eltranbipolar (bjt)

7/28/2019 ELTRANBIPOLAR (BJT)

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El transistor bipolar o BJT (Bipolar Junctiontransistor), es un dispositivo semiconductor formadopor 3 regiones dopadas alternativamente: npn (o pnp),con sus respectivos terminales que se denominan:colector (C), Base (B) y Emisor (E).

La palabra bipolar deriva del hecho que internamenteexiste una doble circulacin de portadoras de corriente:Los electrones y lagunas o sea que son dispositivoscontrolados por corriente.


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SIMBOLOESTRUCTURA FISICA


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Los transistores bipolares se clasifican por:1.-De acuerdo al material empleado en su construccin:

a). Transistor de silicio ejemplo: BC549

b).Transistor de germanio ejemplo: AC180

2.-Por la disposicin de sus capas:

a).Transistor PNP

b).Transistor NPN


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3.-De acuerdo a la disipacin de la corriente:a). Transistor de baja potencia (0.5 a 5w)

b). Transistor de media potencia (5 a 75w)

d).Transistor de alta potencia (75 a ms watt)

4.-Por su frecuencia:

a). Baja frecuencia BC549

b). Alta frecuencia 2NB22


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Polarizar un transistor significa aplicarle a losterminales de este, una tensin con la polaridad

adecuada para el buen funcionamiento.


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a). En cuanto a corrientes:

a). Ganancia de corriente o factor de aplicacin: = IC/IB

La finalidad de la corriente de base (IB) es controlar la corriente de

colector (IC).La ganancia de corriente o factor de amplificacin o hfe varia nosolamente entre diferentes transistores bipolares, sino tambin entretransistores del mismo tipo.


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En los transistores de silicio, el voltaje de

VBE = 0.6 a 0.7v


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Cuando la unin base-emisor, se polariza en directo y la unin

base-colector en inverso, los electrones que dejan el material N delemisor slo ven una barrera de potencial pequea en la unin NP.Como la barrera de potencial es pequea, muchos de los electronestienen la suficiente energa para llegar al tope de ella.

Una vez en el tope, los electrones se mueven fcilmente a travs delmaterial P (base) a la unin PN (base colector). Cuando se acercan a

esta unin, los electrones se encuentran bajo la influencia de lafuente de tensin positiva y se mueven con mucha rapidez conformedescienden en la barrera de potencial.

El transistor de juntura bipolar presenta ganancia de corriente, la

cual se puede utilizar para amplificar seales.


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Los parmetros importantes para especificar a untransistor bipolar son:

1. Sus parmetros importantes: Tipo, Ic, Hfe, BVCEO.

Ejemplo: n transistor tipo NPN, Ic=0.8 Amperios,

hfe=150, BVCEO = 40V.Un transistor BJT se especifica indicando: El nmero

o cdigo del transistor. Ejemplo: un transistor2N2222, un transistor 2N3055 etc.


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Las curvas caractersticas son curvas paramtricas de la

corriente colector Ic contra la tensin de colector-emisor VCE,con la corriente de base IB como parmetro .

ZAD

SATURACIN

DIRECTA

ZAI

SATURACIN

INVERSA

CORTE

CORTE


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Los transistores se aplican en los siguientesCircuitos.

a) Amplificadores de tensin.

b) Amplificadores de audio, video.

c) Fuentes de tensin reguladas.

d) Filtros activos.


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