專利分析與智財管理課程期中報告

陳偉祥 102035402朱治垣 9970123

薄膜體聲波震盪器技術專利分析

The Patent Analysis of Thin Film Bulk Acoustic resonators(FBAR)

目錄

1. 專利分析動機

2. 專利分析流程

3. FBAR技術背景

4. 專利分析的策略

5. 專利分析

1) 廣義專利分析

2) 鎖定式專利分析

6. 訴訟案個案分析

7. 總結

8. 參考文獻

專利分析動機

現今網路的世代，使用者網路的需求增加，當高頻率的需求不斷地

提升後，體聲波震盪器(Bulk Acoustic Wave Resonators簡稱BAW)就被逐

漸發展出來，其主要優點在於頻率可以高達數個GHz以上，缺點則是

製程複雜使成本提高了許多，而發展最為成熟的BAW濾波器技術就是

薄膜體聲波震盪器(Thin Film Bulk Acoustic Wave Resonators簡稱FBAR)。

隨著使用頻率的增加，FBAR濾波器技術也隨之蓬勃發展。本專利的

分析動機在於通過專利分析來了解FBAR產業的動向，再從中尋找台

灣產業是否有進入此產業的可能性，做一個評估。

專利分析流程

確認檢索的題目、目標地區與資料庫

廣義專利檢索

鎖定主要的競爭對手

鎖定式專利檢索

解讀專利資料

製作專利分析報告

專利技術矩陣圖專利權利分析圖 專利詞彙分析

專利分析報告完成

FBAR技術背景

圖 2-1 濾波器概述

資料來源：Avago technologies

FBAR技術背景

圖 2-1 頻段與濾波器種類的關係圖

資料來源：Avago technologies

TX

RX

雙工器

階梯式濾波器

FBAR

FBAR技術背景

此專利分析以美國專利為主，我們以USPTO專利資料庫做為主要的

專利資料來源處。再以”IPDSS”和”IPSA”專利分析軟體做為本專利分析

主要的分析工具。初步，我們會採用廣義式檢索策略，以”FBAR”

或”Thin Film Bulk Acoustic Wave Resonators”當做關鍵字去搜尋在claim

裡面擁有此關鍵字的專利，最後，會得到大量有關”FBAR”關鍵字的專

利，再進行專利分析，找出主要最大經營“FBAR”技術的競爭公司。接

著，再進行鎖定式檢索策略。第一檢索式是以claim當做主要的搜尋項

目，搜尋”FBAR”此關鍵字。第二檢索式則是以專利權人當做主要的搜

尋項目，搜尋廣義式檢索策略所得的最大競爭公司，最後在做細部的

專利分析與探討。

專利分析的策略

檢索式：ACLM/FBAR關鍵字：FBAR, Film bulk acoustic wave resonators.

關鍵字

廣義式檢索策略

鎖定式檢索策略

檢索式：ACLM/FBAR AND AN/AVAGO關鍵字：FBAR, AVAGO

專利分析一之

廣義專利分析

主要專利權人分析

57

12 107 7

4 4 3 3 2

0

10

20

30

40

50

60

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

152%

211%

39%

46%

56%

64%

74%

83%

93%

102%

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Number 專利權人 專利篇數

1 AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP (SINGAPORE) PTE. LTD. (SINGAPORE, SG) 57

2 INTEL CORPORATION (SANTA CLARA, CA) 12

3 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. (SUWON-SI, KR) 10

4 EPCOS AG (MUNICH, DE) 7

5 SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD. (KYUNGKI-DO, KR) 7

6 KYOCERA WIRELESS CORP. (SAN DIEGO, CA) 4

7 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. (OSAKA, JP) 4

8 EPCOS AG (DE) 3

9 KYOCERA CORPORATION (KYOTO, JP) 3

10 DELAWARE CAPITAL FORMATION, INC. (WILMINGTON, DE) 2

Assignees 2001 2002 2003 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 TotalAvago Technologies

Wireless IP1 3 4 1 1 8 16 8 6 1 4 1 3 57

Intel Corporation

(Santa Clara, CA)0 0 0 2 3 1 0 0 3 2 1 0 0 12

Intel Corporation

(Santa Clara, CA)0 0 0 2 3 1 0 0 3 2 1 0 0 12

Samsung Electronics

Co., Ltd. (Suwon-si,0 0 0 0 1 0 0 5 4 0 0 0 0 10

Samsung Electronics

Co., Ltd. (Suwon-si,0 0 0 0 1 0 0 5 4 0 0 0 0 10

Samsung Electro-

Mechanics Co., Ltd.0 0 1 3 0 3 0 0 0 0 0 0 0 7

EPCOS AG (Munich,

DE)0 0 0 0 2 0 0 1 1 0 1 0 2 7

Epcos AG (Munich,

DE)0 0 0 0 2 0 0 1 1 0 1 0 2 7

Kyocera Wireless

Corp. (San Diego,0 0 0 1 0 0 2 0 1 0 0 0 0 4

Matsushita Electric

Industrial Co., Ltd.0 0 0 0 0 2 2 0 0 0 0 0 0 4

Kyocera Corporation

(Kyoto, JP)0 0 0 2 0 0 0 0 0 1 0 0 0 3

Epcos AG (DE) 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 3

EPCOS AG (DE) 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 0 3Delaware Capital

Formation, Inc.0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 2

主要專利權人分析

主要專利權人引證百分比專利權人 引證數量 專利篇數

AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP (SINGAPORE) PTE. LTD. (SINGAPORE, SG) 7441 57

INTEL CORPORATION (SANTA CLARA, CA) 227 12

EPCOS AG (MUNICH, DE) 142 7

MARVELL WORLD TRADE LTD. (ST. MICHAEL, BB) 97 1

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. (SUWON-SI, KR) 94 10

KYOCERA WIRELESS CORP. (SAN DIEGO, CA) 80 4

NOKIA MOBILE PHONES LIMITED (SALO, FI) 68 2

NOKIA CORPORATION (ESPOO, FI) 53 2

DELAWARE CAPITAL FORMATION, INC. (WILMINGTON, DE) 48 2

SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD. (KYUNGKI-DO, KR) 46 7

189.69%

22.74%

31.71%

41.17%

51.13%

60.96%

70.82%

80.64%

90.58%

100.55% 1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

主要專利權人被引證百分比專利權人 被引證數量 專利篇數

INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE(TW) 34 1

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. (SUWON-SI, KR) 11 10

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION (SANTA CLARA, CA) 10 1

HIRSH; ROBERT 3 1

INTEL CORPORATION (SANTA CLARA, CA) 1 12

FUJITSU MEDIA DEVICES LIMITED (YOKOHAMA, JP) FUJITSU LIMITED (KAWASAKI, JP) 0 1

FUJITSU LIMITED (KAWASAKI, JP) TAIYO YUDEN CO., LTD. (TOKYO, JP) 0 2

EPCOS AG (MUNICH, DE) 0 7

EPCOS AG (DE) 0 3

DELTA ELECTRONICS, INC. (TAOYUAN HSIEN, TW) 0 1

157.63%

218.64%

316.95%

45.08%

51.69%

60.00%

70.00%

80.00%

90.00%

100.00%

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

各專利年齡分析

IPC&UPC歷年技術分析

專利分析二之

鎖定專利分析

主要專利權人分析

14%

252%

342%

42%

1 2 3 4 5

Level 專利數

level 2 2

level 3 25

level 4 20

level 5 1

項目 分數

专利类型 10

专利年龄 20

Claim項 20

专利要件 20

IPC分类 20

专利权人类型 10

群集： 相似技術領域群集1 相似技術領域群集2 相似技術領域群集3 相似技術領域群集4

数量： 33 13 1 1

群集中心： US7161283 US7091649 US8143082 US7202560

標題：Method for placing metal contacts

underneath FBAR resonators

Film acoustically-coupled

transformers with two reverse c-axis

piezoelectric elements

Wafer bonding of micro-electro

mechanical systems to active circuitry

Wafer bonding of micro-electro

mechanical systems to active circuitry

主技術： H/01/L/41 H/01/L/41 H/01/L/21 H/01/L/23

压电装置；电致伸缩装置；磁致伸

缩装置；制造或处理此等装置或其

部件所特有

压电装置；电致伸缩装置；磁致伸

缩装置；制造或处理此等装置或其

部件所特有

群集成员： US7161283,US7242270,US7276892, US7091649,US7173504,US7274275, US8143082 US7202560

US7277403,US7312675,US7332985, US7362198,US7388455,US7391285,

US7358651,US7358831,US7367095, US7400217,US7423503,US7424772,

US7391286,US7408428,US7427819, US7425787,US7573350,US7675390,

US7429904,US7443269,US7501912, US7737807,

US7508286,US7561009,US7562429,

US7564316,US7612636,US7615833,

US7732977,US7791435,US7800457,

US7855618,US8063717,US8094704,

US8193877,US8248185,US8508315,

US8633781,US8680944,US8692624,

群集成员专利权人：Avago Technologies Wireless IP (Sin Avago Technologies Wireless IP (Sin Avago Technologies Wireless IP (Sin Avago Technologies Wireless IP (Sin

gapore) Pte. Ltd. (Singapore. SG) gapore) Pte. Ltd. (Singapore. SG) gapore) Pte. Ltd. (Singapore. SG) gapore) Pte. Ltd. (Singapore. SG)

分群群聚

分群结果群聚图

NTFNo Type NTF

1 acoustic 1124.48

2 FBAR 922.15

3 resonator 489.64

4 electrical 356.04

5 acoustic resonator 341.13

6 electrodes 284.66

7 FBARs 277.19

8 piezoelectric 262.19

9 bulk 231.94

10 bulk acoustic 230.63

11 filter 230.44

12 impedance 218.44

13 bulk acoustic resonator 178.83

14 decoupler 167.41

15 acoustic decoupler 166.89

16 resonators 164.3

17 oscillator 152.43

18 wafer 144.47

19 Bragg 144.14

20 resonator FBAR 143.31

21 acoustic resonator FBAR 142

22 decoupling 132.3

23 DSBAR 131.23

24 acoustic decoupling 127.51

25 MEMS 126.75

1124.48

922.15

489.64

356.04341.13284.66277.19262.19

231.94230.63230.44218.44178.83167.41166.89164.3152.43144.47144.14143.31142132.3131.23127.51126.75

0

200

400

600

800

1000

1200

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25

訴訟案

美國高速射頻IC代工廠商TriQuint半導體 (TriQuintSemiconductor, Inc.)於2009年7月23日在美國亞利桑那州聯邦地院，向新加坡廠商Avago(安華高)提請確認之訴(Declaratory Judgement)及專利侵權訴訟，有關於RF功率放大器模組產品，適用於無線手持設備。

訴訟案

(資訊來自：科技產業資訊室)

訴訟案

(資訊來自：科技產業資訊室)

訴訟策略

美國高速射頻IC代工廠商TriQuint半導體 (TriQuintSemiconductor, Inc.) 以意識到FBAR在未來會有很大的發展和商機，因此決定於2009對AVAGO做出專利訴訟。在這次的訴訟案中，先提請Avago部分的專利無效，再來，提出自己的產品並未侵犯到Avago的專利，最後在對Avago提出侵犯自己專利的訴訟。

訴訟結果

Avago和TriQuint於20120515共同宣布以分交叉專利許可權協議，並決定撤銷所有專利侵權的指控。

專利分析結論

FBAR此技術發展到現在正是非常成熟的階段，加上LTE4G的發展更加快了FBAR的發展。從廣義專利分析可以發現AVAGO 公司在FBAR技術上擁有的大量的專利，而且AVAGO公司在此技術的研發時間也超過10年之久，而且從專利分析的結果看來，AVAGO在專利的經營上也非常用心，早已經在專利的布局上做好了十足的準備，以迎接未來其他公司入場的機會。另外，因為FBAR的工作原理比較單純，所已在專利的布局上，只要申請一些周邊專利就可以不讓其他競爭對手無法進入該市場競爭，因此就算該公司並沒有核心的專利也可以排除其他的競爭者，讓想要進入此市場的公司沒有任何機會。經過專利分析後發現，如果要進入FBAR產業，必須要從新材料和製程上進入，如果要從FBAR核心技術進入該產業，可能機會不大。