eletrônica ii germano maioli penello 24/03/2015. mosfet
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Eletrônica II
Germano Maioli Penello
24/03/2015
MOSFET
MOSFET
Dispositivo de 3 terminais•Amplificação de sinal•Lógica digital •Memória
Largamente utilizado no design de CI
MOSFET
Opera em baixa potência
Dispositivo de 3 terminais•Amplificação de sinal•Lógica digital •Memória
Largamente utilizado no design de CI
Fabricado em dimensões reduzidas
Utilizado em projetos de VLSI(microprocessadores atuais)
Fabricação do MOSFET
http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/NMOS/nmos.html
Operação do MOSFET
http://jas.eng.buffalo.edu/education/mos/mosfet/mos_2.html
http://jas.eng.buffalo.edu/education/mos/mosfet/mos_0.htmlhttp://jas.eng.buffalo.edu/education/mos/mosfet/mos_1.html
Operação do MOSFET
Canal só é criado quando Vgs > Vt
Vgs < Vt - Região de corte (iD = 0)
(Vov < Vgs – Vt )
Vds < Vov (Região Triodo) Vds < Vov (Região de saturação)
Observe essas regiões no aplicativo do slide anterior
Característica de transferência de tensão (VTC)
Q - ponto quiescente
Característica de transferência de tensão (VTC)
Q - ponto quiescente
Ganho de tensão de sinal pequeno
Operação de sinal pequeno
Na saturação, iD Vov2 ou iD (VGS - Vt)2
Modelo de circuito equivalente para sinais pequenos
Fonte de corrente controlada por tensão
Amplificadores MOSFET
http://jas.eng.buffalo.edu/education/ckt/mosamp/index.html
Transcondutância (gm)
Lembrando:
BJT
BJT
http://jas.eng.buffalo.edu/education/fab/BjtFet/index.html
BJT
http://jas.eng.buffalo.edu/
http://www.falstad.com/circuit/e-npn.html
BJT
Região ativa e de saturação
Transistor npn com corrente IE constante.
Atenção! Saturação em BJT é completamente diferente do MOSFET. A região de saturação do MOSFET corresponde à região ativa do BJT.
Região ativa
Amplificador de tensão
http://www.falstad.com/circuit/e-transswitch.html
Amplificação linear
Ponto quiescente
Amplificação linear
Transcondutância (gm)
, se
<10mV