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TRANSISTORBIPOLAR
DE JUNÇÃO
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Estrutura
símboloestrutura
esquemática
E
emissor
N+
N+
P-
B
base
C
coletor
TBJ NPN
E
C
B
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estrutura esquemática símbolo
E
emissor
P+
P+
N-
B
base
C
coletor
TBJ PNP
E
C
B
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Emissor e coletor: regiões fortemente dopadas do mesmo tipo
Base: região estreita e fracamente dopada do tipo contrário
estrutura real
E
C
B
E B C
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Regimes de Operação
CORTE: junções E-B e B-C reversamente polarizadas
não há corrente significativa++
P PNE C
B
++
N NPE C
B
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SATURAÇÃO: junções E-B e B-C diretamente polarizadas
O TBJ funciona como chave comutando entre os regimes de corte e saturação
++P PN
CE
B
++N NP
CE
B
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REGIÃO ATIVA: junção E-B diretamente polarizada e junção B-C reversamente
polarizada
O TBJ funciona como amplificador ou fonte de corrente na região ativa
++N NP
E C
B
++P PN
CE
B
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Região Ativa
++
P+ P+N-
E C
B
Junção B-Creversamente
polarizada
Junção E-Bdiretamente polarizada
IE
IB
IC
IE = IC + IB
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Corrente de emissor
C
++
P+ P+N-E
B
IE
IB
IC
ILE
IEE
ILE – corrente de lacunas em difusão do emissor para a baseIEE – corrente de elétrons em difusão da base
para o emissor
IEE << ILE
LEEELEE IIII
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Corrente de coletor
C
++
P+ P+N-E
B
IE
IB
IC
ILE IE
IEE
IC0 – corrente de saturação reversa da junção B-CIE – fração da corrente de emissor que alcança o coletor
= 0,900 a 0,995
0CEC III
IC0
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P+ P+N-++
++
++
++
++
++
++
++
++
++
--
--
----
--
--
----
------
++
campo elétrico da junção B-C
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Corrente de base
IB = IEE - IC0 +IREC = (1-)IE - IC0
IREC – fração das lacunas do emissor que se recombinam com os elétrons da base
C
++
P+ P+N-E
B
IE
IB
IC
ILE IE
IEE IC0
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corrente de recombinação
P+ P+
Junção B-CJunção E-B
N-
terminal
de baseIB
recombinação
lacuna
elétron
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Modulação da Largura da Base
Efeito Early
Junção B-CJunção E-B
P+P+ N-
largura
efetiva
P+P+ N-
largura
efetiva
VBC2 > VBC1
VBC1
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P+P+ N-
largura
efetiva
P+P+ N-
largura
efetiva
VBC2 > VBC1
VBC1
p
x
VBC1
VBC2
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p
x
VBC1
VBC2
1CB2CB VV dxdp
dxdp
Módulo de VCB
Largura da região de transição
Largura efetiva da base
Recombinação na base
Fração IC IB
IE ≈ IEL = -qDLdp/dx
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Ganhos de corrente para grandes sinais
0III
E
0CC
Ganho IC no corte
IE no corte
Definição de corte:
IE = 0
IC = IC0
IB = -IC0
Varia com: geometria
tecnologia
temperatura
ponto de polarização (VCB e IE)
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0CB
0CCIIII
Ganho IC no corte
IB no corte
Depende das mesmas variáveis que
1I1I
E
E1
parcela de IE que alcança o coletor
parcela de IE que não alcança o coletor
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0CB
0CCIIII
Ganho
depende das mesmas variáveis que
1I1I
E
E1
menor e próximo a 1
da ordem de centenas
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Equações das correntes na região ativa
0C
VS
0C0CC
B
0CV
S0CV
0EC
V0EE
IeI
III
I
IeIIeII
eII
tEB
tEBtEB
tEB
Transistor PNP:
IE
ICIB
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0C
VS
0C0CC
B
0CV
S0CV
0EC
V0EE
IeI
III
I
IeIIeII
eII
tBE
tBEtBE
tBE
Transistor NPN:
IE
ICIB
IC = IB + (+1) IC0 IC = IB
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Modelo de Ebers-Moll para Grandes Sinais
Transistor PNP:
(válido para todos os regimes)
IE
ICIB
IE
IC
IBIDE
RIDC
IDC
IDE
C
E
B
IE0 RIC0
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Transistor PNP:
IE
IC
IBIDE
RIDC
IDC
IDE
C
E
B
1eI1eII tCBtEB V0C
V0EC
1eI1eII tCBtEB V0CR
V0EE
1eII
1eII
tCB
tEB
V0CDC
V0EDE
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Transistor NPN:
IE
ICIB
IE
IC
IBIDE
RIDC
IDC
IDE
C
E
B
![Page 25: TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO. Estrutura símbolo estrutura esquemática E emissor N+ P- B base C coletor TBJ NPN E C B](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062319/552fc179497959413d8f00b0/html5/thumbnails/25.jpg)
Transistor NPN:
1eI1eII tBCtBE V0C
V0EC
1eI1eII tBCtBE V0CR
V0EE
1eII
1eII
tBCV0CDC
tBEV0EDE
IE
IC
IBIDE
RIDC
IDC
IDE
C
E
B
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Características do TBJ
+ VEB - - VCB +
comum
entrada saída
Configuração BASE COMUM
P PN
+ VEB - - VCB +
IE IC
comum
entrada saídaN NP
IE IC
Entrada: emissor
Saída: coletor
Referência: base
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a) Características de entrada em BASE COMUM
VCB1
VCB2
VCB3IE
VEB (PNP)
VBE (NPN)
1CB2CB3CB VVV
Efeito Early:
dependência de IE com VCB
Corte (IE = 0)
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b) Características de saída em BASE COMUM
Região ativa: IE/VCB ≠ 0 Efeito Early
Saturação
Região ativa: IC = IE + IC0
IC
VBC (PNP)
VCB (NPN)
1E2E3E III
IE3
IE2
IE1
IE = 0IC0
corte
IE3
IE2
IE1
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Configuração EMISSOR COMUM
saída
Entrada: base
Saída: coletor
Referência: emissor
P
P
N
+
VBE
-
IB
IC
comum
entrada
+
VCE
-N
N
P+
VBE
-
IB
IC
comum
entrada
+
VCE
-
saída
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a) Características de entrada em EMISSOR COMUM
VCE3
VCE2
VCE1IB
VEB (PNP)
VBE (NPN)
1CE2CE3CE VVV
Efeito Early:
dependência de IB com VCE
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b) Características de saída em EMISSOR COMUM
Saturação
Região ativa: IC = IB + (+1)IC0 IC
VEC (PNP)
VCE (NPN)
1B2B3B III
IB3
IB2
IB1
IB = -IC0
Região ativa: IC/VCE ≠ 0 Efeito Early
corte
CESATV
![Page 32: TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO. Estrutura símbolo estrutura esquemática E emissor N+ P- B base C coletor TBJ NPN E C B](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062319/552fc179497959413d8f00b0/html5/thumbnails/32.jpg)
Configuração COLETOR COMUM
saída
Entrada: base
Saída: emissor
Referência: coletor
P
P
N
+
VBC
-
IB
IE
comum
entrada
+
VEC
-N
N
P+
VBC
-
IB
IE
comum
entrada
+
VEC
-
saída
![Page 33: TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO. Estrutura símbolo estrutura esquemática E emissor N+ P- B base C coletor TBJ NPN E C B](https://reader035.vdocuments.pub/reader035/viewer/2022062319/552fc179497959413d8f00b0/html5/thumbnails/33.jpg)
a) Características de entrada em COLETOR COMUM
VEC3
VEC1
IB
VBC (PNP)
VCB (NPN)
VEC2
1EC2EC3EC VVV
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b) Características de saída em COLETOR COMUM
Saturação
Região ativa: IE = IC = IB + (+1)IC0] IE
VEC (PNP)
VCE (NPN)
1B2B3B III
IB3
IB2
IB1
IB = -IC0
corte: IE = 0ECSATV
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Limites de Operação
VEC (PNP)
VCE (NPN)
IC
Pmáx
VECmáx
VCEmáx
ICmáx
avalanche ou“punch-through”