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9 차시
방사선 검출기(2)
2
- 섬광물질(scintillator) : 흡수된 방사선에너지의 일부를 가시광선 영역의 빛으로 변환하여 방출하는 성질을 지닌 물질 - 형태: 고체, 액체, 기체 - 무기질, 유기질
방사선장의 세기 ∝ 가시광선의 세기
e
e e
자유전자
여기
전도대(conduction band)
충만대(Valence band)
가시광선 천이
e
e
밴드간격 (3~4 eV)
hν
방사선에 의해 여기 된 전자가 기저상태로 천이 할 때 빛을 발광
섬광 물질과 발광 원리
Tl
Tl 불순물 : 활성물질(activator)
무기섬광물질
종 류 특 성 용 도
NaI(Tl) • 대표적인 섬광물질, 발광효율이 좋다 • 기계적, 열적 충격에 약하다 • 조해성(흡습성)이 있다
감마선, 엑스선
CsI(Tl) CsI(Na)
• NaI(Tl) 보다 전자밀도(원자번호)가 높아 감마선 검출효율이 높다 • 충격이나 진동 등 기계적 우수성과 내수성이 강하다
• 방사선의 종류에 따라 방출되는 섬광의 감쇠기간 차이로 방사선 종류 식별 가능
• 펄스형성이 느리다 - 계수율이 높은 환경에서 부적합
감마선, 엑스선
-BGO (Bismuth Germanium Oxide, Bi4Ge3O12) :
감마선, 엑스선 측정
• 조해성이 없고, 견고,
• 기계적 강도와 화학적 특성이 우수하다
• 발광의 감쇄시간이 매우 짧아, 신호출력이 지연되는 일이
없어, 빨리 반응해야 하는 X선, CT, PET 등의 검출기로 사용
유기섬광물질
특징 : 알파, 베타 측정에 주로 이용 - C, H, O 가 주 성분이므로 광전효과를 발생할 확률이 낮아 감마선 측정에는 부적합
LSC 액체섬광계수기(LSC: Liquid Scintillation Counter)
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[액체섬광검출기]
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열형광 선량계(TLD) : 개인선량계
- 방사선에너지를 흡수한 물질에 열을 가하면 형광을 방출하는 성질을 지닌 물질
- 충만대에 있는 전자가 방사선에너지를 받아 전도대로 올라가 자유전자 형성
- 자유전자가 물질 내에서 이동하다 활성물질 함정에 갇힘
- 섬광물질에서는 함정의 전자가 즉시 천이하는 반면
열형광물질은 외부에서 에너지(가열)를 추가로 공급할 때 천이
방사선장의 세기 ∝ 가시광선의 세기
e e
전도대
충만대
가 시 광선
천이
e
e
e
e e
자유전자
여기
전도대
충만대 e
e
hν
e
가열과정 여기 과정
열형광 (Thermoluminiscent) 물질
열형광 선량계 판독 시스템
- 판독기: TLD가열 장치 + 신호처리장치
- 가열 방법 : 고온질소가스 가열, 레이저 가열,
마이크로 웨이브 가열법 등
AMP Preamp Scaler ADC
H. V.
TLD
가열
HARSHAW TLD AUTOMATIC SYSTEM
ICN
Panasonic-UD802
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선량계 필터
필터의 밀도와 두께를 조정 하여 조직별 선량 측정 1. 피부(H(0.07)) 2. 심부선량(H(10) 3. 수정체(H(3)
Module Medical V - 12
수족 TLD
열형광 물질의 종류 및 특성
구 분 열형광물질 Zeff 상품명 측정방사선 용 도
조직등가
LiF:Mg,Ti 8.3
TLD-100, TLD-700 감마선, 베타선
개인선량측정
TLD-600 중성자
6Li(n,α)3H
LiF:Mg,Cu,P 8.3
TLD-100H, TLD-700H GR-207(7LiF:Mg,Cu,P) 감마선, 베타선
TLD-600H GR-206(6LiF:Mg,Cu,P) 중성자
Li2B4O7:Cu,Mn 7.3 감마선, 베타선
조직 비등가
CaSO4:Dy,Mn 14~15 감마선, 베타선 개인선량측정
환경감시 CaF2:Dy, Mn 16.3 감마선, 베타선
원자번호가 높은 물질일수록 광전효과 확률이 커지므로 저에너지의 엑스선, 감마선에 응답반응이 높아 환경용으로 사용
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반도체 검출기
방사선 조사시 열운동에 의해 전자가 도전대로 올라가면서
전류를 흘릴 수 있는 물질로, 불순물을 첨가하여 반도체 특성 조절
반도체는 밀도가 기체에 비해 밀도가 1000배정도 이므로
충만대와 전도대의 간격(Eg)을 최대한 낮게(1eV)하여,
크기를 최소화시켜 계측 효율을 극대화 할 수 있음.
측정원리는 기체충전형과 유사하나, 고체의 전리작용에 의해
기체의 이온쌍에 해당하는 전자와 정공을 생산하여 전극에 모아서 측정
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반도체의 정의
√ p형반도체 : 4족원소(Si, Ge)에 불순물(3족 원소 B) 첨가 √ n형반도체 : 4족원소(Si, Ge)에 불순물(5족 원소 P) 첨가
Eg > 5eV
절 연 체
Eg ≅ 1eV
반 도 체
전 도 대
충 만 대
전 도 대
충 만 대
광자
공핍층
+
_
P 형 N 형
+
+ +
+
+
+
+
- + - -
-
+ +
+
+
+ + -
+ + + +
- - - +
- - - -
- -
-
- - +
- - -
- - + +
+ + +
전자의 운동
정공의 운동
Ge(Z=32) : Eg = 0.67eV
Si(Z=14) : Eg = 1.106eV
Ⅳ족 (Si, Ge)
+ Ⅲ족(B) P형 반도체
+ Ⅴ족(P) N형 반도체
※ P-N 접합 [반도체 검출기의 원리]
- 입사방사선의 전리작용에 의해 전자와 정공 쌍 생성
- 전자와 정공은 결정내부를 이동
정공의 이동속도는 전자의 1/3
- 하나의 전자/정공쌍을 생성하는데 필요한 에너지
• Ge: 2.96eV • Si: 3.65eV • 기체: 34eV
☞ 동일한 에너지의 입사방사선에 대한 출력신호가
기체보다 약 10배 정도 큼을 의미(Wair=34eV)
- 밀도가 기체보다 1000배 가량 크므로 감마선에 대한
계측효율이 우수함
반도체 검출기 원리(전리 작용)
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반도체 검출기 구성
Scaler
• 방사선원에서 발생한 방사선의 파고 분포를 기록하여 에너지 스펙트럼을 측정
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MCA(Multi Channel Analyzer) -다중파고 분석기
고순도 게르마늄 반도체 검출기 (HPGe: High Purity Germanium)
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기타 검출기
필름배지(감광작용) - 필름의 흑화도가 피폭량에 비례
- 방사선에 필름의 반응 원리
방사선 + 필름 e-
e- + Ag+ Ag
Ag + e- Ag-
Ag- + Ag+ 2Ag
2Ag + e- Ag Ag-
AgAg- + Ag+ 3Ag
4~6 Ag = 잠상의 중심
1. 화학작용을 이용한 검출기
필름의 판독시스템
밀도계(Xrite 301)
AMP
광 검출기
광원
계수기
필름
- 필름의 흑화도
I0 : 필름에 입사하는 빛의 강도 I : 필름을 투과한 빛의 강도
2. 화학선량계 : 프리케선량계, 세륨선량계
- 고선량 측정용이며 누적형이다 - 방사선의 조사 결과 발생한 화학변화량을 측정 - 수 십 ~ 수 천 Gy 정도의 대선량 측정에 이용
프리케선량계(Fricke Dosimeter) - 산화반응 이용 Fe+2 + OH Fe+3 + OH- - G(Fe+3) = 15.5 - 측정 용이한 선량 범위 1~104Gy 세륨선량계(Ce Dosimeter) - 환원반응 이용 Ce+4 Ce+3 - G(Ce+3) = 2.34 - 측정범위 : 400 ~ 106 Gy ※ 안전관리 목적 선량계는 아니며, 방사선멸균, 방사선조사, 방사선가공
고체비적검출기 (알파선 검출)
피폭에 의한 비적형성 화학적 에칭 효과 전기화학적 에칭효과
에칭전 표면
에칭후 표면
라돈측정
OSL(Optically stimulated luminescence) : Al2O3
OSL 판독기
형광유리선량계 : TLD, OSL과 유사
- 유리 재료의 안정성 뛰어나며, - 판독후에도 피폭정보 잔류, 재판독 가능
- 열에 의한 손상없어 안정성, - 재 판독 가능
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거품검출기 : 중성자를 조사하여 거품이 형성된 것, 아래는 노출하지 않은 검출기
중성자 검출기
10B(n,α)7Li, 6Li(n,α)3H, 3He(n,p)3H 반응
개인 선량계
개인선량계(법적; 열형광선량계)
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손목선량계 ICN
Panasonic-UD802
손가락선량계
개인선량계(법적; 필름뱃지)
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Proxtronics
ICN
ICN(Wrist)
개인선량계(법적; 유리선량계)
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개인선량계(보조; 포켓선량계)
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개인선량계(보조; 전자개인선량계)
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개인선량계 착용위치
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