electrotehnica -teste tecmos
TRANSCRIPT
99
Capitolul 6
Tranzistoare cu efect de câmp
metal oxid semiconductor
1. 2p
Structura de principiu a tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal initial este prezentată în figura notată cu:
a) S G D
BS
SiO2
p++ n++
n
n
canal
b) S G D
BS
SiO2
n++
n++
p
canal
c)
G
D
GS
canal
p
p n
S
n
joncţiune p-n
joncţiune p-n
d) S G D
B
S
SiO2
n++
n++
p
n
canal
2. 2p
Structura de principiu a tranzistor cu efect de câmp de câmp metal oxid semiconductor cu canal indus este prezentată în figura notată cu:
a)
S G D
BS
SiO2
p++ n++
n
n
canal
b)
S G D
B
S
SiO2
n++
n++
p
canal
Elemente de electronică analogică - teste
100
c) G
D
G
S
canal
p
p n
S
n
joncţiune
p-n
joncţiune
p-n
d) S G D
B
S
SiO2
n++
n++
p
n
canal
3. 1p
Figura 6.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat S se numeşte:
S G D
B
S
SiO2
n++
n++
p
n
canal
Figura 6.1
a) sursă; b) drenă; c) grilă; d) substrat
4. 1p
Figura 6.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat G se numeşte:
a) sursă; b) drenă; c) grilă; d) substrat
5. 1p
Figura 6.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat D se numeşte:
6. 1p
Figura 6.1 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal initial. Electrodul notat B se numeşte:
Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor
101
a) sursă; b) drenă; c) grilă; d) substrat
Răspuns corect d) 7. 1p
Figura 6.2 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat B se numeşte:
S G D
B
S
SiO2
n++
n++
p
canal
Figura 6.2
a) sursă; b) drenă; c) grilă; d) substrat
8. 1p
Figura 6.2 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat S se numeşte:
a) sursă; b) drenă; c) grilă; d) substrat
9. 1p
Figura 6.2 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat G se numeşte:
a) sursă; b) drenă; c) grilă; d) substrat
10. 1p
Figura 6.2 prezintă structura de principiu a unui tranzistor cu efect de câmp metal oxid semiconductor cu canal indus. Electrodul notat D se numeşte:
Elemente de electronică analogică - teste
102
a) sursă; b) drenă; c) grilă; d) substrat
11 1p
Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip n este:
a.)
S
G
D
B
b.)
S
G
D
B
c.)
S
G
D
B
d.)
S
G
D
B
12 1p
Simbolul unui TECMOS cu canal indus tip p este:
a.)
S
G
D
B
b.)
S
G
D
B
c.)
S
G
D
B
d.)
S
G
D
B
13 1p
Simbolul unui TECMOS cu canal inţial tip n este:
a.)
S
G
D
B
b.)
S
G
D
B
c.)
S
G
D
B
d.)
S
G
D
B
14 1p
Simbolul unui TECMOS cu canal iniţial tip p este:
Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor
103
a.)
S
G
D
B
b.)
S
G
D
B
c.)
S
G
D
B
d.)
S
G
D
B
15. 2p
În cazul unui TECMOS canalul este situat:
a) la suprafaţa structurii (interfaţa Si-SiO2), făcând legatura dintre drena şi sursă;
b) în volumul structurii, făcând legatura dintre drena şi sursă; c) la suprafaţa structurii (interfaţa Si-SiO2), dar numai în partea
dinspre drenă; d) în volumul structurii, dar numai în partea dinspre drenă;
16. 1p
Din punct de vedere tehnologic se pot realiza tranzistoare cu efect de câmp:
a) numai cu canal n: b) numai cu canal p; c) atât cu canal n cât şi cu canal p; d) tipul de canal depinde de tipil de tranzistor (TECJ sau
TECMOS).
17. 2p
Curentul principal din TECMOS se stabileşte între:
a) grilă şi drenă; b) sursă şi drenă; c) sursă şi grilă; d) grilă şi drenă.
18. 2p
Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal n se stabileşte între sursă şi drenă. El este constituit din:
a) electroni b) goluri; c) ioni pozitivi; d) ioni negativi.
19. Curentul principal dintr-un TECMOS cu canal p se stabileşte între sursă
Elemente de electronică analogică - teste
104
2p şi drenă. El este constituit din: a) electroni
b) goluri; c) ioni pozitivi; d) ioni negativi.
20 3p
Curentul principal dintr-un TECMOS - curent care circulă între sursă şi drenă - circulă printr-un canal, a cărui conductanţă este modificată electric de potenţialul de pe grilă. În cazul TECMOS cu canal iniţial:
a) potenţialul grilei modifică lungimea canalului şi prin aceasta rezistenţa canalului;
b) potenţialul grilei modifică secţiunea canalului şi prin aceasta rezistenţa canalului;
c) potenţialul grilei modifică lăţimea canalului şi prin aceasta rezistenţa canalului;
d) potenţialul grilei modifică concentraţia purtătorilor din canal şi prin aceasta rezistenţa canalului.
21. 1p
Conexiunea sursă comună a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este prezentată în figura notată:
a)
vIN
vO iIN
iO
b)
vIN vO
iIN iO
c)
vIN
vO iIN
iO
d)
vIN vO
iIN iO
22 1p
Conexiunea drenă comună a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este prezentată în figura notată:
a)
vIN
vO iIN
iO
b)
vIN vO
iIN iO
Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor
105
c)
vIN
vO iIN
iO
d)
vIN vO
iIN iO
23. 1p
Conexiunea grilă comună a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este prezentată în figura notată:
a)
vIN
vO iIN
iO
b)
vIN vO
iIN iO
c)
vIN
vO iIN
iO
d)
vIN vO
iIN iO
24. 1p
Conexiunea sursă comună a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentată în figura notată:
a)
vIN
vO iIN
iO
b)
vIN vO
iIN iO
c)
vIN
vO iIN
iO
d)
vIN vO
iIN iO
25. 1p
Conexiunea drenă comună a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentată în figura notată:
Elemente de electronică analogică - teste
106
a)
vIN
vO iIN
iO
b)
vIN vO
iIN iO
c)
vIN
vO iIN
iO
d)
vIN vO
iIN iO
26. 1p
Conexiunea grilă comună a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentată în figura notată:
a)
vIN
vO iIN
iO
b)
vIN vO
iIN iO
c)
vIN
vO iIN
iO
d)
vIN vO
iIN iO
27. 2p
Întrucât grila unui TECMOS este izolată de canal printr-un strat de bioxid de siliciu curentul de grilă este:
a)
.
)(constU
DSGG
GS
vii=
=
b) .
)(constU
GSGG
GS
vii=
=
c) 0≅Gi
d) DS
DSG
r
vi =
Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor
107
28. 1p
Figura 6.3 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n. Cu I a fost notată:
vDS
iD
vGS=-4V
vGS=2V
vGS=0V
vGS=0.1V IV.
III.
II.
I.
vGS=VT
vGS-vT
Figura 6.3
a) regiunea de blocare; b) regiunea liniară; c) regiunea de cot; d) regiunea de saturaţie.
29. 1p
Figura 6.3 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n. Cu II a fost notată:
a) regiunea de blocare; b) regiunea liniară; c) regiunea de cot; d) regiunea de saturaţie.
30. 1p
Figura 6.3 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n.Cu III a fost notată:
a) regiunea de blocare; b) regiunea liniară; c) regiunea de cot; d) regiunea de saturaţie.
31. 1p
Figura 6.3 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n. Cu IV a fost notată:
a) regiunea de blocare; b) regiunea liniară; c) regiunea de cot; d) regiunea de saturaţie.
32. 1p
Figura 6.4 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus de tip n. Cu I a fost notată:
Elemente de electronică analogică - teste
108
vDS
iD
vGS=2V
vGS=4V
vGS=6V
vGS=8V IV.
III.
II.
I.
vGS=VT
vGS-vT
Figura 6.4
a) regiunea de blocare; b) regiunea liniară; c) regiunea de cot; d) regiunea de saturaţie.
33. 1p
Figura 6.4 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus de tip n. Cu II a fost notată:
a) regiunea de blocare; b) regiunea liniară; c) regiunea de cot; d) regiunea de saturaţie.
34. 1p
Figura 6.4 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus de tip n.Cu III a fost notată:
a) regiunea de blocare; b) regiunea liniară; c) regiunea de cot; d) regiunea de saturaţie.
35. 1p
Figura 6.4 prezintă caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus de tip n. Cu IV a fost notată:
a) regiunea de blocare; b) regiunea liniară; c) regiunea de cot; d) regiunea de saturaţie.
36. 2p
Un TECMOS care funcţionează în regiunea liniară se comportă ca
a) rezistenţă comandată; b) un generator de curent comandat; c) un circuit întrerupt; d) un generator de tensiune comandat.
Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor
109
37. 2p
Un TECMOS care funcţionează în regiunea de blocare se comportă ca
a) rezistenţă comandată; b) un generator de curent comandat; c) un circuit întrerupt; d) un generator de tensiune comandat.
38. 2p
Un TECMOS care funcţionează în regiunea de saturaţie se comportă ca
a) rezistenţă comandată; b) un generator de curent comandat; c) un circuit întrerupt; d) un generator de tensiune comandat.
39. 3p
Caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal iniţial de tip n este prezentată în figura notată:
a)
vDS
iD
vGS=-4V
vGS=0V
vGS=2V
vGS=4VRegiune de saturatie
Regiune
de cot
Regiune
liniara
Regiune de
blocare
vGS=VT
vGS-vT
b)
vDS
iD
vGS=2V
vGS=4V
vGS=6V
vGS=8V Regiune de saturatie
Regiune de cot
Regiune liniara
Regiune de blocare
vGS=VT
vGS-vT
c)
vDS
iD
vGS=-4V
vGS=2V
vGS=0V
vGS=0.1VRegiune de saturatie
Regiunede cot
Regiune
liniara
Regiune deblocare
vGS=VT
vGS-vT
d)
vCE
iC
iB1
iB2
iB3
iB4Regiunea activă normalăvCB=0
Regiunea de
saturatie
Regiunea de
blocare
40. 3p
Caracteristica de ieşire a unui TECMOS cu canal indus de tip n este prezentată în figura notată:
a)
vDS
iD
vGS=-4V
vGS=0V
vGS=2V
vGS=4VRegiune de saturatie
Regiune
de cot
Regiune
liniara
Regiune de
blocare
vGS=VT
vGS-vT
b)
vDS
iD
vGS=2V
vGS=4V
vGS=6V
vGS=8V Regiune de saturatie
Regiune de cot
Regiune liniara
Regiune de blocare
vGS=VT
vGS-vT
Elemente de electronică analogică - teste
110
c)
vDS
iD
vGS=-4V
vGS=2V
vGS=0V
vGS=0.1VRegiune de saturatie
Regiunede cot
Regiune
liniara
Regiune deblocare
vGS=VT
vGS-vT
d)
vCE
iC
iB1
iB2
iB3
iB4Regiunea activă normalăvCB=0
Regiunea de
saturatie
Regiunea de
blocare
41. 3p
Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal iniţial n este prezentată în figura notată:
a)
1V
iD
vGS
IDSS
VT
b) iD
vGS
VT
c)
iD
vGS
IDSS
VT 1V
d)
vBE
iB
vCE1
vCE2>vCE1
γV
42. 3p
Caracteristica de intrare a unui TECMOS cu canal indus n este prezentată în figura notată:
a)
1V
iD
vGS
IDSS
VT
b) iD
vGS
VT
c)
iD
vGS
IDSS
VT 1V
d)
vBE
iB
vCE1
vCE2>vCE1
γV
43. 3p
Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucrează în regiunea de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:
Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor
111
a) iG=0 şi iD=0
b) iG=0 şi ( )2
2 TGSD Vvi −=β
c) iG=0 şi DS
T
GS
oD uV
vGi
−=
21
1
d)
=
T
BE
SCe
vIi exp şi
=
T
BE
F
S
Be
vIi exp
β
44. 3p
Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucrează în regiunea de saturaţie - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) iG=0 şi iD=0
b) iG=0 şi ( )2
2 TGSD Vvi −=β
c) iG=0 şi DS
T
GSoD u
V
vGi
−=
21
1
d)
=
T
BE
SCe
vIi exp şi
=
T
BE
F
SB
e
vIi exp
β
45. 3p
Modelul matematic (aproximativ) al unui TECMOS care lucrează în regiunea liniară - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a) iG=0 şi iD=0
b) iG=0 şi ( )2
2 TGSD Vvi −=β
c) iG=0 şi DS
T
GSoD u
V
vGi
−=
21
1
d)
=
T
BE
SCe
vIi exp şi
=
T
BE
F
SB
e
vIi exp
β
46. 3p
Schema echivalentă a unui TECMOS care lucrează în regiunea liniară - regim cvasistatic de semnal mare - este:
Elemente de electronică analogică - teste
112
a)
B
E
C
βFiBvBE
iB
b) G
S
D
RvGS
c)
G
S
D
( )2
2 TGS Vv −β
vGS
d) G D
S
G
vGS vDS
47. 3p
Schema echivalentă a unui TECMOS care lucrează în regiunea de saturaţie - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a)
B
E
C
βFiBvBE
iB
b) G
S
D
RvGS
c)
G
S
D
( )2
2 TGS Vv −β
vGS
d) G D
S
G
vGS vDS
48. 3p
Schema echivalentă a unui TECMOS care lucrează în regiunea de blocare - regim cvasistatic de semnal mare - este:
a)
B
E
C
βFiB
vBE
iB
b) G
S
D
RvGS
c)
G
S
D
( )2
2 TGS Vv −β
vGS
d) G D
S
G
vGS vDS
49. 3p
Pentru un TECMOS, o dată cu creşterea temperaturii:
Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor
113
iD
vGS
T2
VT1
T1 T2>T1
VT2
IDSS1
IDSS2
Z
VGZ
IZ
Figura 6.5
a) IDSS scade iar VT creşte; b) IDSS creşte iar VT scade; c) IDSS şi cresc; d) IDSS şi VT scad.
Pentru notaţii vezi figura 6.4
50. 3p
Pentru un TECMOS, o dată cu creşterea temperaturii:
a) iD scade dacă iD>IZ; b) iD creşte dacă iD>IZ; c) iD scade dacă iD<IZ; d) temperatura nu are nici un fel de efect asupra valorii lui iD;
Pentru notaţii vezi figura 6.4
51. 3p
O dată cu variaţia temperaturii caracteristicile de ieşire ale unui TECMOS se modifică ca în figura notată (urmăriţi relaţia dintre T1 şi T2):
a) iD
vGS
T2
VT1
T1 T2<T1
VT2
IDSS1
IDSS2
Z
VGZ
IZ
b) iD
vGS
T2
VT1
T1 T2>T1
VT2
IDSS1
IDSS2
Z
VGZ
IZ
c)
21 TT ≤ iD
vGS
T2
VT1
T1
VT2
IDSS1
IDSS2
Z
VGZ
IZ
d) 21 TT ≥ iD
vGS
T2
VT1
T1
VT2
IDSS1
IDSS2
Z
VGZ
IZ
52. Un posibil model matematic pentru un TECMOS – pentru regimul
Elemente de electronică analogică - teste
114
3p cvasistatic de semnal mic – este: a) id=0 şi id=gmvds
b) ig=0 şi id=gmvgs c) id=0 şi id=gmvds d) ig=0 şi id=gmvgs
unde
ig curent de grilă (valoare instantanee de semnal) id curent de drenă (valoare instantanee de semnal) vgs tensiune de grilă-sursa (valoare instantanee de semnal) vds tensiune de drenă-sursa (valoare instantanee de semnal)
TGS
Dm
VV
Ig
−=
2
53. 3p
Tranconductanţă mutuală a unui TECMOS are expresia:
a) ( )2TGSm
Vvg −= β ;
b) Tgs
Dm
VV
Ig
−=
2 ;
c) ( )TGSm Vvg −= β ;
d) Tgs
dm
VV
Ig
−=
2 .
54. 3p
Schema echivalentă ce corespunde modelului matematic ig=0 id=gmvgs
al unui TECMOS – pentru regimul cvasistatic de semnal mic – este prezentată în figura:
a)
gmvgs
D
S
G
vgs
b)
gmvgs
D
S
G
vgs
c)
gmvgs
D
S
G
vgs
d)
gmvgs
D
S
G
vgs
Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor
115
55. 2p
Circuitul de polarizare al unui TECMOS are sarcina de a asigura:
a) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea punctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor, dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii;
b) polarizarea directă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea punctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor, dar nu şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii;
c) polarizarea inversă a joncţinii poartă – canal, stabilitatea punctului static de funcţionare funcţie de dispersia parametrilor, precum şi stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii;
d) stabilitatea punctului static funcţie de variaţia temperaturii;
56. 3p
Pentru a funcţiona ca amplificator, tensiunea dintre grila şi sursa unui TECMOS cu canal indus de tip n:
a) este întotdeauna pozitivă; b) este întotdeauna negativă; c) poate fi atât pozitivă cât şi negativă; d) este întotdeauna zero.
57. 3p
Pentru a funcţiona ca amplificator, tensiunea dintre grila şi sursa unui TECMOS cu canal indus de tip p:
a) este întotdeauna pozitivă; b) este întotdeauna negativă; c) poate fi atât pozitivă cât şi negativă; d) este întotdeauna zero.
Răspuns corect b) 58. 3p
Pentru a funcţiona ca amplificator, tensiunea dintre grila şi sursa unui TECMOS cu canal iniţial de tip n:
a) este întotdeauna pozitivă; b) este întotdeauna negativă; c) poate fi atât pozitivă cât şi negativă; d) este întotdeauna zero.
59. 3p
Pentru a funcţiona ca amplificator, tensiunea dintre grila şi sursa unui TECMOS cu canal iniţial de tip p:
Elemente de electronică analogică - teste
116
a) este întotdeauna pozitivă; b) este întotdeauna negativă; c) poate fi atât pozitivă cât şi negativă; d) este întotdeauna zero.
60. 3p
Pentru un TECMOS cu canal indus de tip n s-au impus scheme de polarizare de tipul celei din figura notată:
a) +ED
R1
R2
RC
b) +ED
R1
R2
RC
RS
c)
-ED
R1
R2
RC
d) -ED
R1
R2
RC
RS
61. 3p
Pentru un TECMOS cu canal inţial de tip n s-au impus scheme de polarizare de tipul celei din figura notată:
a) +ED
R1
R2
RC
b) +ED
R1
R2
RC
RS
Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor
117
c) -ED
R1
R2
RC
d) -ED
R1
R2
RC
RS
62. 2p
Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Tranzistorul este blocat dacă:
ED
RD
vIN vO
iD
Figura 6.6
a) vIN<VT b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat
63. 2p
Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Tranzistorul este în regiunea de saturaţie dacă:
a) vIN<VT b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat d) vIN<VT : sau vDS<vDSsat
64. 2p
Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Tranzistorul este în regiunea liniară dacă:
a) vIN<VT b) vIN>VT : şi vDS>vDSsat c) vIN>VT : şi vDS<vDSsat d) vIN>VT : sau vDS<vDSsat
Elemente de electronică analogică - teste
118
65. 2p
Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul este blocat schema se modelează ca în figura notată:
a) ED
RD
vIN vO
iD
GD
S
b) E
D
RD
vIN
vO
( )2
2 TGSVv −
β
G D
S
iD
vGS
c)
vIN vO
ED
RD
vGS
G D
S
R
d) ED
vIN vO
iIN
vGS
G D
S
R
66. 2p
Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul operează în regiunea de saturaţie schema se modelează ca în figura notată:
a) ED
RD
vIN vO
iD
GD
S
b) E
D
RD
vIN
vO
( )2
2 TGSVv −
β
G D
S
iD
vGS
c)
vIN vO
ED
RD
vGS
G D
S
R
d) ED
vIN vO
iIN
vGS
G D
S
R
Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor
119
67. 2p
Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul operează în regiunea liniară schema se modelează ca în figura notată:
a) ED
RD
vIN vO
iD
GD
S
b) E
D
RD
vIN
vO
( )2
2 TGSVv −
β
G D
S
iD
vGS
c)
vIN vO
ED
RD
vGS
G D
S
R
d) ED
vIN vO
iIN
vGS
G D
S
R
68. 4p
Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul operează în regiunea liniară tensiunea de ieşire are expresia:
a) vO=ED;
b) ( )2
2 TINDDO VvREv −−=β ;
c) vO= ER
R RD
D+;
d) ( )2
2 TINDDO VvREv +−=β .
69. 2p
Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul operează în regiunea de saturaţie tensiunea de ieşire are expresia:
a) vO=ED;
b) ( )2
2 TINDDO VvREv −−=β ;
c) vO= ER
R RD
D+;
Elemente de electronică analogică - teste
120
d) ( )2
2 TINDDO VvREv +−=β .
70. 2p
Figura 6.6 prezintă schema de principiu a unui etaj sursă comună construit cu un TECMOS cu canal iniţial de tip n. Dacă tranzistorul este blocat tensiunea de ieşire are expresia:
a) vO=ED;
b) ( )2
2 TINDDO VvREv −−=β ;
c) vO= ER
R RD
D+;
d) ( )2
2 TINDDO VvREv +−=β .
71. 2p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura notată:
a) +ED
RD
Vin Vo
Iin
RG1
RG2 RS
C1 C2
b) -ED
RD
Vin Vo
Iin
RG1
RG2 RS
C1 C2
c)
+ED
RD
Vin Vo
Iin
RG1
RG2 RS
C1 C2
CS
d) -ED
RD
Vin Vo
Iin
RG1
RG2 RS
C1 C2
CS
72. 1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RG1
a) face parte din circuitul de polarizare al grilei; b) este rezistor de sarcină; c) este rezistor de limitare; d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.
Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor
121
73. 1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RG2
a) face parte din circuitul de polarizare al grilei; b) este rezistor de sarcină; c) este rezistor de limitare; d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.
74. 1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RS
a) face parte din circuitul de polarizare al grilei; b) este rezistor de sarcină; c) este rezistor de limitare; d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.
75. 1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistorul RD
a) face parte din circuitul de polarizare al grilei; b) este rezistor de sarcină; c) este rezistor de limitare; d) asigură valoarea necesară a rezistenţei de ieşire.
76. 1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Condensatorul C1
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativ neavând nici un efect.
b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă, dar lasă să treacă componenta continuă.
c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă, în curent continuu neavând nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.
77. 1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Condensatorul C2
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativ neavând nici un efect.
b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă, dar lasă să treacă componenta continuă.
c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă, în curent continuu neavând nici un efect.
Elemente de electronică analogică - teste
122
d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.
78. 1p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Condensatorul CS
a) în curent continuu pune sursa la masă, în curent alternativ neavând nici un efect.
b) separă în curent alternativ etajul blocând componenta alternativă, dar lasă să treacă componenta continuă.
c) condensator de decupare; în curent alternativ pune sursa la masă, în curent continuu neavând nici un efect.
d) condensator de cuplaj; separă în curent continuu etajul blocând componenta continuă, dar lasă să treacă componenta alternativă.
79. 3p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Amplificarea în
tensiune definită prin: in
o
VV
VA = este:
a) Av=gmRD b) Av=-gmRD c) Av=gmRS d) Av=-gmRS
80. 3p
Schema unui etaj de amplificare în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Schema echivalentă de semnal mic regim cvasistatic este prezentată în figura notată:
a)
RG Vin
Iin
Vgs gπVgs
Io
VoRD
G D
S
b)
RG Vin
Iin
Vgs gmVgs
Io
VoRD
G D
S c)
RG Vin
Iin
Vgs gmVgs
Io
VoRD
G D
S
d)
RG Vin
Iin
Vgs gmVgs
Io
VoRD
G D
S 81. 3p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistenţa de intrare este:
Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor
123
a)
21
2121
GG
GGGGin
RR
RRRRR
+==
b) Rin=βRS
c) 21
2121
GG
GGGGin
RR
RRRRR
+== ββ
d) Rin=RS
82. 3p
Schema unui etaj de amplificare în regim cvasistatic de semnal mic în conexiunea sursă comună este prezentată în figura 6.6. Rezistenţa de ieşire este:
a) Ro=RD b) Ro=βRD c) Ro=RS d) Ro=βRS
Elemente de electronică analogică - teste
124
Răspunsuri 1. Răspuns corect d) 33. Răspuns corect b) 2. Răspuns corect b) 34. Răspuns corect c) 3. Răspuns corect a) 35. Răspuns corect d) 4. Răspuns corect c) 36. Răspuns corect a) 5. Răspuns corect b) 37. Răspuns corect c) 6. Răspuns corect d) 38. Răspuns corect b) 7. Răspuns corect d) 39. Răspuns corect c) 8. Răspuns corect a) 40. Răspuns corect b) 9. Răspuns corect c) 41. Răspuns corect c) 10. Răspuns corect b) 42. Răspuns corect b) 11. Răspuns corect c) 43. Răspuns corect a) 12. Răspuns corect d) 44. Răspuns corect b) 13. Răspuns corect a) 45. Răspuns corect a) 14. Răspuns corect b) 46. Răspuns corect b) 15. Răspuns corect a) 47. Răspuns corect c) 16. Răspuns corect c) 48. Răspuns corect d) 17. Răspuns corect b) 49. Răspuns corect d.) 18. Răspuns corect a) 50. Răspuns corect a.) 19. Răspuns corect b) 51. Răspuns corect b) 20. Răspuns corect d) 52. Răspuns corect d.) 21. Răspuns corect a) 53. Răspuns corect c) 22. Răspuns corect c) 54. Răspuns corect a) 23. Răspuns corect b) 55. Răspuns corect a) 24. Răspuns corect a) 56. Răspuns corect a) 25. Răspuns corect c) 57. Răspuns corect b) 26. Răspuns corect b) 58. Răspuns corect c) 27. Răspuns corect c) 59. Răspuns corect c) 28. Răspuns corect a) 60. Răspuns corect a) 29. Răspuns corect b) 61. Răspuns corect b) 30. Răspuns corect c) 62. Răspuns corect a) 31. Răspuns corect d) 63. Răspuns corect b) 32. Răspuns corect a) 64. Răspuns corect b) 65. Răspuns corect a)
Trazistoare cu efect metal oxid semiconductor
125
66. Răspuns corect b) 67. Răspuns corect c) 68. Răspuns corect c) 69. Răspuns corect b) 70. Răspuns corect a) 71. Răspuns corect c) 72. Răspuns corect a) 73. Răspuns corect a) 74. Răspuns corect a) 75. Răspuns corect b) 76. Răspuns corect d) 77. Răspuns corect d) 78. Răspuns corect d) 79. Răspuns corect b) 80. Răspuns corect c) 81. Răspuns corect a.) 82. Răspuns corect a.)