経 営 協 議 会 資 料 ⑦

平成２０年６月１０日

設備マスタープラン（案）

ＵＥＣ Ｔｏｋｙｏ

国立大学法人 電気通信大学

平成２０年６月

１．本学の目標とする教育・研究と設備 --------------------------- １頁

２．教育研究設備の現状と課題 ----------------------------------- １頁

（１）教育研究設備の現状

（２）教育研究設備の課題

３．教育研究設備の管理運営等（機器分析センター） --------------- ２頁

４．設備マスタープラン策定の主旨 ------------------------------- ２頁

５．設備マスタープラン（構成と内容） --------------------------- ３頁

（１）教育研究設備整備の基本的考え方

（２）対象の中心となる設備

（３）具体的な整備計画

（４）共同利用の促進経費措置等

（５）経費の確保（概算要求と大学の自助努力）

（６）概算要求の計画

６．設備マスタープランの見直し --------------------------------- ５頁

７．設備マスタープラン対象外の設備について --------------------- ５頁

（別紙１） 教育研究設備の実態と分析 ------------------------- ６頁

（別紙２） 設備整備年次計画表 ------------------------------- ８頁

（別紙３） 設備整備年次計画表に記載のない教育研究設備一覧 ---- ９頁

（別紙４） 概算要求を予定している基盤的大型設備の概要 ------- 10頁

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１．本学の目標とする教育・研究と設備

本学の中期目標においては、学部教育では「科学・技術分野で、基礎学力と体験によって

培われた実践力のある人材を育成する。」、大学院教育では「実践力に優れ、創造性を備えた

職業人等を育成する。特に博士課程では、世界最高水準の研究を追求し、高度開発技術者等

を育成する。」こととされている。また、研究では重点的に取り組む領域として「物質、エ

レクトロニクス、光科学、情報通信、メカトロニクス等の先進的研究を推進する。」とされ

ている。

このような教育研究、特に実践的な技術者や研究者を育成するという目標を達成するため

には、その基盤となる教育研究環境の整備、とりわけ教育研究設備の整備・充実は欠かせな

い。このため、中期計画において「研究を支えるための物理的環境等全学的な支援体制の確

立を目指す。」ことや「機器分析センターは、学内共同利用の大型設備の維持と機能の充実

を図る。」ことを定め、実行してきている。

さらに、平成２０年度から新学長による新体制に移行したことに伴い、今後の１０年間を

見据えた「ＵＥＣビジョン２０１８（仮称）骨子（案）」が提示され、ここでも「国際標準

を満たす基礎学力の上に、国際性と倫理観を備え、実践力に富む人材を育成する」こととさ

れており、本学の教育・研究の目標に沿って、より着実な教育研究設備の整備・充実が必要

となっている。

２．教育研究設備の現状と課題

（１）教育研究設備の現状（別紙１）

① 教育研究設備（１千万円以上）は、全体で１１５点存在するが、そのうち、３千万円

未満のものが７９点で６９％を占めている。また、基盤的大型設備や先端的大型設備は、

３６点で３１％となっている。

② その経過年数は、１０年以上のものが６３％、５年以上１０年未満のものが２３％で

あり、全体の８６％を占めている。一般的に設備機器の減価償却が５～６年とされてお

り、本学の状況は老朽化が進んでいるといえよう。このうち、基盤的大型設備や先端的

大型設備の経過年数をみると、１０年以上のものが７２％、５年以上１０年未満のもの

が１９％であり、全体として９１％となっており、同様の状況となっている。

③ 学内において共同利用としている設備は、全体の約３７％と共同利用を進めており、

特に基盤的大型設備（２５点）は、その全てが共同利用に供されている。

④ 設備の購入財源は、科学研究費補助金等の競争的資金により購入しているものが全体

の約９％、寄附によるものが同約７％、運営費交付金が同約４％であり、残り約８０％

は、国（旧国立学校特別会計）から承継された財産である。このような経緯からすれば、

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本学の財政基盤では、設備の老朽化等に応じて、運営費交付金等からの新規購入や更新

を行っていくことが難しいことを示している。

（２）教育研究設備の課題

上記のとおり、本学の教育研究設備は、全体的に老朽化・陳腐化し、特に、基盤的大型

設備は、故障等により、研究に支障が生じることも懸念される状態にある。

これまで、毎年度、文部科学省への概算要求を行いつつ、学内で一定規模の設備関係予

算を確保してその更新・維持に努めてきているものの、文部科学省からの国立大学への運

営費交付金が漸減傾向にある中で、国から承継した高額の教育研究設備の更新、あるいは、

本学の特色を生かした重点的研究の拠点作りへの先端的設備の先行投資などが必要となっ

てきているが、本学の財源は限られており、適切な対応が困難となっている。

３．教育研究設備の管理運営等（機器分析センター）

本学では、平成１６年度の法人化に伴い、新たに地域・産学官連携推進機構を設置し、機

構内に産学官等連携推進本部を設け、その中に「機器分析部門（以下「機器分析センター」

という。）」を置き、学内共同利用の大型研究設備を中心にしてその維持、更新等や維持管理

を実施してきた。機器分析センターにおいては、これまで、設備更新等に当たり、設備整備

の実態、老朽化・陳腐化の状況及び利用度等を総合的に判断しつつ、毎年度の概算要求を行

うとともに、全学的連絡調整を図って、共同利用の促進や既存設備の維持管理に努めてきた。

また、これらに要する経費も、維持費について年間約７千万円、更新費も年度により異な

るが数千万～１億円程度を確保するなど、その充実に努めてきている。

さらに、平成１９年度には、今後の設備の在り方に関し、国の厳しい財政事情も考慮し、

設備更新・導入の基本方針として、①汎用性の高い機器、ユーザの多い機器、及び外部資金

を獲得できる機器等を優先することとするとともに、②共同利用のさらなる推進のため、新

しく導入あるいは更新される装置は、「３研究室以上が恒常的に利用すること。」、「初心者ユ

ーザに対する説明会（少なくとも年１回）を必ず実施すること。」及び「原則として依頼測

定を受け入れること。」などを定め、設備のより一層の有効活用を進めてきている。

４．設備マスタープラン策定の主旨

このような課題に適切に対応して、今後の教育研究設備の整備・充実を図るための「教育

研究設備整備計画（以下「設備マスタープラン」という。）」を策定することにより、着実、

確実な教育研究設備の更新・維持等を進め、効率的・効果的利用をより一層促進することに

より、本学中期目標に定められた教育・研究事業等の達成、本学の使命に根ざした新たなビ

ジョンに沿った教育・研究事業を展開し、国民・社会の期待やニーズに応えるものとする。

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５．設備マスタープラン（構成と内容）

設備マスタープランの構成は、(1)教育研究設備整備の基本的考え方、(2)対象の中心と

なる設備、(3)具体的な整備計画、(4)共同利用の促進、(5)経費の確保、及び(6)概算要求の

計画とし、それぞれの内容は次のとおりである。

（１）教育研究設備整備の基本的考え方

本学の設備整備については、設備の集中管理と運営を行う「機器分析センター」におい

て、全学的な調整を図りつつ、①新規整備や更新の必要性・緊急性（老朽化・陳腐化の状

況）、②更新年度の経年検証と評価、③今後期待される教育研究の成果、④これまでの教

育研究の実績、⑤学内外における利用計画の範囲、⑥維持経費等管理運営計画、及び全て

の設備の活用方策などの事項についての総合的な自己点検・評価を行い、これを基に設備

マスタープランの策定案や見直し案を取りまとめ、役員会、経営協議会及び教育研究評議

会での審議を経て、学長がこれを決定する。

（２）対象の中心となる設備

設備マスタープラン策定に当たっては、毎年度の文部科学省への特別教育研究経費（基

盤的設備等整備）の概算要求や、本学の計画的な財源の確保の観点から、分かりやすい計

画とする必要があり、設備マスタープランの対象となる設備は、大学全体として必要な教

育研究設備とし、１千万円以上のものをその中心とする。ただし、対象外の教育研究設備

についても共同利用等有効活用に努めるものとする。

また、教育研究設備の更新等に係る経費や利用目的に応じ、次のとおり区分する。

ａ．共通的設備

教育水準維持のための基礎実験・実習用である学科・専攻等の共通的な設備

ｂ．基盤的設備

共同利用の教育研究設備で１千万円以上から３千万円未満の額のもの

ｃ．基盤的大型設備

共同利用の教育研究設備で３千万円以上のもの

ｄ．先端的大型設備

特色ある研究に必要な先端的研究設備で３千万円以上のもの

（３）具体的な整備計画

設備マスタープランにおける現時点における具体的な整備計画については、①基本的に

汎用性の高い機器、ユーザの多い機器、及び外部資金を獲得できる機器等を優先すること、

②新しく導入あるいは更新される設備は、「３研究室以上が恒常的に利用すること。」、「初

心者ユーザに対する説明会（少なくとも年１回）を必ず実施すること。」及び「原則とし

て依頼測定を受け入れること。」などを勘案して、別紙２のとおり「設備整備年次計画表」

を策定した。

なお、この他整備計画によらない１千万円以上の設備は、別紙３のとおりである。

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（４）共同利用の促進経費措置等

①共同利用の原則

本学の設備は、学内共同利用はもとより、可能な限り大学間連携等による共同利用に

供することを原則とする。

②設備の有効活用ネットワークへの参加

化学系の教育研究基盤設備の老朽化等に対応し、設備の有効利用と維持費の利用者共

同負担を徹底するため、「化学系研究設備有効活用ネットワーク」に参加し、老朽機器

の復活再生を図るとともに、これらの大学内外での相互利用と最先端機器へのアップグ

レードを行い、教育研究水準の一層の向上を図るものとする。

③再利用（他機関を含む）

研究プロジェクトのために整備した先端的研究設備は、当該プロジェクト終了後に学

生教育用設備に転用したり、他大学等への移管を図るなど、既存設備の学術上の有効利

用を促す再利用(リユース)に努める。

また、費用対効果を勘案しつつ、他大学、民間等からの設備の移管について、積極的

に検討をする。

④競争的資金による先端的大型設備の活用

競争的資金により先端的大型設備を新設・更新する場合は、当該研究プロジェクト終

了後の維持管理、設置場所及び活用方法等を含めた計画を策定する。なお、引き続き外

部資金等による先端的大型設備の整備により一層努める。

（５）経費の確保（概算要求と大学の自助努力）

① 共通的設備及び基盤的設備の更新等については、維持費、運営費及び移転費等も含め

て学内予算措置を基本とし、毎年度必要な予算を確保する。

② 基盤的大型設備（国からの承継財産等）の老朽化等に伴う更新については、高額であ

り、学内予算での整備することが困難なことから、積極的に概算要求（特別教育研究経

費（基盤的設備等整備）にて要求）を行うものとする。ただし、認められなかった設備

は、間接経費等又は目的積立金の財源からの捻出を検討する。

③ 先端的大型設備については、学長のリーダーシップの下、特色ある研究に重点的に整

備することとし、その経費は、間接経費等又は目的積立金から財源を捻出を検討する。

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（６）概算要求の計画

① 概算要求（特別教育研究経費）の平成２1年度から２7年度の予定は次表のとおりである。

（単位：千円）

設 備 の 名 称 更新・新規 予 算 額

最先端三次元形状測定・評価システム 更 新 66,102

ナノ微細加工と3Dマイクロ加工設備 一式 更 新 120,000

Ｘ線光電子分析装置 更 新 60,234

電子線元素状態分析装置 更 新 98,000

高磁場多目的物性測定システム 更 新 77,000

電界放出型走査型電子顕微鏡 更 新 89,044

結晶材料構造評価システム 更 新 90,972

電子スピン共鳴装置 更 新 45,000

２００ｋＶ電界放出型透過形型電子顕微鏡 更 新 114,848

②概算要求予定の設備の概要

設備の概要､装置の必要性等は、別紙４｢特別教育研究経費の設備概要｣のとおりである｡

６．設備マスタープランの見直し

この設備マスタープランについては、必要に応じて見直しを行う。

７．設備マスタープラン対象外の設備について

設備マスタープラン対象外の本学の有する教育研究設備においても、例えば、設備一覧を

作成するなど、より一層の有効活用を図る方策について検討する。

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教育研究設備の実態と分析 別紙１

（１）購入金額と件数（10,000千円以上）

（２）経過年数と件数（平成20年３月までを集計）

（３）大型設備の経過年数と件数（平成20年３月までを集計）

購入金額と件数(10 ,0 00千円以上)

20,000千円未満

10,000千円以上

57%

30,000千円未満

20,000千円以上

12%

50,000千円未満

30,000千円以上

12%

100,000千円未満

50,000千円以上

16%

100,000千円以上

3%

経過年数と件数

(2年以上経過)

平成17年度

3%

(3年以上経過)

平成16年度

5%

(4年以上経過）

平成15年度

3%

(5年～9年経過)

平成10年度～14年度

23%

(1年以上経過)

平成18年度

0%

(10年以上経過)

平成9年度以前

63%

(経過年数0年)

平成19年度

3%

大型設備の経過年数と件数

(2年以上経過)

平成17年度

3%

(3年以上経過)

平成16年度

3%(4年以上経過）

平成15年度

3%

(5年～9年経過)

平成10年度～14年度

19%

(10年以上経過)

平成9年度以前

72%

経　過　年　数 件数 割合

平成９年度以前　 (10年以上経過) ７３ 63%

平成 10年度～ 14年度(5年～ 9年経過) 27 23%

平成 15年度　　 　(4年以上経過) 3 3%

平成 16年度 (3年以上経過) 6 5%

平成 17年度 (2年以上経過) 3 3%

平成 18年度 (1年以上経過) 0 0%

平成 19年度 (経過年数 0年) 3 3%

合　　　　計 115 100%

購　入　金　額 件数 割合

10,000千円以上 20,000千円未満 65 57%

20,000千円以上 30,000千円未満 14 12%

30,000千円以上 50,000千円未満 14 12%

50,000千円以上 100,000千円未満 18 16%

100,000千円以上 4 3%

合　　　　計 115 100%

経　過　年　数 件数 割合

平成９年度以前　 (10 年以上経過) 26 72%

平成 10年度～ 14年度(5年～ 9年経過) 7 19%

平成 15年度　　 　(4 年以上経過) 1 3%

平成 16年度 (3年以上経過) 1 3%

平成 17年度 (2年以上経過) 1 3%

平成 18年度 (1年以上経過) 0 0%

平成 19年度 (経過年数 0年) 0 0%

合　　　　計 36 100%

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（４）財源と件数

財源と件数

受託研究

3%その他

2%運営費交付金

4%

科学研究費補助金

4%

寄附

7%

旧管理換

9%

旧国立学校特別会計

71%

財　　　源 件数 割合

旧国立学校特別会計 81 71%

旧管理換 　10 9%

寄附 8 7%

科学研究費補助金 5 4%

運営費交付金 5 4%

受託研究 4 3%

その他 2 2%

合　　　　計 115 100%

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別紙２

（単位：千円）

新 規 特別教育研究経費 法 人 内 経 費

区　分 ／

更新等

平成21年度 186,102 80,000 78,060

三次元形状測定・評価システム 基盤的大型 更新 66,102

ナノ微細加工と3Dマイクロ加工設備　一式 基盤的大型 更新･新規 120,000

超高速デバイス撮影装置 基盤的設備 更新 30,000

光通信符号誤測定実験システム 共通的設備 更新・新規 50,000

超伝導フーリエ変換ＮＭＲ 基盤的大型 復活再生 42,500

元素分析装置 外３点 基盤的大型 復活再生 　 35,560

小　　　　　　計 186,102 80,000 78,060

平成22年度 51,200 189,034 0

Ｘ線光電子分析装置 基盤的大型 更新 51,200 9,034

広帯域エネルギーイオンビーム発生装置 外１点 基盤的設備 更新 30,000

知能機械工学教育研究並列処理システム 共通的設備 更新・新規 50,000

超高強度・短波長レーザーシステム 先端的大型 更新 100,000

平成23年度 83,000 95,000 0

電子線元素状態分析装置 基盤的大型 更新 83,000 15,000

高速キャンパスネットワークシステム 基盤的設備 更新 30,000

情報教育研究支援システム 共通的設備 更新・新規 50,000

平成24年度 65,450 91,550 0

高磁場多目的物性測定システム 基盤的大型 更新 65,450 11,550

統合生産システム実験装置 基盤的設備 更新 30,000

高速電圧信号発生システム 共通的設備 更新・新規 50,000

平成25年度 76,044 83,000 0

電界放出型走査型電子顕微鏡 基盤的大型 更新 76,044 13,000

イオントラップ型タンデム質量分析計 基盤的設備 更新 20,000

飛行時間型高分解能質量分析システム 共通的設備 更新・新規 50,000

平成26年度 76,972 94,000 0

結晶材料構造評価システム 基盤的大型 更新 76,972 14,000

新規機能性物質開発支援システム 基盤的設備 更新 30,000

微小荷重対応型万能試験装置 共通的設備 更新・新規 50,000

平成27年度 135,848 104,000 0

電子スピン共鳴装置 基盤的大型 更新 38,000 7,000

200ｋＶ電界放出型透過型電子顕微鏡 基盤的大型 更新 97,848 17,000

ニ波長・波長可変パルスレーザーシステム 外１点 基盤的設備 更新 30,000

ヒューマンメディア工房支援システム 共通的設備 更新・新規 50,000

小　　　　　　計 488,514 656,584 0

平成28年度以降 500,000 475,000 0

イオン注入装置外１点 基盤的大型 更新 500,000 40,000

電子ビーム露光装置 外１点 基盤的設備 更新 30,000

３次元物体計測設計試作統合システム 共通的設備 更新･新規 50,000

多機能オプトメカトメカトロニクス製作・研究設備 先端的大型 更新 100,000

小型電波暗室 外８点 基盤的設備 更新 255,000

1,174,616 1,211,584 78,060（注）区分について

・基盤的大型　：　３千万円以上の共同利用の大型設備・基盤的設備　：　１千万円～３千万円未満の共同利用設備・共通的設備　：　学科、専攻等の共通教育研究設備（教育水準維持のための基礎実験・実習設備）・先端的大型　：　特色ある研究に必要な先端的大型設備

合　　　　　　計

次　　期　　中　　期　　計　　画　　期　　間

今中期計画期間

設 備 整 備 年 次 計 画 表

自助努力による整備年度別設備名

化学系研究設備有効活用ネットワークへの参加による整備

基盤的設備等整備枠による整備

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別紙３

(注)機器分析センターの所管でない設備を含む。

ＮＯ 資産名 取得価額 取得年月日 備考1 追尾旋回台 16,332,978 昭和52年 3月19日2 高速ストリークカメラ 12,000,000 昭和54年 3月31日3 人工衛星軌道決定装置 15,819,476 昭和54年10月 9日4 プログラマブルトランゼントテイジタイザー 13,547,000 昭和55年 2月29日5 オプティカルマルチチャンネルアナライザー 18,004,197 昭和55年 9月 1日6 モード同期ＹＡＧレーザーシステム 11,587,129 昭和55年11月11日7 プログラマブルタイザー 10,194,800 昭和56年 2月 2日8 安定化リングダイレーザー 16,145,000 昭和56年 2月18日9 ブログラマブルデジタイザシステム 17,069,000 昭和56年 3月20日

10 ＫｒＦレーザー発振器用電子ビーム源 26,200,000 昭和56年 3月31日11 ＫｒＦレーザー増幅器用電子ビーム源 43,760,000 昭和56年 3月31日12 コニカル・スキャニング自動追尾装置 26,602,037 昭和56年12月18日13 １１Ｔ超伝導マグネット内蔵クライオスタット 14,613,000 昭和57年 3月 8日14 電子ビーム励起ブースター・レーザ増幅器 35,000,000 昭和57年 3月31日15 分子線装置 52,131,000 昭和57年 3月31日16 エキシマレーザー装置 14,162,323 昭和58年 6月30日17 エキシマーレーザー 15,500,000 昭和60年12月 6日18 油中式マルクス発生器 12,240,000 昭和61年 2月28日19 油中式マルクス発生器 12,240,000 昭和61年 2月28日20 モジュール化ブルームライン波形整形装置 33,900,000 昭和61年 3月18日21 電子ビームダイオードおよびレーザーセル 13,480,000 昭和61年 3月28日22 超高速現象観測装置 35,638,000 昭和62年12月23日23 プラズマ観測用レーザー装置 24,400,000 昭和63年 1月29日24 顕微画像解折システム 17,443,050 平成 2年 2月27日25 高精度ＮＣフライス盤 11,330,000 平成 3年 2月19日26 時間分解蛍光分光システム 15,929,980 平成 3年 3月15日27 超高速Ｘ線画像観測装置 63,072,050 平成 5年 3月30日28 ＥｌｅｃｔｒｏＢｅａｍＩｏｎＳｏｕｒｃｅ 80,000,100 平成 6年 3月11日29 光電子分光表面分析複合装置 19,000,000 平成 7年 1月20日30 ＥＢＩＳ 39,964,000 平成 7年 1月31日31 電子ビーム加速電源高圧シールド 15,450,000 平成 7年 3月20日32 Ｔｉ－Ｓａｐｐｈｉｒｅリングレーザーシステム 14,008,000 平成 7年 3月30日33 高電圧ガス絶縁用圧力容器 10,300,000 平成 7年 8月31日34 遺伝子解析装置 21,862,934 平成 8年 3月13日35 高分解能光解析システム 10,470,117 平成 8年 3月21日36 物質機能評価装置 46,051,300 平成 8年 3月27日37 走査プローブ顕微鏡 12,875,000 平成 8年 3月29日38 超高速電気光学プローブシステム 14,925,215 平成 8年 3月29日39 機能物質設計装置 110,931,000 平成 8年 3月29日40 アルゴンレーザー 13,005,993 平成 8年 9月18日41 超高真空排気装置 12,000,000 平成 9年 1月22日42 モードロックＴＩサファイアレーザー 13,287,000 平成 9年 1月22日43 赤外線単結晶製造装置 13,832,900 平成 9年 3月13日44 高周波スパッタリング装置 10,557,500 平成10年11月 5日45 ＹＡＧレーザー 12,600,000 平成12年 3月10日46 歯車精度測定機 18,750,000 平成12年 6月30日47 歯車精度測定機 27,250,000 平成12年 6月30日48 ヘリウムガス精製用圧縮機 12,866,000 平成12年 9月30日 H20年度更新予定49 ヘリウムガス乾燥器 17,139,200 平成12年 9月30日 H20年度更新予定50 ヘリウム液化機 120,831,360 平成12年 9月30日 H20年度更新予定51 ヘリウム液化システム 115,500,000 平成12年11月29日 H20年度更新予定52 簡易電波暗室 19,792,500 平成12年12月21日53 温度可変超高真空原子間力顕微鏡 82,299,000 平成13年 3月26日54 超音波映像探査装置 10,000,000 平成13年 6月22日55 高速パルスパターン発生装置 14,463,750 平成13年12月21日56 超深度形状測定顕微鏡システム 14,997,150 平成14年 6月21日57 オプトメカトロニクスデバイス評価システム 22,732,500 平成14年10月24日58 高密度プラズマエッチング装置 56,878,500 平成14年10月31日59 Ｘ線装置 28,392,000 平成14年11月20日60 希釈冷凍機 14,700,000 平成15年 9月 9日61 ネットワークアナライザ 10,447,500 平成15年11月18日62 エラー・ディテクタ 11,200,000 平成16年12月14日63 パルス・パターン・ジェネレータ 17,280,000 平成16年12月14日64 表面非線形光学物性評価装置 31,862,251 平成17年 3月18日65 ネットワーク・アナライザー 11,740,347 平成17年 3月31日66 ＣＷ　１０Ｗグリーンレーザ 11,025,000 平成18年 3月16日67 リアルタイム・スペクトラム・アナライザ 13,629,000 平成19年11月28日68 計算・ファイルサーバ 10,420,428 平成20年 3月25日69 Ybファイバーレーザー 11,970,000 平成20年 3月31日

1,775,628,565合　　　　　　　　　　　　　　　　　　　計

【設備整備年次計画表に記載のない教育研究設備一覧】

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別紙４

概算要求を予定している基盤的大型設備の概要

最先端三次元形状測定・評価システム (2１年度要求事項)

１. 装置の概要

本システムは、幅広い測定物に対応したプローブシステムを持つ高精度CNC三次元測定機、

測定機本体と協調して多様な測定を行うためのロータリーテーブル、寸法測定、形状測定、

自由曲面測定とそれらの評価など品質保証から開発・生産に直結したデータ処理装置の３つ

の部分から構成される。

２．装置の必要性

近年、基礎科学分野から工業技術分野に広がる技術基盤として計量標準の整備及び国際

化への対応が迫られている。その中でも、長さおよび幾何学量は、もの作りに直結しており、

その重要性はきわめて高い。実用面では、本装置により国家標準にトレーサブルで高精度な

三次元形状測定が可能となる。また、国際規格に基づいた寸法形状の評価が可能となる。

教育面では、これらを高精度な計測装置を取り扱うことのできる最先端の測定・評価技術を

身につけた研究者、技術者の養成を行うことができる。研究面では、新たな高精度計測装置

の開発や加工装置の開発を行う上で必要となる、計測評価を行うことができる。共同利用の

面では、学内外を問わず寸法測定や精度評価のための装置として、さまざまな要求に応える

ことが可能となる。

現システム：高精度三次元形状測定システム（㈱東京精密，XYZAX GC600D-34高精度仕様）

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ナノ微細加工と3Dマイクロ加工設備 一式 (2１年度要求事項)

１. 装置の概要

本設備は、電子、光材料を微細加工するナノ微細加工設備と加工されたナノ材料の

立体形状測定装置から構成される。

２．装置の必要性

サテライト・ベンチャー・ラボラトリーが平成８年に本学の基幹研究分野である先端材

料・デバイス、情報通信、ロボッティクスの３分野の融合により２１世紀の日本の基盤技術

の創出を目指して最先端設備を備えた研究棟として設立され、１０年以上が経過した。

設立当時は、ベンチャー創出、育成に十分であった微細加工設備も老朽化し、現在の

市場が要求するナノ微細加工を迅速に行うには適さなくなってしまっているのが現状であ

る。

本機器群を最新機器に更新することにより、GaAs基板やInP基板をベースとした材料に

損傷を与えることなく、今まで以上に小さなパターン作成が短期間で可能となる。また、

設備の解像度、アライメント精度等の向上により、既存の装置では市場で優位に立てなか

った製品開発が可能となる。

本機器群はユビキタス機器などの超小型機器の研究開発、組み込み及び実用化には

不可欠な設備であることから、最先端技術を基盤としたベンチャー企業の創出を目指すた

めにも更新が必要である。

現システム：超微細放電加工装置（神鋼商事㈱，MG-ED72他）

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X線光電子分析装置 (ESCA) （島津製作所，ESCA-K1） (22年度要求事項)

１．装置の概要

真空中で固体表面にX線を照射すると、表面原子の情

報を持った光電子が飛び出す。この光電子は、元素に固

有のエネルギー値を有しており、そのエネルギー分布を

測定することによって表面元素組成と状態分析（酸化数）

などを行うことができる。

２．装置の必要性

新たに作成した機能性材料については、表面の組成、状態を知ることが表面特性を活かす

ため必要となる。表面を削り、削られた表面の分析を繰り返すことで深さ方向の組成情報が得

られ、積層半導体、多積層機能材料の分析に活用される。また、製品で発生するクレーム処

理においても、極表面の情報を得ることは、早期の解決のための有力な手段となる。

電子線微小領域元素状態分析装置(EPMA) (日本電子㈱，JXA-8900) (2３年度要求事項)

１．装置の概要

収束させた電子線により試料表面を走査し、観測している微小領域からの元素特有のX線解

析により元素分析を行う。元素分析装置として、エネルギー分散型分析装置と波長分散型分

析装置を有し、多結晶から単結晶までの広い分野での元素分析が高精度で可能である。

２．装置の必要性

基板上に堆積させた半導体の微細構造の観察、表面組成

の測定のために使用する。また、超伝導薄膜の表面組成の測

定から、薄膜の堆積温度と薄膜生成の相関を調べるために使

用する。

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高磁場多目的物性測定システム（Quantum Design，PPMS/MPMS7）(２４年度要求事項)

１．装置の概要

代表的な固体物性である、磁化率（直流、交流）、比熱、

電気抵抗、ホール効果、磁気抵抗の温度変化を測定すること

ができる。測定温度は1.9 Kから室温まで、印加磁場は0 ～9

テスラであり、磁性試料によって発生する微小磁場を超伝導

体のジョセフソン効果を応用したSQUID素子で検出すること

ができる。

２．装置の必要性

磁性体の交流磁化率の測定から、磁性の動的な挙動がわかる。また、交流増幅の手法に

より、試料にかける磁場が数Oe程度の弱磁場でも、感度よく磁化率を測定できるので、磁気

的相転移の有無を調べるのに有効である。単結晶の磁化容易軸の決定、光照射による磁化率

の変化、直流電気伝導度（ゼロ磁場および印加磁場下）の測定などの必要からも必要不可

欠である。

電界放出型走査電子顕微鏡 （日立㈱，S-4300） (2５年度要求事項)

１．装置の概要

走査型電子顕微鏡は、固体材料表面へ照射した走査電線の反射を利用して、表面微視構

造の観察を行う装置である。電界放出型では電子ビームのエネルギー分散が小さく、極めて

微細な表面構造の観察を可能としている。

２．装置の必要性

金属材料や無機材料の表面状態及び表面介在物

を観察し、それらの大きさ、分布などを明らかにする

ことができる。ナノ構造体の形状や微粒子径の解析、

各種金属材料の集合組織形成機構の解明、金属破

壊の原因推測に大いに役立つ装置である。

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結晶材料構造評価システム（㈱リガク，Ultima III／saturn70 CCD） (26年度要求事項)

１. 装置の概要

各種粉末結晶からの回折データの測定を行うことにより、試料の定性分析に使用することが

できる。また、高感度、低ノイズのＣＣＤ型２次元検出器により結晶格子軸の決定から強度デ

ータ測定までをほぼ自動的に行うことができる。

２．装置の必要性

既知物質のX線回折パターン図との比較により、未知物質の同定

ができる。有機物質の単結晶について、三次元回折Ｘ線データを

高速かつ高精度に測定できる。微小結晶を使った構造解析や迅速

な結晶スクリーニングを行うためには必須である。

電子スピン共鳴装置 (ESR) （Brucker 社，ESP300E 9/2.7） (2７年度要求事項)

１．装置の概要

常磁性体中の不対電子は静磁場中に置かれた時、二

つのエネルギー状態に分裂する。ここでマイクロ波を照射

すると、エネルギー差に相当する吸収信号が観測される。

この現象を電子スピン共鳴と呼ぶ。

本装置は、電子スピン共鳴ならびに電子－核二重共鳴

の測定を行い、そのスペクトル解析を支援する装置である。

２．装置の必要性

機能性材料研究の分野において、化学変化に伴う中間体の確認・追跡、高スピン化合物の

スピン多重度の決定などに利用される。生物の分野では、生体分子系の集合状態や運動状

態を知るために役立つ。また、物理工学の分野では、固体表面の不対電子を伴う格子欠陥の

構造を調べるために使用できる。

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200kV 電界放出型透過型電子顕微鏡（日本電子㈱，JEM-2100F） (27年度要求事項)

１．装置の概要

透過型電子顕微鏡は、X線よりも波長の短い電子線を光源とし、磁界型レンズを用いて結像

することにより、各種材料の原子・分子レベルでの直接像観察、微小領域の結晶構造解析を

行う装置である。

２．装置の必要性

透過型電子顕微鏡は電子線を透過する固体物質であれば

内部組織と微細構造の観察が可能なため、様々な材料の観

察・分析に用いることができる。本学では、各種合金バルク

材や半導体・金属薄膜、無機材料のナノ超微粒子の観察に、

恒常的に使用されている。凍結乾燥させた生物組織等の医学

研究にも使用することができる。