t!rmicas: Temperatura del disipador Td6o va a resultar un dato relevante y lo podemos otener a partir de las ecuaciones
correspondientes. tendremos un valor de temperatura in%erior a la otenida para la c0psula.En condiciones normales y si )emos ele"ido convenientemente el %actor 4 la temperatura $ue
alcan3ar0n tanto la c0psula como el disipador ser0 tan elevada como para no poder tocarlos con las manos.Pero este etremo no es motivo de preocupación ya $ue )emos tomado las medidas necesarias para noalcan3ar el valor m0imo de T ;.
6o ostante si $ueremos disminuir la temperatura deemos recalcular una aleta de re%ri"eraciónm0s "rande.
Temperaturas e im0"enes t!rmicas: Temperatura amiente TaCuando )alamos de temperatura amiente re%erida a c0lculos t!rmicos sore un dispositivo
semiconductor no nos re%erimos a condiciones amientales del ser )umano o temperatura del medioamiente sino a la temperatura eistente en el entorno m0s cercano al disipador. Pensemos $ue eldispositivo va a ir montado en una ca;a $ue puede ser o no ser met0lica $ue puede disponer de m0s omenos ori%icios de re%ri"eración $ue el disipador se puede situar en el interior o en el eterior dele$uipo etc. De una %orma ló"ica deemos pensar $ue la temperatura en el entorno del dispositivo va a
depender de la temperatura amiental de la 3ona "eo"r0%ica donde se sit&e el e$uipo. 6os podemosencontrar con temperaturas etremas si )alamos de 3onas "eo"r0%icas como 9ndaluc#a u otra re"ióndel norte de 9lemania. El e$uipo se puede situar o no ;unto a una ventana un radiador de calorcual$uier m0$uina $ue "enere calor amiente poco ventilado etc.
Diremos como conclusión $ue a la )ora de ele"ir la temperatura amiente de c0lculo deemos ser"enerosos sore todo si no est0n per%ectamente claras las condiciones amientales donde va a
traa;ar el dispositivo etremo $ue suele ser el m0s normal.
Im0"enes t!rmicas6 l t l did d t t % t& d d t
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+@Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
6ormalmente las medidas de temperaturas se e%ect&an con sondas de pruea o termoparespero )oy d#a $ue los dispositivos son muc)o m0s pe$ue,os y comple;os disipando m0s potencia=cm+$ue las "eneraciones previas los re$uerimientos de los %aricantes a los in"enieros de dise,o )anllevado a estos a utili3ar las t!cnicas de im0"enes t!rmicas otenidas por in%rarro;os. Esta t!cnica demedida sin contacto permite medir la temperatura de cual$uier super%icie.
'as im0"enes t!rmicas son instrumentos $ue permiten otener con los instrumentosadecuados datos de temperatura en cada piel de la ima"en sin m0s $ue situar el cursor del ratónsore el piel correspondiente. 'as im0"enes pueden ser di"itali3adas almacenadas procesadasmanipuladas y ló"icamente impresas.
En la %i"ura vemos una ima"en t!rmica de una placa de circuito impreso donde se aprecianlas variaciones de la temperatura en distintas 3onas de la placa. 2e puede interpretar la temperatura en %unción de la "ama de colores y puede ser medida conla aparamenta correspondiente.
Im0"enes t!rmicasEl d ll d l t l # d d t ió i % ; it l l did d
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+>Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
El desarrollo de la tecnolo"#a de detección por in%rarro;os permite su empleo en la medida detemperatura tra3ado de mapas detección de incendios %orestales vi"ilancia de la tierra etc. Estatecnolo"#a se asa en la propiedad $ue tiene cual$uier cuerpo de irradiar ener"#a in%rarro;a cuando sutemperatura es superior a los ( /. 'a cantidad de ener"#a irradiada viene dada por:
! = e⋅ "⋅T 4 #atios⋅cm−2 Donde $
! = ener%ia irradiadae = emisividad
" = constante de "olt&man 5.67⋅10−12⋅W ⋅cm−2⋅ºK −4
En la %i"ura vemos la ima"en t!rmica reali3ada por la empresa Compi de unsemiconductor con encapsulado T(< y una mala disipación.
]rea de operación se"ura 29 *2a%e peratin" 9rea'a m0ima capacidad de traa;o de un transistor viene determinado por su ]rea de peración
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+NTema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
'a m0ima capacidad de traa;o de un transistor viene determinado por su ]rea de peración2e"ura *29. Esta caracter#stica la suministran los %aricantes en %orma "r0%ica re%le;ando la corrientede colector Ic como una %unción de la tensión 8CE Ic G % *8CE. En las %i"uras vemos las curvas 29 devarios transistores ipolares.
29 JD1
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+Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
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/C=.
29P+5
C0lculo del disipador Procedemos a)ora al calculo de temperaturas oteniendo:
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para monta;e )ori3ontal como el de la %i"ura con
Fd G @N /C= y una lon"itud de
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5 mm y una Fd G + /C=. 'astemperaturas ser0n:
29P+-1
T c= P D⋅θ cd θ d T a= 5⋅0.5225=37.5 ºC
T d = P D⋅θ d T a= 5⋅225=35 ºC
T j= P D⋅θ jcθ cd θ d T a= 5⋅50.5225=62.5 ºC
Para k =0.6 θ d = 0.6⋅125−25
5 −50.5=4.5 ºC /W
2i uscamos en el aneo 9 no encontramos un disipador $ue ten"a esta resistencia t!rmica por lo $uetenemos dos posiilidades:1 2eleccionar un disipador $ue se adapte al valor de resistencia t!rmica calculada de otro catalo"o
teniendo en cuenta las posiilidades de disponiilidad material del mismo si el %in <imo es montarel circuito y no solo e%ectuar c0lculos de pruea.
+ 2eleccionar un disipador con una resistencia t!rmica lo m0s parecida posile a la de calculoteniendo en cuenta $ue a menor resistencia de disipador menores ser0n las temperaturas. 2iesco"emos un disipador 29P
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1 /C=. Tenemos las si"uientes temperaturas:
21>T c= P D⋅θ cd θ d T a= 5⋅0.57.125=62.5 ºC
T d = P D⋅θ d T a=5⋅7.1
25
=60.5
ºC T j= P D⋅θ jcθ cd θ d T a= 5⋅50.57.125=88 ºC
onta;e directo m0s micaDe las talas vistas otenemos F
cd G 1. /C=.
Para k =0.5 θ d = 0.5⋅125−25
5
−51.4=1.1 ºC /W
De nuevo nos encontramos con la situación de no encontrar el per%il eactoal calculado. 2i seleccionamos el per%il 29P1-+ del aneo 9 $ue vemos enla %i"ura con una lon"itud de aleta de 1(( mm y F
d G 1 /C= tenemos las
temperaturas si"uientes:
29P1-+
T c= P D⋅θ cd θ d T a= 5⋅1.4125=37 ºC C0lculo del disipador
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Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
c D cd d a
T d = P D⋅θ d T a= 5⋅125=30 ºC
T j= P D⋅θ jcθ cd θ d T a= 5⋅51.4125=62 ºC
Para k =0.6 θ d = 0.6⋅125−255 −51.4=3.6 ºC /W
Podemos seleccionar en el aneo 9 un radiador 29P5 mm y una F
d G
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5 mm y Fd G 1< /C=. 'as temperaturas son:
29P++
T c= P D⋅θ cd θ d T a= 5⋅1.23.525=48.5 ºC
T d = P D⋅θ d T a= 5⋅3.525=42.5 ºC
T j= P D⋅θ jcθ cd θ d T a= 5⋅51.23.525=73.5 ºC
Para k =0.6 θ d = 0.6⋅125−25
5 −51.2=3.8 ºC /W
En el aneo 9 encontramos el per%il 29P
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(Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Tipo de montaje → θcd (ºC/W)2d Tc Td T j 2d Tc Td T j 2d Tc Td T j
DI!CT" → 0,# $,7 %7,5 %%,5 6&,5 ',& 50 '6 75 6,# 6% 5 ##
DI!CT" *I+IC"- → 0,5 & %7,5 %5 6&,5 ',& '#,5 '6 7%,5 7,$ 6&,5 60,5 ##
DI!CT" .IC- → $,' $ %7 %0 6& %,5 ',5 '&,5 7',5 5,5 5,5 5&,5 #',5DI!CT" .IC- *I+IC"- → $,& $,% %7,5 %$,5 6&,5 %,5 '#,5 '&,5 7%,5 5,5 5#,5 5&,5 #%,5
nidade ºC/W ºC ºC/W ºC ºC/W ºC
Conclusiones:2i no re$uerimos aislamiento el!ctrico el monta;e m0s %avorale resulta el directo con
silicona esco"iendo el valor de Fd en %unción de las ei"encias de temperatura.
2i se re$uiere aislamiento el!ctrico el monta;e m0s %avorale es el directo con mica ysilicona esco"iendo de nuevo el re%ri"erador en %unción de las ei"encias de temperatura.'os otros dos sistemas de monta;e arro;an datos de temperatura similares a los
anteriores pero con re%ri"eradores de menor resistencia t!rmica con lo $ue resultar0n m0scostosos.
En cual$uier caso deemos considerar $ue la potencia a disipar es a;a y $ue latemperatura considerada es la de especi%icación de datos de %aricante.
'a elección del per%il de disipador lo )emos e%ectuado sore cat0lo"o pero en lapr0ctica mandar0n los criterios de econom#a sin olvidar la se"uridad y disponiilidad del per%ilconcreto. emos seleccionado per%iles lo m0s cortos posile pero pr0cticamente los criteriosdepender0n tami!n del tama,o de la ca;a $ue va a contener el e$uipo y si se puede o no montarel re%ri"erador en el eterior del e$uipo. T!n"ase en cuenta $ue si el disipador va en el interior dela ca;a podemos considerar como temperatura amiente 5( /C sin ser demasiado ei"entes.
E;emplo +:fectuar los cálculos de las temperaturas de uni&n T ambiente T ! de capsula T para la
C0lculo del disipador
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1Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
fectuar los cálculos de las temperaturas de uni&n, T / , ambiente, T
d ! de capsula, T
c para la
tabla del 3PL4C3T40 67LLT4 .603+2) asumiendo "ue se monta un dispositi#o con
una 8 /c
9 +,: ºC;- en encapsulado T+ ! considerando una T a 9 25 ºC$ Para las aplicaciones
de alta potencia consideramos el sistema de monta/e directo < silicona ! para las
aplicaciones de ba/a potencia el monta/e directo < mica < silicona$ Para alta potencia seesco%e un radiador con 8
d 9 +, ºC;- ! para ba/a potencia 8
d 9 )2 ºC;- $
'(T' POT)NC*'$ 100W
T c= P D⋅θ cd θ d T a= 100⋅0.120.325= 67 ºC T d = P D⋅θ d T a= 100⋅0.325=55 ºC
T j= P D⋅θ jcθ cd θ d T a= 100⋅0.80.120.325=147 ºC
'(T' POT)NC*' $ 10W T c= P D⋅θ cd θ d T a= 10⋅0.120.325= 29.2 ºC
T d = P D⋅θ d T a= 10⋅0.325=28 ºC
T j= P D⋅θ jcθ cd θ d T a= 10⋅0.80.120.325=37.2 ºC
C0lculo del disipador "'+' POT)NC*'$ 10W
T = P ⋅θ θ T = 10⋅0 41225= 149 ºC
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+Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
T c= P D⋅θ cd θ d T a= 10⋅0.41225= 149 C
T d = P D⋅θ d T a= 10⋅1225=145 ºC
T j= P D⋅θ jcθ cd θ d T a= 10⋅0.80.41225=157 ºC
"'+' POT)NC*'$ 1W T c= P D⋅θ cd θ d T a= 1⋅0.41225= 37.4 ºC
T d = P D⋅θ d T a= 1⋅1225=37 ºC
T j= P D⋅θ jcθ cd θ d T a= 1⋅0.80.41225=38.2 ºC
Unidades K 9'T9 PTE6CI9 J9L9 PTE6CI9
Potencias M 1(( 1( 1( 1
T ; /C 1> .+ 15> +.+ 1 .
Fcd /C= (.1+ (.1+ (. (.
Td /C 55 +N 15
Fda /C= (.< (.< 1+ 1+
Ta /C +5 +5 +5 +5
servese la di%erenciade temperatura en launión para la mismapotencia y distintas
condiciones de monta;e.
Evidentemente la eleccióndel disipador para la
aplicación de 1( ena;a potencia no )a sido
la adecuada.
Reproducimos la tala con los datos otenidos $ue coincide eactamente con vista.
E;emplo
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? ncapsulado T+ 22+ con monta/e directo < silicona sin aislamiento el@ctrico$
? P D 9 5 -
? 8 /c
9 ºC;-
? T / máA
9 )5+ ºC
? T a máA
9 5+ ºC
8amos a ele"ir un valor de 4G(@ puesto $ue )emos determinado una Ta elevada y asumiendo $ue
vamos a traa;ar con temperatura elevadas para una potencia a disipar de 5 .De las talas otenemos F
cd G (5 /C= lue"o la resistencia t!rmica del disipador vendr0 dada por:
θ d = k ⋅T j−T a
P D−θ jcθ cd { Para k =0.6} θ d = 0.6⋅150−50
5 −30.5=4.5 ºC /W
T c= P D⋅θ cd θ d T a= 5⋅0.54.250=73.5 ºC
T d = P D⋅θ d T a= 5⋅4.250=71 ºC
T j= P D⋅θ jcθ cd θ d T a= 5⋅30.54.250=88.5 ºC
Ele"imos un disipador 29P
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Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Bamos a /ustificar mediante un e/emplo sencillo por "ue debemos de #alorar analticamente la
necesidad de refri%erador$
.upon%amos "ue de un transistor dado conocemos "ue puede disipar un máAimo de )) - para una
T c 925 ºC, T
/ maA 92++ ºC ! 8
/a95 ºC;-$ l transistor lo montamos en un circuito donde debe disipar E+ -
con un disipador de +, ºC;-, con 8 /c
9 ),5 ºC;- ! 8 cd
9 +,)2 ºC;-$
9 primera vista podr#amos pensar $ue con el mar"en de potencia disponile el transistor no correnin"&n ries"o pero la realidad es astante di%erente.'a potencia m0ima $ue puede disipar el transistor sin disipador viene dada por:
P D sin disipador =T j−T a
θ ja=
200−25
35 = 5W
Este valor $ueda muy por dea;o del indicado por el %aricante.'a potencia m0ima $ue podr0 disipar el monta;e propuesto ser0:
P D con disipador = T j−T a
θ jcθ cd θ d =
200−25
1.50.120.6 = 78.8W
2i )acemos disipar al transistor ( provocaremos la destrucción del mismo.
2i consideramos el %actor de corrección de temperatura la potencia m0ima ser0 a&n menores decir:
P D con disipador = k ⋅T j−T aθ jcθ cd θ d
= 0.7⋅200−25
1.50.120.6 = 51.8W
C0lculo del disipador 2i )acemos disipar al transistor ( provocaremos la destrucción del mismo.
Dónde nos estamos e$ i ocando` E identemente en la interpretación de los datos de
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5Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
θ d =k ⋅T j−T a
P D−θ jcθ cd { Para k =0.7} θ d =
0.7⋅200−25
90
−1.50.12=−0.34 ºC /W
8eamos el error $ue cometemos calculando el disipador $ue necesitamos $ue ser0:
tenemos un valor ne"ativo lo $ue nos indica $ue el dispositivo no puede %uncionar a;o esascondiciones puesto $ue no eiste disipador $ue lo )a"a posile.
_Dónde nos estamos e$uivocando`. Evidentemente en la interpretación de los datos de%aricante $ue nos indica $ue el dispositivo puede suministrar la potencia indicada siempre $ue semanten"a la temperatura de la c0psula a una temperatura i"ual o menor $ue +5 /C lo $ue en la pr0cticaresulta astante complicado.
P D=T jma−T c
θ jc= 200−25
1.5 = 116.7W
'a m0ima potencia disipale en valor asoluto ser0:
k ⋅T j−T a
P D
θ jcθ cd ⇒ P Dk ⋅T j−T a
θ jcθ cd ⇒ P D
0.7⋅200−251.5
0.12
=70.99 W
Una primera aproimación nos conducir0a decir $ue si tenemos un determinado
tras consideraciones de dise,o: 8ariación de la resistencia t!rmica con la lon"itud
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@Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
radiador con una resistencia t!rmica Fd y
lo dividimos en dos partes i"ualesotendremos dos radiadores cuyaresistencia t!rmica *F
dY sea ;usto el dole
de Fd. 6ada m0s le;os de la realidad puesdepender0 de la "eometr#a ycaracter#sticas propias del %aricante. Enestos casos no )ay m0s remedio $ueconsultar las )o;as de datos de%aricantes $ue en el caso de "randesradiadores de etrusión incluyen "r0%icas
de variación de resistencia en %unción dela lon"itud.El t!rmino etrusión indica lacon%ormación de aletas por moldeado delmetal de;ando espacios entre ellas pordonde pueda circular el aire y %acilitar laevacuación del calor.
Para comprender me;or lo dic)oanteriormente vamos a anali3ar unradiador especi%ico como el modelo P
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>Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Por e;emplo para una lon"itud de 1(( mm de aleta de etrusión las resistencias $ue otenemos son:F
>5 G (5 /C=
F1((
G (@ /C=
F15(
G (1 /C=
F+((G (
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NTema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
c0lculo notale.Disponemos de semiconductores con encapsulado T(< $ue tienen una T
; ma G +(( /C una
F ;c
G 15 /C= y los montamos con mica y aisladores en los tonillos de su;eción para
otener aislamiento el!ctrico entre la c0psula y el disipador. Consultando la talacorrespondiente vemos $ue Fcd
G (N /C=.
8amos a suponer $ue necesitamos montar dos semiconductores de este tipo y $ue losvamos a montar en un mismo disipador deiendo disipar cada transistor
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Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
" $
'a resistencia t!rmica e$uivalente es de 115 /C= en lu"ar de los +< /C= $ue supusimos en el
c0lculo anterior. 'a resistencia t!rmica entre la unión y el disipador se )a reducido a la mitad por el usode dos semiconductores deido al estalecimiento de dos caminos para el %lu;o de calor. El c0lculo deldisipador ser0:
θ d =T j−T a
P D−θ jcθ cd =
200−3060
−1.15=1.68 ºC /W
2iendo la di%erencia otenida notale en tama,o y precio
En convección natural la posición del radiador es %undamental para %acilitar la circulaciónde aire. Como saemos el aire caliente pesa menos $ue el aire %r#o por lo $ue un radiador
tras consideraciones de dise,o: Bactores de reducción por posición
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5(Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
situado verticalmente evacuar0 me;or el calor $ue si lo situamos )ori3ontalmente.Una ve3 calculada la resistencia t!rmica del disipador podemos adaptar su valor se"&n loscoe%icientes de posición $ue vemos en la %i"ura y otendremos una resistencia de
disipador dada por:
θ d posici,n = F p⋅θ d
Calculada la resistencia t!rmica del disipador procedemos a calcular un nuevo valor $ueresultar0 de aplicar a dic)o disipador un %lu;o de aire a una velocidad determinada.
Calculo de radiadores de calor por convección %or3ada
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51Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
Denominaremos Fd * c n
a la resistencia t!rmica del disipador en convección natural y Fd * c %
a
la resistencia t!rmica del disipador con convección %or3ada.8amos a e%ectuar el c0lculo en ase a dos %actores $ue modi%ican el valor de F
d * c n y $ue
son:Bactor de %orma B%. Dee ser un valor indicado por el %aricante para los disipadoresespecialmente dise,ados para convección %or3ada aun$ue si no disponemos del mismopodemos e%ectuar su calculo de %orma simple mediante la relación entre la super%icie de lasección transversal del 0rea aarcada por las aletas y la super%icie total aarcada por el%lu;o de aire. En la %i"ura es$uemati3amos el valor del %actor de %orma.
F - =. aletas
. aire
8alor m0imo: 18alor m#nimo: (.58alores in%eriores a (.5 nocompensan la convección %or3ada
Bactor de velocidad Bv. Es un %actor $ue va a depender de la velocidad del aire yló"icamente ser0 menor cuanto mayor sea la velocidad. El Bv lo otenemos del "r0%ico de
Calculo de radiadores de calor por convección %or3ada
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5+Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
la %i"ura.
Con estas condiciones la resistencia t!rmica del disipador ser0:
'os c0lculos as# reali3ados tienen valide3 cuando la circulación de aire se estalece en el
sentido de las aletas de etrusión.Tan solo nos $ueda esco"er un ventilador $ue se adapte a las condiciones $ue )emosdise,ado para lo $ue deemos recurrir a cat0lo"os de %aricante.6o )aremos m0s )incapi! en el tema por salirse del propósito de este tema $ue no )a sidootro $ue dar una visión "enerali3ada de los prolemas de disipación de temperatura ensemiconductores.
θ d c- =θ d cn⋅ F v⋅ F -
P t d ili
ateriales auiliares
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5Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
9d)esivo acr#lico de endurecimiento r0pido pensado para "enerar un camino t!rmico entreun disipador de calor y un componente o PCJ. El material un l#$uido viscoso %luye a;oprensión para crear una uena unión con ecelente disipación de calor.El o;etivo del ad)esivo es sustituir las cintas las pin3as mec0nicas y epois y por lo tanto
tami!n es &til en el monta;e de sensores de temperatura.Para lo"rar una uena unión )ay $ue aplicar el activador a una de las super%icies decontacto curir la otra con una %ina capa de ad)esivo y lue"o unirlas a presión.
Conductividad t!rmica (N+ =m C a
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55Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
la "rasa rellena de silicona para usos en los $ue se re$uiere conductividad el!ctrica ;unto a unaecelente transmisión de calor. El comportamiento t!rmico es comparale al de la "rasa rellena desilicona pero no se producen los prolemas derivados de la contracción o secado en lar"os per#odosde tiempo.
Resistencia t!rmica: T
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Cuiertas para transistoresCuiertas de nylon para transistores tipo T
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5>Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
sistema de monta;e directo m0s mica aislante m0s pasta de silicona. En la %i"ura vemos losmateriales necesarios y su empleo
E;emplo de monta;e de un disipador Utili3amos el v0sta"o del destornillador plano para dar una capa uni%orme de silicona sorela parte plana del semiconductor y situamos la mica sore el dispositivo y damos otra capad ili
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5NTema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
de silicona.
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E;emplo de monta;e de un disipador 2ituamos el con;unto montado sore el disipador procurando centrar los a"u;eros*podemos ayudarnos del destornillador plano e insertamos los aislador en la posición $uevemos ayudandonos de los alicates
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5Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
vemos ayudandonos de los alicates.
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En uno de los a"u;eros montamos en el si"uiente orden: eltornillo la arandela "rover el terminal de soldadura *)ace la%unción de arandela plana y la tuerca.En el otro a"u;ero montamos en el si"uiente orden: eltornillo la arandela "rover la arandela plana y la tuerca.
E;emplo de monta;e de un disipador Procedemos al apriete de las tuercas con ayuda de la llave y el destornillador teniendoespecial cuidado de $ue el dispositivo $uede centrado en los a"u;eros del disipador.
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@(Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
E;emplo de monta;e de un disipador 9specto %inal del monta;e desde di%erentes puntos de vista
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@1Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
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@+Tema 1.5.1.- Disipación de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor
F i n d e
l a p r e s e n t
a c i ó n