escuela politÉcnica nacional facultad de...
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ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
FORMULAS
Y
GLOSARIO
DE LA TESIS :
"ESTUDIO COMPARATIVO DE LOS SISTEMAS DE TRANSMISIÓN
DIGITAL POH FIBRA ÓPTICA Y SUS RELACIONES CON LA TEC-
NOLOGÍA, TELECOMUNICACIONES PUBLICAS Y SUS TENDENCIAS"
POR
FAUSTO RICARDO PEfiAFIEL ARCOS
QUITO, DICIEMBRE 1990
ÍNDICE Páginao-
Fórmulas usadas en los programas 1
Sección
2.1 1
2.2 1
2.3 2
2.k 2
2.5 3
2.6 ' - ¿f
2.7 . 7
2.8 9
2.9 92.10 10
2.11 ' l O
3-1 11
3.2 n3.3 " IV
¿f.i 1¿f¿f.2 17
V3 ' 17
¿f.4 19V5 " 22
¿f.6 _ 22
Glosario de términos 23.
.Anexo 29
FQPKUL.4S üfí.ADAS FK LOS ^ROGRAKAS
SECC10N_2_.2_
Cálculo del margen de potencia del sistema y la fracción de di-
visión de potencia de recepción vs. el máximo número de nodos
en un bus de fibra óptica.
Tt
•on n-1
y i s K
(-1 t -K)"
L = T
r Tt
1 -1 t KrS
- -1
K ,rn-Z
Donde
a= pórtico de entrada al bus
b= pórtico del transmisor local
c= pórtico de salida del bus
d= pórtico del receptor local
P1= potencia emitida por el láser en el nodo 1
íf = coeficiente de acoplamiento láser-fibra
T = pérdidas de exceso en cada acoplador
S= pérdidas entre cada par de acopladores
n= n-esimo nodo (scoplamiento de modo no selectivo)
d= coeficiente de acoplamiento laser-fibra (modo selectivo)
Pa,Pbj¡Pc,Pd = potencias en los pórticos a,b,c,d
m= m-esimo nodo (modo selectivo)
SECCION
Cálculo de la máxima pérdida óptima de distribución de una red
en cascada de acolladores ÓDticos de estrella.
f =
( r .
2,
M . N/
N-2
) + N • L L
fi . = N-Zr opf —r NÍ
Donde
L pérdidas del acopladorc JT jr
L „ pérdidas de la fibra
M número de terminales de -cada acoplador
N" número de acopladores de estrella conectados en serie.
SECC10N_2±3_
Cálculo de la probabilidad de falla de los empalmes en la fibra
VT\ ioí xF =
--Cf x
P-f
o-t = P-f
c = (TÍ GD ¡(h
Donde
D diámetro de la fibra óptica
h espesor del adhesivo
L longitud de la fi ora reforzada
L longitud del empalme de fusióno ° . -m. constante del empalme fundido
mn constante de la parte no calentada¿ " .
CT constante de distribución de la parte fundida
o.. constante de distribución de la parte no calentada
G módulo de rigidez del adhesivo
cr'i presión sobre la fibra
Ef módulo de Young de la fibra
Ver .Anexo
SECCIONA 2_,/f Cálculo de la longitud de la. fibra-para un BER 10~9
usando fotodiodo FIN y filtro RFC (raised full co-
seno) vs. velocidad binaria.
CTV Pt.)
3P0 - <
Z .-
í = t - f
M - O ¿ h \
/ r \ Cj
~ 'T 2I . e
1 ( 6 t R -- A
) J Z
p !,E • 3
,0-3)
Donde:
z longitud de la fibra '
P' potencia óptica a la entrada de la fibra
oí. coeficiente de pérdidas en la fibra
Cm capacitancia paralela total del detector y amplificador
¿j-p altura espectral de la fuente de ruido del amplificador
M número de niveles del código
O frecuencia óptica
^ eficiencia cuántica del fotodetector
T periodo de la señal eléctrica
h constante de Planck
e carga del electrón
Cálculo de las potencias acopladas en el divisor de potencia
A r
l M M r í o Ú M C i q de e n t r a d a frn U o a
F p ^ 7C T - M N Cos (A t )
~ '^ '^^^^ oe M.«Q, Q LO a, c c e r c x ,fer
^/i )
o^ -- ?¡N
Donde:
U JL
S2.
,P potencias de salida en las dos guias laterales
potencia de salida en la guia central
coeficiente de atenuación
constante de fase
número de onda transversal
ancho promedio de las guias
espaciaraiento promedio entre las guias
distancia de acoplamiento
Demultiplexaje usando la técnica de dispersión angular.
Cálculo de las pérdidas y penalización causada por crosstalk
3
iL
O
s = r
- \ NA)
e = A p = ASNR . (,i-t x) /( "t — *~> i n^ z x i u
pLED
1-t MX-\.) 5
Donde
^ ' pérdidas de demultiplexaje
S/X crosstalk óptico
L pérdidas efectivas de multi/ demultiplexaje
x factor de ruido del APD
5
A.P
\
A\
J>
deterioración de la relación señal a ruido
-penalización de potencia
longitud de onda central
ancho del espectro de emisión
espaciamiento entre canales
dimensión de la ventana de incidencia
apertura numérica de la fibra de entrada
diámetro del rayo incidente
Índice de refracción del medio entre el elemento disper-
sivo y el lente
ángulo de la luz
PC-S o-rro l í Q_n do
o — 13
-t
Si 0( - 4 -
U -ti
r: 2.
3C-.//Y) i
J
¿
3-t
3
-f
JJ
X3 r
d e , '^ t
TRO
Cálculo de la pérdida total de multi/demultiplexaje y de la
penalizacion por_ crosstalk ______ _________________________
L = Ao Uo 5 S/x - 4o U-o ^ / ^"
OD
o
g>,
- T
"* ] VpU-vYs^ Tt
J
r L J >
Donde:
L suma de las pérdidas de muí ti- y demulti-plexaieO "*" ~
ü/X crosstalk óptico
As espaciamiento entre canales
AX t ancho de banda del filtro de multiplexaje
A Xr ancho de banda del filtro de demultiplexaje
Xo longitud de onda central
ó función delta
Lt) diodo láser
A X d desplazamiento de la longitud de onda.
l ia h do je oth'ene : C Ver A h «A o )
0 = 1
^
S = 11
- V C - A U
V-
+ Tt
•I A
• A r
- T fc - T r (
- i r C-
SECCION_2Z7/
Cálculo de la potencia requerida vs. velocidad "binaria para
Las fórmulas se hallan en la misma tesis.
Cálculo de la probabilidad de que un cero lógico se registre
como un uf tQ_lÓ£ico__(o_yi ce versa) ___
Las fórmulas están en la misma tesis.
_ .222sistores^
p í N'/Z he1 o = • - - --- .
K T T
ITTÍ O c' R F
B3J3 t
X -t- ZQ3
B
T
A
I.)
Donde:
q carga del electrón
B velocidad binaria
k constante de Boltzman
R-r, resistencia de realimentaciónr
I, corriente de fuga del fotodiodo
I corriente de fuga de compuerta del FETo
p factor de ruido asociado con el ruido del canal y de com-
puerta del FET (1.78 para GaAs MESFET, 1.03 para b'i-
MOSFET y 0.7 para Si-JFET)
Cm capacitancia total (fotodiodo-í-FET)
C' capacitancia total de entrada
J? resistencia equivalente de ruido del amplificador princi-
pal
Nf figura de ruido del amplificador principal
A ganancia de lazo abierto del pre-amplificador
f ancho de b3.nda obtenido después de la ecualización
g transconductancia del f'ET°mJp, J., coeficientes -de distribución de ruido en el receptor
Jp= .5628 J^=.0868 para una señal sin retorno a cero
y un filtro "Paised ií'ull Coseno"
P beta del transistor bipolar
T temperatura absoluta
I, corriente de base del transistor bipolarbP potencia óptica recibidao *h constante de Planck
c velocidad de la luz
^l eficiencia cuántica del fotodetector
\d de onda óptica
SECCIONA2..§_
Ver los programas de la Sección 2.6
SECCIONA2^9.
Cálculo de la probabilidad de error en función de la relación
S/R y la desviación de fase causada por el jitter de la señal
de teraporizacion
P P ir, \ \E - r E (K) . p ( o )
PE U) = J. | p
2 Ui
P ÍT . \ -( Prf
Z n- K
i r )
, 360
o fJ N L
P ío
^ . Je.^ T f f c / T Co5 T í t / T
71 fc/T A- L i.T-1
C/z K) , Q (.0 =2.TT
Donde:
7^ desviación de fase causada por el jitter'
k determina una secuencia de 2k+l bits de largo
relación señal a ruido C $ / R )
n-k ^ ^ ~ ^ ' ^ 1 s í m b o l o s b i n C 4 r i 0 ^
valor pico-pico del jitter de alineamientoa
"aN"
JiX.
pálf:ul2 ^£ i:a £®i^£Í25 ^^22-i 2- £^i¿2 lS/R_)_del £^?a~ í?e paridad
; M' = M-1¡I
O -CO.X1Z
e oU
S/R -v J PV ~-
W -W ~
o .
TTZ
6 I
1
( M -£
- 2 '
-1 ^ ^'
•k\ 0
LLA/
V N
+
-f, J B
Donde
(? ganancia de la fun-ción de transferencia del filtro pasa-
ban da
B ancho de banda de -3dB del filtro pasa-banda
f frecuencia central del filtro pasa-bandao *f, frecuencia de la señal de reloj
M' número de bits de datos agrupados con un bit de paridad
Ver Anexo
SECCION_2_._H_
Cálculo del efecto áe_la Desistencia térmica y de la temperatu-
ra en la corriente de umbral de diodos láser.
S" " H l l + = K
AMVT)] r 1 R « ^ VT) <-<^-^ K
Donde:
^ tVi ' corriente de umbral en operación continua
* corriente de umbral, en operación pulsadaT temperatura .
K constante de la corriente de umbral
T constante de temperatura del materialor j resistencia serie del láserdÍÍ-PT resistencia térmica
HV voltaje de juntura del láser
71 eficiencia de emisión
No tiene programas
CION_3j.2
culo de la grobabilidad de error usando LED y filtro con
. N=
d r ; G = B.a (2)L
(5)
í ( t ) - c, t
, /C^ - ¿i ( ITT ct>
(8)
^o
Donde:T periodo de la señal eléctrica
b ancho de banda eléctrico (~3dB) del LSD
c velocidad de la luz en el vacio
n Índice de refracción del núcleo
z longitud de la fibraD coeficiente de acoplamiento de modos de propagación
A coeficiente de atenuación de la fibra
M secuencia de bits de longitud M
ti eficiencia cuántica del fotodiodo
L) frecuencia ópticaR resistencia de entrada del amplificador de póstdetección
a ganancia del amplificador
(<^> ganancia promedia del APD
K constante de ionización del APD
P potencia incidente en el fotodetectorV . , voltaje de umbral de detección
(r* 2. ruido del receptorT
e carga del electrón
h constante de Planck
r ro Han Jo 5e o t>K&he C Vtr A r\ > o )
p(T) r ( t - c ) dt - £ t» (O ra C t - c ) d
U ^^ r r i • ~ l ? "3/2- , Z1i , T f e - . e - i E • . ¿ -=/, ,
-
5
Dondev
(^) = i f,
F, (TI , L = a - -f
C^ Cx, C 3 o'cfi C i c l o s o^T« r í o r
-% „ -J S\ C ^ ^ L ) ¡ L = f i n
O. r - C + J.
C r - t /
e - o^t f c t ic t a,
-fr 1 ( ^ '-{ í «-te)'
o_.e - h
h r CL-6
C = l>.e
j = ¿*. j£ r f ro r m f i n i !"£ S x mex-l
—.00
Cálculo de la Probabilidad ^2 er£2í £H52^2 se
y filtro con respuesta impulsiva £e£t§ngular.
•><L usan Las t& uaci'one,5 CO , (z) , - - - • (.6)
Las sin u.\s e.cna<it'o n €5 Son d is h'vitas
i v . t ) = b £
I'onae
L C > O ) } pespuesta^ impulsiva de l a fibra
a.-1o el
5 ( t ) =
= ( Z T T
/, respuesta impulsiva del
láser
Donde:
z distancia de transmisión
a* ancho RMS del espectro
c velocidad de la luz
A longitud de onda óptica
Q
f , fs p
producto ancho de banda por distancia de la fibra
frecuencias de oscilación del láser
(Ver A n e x o )
4!= ^Í -T
Aí\
d^
Cálculo de las probabilidades de error cuando se utiliza deco-
dificación de respuesta parcial
p1 Q
e r r o r con onceen f í CQ ci o ri j?Qr¿,i*
- A Q C i / * - ) - -^ G| C3 /C7- )
í "' f rob , d-e, e r r o r con cl-Cco <jí pt cc»c.i o n Co ^ ve^cí
ITT
r 2 A/o -
Donde:
SNJR relación señal a ruido^ coeficiente de correlación
Ver ¿nexo
5É-r£Hr2 í?®»i^ HfH?fH::-ia ^r ~--2 5Í?íírí!Í2 ^-e un receptor óptico
A ^ y>i
^•nf c'
; R -I o
177 c= -f.
-12-1 TÍC
i
TTC
y .-M 1
Donde:C' capacitancia total de entradaP resistencia equivalente de ruido del amplificador princi" o
palN figura de ruido del amplificador principal
O-™ capacitancia de realinientaciónjf velocidad binariab
Cálculo de la_resistencia de realimentación
Las fórmulas están en la misma tesis.
Cálculo del ángulo de un circuito de ajuste de la fase de la
señal de temporización
6
ce
= ^ -A
A-»
A * [ 4 -t- ex"[> (<J
Donde:9 ángulo de fase relativa de la corriente de salida
q . carga del electrón
k constante de Boltzman
T temperatura absoluta
<f> diferencia de fase entre ambos voltajes de entrada
V - voltaje diferencial de control
Cálculo de la densidad de 1a corriente eceptor
óptico vs. frecuencia y resistencia de realimentación
-? - ?, Z 2p z
1 hT = í + In f t i + É / ( R I / R^ // '
o 2. 2.
z h R c = 'i K T / Rn B ) f B ; f
F 1 ' ; 2 -c V l ^ 1 = ^ K j r i a e l r
11 ' t > i , x T c ^ ) 2 e-4,1•L
I - i o T J - T T 1 r í 'L'1'1 B - 1 , i c-i^ ^ ' ' '"T
,-2-1 / j LO C )
T
r = _k_T
&^ " c-iDonde:
S resistencia de polarización del APDJD
C capacitancia total de entrada, incluyendo del APD
PI.I ganancia de corriente del transistor 1(2)
Pp resistencia de colector
r, resistencia interna .de base
T temperatura absoluta
I-o corriente de basen
ÍT frecuencia de los transistores (frecuencia de corte)
f frecuencia de la señal
V voltaje pico de la señal de salida
i corriente TDÍCO de la señal de entradasRf resistencia de realimentación
K constante de Boltzman
q carga del electrón
U; = t f| f
e = ?
Al
Cálculo f 1§ P
r a tur a.
Las fórmulas están en la misma tesis (Sec. ¿f.2)
Cálculo de la corriente equivalente de ruido para FETs de
^ y e-
B
Al"p
. { i T T f . C ' R F / ( A - M ) i -if - B . Jz
p, = (,0 -
Donde:
KT corriente equivalente de ruido
q carga del electrón
K constante de Boltzman
R-P resistencia de realimentacióni1ld corriente de fuga del fotodiodo
I corriente de fuga de compuerta delo
= 1.03CT capacitancia total (fotodiodo+FET)
C' capacitancia total de entrada
R resistencia equivalente de ruido del amplificador princi-palU "*" —
Nf figura de ruido del amplificador principal
A ganancia de lazo'abierto delpre-arnplificador
f ancho de banda obtenido después de la ecualización
gffl transconductancia del FET
P^ -potencia óptica requeridaoh constante de Planck
c velocidad de la luz
X longitud de onda de la luz
^ eficiencia cuántica del fptodetector
J2 =.5628
J3 =.0868 . Estos valores son para una señal sin retorno a
cero y un filtro del tipo "Raised-Full-Coseno"
Donde:
R resistencia de salida del GaAs-FET
RT resistencia efe carga
Cp~ capacitancia compuerta- fuente
C-pp capacitancia drenaje- fuente
0-p. capacitancia del fotodetector+ capacitancia parásita
f - ancho de banda del amplificador
transconductancia del FETJm
Tresistencia de realimentación
I-É
CE
en~trada del FET_
T _ n f ,/
iI
I
O ~
A¿
- V- ^
c
Donde:
KEP
VG
'ssrDD
?S
?D
'GSO
;GDO
D
P corriente de drenaje del FET , ~
corriente total de fuente
voltaje de compuerta
voltaje de fuente
voltaje de umbral del FET
voltaje de referencia
voltaje de polarización de fuente
voltaje de polarización de drenaje
resistencia de polarización de fuente
resistencia de polarización de drenaje
voltaje interno del FET =1,838
capacitancia compuerta-fuente de polarización cero
capacitancia compuerta-drenaJe de polarización cero
voltaje de drenaje.
SECCION
do de partición de modos del lsser
Ver las fórmulas en la misma tesis
LD r
Donde:
f frecuencia de la señal eléctrica
.b ancho de banda (~3dB) eléctrico del LED
f ,f 'frecuencias de oscilación del láser,p' s
n /
I H ILED l
I H'._ i .
Las fórmulas están en la misma tesis.
»_ - -Las fórmulas están, en la misma tesis.
5^-i£HÍ2 -- 15 íiH£ÍÍ2-£i^B -- £2Í®22^-§ §f°i§s- 2-i íH-i^2_^f P§?Ü2Í25 ¿® E'2É2^ áfl i§55£-
z C i r ^
_ -i(X. - Z
i
. = Un= m - ¿ - L
é - e<f C-
A = ^
Donde:
í cociente de emisión espontánea sobre emisión estimulada
6 cociente de los promedios de las ondas recibidas evalua-
das en los -instantes T y O
T -periodo de la señaloA"X espaciamiento de los modos de oscilación del láser
W ancho de media potencia
m coeficiente de la dispersión material de la fibra
L longitud de la fibra
Las fórmulas están en la misma tesis.
Las fórmulas están en la misma tesis.
láser.
Las fórmulas están en la misma tesis.
Cálculo de la penalización para fuentes ópticas
P L E D = 5 • Io3 t i + ° * 3 S o i C B
PL - 5. Io
Donde:
B velocidad "binaria
"b ancho de banda eléctrico (-3¿B) del LED
f . f frecuencias de oscilación del lásers* p
óptico
^ X - [( L- D) d &)? B - Cc5 ] / fP
Donde:
L longitud del reflector
D diámetro del núcleo de la fibra de entrada
d espaciamiento de las ranuras de la graticula de difracción
5 ángulo de difracción proyectado en el plano principal de
la graticula
0^ ángulo de la luz, difractada proyectado en el plano per -
pendicular al plano anterior
f distancia focal del lente.
NOTA SI gráfico está en la tesis.
SECCIONAL -
de la respuesta impulsiva y de frecuencia de un rnodulador óptico_
-L vt ) =
¿S ^ r V0
í - h .
o
"fí_L )T '
es la respuesta impulsiva ''
I
T = L I 1 _ ±
co
-P
-ITT-f
4>
2
C-) -v ^ /
es la respuesta de frecuencia
Donde:
T ancho del pulso eléctrico
•tf0 velocidad óptica
^rn velocidad eléctrica
A B diferencia de velocidades de fase entre las dos eruíasY . °ópticas
L longitud, del acoplador
f frecuencia de la serial de microonda
Cálculo del 3jó"dulo-de las
dispersiones niodal v_
Las fórmulas están en la misma tesis.
RFC
Las fórmulas están en la misma tesis.
-- - - ^® i 5- dispersión
Las fórmulas están en la misma tesis.
GLOSARIO
AC corriente alterna
Acceso Básico comunicación en la ISDN a 160 kbit/s
Acceso Primario comunicación en la ISDN a 20¿f8 kbit/s
acoplador direccional acoplador de energía electromagnéti-
ca entre dos guiaondas
acoplamiento de "modo selectivo" aquel acoplamiento de ener-
gía que produce menores pérdidas que el acoplador .de "mo-
do no selectivo"
ADM multiplexaje por división angular
AIS señal de indicación de alarmas
AMI inversión alternada de marcas -
APD fotodiodo de avalancha
banda de paso rango de precuencias que no sufren gran ate-
nuación
baudio medida de la modulación digital
BEP tasa de errores binarios
BH (buried- heterostructure): tipo de estructura del láser
bias . polarización
BPF Filtro pasa banda
buffer de corriente Amplificador .de corriente
bursts Cortos intervalos de tiempo de transmisión de una
s eñal
CAG Control automático de ganancia
Canal de paridad Canal de la trama que contiene los bits
de paridad
CI circuito integrado
clock Señal de reloj o temporización
CM Controlador maestro
CHI Inversión codificada de.marcas
CMOS Metal- óxido- semiconductor- complementario
constante de distribución constante de distribución de la
resistencia mecánica de um empalme
constante de fase , p p- t^^-K1)^ , = C"T /"X ) - j
Donde X longitud de onda
n índice de refracción de la gula
k número de onda transversal de los campos
constante de ionización Constante que indica la proporción
de ionización de los átomos del semiconductor
correlación Comparación de una señal con la misma señal ,
pero desplazada en el tiempo
corrientes de canal y/o lateral Corrientes que fluyen por
las.diferentes junturas de la estructura del láser
corriente de oscuridad Corriente que produce el APD en au-
sencia de radiación incidente.
corriente de umbral Corriente a partir de la cual se produ-
ce el fenómeno de radiación estimulada de potencia óptica
crosstalk Interferencia entre canales adyacentes.
DBR Reflector distribuido efe Bragg
DC Corriente continua
DFB estructura del láser con realimentación distribuida -
DEMUX Demultiplexaje
densidad de la corriente de ruido Una medida del ruido que
posee una señal eléctrica
diámetro del campo de modos Diámetro al cual la distribu -o
ción de potencia óptica ha decrecido el valor e = 0.1 ¿f
diodo anular Diodo que sirve tanto como fotode.tector y a-
coplador óptico
dispersión cromática o material Dispersión causada por la
propagación de luz compuesta de diferentes longitudes de
ond a
dispersión modal Dispersión producida por el acoplamiento
entre los varios modos de propagación de la guiaonda
dispersión Raman Dispersión que causa crosstalk entre cana-
les
distancia focal Distancia de un punto objeto sobre el eje
de la lente, cuya imagen se encuentra en-el infinito
DSM Tipo de láser "mono-modo dinámico11
DTí1 Filtro de película delgada dieléctrica
ECL Lógica de emisores acoplados
ecualización Corrección del contenido espectral de una se-
ñal eléctrica
eficiencia cuá.ntica Proporción de fotones de entrada sobre
electrones de salida
eficiencia de emisión Relación entre el número de portado-
res de carga inyectados en la zona activa y el número de
fotones emitidos
EMI interferencia electromagnética
emisión espontánea Emisión de luz causada sólo por el. efec-
to fotoeléctrico en una juntura de semiconductores
emisión estimulada Emisión de fotones excitada por la in-
teracción de los fotones con la frecuencia eléctrica re -
sonante de la cavidad, del láser
enfriador Peltier Enfriador que usa el efecto termoeléctri-
co para la transmisión de energía en forma de flujo calo-
rífico con el medio que lo rodea
Ethernet Un tipo de red local de computadores
exchange central de conmutación
factor de trabajo ancho del pulso digital, menor o igual
que el perlado.
FET transistor de efecto de campo
FF (flip-flop), celda de memoria digital
FF-MS conexión en cascada de dos FF's con realirnentación
desde la salida del segundo (llamado esclavo), a" la en -
trada del primero (llamado maestro)
FFL alarma que indica que no se detecta la palabra de ali-
neamiento .de tramas.
filtro de mínima fase Filtro resonante
filtros modales espaciales Filtros usados para multiplexa-
je por división angular
FOS Filtro de ondas acústicas superficiales.
FP Fabry-Perot (cavidad de)
frecuencia de resonancia del láser frecuencia de resonancia
que produce la emisión estimulada de radiación
frecuencia secundaria frecuencia del modo secundario de os-
cilación.
full-dúplex transmisión simultánea en ambos sentidos
función de densidad de probabilidad 7 Kx) = dftx'í/dx t FCx)
Donde F(x)= probabilidad de que un valor observado sea
menor o igual que x
ü-aAs Arseniuro de Galio
Ge Germanio
gratlcula planar de difracción gratlcula de difracción
formada con una gui-aonda plana
guiaondas "strip" gulaondas hechas de una lámina de mate-
rial dieléctrico sobre una superficie de otro material
half-dúplex' transmisión bidireccional alternada
HDB3 codificación bipolar de alta densidad
26
host computador maestro
IG índice de refracción gradual
intercambio digital Central de conmutación digital
1SDN red digital de servicios integrados.
ISI interferencia entre simbolos
1SM servicio de monitoreo del sistema
ITFB alarma que indica que la tasa de errores es muy alta
JFET transistor de efecto de campo de juntura
jitter fluctuación de la forma de onda de la señal
L.ATT red de.área local
latches retenedores de datos digitales<LD diodo láser
LED diodo emisor de luz
longitud de onda de corte Límite que determina la propaga-
ción de un solo modo
LPF filtro pasa bajos
LT unidad terminal de linea
mesa del láser zona activa del láser
MESFET transistor de efecto de campo isetal-óxido-semicon -
ductor que usa el GaAs en lugar del Si
MLO multiplexaje de longitudes de onda
KM muíti- modo
módulo de rigidez = fatiga cortante/ deformación unitaria por
cizalladura
módulo de Young = fatiga tensora/ deformación unitaria por
tensión
MOSFET transistor de efecto de campo con capas de metal,
óxido y semiconductor
MPD minima potencia detectable
MSI media escala de integración
multi-drop transmisión simplex con un solo transmisor y
varios receptores
MÜX multiplexaje
NIRZ formato de codificación digital sin retorno a cero
on-off encendido- apagado
on-premises local
operación pulsada operación del láser sólo en intervalos
a.islados de tiempo y no en forma continua
PAM modulación por amplitud del pulso-~i
Pascal (Pa) unidad de medición de la'presión, 1 Pa= IN/m
pattern forma de onda de una señal
PBX central privada de conmutación
PCM modulación por código de pulsos
penalización de potencia Pérdidas que producen degradación
de la sensibilidad del receptor causada por las respuestas
de la fuente y del medio de transmisión. Diferencia entre
la potencia óptica recibida y la potencia óptica media que
seria necesaria para.producir el mismo BEP, pero con un
formato ideal de la señal
PIN diodo detector de luz, con una zona de semiconductor
intrinseco
PL puerto lógico
PLL lazo asegurado de fase
PPM modulación por posición del pulso
PSK modulación por desplazamiento de fase
Q factor de calidad de un circuito resonante
reflectómetro instrumento para medir las características
de atenuación de la fibra
relación de extinción. característica de la señal que de -
termina la atenuación total de la oscilación causada por
una transición
resistencia serie del láser Resistencia serie del circuito
equivalente del diodo láser
resistencia térmica parámetro característico de los mate-
riales que indica la relación entre la disipación de po -
tencia por calentamiento y la temperatura
RMS (root mean squane) valor eficaz de una función
RFC (raised full cosine) Filtro cuya respuesta de frecuen-
cia es de la forma H(f)= (rr-f/z&V cot (tif/e^)
RR repetidor regenerador
ruido de disparo ruido producido' por la recombinación de
portadores de carga en un semiconductor .
ruido de partición de modos Ruido causado por la fluctúa —
ción de la intensidad de cada modo longitudinal del láser
aunque la intensidad total es constante
RZ formato de codificación con retorno a cero
SABD sistema de administración de bases de datos
SAW onda acústica superficial
SEIB sincronizador de bloques e Ínter faz, del bus
SCD decodificador del canal de servicios
SCI interfaz del canal de servicios
scrambler codificador que utiliza bits de redundancia para
control de errores
Si silicio
S/I relación señal/ interferencia
side-by-side -acoplamiento compartido tanto de las fuentes;
y los detectoressimplex transmisión en una sola dirección
üM mono-modo
SNJR relación señal a ruido
SP panel de servicio
speckle noise ruido modal
S/R relación señal/ ruido
switches de corriente Pares diferenciales de transistores
T periodo de la señal
taps tomas o derivaciones
TDM múltiplex por división de tiempo
TMEF tiempo medio entre fallas
transimpedancia voltaje de salida/ corriente de entrada
troncal interconexión entre centrales de conmutación
TV interactiva transmisión paralela multicanal de televi-
sión en lazos de abonados
umbral de detección Nivel de voltaje o de corriente que de-
termina el limite entre la presencia o ausencia de un pul-
so de luz, emitido por el transmisor.
UTL unidad terminal de linea
VCO oscilador controlado por voltaje
velocidad de fase velocidad de una sinusoide pura, a la
cual se mantiene constante la fase instantánea de la onda
ventana de incidencia zona sobre la cual incide un rayo óp-
tico áemultiplexado
voltaje de juntura Voltaje de polarización del diodo la.ser
wander Fluctuación de fase
WDM multiplexaje de longitudes de onda
XOR compuerta OJ? exclusiva
Si
U o i
S n . o
v id v y 9 o n
crx) j-
- X V
4-
w i b^-o
X P 2 = ( > * )
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