escuela politÉcnica nacional facultad de...

194
ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de Ingeniería Eléctrica Inversor Trifásico con IGBT's Aplicando Técnica PWM Tesis previa a la obtención del título de: Ingeniero en Electrónica y Control Volker Karel Espinoza Torres Quito, Marzo del 2.000.

Upload: ngokien

Post on 28-Mar-2018

213 views

Category:

Documents


1 download

TRANSCRIPT

Page 1: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

Facultad de Ingeniería Eléctrica

Inversor Trifásico con IGBT's Aplicando

Técnica PWM

Tesis previa a la obtención del título de:

Ingeniero en Electrónica y Control

Volker Karel Espinoza Torres

Quito, Marzo del 2.000.

Page 2: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Certifico que la presente tesis ha sido

desarrollada en su totalidad por el señor

Volker Karel Espinoza Torres bajo mi

dirección.

Ing. Pablo Rivera.

Director de tesis.

4

Page 3: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Dedicatoria

tn-

-u,

-u, Gam<pven&<n,. t mu J J

u J J

Page 4: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Agradecimiento.

OAislcvt -u,

e-n-<-/ i J

£M,I& a,J tX *

-u*J j u

toó, 4l^<w^&rvtQ¿)f 3& 3ü/i¿MA/t<z3 Bwca4yte- l/a,

i LL - «y <y

<ruw2&4, ó&mwta¿ía la, ¿f

c/ J-tipa.J

Page 5: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

CONTENIDO

CAPITULO 1

GENERALIDADES........... 1

1.1.- Introducción 2

1.2.-Algunas aplicaciones de los inversores 3

1.3.-Variación de la velocidad de un motor de inducción......... 4

1.3.1.- Control de la velocidad por variación del voltaje.............. 9

1.3.2.- Control de la velocidad por variación de la frecuencia................... 10J

1.3.3.- Control de la velocidad por variación del voltaje y la frecuencia.... 12

1.3.3.1.- Compensación del voltaje para bajas frecuencias 14

1.3.3.2.- Características del torque en función de la relación V/f 20

1.3.3.3.- Características del motor para velocidades menores a la

nominal (región de torque constante) 21

11.3.3.4.- Características del motor para velocidades mayores a la

nominal (región de potencia constante)... 22

1.4.- Configuraciones para obtener voltaje y frecuencia variable 24

1.5.- Inversores trifásicos tipo puente........ 26

1.6.- SPWM Modulación de ancho de pulso senoidal 29

1.6.1.-Variación de la frecuencia.............................. 30

1.6.2.-Variación del voltaje.................... 32

1.6.3.- Sobremodulación 35

1.7.- Generación de un SPWM trifásico 37

1.7.1.- Método analógico 37

1.7.2.-Método digital. 38

1.8.- Los IGBTs transistores bipolares de compuerta aislada..,......,.,......,.,. 40

1.9.- Inversor trifásico con técnica SPWM e IGBTs 44

Page 6: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

CAPITULO 2

DISEÑO DE UN INVERSOR TRIFÁSICO CON TÉCNICA PWM. 47

2.1.- Introducción 48

2.2.- Diagrama de bloques del inversor 49

2.3.- Módulo rectificador de 6 pulsos....... 50

2.4.- Filtro capacitivo para el rectificador....... 56

2.4.1.- Circuito de carga y descarga del capacitor. 58

2.5.- Modulo de fuentes aisladas............ 63

2.6.- Modulo puente inversor con IGBT's 66

2.6.1.- Selección de los IGBTs 66

2.6.2.- Circuito manejador de IGBTs 68

2.6.3.- Disipador de calor 75

2.6.3.1.- Cálculo de la resistencia térmica de un disipador...... 78

2..-Módulo SPWM 82

2.7.1.-Algoritmos digitales para generar el SPWM........... 82

2.7.1.1.- Generación con portadora diente de sierra.......... 82

2.7.1.1.1.- Circuito generador del periodo del diente de sierra....... 86

2.7.1.2.- Generación con portadora Triangular 87

2.7.2.- Sistema microprocesado para la generación del SPWM.... 88

2.7.3.- Circuitos de entrada de voltaje y frecuencia deseadas.... 89

2.7.4.- Circuitos de acoplamiento óptico de señales SPWM.......... 91

2.7.5.- Circuito monitor del bus DC. 93

2.7.6.- Circuito detector de falta de fase.. 94

2.7.7.- Circuito detector de fallas y Reset 95

2.7.8.- Protecciones 98

2.8.- Módulo de interfase 100

2.8.1.- Sistema microprocesado de control. 100

2.8.2.- Salidas digitales de 8 bits (Voltaje y frecuencia deseadas).. 101

2.8.3.- Circuito manejador del teclado... 102

Page 7: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

2.8.4.- Circuito manejadordel LCD 16x4 104

2.8.5.- Interfase serial con norma RS-232......................... 105

2.8.6.- Entrada de pulsos para encoder, sentido de giro y salida de

falla........ 107

2.8.7.- Circuito de alimentación del manejador de IGBT's 108

2.8.8.- Circuito de Watch Dog Timer 109

2.8.9.- Conversor análogo digital............................. 110

2.8.9.1.-Aislamiento óptico del conversor....... 111

2.8.10.-Circuitos de entrada de las señales analógicas............... 113

2.8.11.» Circuitos aux¡liares(Alarma, leds, control C A/D). 115

2.9.- Interconexión de los módulos 118

2.10.- Funciones del módulo SPWM... 120

2.11.- Funciones del módulo ¡nterfase 121

CAPÍTULOS

PRUEBAS Y ANÁLISIS DE RESULTADOS 123

3.1.- Introducción..... 124

3.2.- Carga y descarga del capacitor............. 125

3.3.- Resultados de los algoritmos de la generación del SPWM....... 128

3.3.1.- Generación con portadora diente de sierra 128

3.3.2.- Generación con portadora triangular......... 133

3.4.- Pruebas con carga resistiva 138

3.4.1.- Media carga 138

3.4.2.-Carga total 147

3.5.» Pruebas con motor.... 153

Page 8: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

. -CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES.

.-ANEXOS.

.- BIBLIOGRAFÍA.

Page 9: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado
Page 10: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

1,1.-INTRODUCCIÓN

El presente trabajo consiste en e! diseño y construcción de un inversor trifásico de

1 KVA utilizando la técnica PWM con elementos de potencia de última tecnología

como son los IGBT's. Se construirá un módulo funcional cuya aplicación

fundamental será en la variación de la velocidad de motores trifásicos de inducción,

Para cumplir estos objetivos primero se da una visión de sus aplicaciones y utilidad

de los mismos (especialmente en el ámbito industrial), paso seguido se analiza los

circuitos que describen al motor de inducción y su comportamiento al variar sus

parámetros lo cual permite determinar y comprender las diferentes formas para

controlar al motor con énfasis en el control por voltaje y frecuencia variable con las

configuraciones más comunes de inversores. A continuación se analiza los

semiconductores seleccionados IGBT's, para fuego describir la modulación

senoidal de ancho de pulso, la cual permite obtener voltaje y frecuencia variable

que es e! método más efectivo para el control de motores y usado en el presente

trabajo.

Con estos antecedentes se deduce un algoritmo que permita generar las señales

necesarias para sintetizar una onda senoidal de amplitud y frecuencia deseada

mediante un módulo microprocesado. Para el control y monitoreo del sistema se

diseña un segundo módulo microprocesado que permite el interfase con el usuario.

El siguiente paso es el diseño de los módulos de potencia, protección, interface y

fuentes de alimentación, de acuerdo a las necesidades para el inversor.

Page 11: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

1.2. -ALGUNAS APLICACIONES DE LOS INVERSORES.

Los inversores son conversones de DC a AC pudiendo ser estos monofásicos o

trifásicos, este trabajo se tratará los inversores trifásicos de voltaje y frecuencia

variable que se utilizan para el control de la velocidad de los motores de inducción.

La importancia actual que tienen los inversores se debe a que en la industria es

necesario un motor robusto al cual se le pueda controlar la velocidad manteniendo

su torque constante y que mejor máquina que eí motor de inducción jaula de ardilla

el cual prácticamente no necesita mantenimiento, posee una excelente relación

potencia peso e inclusive en la actualidad hay modelos sellados herméticamente

para trabajo en zonas peligrosas o ambientes muy hostiles; pero como se conoce

es una máquina que tiene una velocidad casi constante que depende de su número

de polos y la frecuencia a la que se ha alimentado, por lo cua! el inversor es su

mejor aliado ya que este puede entregar frecuencia y voltaje variables que son los

parámetros necesarios para controlar la velocidad y el torque del motor de

inducción. La combinación de estos dos elementos (motor e inversor) ha venido a

solucionar varios problemas de la industria y cada día es más amplio su campo de

aplicación, por citar algunos ejemplos:

• En ventiladores para controlar el flujo de aire de forma continua.

• Para el control de la velocidad y torque en molinos, lo que permite optimizar el

procesamiento de los materiales.

• En todos los-, sistemas de bandas transportadoras que se utilizan ampliamente

en todas las industrias.

• En máquinas herramientas automatizadas que cada día son más populares.

• En robots industriales para e] control de la velocidad, torque y posición de los

mismos en los que se usan por lo general curvas en S que son el resultado de

polinomios, generalmente cúbicos, que permiten un arranque y parada suaves.

• Para máquinas bobin^jdoras de papel, textiles, hilos, etc.

• En máquinas procesadores de plástico.

• En sistemas de transporte como el Trolebús.

Page 12: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

• En maquinas laminadoras de todo tipo.

• Para el manejo de la velocidad en ascensores controlando la aceleración,

desaceleración y parada del mismo.

Estos son, entre otras, algunas de las aplicaciones más comunes de los inversores,

lo cual nos puede servir como una guía para la solucionar problemas con similares

características.

1.3. - VARIACIÓN DE LA VELOCIDAD DE UN MOTOR DE

INDUCCIÓN.

Como se mencionó en la introducción el principal objetivo de este trabajo es el

diseño y construcción de un inversor cuya aplicación principal es variar la velocidad

de un motor trifásico de inducción de 1Kw de potencia, por lo que es necesario

primeramente analizar el comportamiento del motor de inducción desde el punto de

vista de los parámetros que influyen en la variación de su velocidad.

Partiendo de la ecuación 1.1 de velocidad de un motor de inducción de p polos.

120 x/(Ds - velocidad. síncrona(RPM} =

El número de polos será fijo, por lo tanto es la frecuencia el parámetro eléctrico que

permite variar la velocidad, pero se debe analizar que variables son afectadas con

la variación de la frecuencia.

Para un análisis de la variación de la frecuencia y voltaje se toma el circuito

equivalente por fase del motor de la figura. 1.1.

Page 13: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Siendo Re es la resistencia del estator, Xe la reactancia de dispersión del estator,

Rr la resistencia del rotor referida al primario, Xr la reactancia de dispersión del

rotor referida al primario, Rm la resistencia de pérdidas y Xm la reactancia de

magnetización.

Je jXe Re

—s^wv-YA T *—^íffiT-xJ

rr r> < o¿ • -, *<>1/-1 TT J?JT> ]í> n T'ym " ^

2 -> 5 <"

Figura 1.1 Circuito equivalente del motor de inducción

La potencia de salida de la máquina relacionada con el torque desarrollado esta

dada por la ecuación 1.2 [1].

Siendo;

Td: Torque desarrollado.

Pd: Potencia desarrollada.

Wm: Velocidad angular del eje de la máquina,

La potencia en el entrehierro Pg será la potencia que pasa del estator al rotor a

través del entrehierro dada por la ecuación 1.3 [i].

(1.3)

Page 14: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Las pérdidas en el cobre del rotor serán Ppr:

Ppr - 3 x Ir 2 x Rr (1.4)

Por lo que la potencia desarrollada Pd por la máquina es:

—s

(1.5)

Para relacionar con la frecuencia se toma la velocidad síncrona que es función de

la velocidad del eje por medio del deslizamiento de acuerdo a la ecuación 1.6 [1].

(1-6)

Reemplazando las ecuaciones 1.5 y 1.6 en la ecuación 1.2 se obtiene el torque

desarrollado Td:

Si se reemplaza Pg de la ecuación 1.3 el torque desarrollado Td es:

8)

Para la determinación de Ir se puede simplificar el circuito equivalente de la figura

1.1 considerando que el valor de Xm suele ser grande, Rm mucho más grande por

Page 15: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

lo que se elimina del circuito; si además se considera que Xm2»(Re2+Xe2), se

puede considerar que V1wV2, con lo cual el circuito equivalente portase se puede

simplificar como lo muestra la figura1.2.

Figura 1.2 Circuito equivalente aproximado.

Entonces Ir estará dado por la ecuación 1.9

7r = (1.9)

Por lo que la ecuación 1.8 del torque desarrollado Td se convierte en;

Td = (1.10)

En esta ecuación, considerando que la máquina esta alimentada por medio de un

voltaje fijo con frecuencia constante, el torque queda determinado por el

deslizamiento, por lo que se pue^e obtener las diferentes zonas de funcionamiento

de la máquina graficando el torque en función del deslizamiento como lo muestra la

figura 1.3.

Page 16: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Para un deslizamiento comprendido entre O y 1 la máquina funciona como motor,

para un deslizamiento entre 1 y 2 funciona en sentido contrario y para un

deslizamiento entre -1 y O funciona como generador. La primera zona (0<s<1) es

en la que generalmente se encuentra funcionando la máquina, el campo arrastra al

rotor por lo que los dos giran en el mismo sentido, la segunda zona (1<s<2) el

campo gira en sentido contrario al sentido de rotación del eje lo que implica que se

intercambiaron dos fases de la alimentación lo cual frenará a la máquina pero la

energía debe ser disipada dentro del motor recalentándolo, por lo que este tipo de

frenado no es recomendable.

Freí»

Figura 1,3. Variación del torque en

función del deslizamiento s.

La tercera zona (~1<s<0) el rotor gira en el mismo sentido del campo pero a -un a

velocidad mayor, funcionando la máquina como generador entregando energía

hacia la carga. Esto es de mucha importancia dentro del diseño de un inversor ya

que al reducir la frecuencia se reduce la velocidad del campo y al tener cargas

arrastrantes o con gran inercia la máquina está dentro de esta zona, haciéndose

necesario disipar esta energía, que por lo general se disipa a través de una

resistencia externa controlando e| frenado de la máquina.

Page 17: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

La ecuación 1.10 del torque desarrollado está en función de los parámetros voltaje

y frecuencia (incluida en oo) que pueden ser manejados externamente, permitiendo

el análisis-del efecto de la variación de estos sobre el torque y la velocidad, lo cual

será el siguiente paso.

1.3.1. - CONTROL DE LA VELOCIDAD POR VARIACIÓN DEL

VOLTAJE.

Partiendo de la ecuación 1.10 manteniendo los demás parámetros constantes se

observa que una disminución del voltaje produce una reducción cuadrática del

torque decrementando así la velocidad, pero se puede pasar a un punto de

inestabilidad por lo que el rango de variación de la velocidad es pequeño. Por otra

parte, un incremento en el voltaje produce un incremento cuadrático del torque. El

límite para el aumento del voltaje estará dado por la corriente máxima que pueden

soportar los conductores y por la calidad del aislamiento para soportar la

consecuente elevación de la temperatura. En la figura 1.4 se muestra la gráfica

de la variación de la velocidad y el torque al cambiar el voltaje.

Figura 1.4. Efectos de la variación del voltaje.

Page 18: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

La gráfica muestra como el torque máximo va disminuyendo cuadráticamente

conforme disminuye el voltaje, manteniéndose el deslizamiento al que se produce el

torque máximo. Por lo que este tipo de control varia la velocidad variando el torque,

por lo que sus aplicaciones son limitadas

1.3.2. - CONTROL DE LA VELOCIDAD POR VARIACIÓN DE LA

FRECUENCIA.

Partiendo nuevamente de la ecuación 1.10 del torque desarrollado en función de

parámetros eléctricos, en la cual el término de la velocidad del campo cos está

relacionado con la frecuencia por medio de la ecuación 1.11; este término junto con

las reactancias de los bobinados (que también son función de la frecuencia) se

encuentran afectando el denominador de la ecuación 1.10, por lo que el torque se

verá afectado por el factor K (0<K<1) en cada uno de los términos donde influya la

frecuencia, obteniendo la ecuación 1,12 del torque desarrollado Td de la máquina

incluido el factor K.

O)s = 2 X 7 T X / (1-11)

Esta ecuación muestra que un aumento en la frecuencia afecta a su denominador

produciendo una reducción en el torque de la máquina, además se observa que a

valores bajos de frecuencia ¡a parte resistiva de la máquina es predominante ya

que las reactancias disminuyen. Por otro lado la reducción de la frecuencia influye

en la velocidad de rotación del campo, que junto con el deslizamiento determinan la

velocidad del motor. Además se debe considerar que el parámetro más influyente

es la corriente, debido a que como se expuso anteriormente la impedancia del

10

Page 19: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

circuito es función directa de ia frecuencia y al disminuir esta la corriente aumenta y

afecta directamente al flujo, el mismo que se ve incrementado y puede saturar al

núcleo entrando en una zona no lineal.

Por otro lado el aumento de la frecuencia aumenta la velocidad del campo, pero en

contraparte la impedancia deí circuito incrementa, con lo cual la corriente disminuye

debilitándose el campo al disminuir el torque, esto se confirma con la ecuación

1.12. Por este motivo se dice que sobre la frecuencia nominal se trabaja a flujo

reducido. Esto se observa en la figura 1.5 donde se gráfica para mejor comprensión

lo expuesto anteriormente.

Figura 1.5 Efectos de la variación de la frecuencia.

Este método de control no es muy utilizado individualmente, ya que por un lado

está el incremento de corriente que produce la saturación del núcleo recalentando

el motor, por otro lado esta el debilitamiento del campo que no permite mantener el

torque.

Sin embargo suele usarse para la variación de la velocidad de la máquina sobre la

frecuencia nominal con campo debilitado.

11

Page 20: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

1.3.3. - CONTROL DE LA VELOCIDAD POR VARIACIÓN DEL

VOLTAJE Y LA FRECUENCIA.

Los dos métodos anteriores por si solos tienen deficiencias, las cuales se

compensan al combinarse. Retomando la ecuación 1.7 del tonque desarrollado y

expresándola en función del voltaje y corriente, de acuerdo con la figura 1.1 del

circuito equivalente del motor, se tiene:

Pg 3x/rxF2~^ = ¿- 1.13

Se observa que el torque de la máquina es función de la potencia que pasa por el

entrehierro, equivalente al producto del voltaje inducido al rotor por su corriente.

La corriente debe ser siempre la nominal, ya que superior a esta se sobrecalienta el

conductor y se puede quemar y debajo de la nominal se desperdicia la capacidad

total que se puede usar del mismo. Por lo tanto de acuerdo a la ecuación 1.13 para

que el torque desarrollado permanezca constante el término V2/ws se debe

mantener constante; esto implica que la relación VI f es la que se debe mantener

constante como lo indica la relación 1.14.

2X7T f

Esta expresión se puede relacionar con la del flujo, que de acuerdo a la ecuación

1.15 al mantener la relación V/f constante el flujo que atraviesa el entrehierro

también se mantiene constante.

1 V" 1.15Klxw Klx2xn f

Donde: K1 es una constante que depende del bobinado del estator.

12

Page 21: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Por lo tanto la ecuación 1.13 expresada en función del flujo está dada por la

relación 1.16:

„, 3xfrxKlxo)xéid = -

(JO

1.16

De acuerdo a esta relación para que el torque se mantenga, se debe mantener la

corriente nominal y el flujo constante conservando la relación V/f . Si este flujo se

mantiene, la velocidad del motor estará dominada principalmente por la velocidad

de rotación del campo magnético, el cual es función directa de la frecuencia.

Combinando la ecuación 1.15 y 1.16, se agrupa en una sola constante K a las

constantes I, K1, K2 y 2x:r , llegando a obtener la relación 1.17 en la que queda

claramente demostrado que el torque desarrollado es función de la relación V/f.

- 1.17

La relación V/f, que todo motor la posee, suele llamarse Relación Volts y Herts del

motor, así por ejemplo para un motor que opera a 220V y 60Hz su relación Volts

Herts es de 220/60=3,666 V / Hz, lo que indica que por cada aumento en un Hertz,

el voltaje debe incrementarse en 3,666 Volts para así compensar los efectos de la

reactancia inductiva.

Retomando la figura 1.1 del circuito equivalente de la máquina, la f.e.m interna

desarrollada por los bobinados del estator V2 expresada en función del voltaje

terminal por fase está dado por la relación 1.18, en la que si se divide ambos

miembros de la ecuación para la frecuencia, el valor del término exe se

13

Page 22: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

mantiene constante, en tanto qu^ el término ^xRa incrementa a bajos valores

de velocidad (frecuencia).

1.18

/ / U f )

Esto hace que se deba realizar una compensación del voltaje para bajas

frecuencias como se explica a continuación.

1.3.3.1. - COMPENSACIÓN DEL VOLTAJE PARA BAJAS

FRECUENCIAS.

En el circuito RL total de la máquina, la parte inductiva es predominante para

valores de frecuencia mayores a la nominal, pero mientras disminuye la frecuencia

la parte resistiva comienza a ser más representativa (como se expuso en el punto

anterior), por lo que la corriente tiende a disminuir si se mantiene la relación volts

herís constante debido a que la mayoría del voltaje cae sobre la resistencia. Para

compensar este efecto de pérdidas en la parte resistiva a bajas frecuencias lo más

lógico es aumentar el voltaje, siendo necesario desviar un poco la relación V/f.

Este tipo de compensación, por lo general se realiza para frecuencias menores a

20 Hz. La figura 1.6 en líneas punteadas muestra la relación V/f ideal, y con línea

continua una curva con compensación:

De acuerdo al tipo de motor, así como a su carga se hace necesario variar la curva

de compensación, así por ejemplo para una carga con mayor inercia inicial se debe

14

Page 23: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

inyectar mayor voltaje (fig.1.6a) para suplir el incremento de corriente en el

arranque.

— -• — Zdeal- Compensada

a) Mayax: inercia

h) Menor inercia

Figura 1.6. Compensación de voltaje para bajas frecuencias

Todo esto es factible si se conserva la ventilación adecuada del motor, que puede

proporcionarse con un ventilador adicional, debido a que la mayoría de motores

poseen un ventilador acoplado a su eje y al ir reduciendo la velocidad del motor ya

no están en la capacidad de cumplir su función de enfriarlo. Este efecto se produce

debido a que la corriente se mantiene constante y las pérdidas de potencia

P=3xRxl2 prácticamente se mantienen constantes.

Para un análisis más formal de la compensación de voltaje se debe considerar que

el torque se debe mantener en su valor máximo, para lo cual se analiza la relación

1.10 del torque desarrollado, de la que se obtiene el deslizamiento máximo por fase

dado por la ecuación 1.19 [4], reemplazando ésta en la relación 1.10 por fase se

obtiene la relación 1.20 [4] para el torque máximo.

Rr1.19

15

Page 24: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

VV 2

1.20

Esta última ecuación permite analizar la variación del torque al tener la relación

V/f constante y además permite obtener una relación para determinar la

compensación que debe tener el voltaje para mantener el torque constante.

Para determinar la variación del torque máximo al mantener la relación V/f

constante, se debe considerar que en la relación 1.20 el torque máximo es

función de los parámetros del motor, para lo cual para motores pequeños se

puede tomar la relación 1,21 [4] entre la resistencia del estator Re y las

impedancias del estator y rotor (Xe y Xr) dada por:

Re

Esta relación, junto con la fórmula de la velocidad síncrona dada por 1.1,

permite simplificar la ecuación 1.20 de tal manera que se pueda expresar en

función del voltaje y la frecuencia resultando la ecuación 1.22 siguiente:

j /2' 2

~Tm = , 1 22

Si se relaciona el torque máximo en condiciones nominales Tmn para e! torque

máximo a un valor de K1 veces la frecuencia y el voltaje (0<K1<1) se obtiene la

relación 1.23 de la siguiente manera:

16

Page 25: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

V2* 2

0 120x/xRe / i M2\x - xl l + Jl + (:>) 1

1-23

02x - - - xll

P

Que al realizar las simplificaciones correspondientes se obtiene la ecuación 1.24

siguiente:

Tmn

TmKl = r/72/7 x - - -/ v 1 .24

Esta relación permite ver la disminución de! torque al reducir la velocidad

manteniendo la relación V/f constante.

Para determinar la proporción en la que el voltaje debe ser compensado para

mantener el torque máximo constante, a bajas velocidades se procede de

manera similar de tal forma que, el torque máximo a valores nominales sea el

mismo que a cualquier frecuencia, siendo necesario determinar la constante Kv

(0<Kv<1) como lo indica las ecuaciones 1.25 y 1.26, que operando y realizando

las simplificaciones permiten hacerlo.

La constante Kv permite determinar el voltaje que se debe entregar a la

máquina para mantener el torque constante, modificándose de esta manera la

relación V/f, de tal forma que el torque se mantenga constante.

17

Page 26: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

V** 2

0 120x/xRe2x -

Tmn - = 1 = L 1.25

0 120xjnx/xRe2x ¿

¿Tv2 = ^—*—¿= '-J- 1.261 + J26

De esta manera para un valor dado de frecuencia y voltaje que es K1 veces los

valores nomínales usando la relación V/f constante, el voltaje que se debe

aplicar para mantener el torque constante será Kv veces el voltaje nominal de la

máquina.

Por ejemplo, para la cuarta parte del valor nominal de la frecuencia (KI^O.25), si

se mantiene la relación V/f constante la relación 1.24 determina que el torque

disminuirá al 58,6% del valor máximo, que confirma la reducción del torque al

mantener la relación V/f constante, por lo tanto el. voltaje que se debe aplicar

para mantener el torque constante está determinado por Kv dado por la relación

1.26 Kv=0,3265. Esto implica que si se mantiene V/f constante el voltaje será %

(0,25) del nominal, pero con copipensación el voltaje debe ser 0,3265 veces el

voltaje nominal. En e! caso de usar como valor nominal 220V, sin

compensación el voltaje aplicado es de 55V (K1x220) y con la compensación

seráde71,72V(Kvx220).

Page 27: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

La figura 1.7 muestra con una línea fina el voltaje que se aplica sin

compensación y con línea gruesa el voltaje compensado que se debe aplicar

para que el torque máximo se mantenga constante.

v250 n

200 -

150 -

100 -

50 -

O

1 10 30 60

Figura 1.7 Compensación mediante la constante Kv.

Como se observa, a frecuencias menores a aproximadamente 20 Hz, la

diferencia entre el voltaje con V/f constante y el voltaje compensado mediante

Kv se va incrementando.

Se debe considerar que para Kv se toma la relación 1.21 entre la resistencia del

estator y las reactancias del motor igual a 5 y esto depende de cada motor, esto

hace que generalmente se realizan compensaciones como la indicada por la

figura 1.6, en las que dependiendo de las características del motor y las

necesidades se puede tomar una compensación como la indicada hasta los

20Hz, luego de este valor se incrementa la relación V/f de manera constante.

19

Page 28: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

1.3.3.2. - CARACTERÍSTICAS DEL TORQUE EEN FUNCIÓN DE

LA RELACIÓN V/f.

EL análisis individual anterior permite en una primera instancia comprender el

comportamiento de la máquina, pero hay que considerar que sus valores

interactuan entre sí, además el deslizamiento depende de la carga y características

propias del motor, con lo que e! término R/s no es constante. Este conjunto de

interacciones se observan de m^jor manera con la ecuación 1.10 [1] expresada en

términos del voltaje y frecuencia como:

Td = -IRr.Vi'

1.27

Este conjunto de interacciones entre las variables complica el control de la máquina

de inducción. Considerando que los parámetros eléctricos que pueden ser

manipulados son el voltaje y la frecuencia, hacen necesario que el inversor sea

capaz de variar tanto el voltaje y la frecuencia de salida de una manera

independiente, esto permite con un sistema en lazo cerrado modificar los valores

de frecuencia o voltaje para mantener la velocidad de la máquina, dependiendo de

las necesidades.

Torgue

'S4 *S3 "S2

Figura 1.8 Variación del torque en función de V/f

20

Page 29: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Considerando que el voltaje ha sido compensado como se indicó en 1.3.3.1 para

mantener el torque constante, Iq figura 1.8 muestra la forma que varía el torque

variando la relación V/f compensada.

Como se observa la curva de torque se va desplazando, manteniéndose el torque

máximo constante. Este tipo de control permite trabajar al motor no solo con

velocidades menores a la nominal sino que es factible trabajar a velocidades

mayores que esta, pero en este caso el torque ya no es constante.

Los motores de jaula de ardilla, por la robusta construcción del rotor permiten

trabajar hasta el doble de su velpcidad nominal, esto es muy atractivo para varias

aplicaciones, siendo preciso definir las características de operación de la máquina

sobre y bajo la velocidad nominal, dando origen a dos regiones de operación que

se analizan a continuación.

1.3.3.3 - CARACTERÍSTICAS DEL MOTOR PARA

VELOCIDADES MENORES A LA NOMINAL (REGIÓN DE

TORQUE CONSTANTE).

Para disminuir la velocidad de la máquina se reduce la velocidad del campo

magnético giratorio reduciendo la relación V/f, manteniendo con esto el torque de

la máquina constante, denominándose a este rango corno región de torque

constante.

En esta región la corriente se mantiene constante en tanto que el voltaje varía, por

lo que la potencia es variable y va decrementándose con la disminución de V/f. La

relación V/f mantiene constante el flujo con la que la corriente de magnetización

también se mantiene invariable. La potencia diminuye principalmente por la

disminución del voltaje, en tanto que el torque se mantendrá constante siempre que

se realice la compensación adecuada del voltaje como se expuso en 1.3.3.1.

21

Page 30: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Estas características se muestran en la figura 1.9[3] en la zona de torque constante

que esta comprendida entre cero y los valores nominales de la máquina.

1.3.3.4 - CARACTERÍSTICAS DEL MOTOR PARA

VELOCIDADES MAYORES A LA NOMINAL (REGIÓN DE

POTENCIA CONSTANTE),

Sobre la velocidad nominal del motor se debe considerar que al incrementar el

voltaje y como la corriente se mantiene constante se incrementa la potencia, lo cual

deteriora el aislamiento de la maquina; además para lograr voltajes mayores se

hace necesario usar técnicas de sobremodulación (ver 1.6.3), lo cual incrementa el

contenido armónico del voltaje de, alimentación a la máquina.

En la figura 1.9 [3] se muestra a esta zona que va desde la velocidad nominal hasta

la velocidad máxima de la máquina determinada por los límites mecánicos de

funcionamiento.

Por lo tanto en esta región para elevar la velocidad del motor se incrementa la

frecuencia manteniendo el voltaje constante, haciendo que la potencia se

mantenga al valor nominal de la máquina, esto hace que la velocidad varíe en

función de 1/f reduciendo el flujo conforme aumenta la misma debido a que la

corriente disminuye por el aumento del valor de la reactancia inductiva, con lo cual

se va reduciendo la corriente de magnetización haciendo que el torque de la

máquina vaya disminuyendo. Debido a estas características esta zona se

denomina como región de flujo o torque debilitado.

22

Page 31: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

En la gráfica se muestra la evolución de torque electromagnético (Tem), voltaje de

salida (Vs), comente del rotor (Ir) y corriente de magnetización (Im) lo cual ayuda a

comprender cada una de las regiones de operación y su evolución.

T&it

Región (Je torgz/econstante

Región de potenciaconstante

debilitado)

Figura 1.9 Regiones, de operación del motor de inducción

Estas son las dos regiones de operación más comunes, pero también de acuerdo

al motor se puede trabajar con velocidades superiores al doble de la velocidad

nominal, o se puede mantener la relación V/f para velocidades superiores a la

nominal con máquinas que por ejemplo operen a 220/440 V en cuyo caso se

conecta en 220 a la velocidad nominal y para el doble de la velocidad se usa 440

manteniendo la relación V/f, clarq está, que para que esto sea posible es necesario

poder alimentar al rectificador de entrada con 440V y dimensionar el inversor en

base de este voltaje.

23

Page 32: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

1.4. - CONFIGURACIONES PARA OBTENER VOLTAJE Y

FRECUENCIA VARIABLE.

Existen varias configuraciones qi)e permiten pasar de un voltaje alterno de amplitud

y frecuencia fijos a un voltaje alterno con frecuencia y voltaje variable,

(requerimientos para poder controlar la velocidad de un motor de inducción), siendo

los de mayor uso los mostrados en la figura 1.10 [3],

RST pe

Figura 10 (A)

.-J

^L11

-oprjjN

1

F-Í /m»-:» in

1

/Jll

\

Figura 1.10. Esquema^ para la variación de frecuencia y voltaje

En el esquema de la figura 1.10 (a), la variación de la amplitud del voltaje se lo hace

por medio de un troceador reductor, alimentado por un rectificador no controlado y

la variación de frecuencia se lo puede hacer por medio de un inversor.

24

Page 33: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

En la figura 1.10(b) la variación del voltaje se lo hace por medio de un

rectificador controlado y la frecuencia de forma similar al anterior, la figura

1.10(c) muestra el esquema que en la actualidad es el más utilizado, ya que el

voltaje DC se lo obtiene directamente de la línea por medio de un rectificador no

controlado trifásico (que en pe.queñas potencias puede ser monofásico) y la

variación del voltaje y frecuencia se logra por medio de técnicas de modulación

PWM.

Los esquemas expuestos no permiten la regeneración, pero si esto es necesario se

debe incluir otro inversor adecuadamente direccionado para permitir la

realimentación a la línea y lograr un frenado regenerativo.

Para un frenado dinámico se intercala entre el inversor y el rectificador, un

troceador que disipa la energía en una resistencia cuando la máquina está

funcionando como generador.

De acuerdo a lo indicado en la figura 1.3 del torque vs el deslizamiento, el

funcionamiento como generador se produce cuando el deslizamiento es negativo,

que por lo general se da con cargas arrastrantes (de gran inercia) y al disminuir

muy rápido la frecuencia de salida del inversor, la inercia de la carga hace que la

máquina no pueda frenar a la misma velocidad de la variación de la frecuencia, por

lo que la velocidad del eje (asincrónica) es mayor que la velocidad síncrona, lo cual

produce un deslizamiento negativo haciendo al término Fír/s negativo que de

acuerdo a la ecuación 1.3 la potencia del entrehierro será negativa, que implica que

la máquina está funcionando como generador, este es un resultado muy importante

para los motores de jaula de ardil|a.

El esquema de la figura 1.10(c) es el que se implementa en el presente trabajo,

obteniendo el voltaje a través de un rectificador trifásico no controlado, el cual pasa

a un inversor que se encarga de alimentar al motor con voltaje y frecuencia

variable.

25'

Page 34: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

1.5. - INVERSORES TRIFÁSICOS TIPO PUENTE.I

El inversor trifásico se forma con tres inversores monofásicos, cuyas señales de

control están desfasadas 120° entre sí, formando un sistema trifásico. El puente

mostrado en la figura 1.11 es la configuración típica usada, en la que los

interruptores pueden ser reemplazados por semiconductores de potencia como

Tiristores, Transistores, Mosfets, GTO's o IGBT's.

Si /, 1 J * /<

ocr

" i *3 ss.

i» J

• -» *

L ^>

^^

Figura1.11 Inversor trifásico tipo puente.

Este circuito permite convertir de voltaje continuo a alterno al conmutar

adecuadamente los interruptores, condicionando a que bajo ninguna circunstancia

se cierren a la vez dos interruptores de un mismo ramal. Al usar cargas inductivas

se debe colocar los diodos en paralelo para así poder disipar la energía encerrando

la corriente almacenada sobre la piisma carga.

Para explicar el funcionamiento del inversor tipo puente anterior se presenta en la

figura 1.12 la secuencia de actiyado de los interruptores y la forma de onda de

salida sobre una carga resistiv^ en delta, para un inversor cuasi cuadrado con

conducción de cada interruptor de 180°.

26

Page 35: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

SI

S2

S3

S4

S5

S6

3o.i A

3

\í/A

V

E

Figura 1.12 Formas de onda para un inversor cuasi cuadrado

Para obtener un voltaje DC más puro, en el interfase entre el rectificador y el

inversor se coloca un filtro [3] como lo muestra en la figura 1.13 que puede ser: un

inductor, entonces se habla de un inversor como fuente de corriente (IFC o CSI

siglas en inglés); un capacitor, trabajando el inversor como fuente de voltaje (IFV o

VSI), y si se coloca un filtro inductivo y capacitivo se tiene de igual forma un

inversor como fuente de voltaje, ya que la parte capacitiva es la dominante.

27

Page 36: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Becfcificador

Í.F.C.

ZizieaRectificado* Inversor

¿i/tea.Rectificador

Figura 1.13 Tipos de inversores.

En el IFC con una ¡nductancia de un valor elevado el bus de DC se presenta como

una fuente de corriente ideal, con su ¡mpedáncia de entrada tendiente al infinito, en

tanto que para e! IFV se utilizan capacitores de gran valor por lo que la impedancia

de entrada del bus de DC idealmente será cero; este será el esquema que se toma

para el diseño y construcción de! inversor motivo de este trabajo.

El siguiente paso es determinar un método-que pueda implementarse en la

configuración del puente trifásico, el cual permita obtener a la salida voltajes

senoidales trifásicos de voltaje y frecuencia variables, este método es la

modulación de ancho de pulso senoidal.

28

Page 37: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

1.6 SPWM MODULACIÓN DE ANCHO DE PULSO SENOIDAL.

Para sintetizar una onda senoidal, de frecuencia y voltaje variable y que además

se pueda implementar en el puente trifásico, se necesita una técnica que utilice

únicamente estados ON y OFF. Esta técnica es la modulación de ancho de pulso

senoidal SPWM (de las siglas pn inglés Sinusoidal Pulse Width Modulated), la

cual consiste en variar el anchp de un pulso de acuerdo al valor de la señal

modulante (senoidal).

Esto se consigue al comparar una portadora de frecuencia mayor, que por lo

general es una señal triangular o diente de sierra, con la señal modulante; si la

magnitud de la modulante es mayor que la magnitud de la portadora estará en

valor 1 u ON y viceversa, de esta forma si ia modulante está en su valor máximo

el ancho del pulso en valor alto será máximo y viceversa, así como lo muestra en

la figura 1.14 donde se usa como portadora a una señal diente de sierra y como

modulante una senoidal. Para recuperar la modulante basta con colocar un filtro

pasa bajo i&ijvla salida con una frecuencia de corte menor a la frecuencia de la

portadora.

ífodulante „ , ,Portadora

wt

Figura 1.14. Modulación de ancho de pulso.

29

Page 38: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Este método posee muchas ventajas, como él techo de que es posible tener

cualquier tipo de señal como modulante, permite hacer un aislamiento entre la

parte de control y la de potencia generándose los pulsos de control con lógica

digital y pasar a través de qptoacopladores y la más importante para las

aplicaciones de control de motores, es que se pueden sintetizar ondas de

frecuencia y voltaje variable que con la ayuda del puente rectificador mostrado en

la figura 1.11 permiten alimentar directamente al motor, que por si solo se

convierte en el filtro de salida obt9niendo menor distorsión armónica a la salida.

Mientras mayor sea la frecuencia de la portadora las componentes armónicas en

el espectro de Fourier se desplazan más hacia el lado de las altas frecuencias

(derecha) siendo más fácil su filtrado [3],

Para el control de motores eléctricos es necesario tres ondas desfasadas 120°

cada una, esto se consigue al tener una portadora única y tres modulantes, por lo

tanto en lo posterior se trata sobre el control de la frecuencia y voltaje trifásico.

1.6.1 VARIACIÓN DE LA FRECUENCIA

Para variar la frecuencia se varía simultáneamente la frecuencia de las tres

señales modulantes, en tanto que la elección de la frecuencia de la portadora

influye en el contenido armónico en los voltajes de salida que aparecen en las

bandas laterales de la frecuencia de la portadora. Las frecuencias de la señal

portadora que por lo general se escogen están en rangos menores a 6KHz o

mayores a 20KHz para salir del rango audible [3].

Se define ia relación entre la frecuencia de la portadora y la modulante como Mf o

relación de frecuencias:

~ 1,28fin .

30

Page 39: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

La relación 1.28 puede ser un número entero en cuyo caso se habla de un SPWM

sincronizado, en cuyo caso \^ frecuencia de la portadora no se mantiene

constante y será calculada de acuerdo a la frecuencia de la modulante, por

ejemplo si se desea 50,5Hz y para una relación de Mf=15 la frecuencia de la

portadora deberá ser de 50,5x15=757.5Hz además deben coincidir en el cruce por

cero la seña! portadora y las tres modulantes.

Cuando se elige la relación Mf se debe tratar de que sea un número impar para

eliminar los armónicos pares y múltiplo de tres, debido a que como cada onda

está desplazada 120°x3=360° es decir equivalente a cero grados, eliminando los

armónicos comunes más dominantes que tiene cada fase, además esto permite la

sincronización del inicio de la portadora con cada una de las tres senoidales. Un

valor típico para Mf suele ser 21 y así los armónicos estarán alrededor de 21

veces la fundamental, por ejemplo para 60Hz los armónicos aparecen alrededor

de 1260Hz, pero si la frecuencia es baja por ejemplo 5Hz, como se debe

mantener constante la relación Mf, los armónicos estarán alrededor de 105Hz.

Si se mantiene la frecuencia de la portadora fija la relación Mf no necesariamente

será entero, en cuyo caso se tiene una modulación asincrónica que implica que la

frecuencia de la portadora (triangular o diente de sierra) no inicia en el mismo

instante que la correspondiente onda senoidal, esto se da por que al no ser una

relación exacta entre la modulante y la portadora uno o dos anchos de pulso

pueden estar fuera de proporción por cada una de las senoidales así como lo

indica la figura 1.15 que comparándose con la figura 1.14 se observa que el

primer ancho de pulso no inicia en t=0, además el ancho del pulso marcado 1 es

mayor que el 2, que en el caso de tener sincronización serían iguales.

La falta de la sincronización produce subarmónicos indeseables [3] que pueden

aparecer bajo la frecuencia de la modulante, los cuales no serán filtrados por el

motor sobrecalentándolo y produciendo además posibles vibraciones

dependiendo de su magnitud.

31

Page 40: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

IfodulazitePortado ira

Figura 1.15. SPWM asincrónico.

iComo se puede observar este efecto se reducirá si la frecuencia de la portadora

es mayor, para este tipo de modulación se usa la relación Mf mayor a 21

minimizando de esta manera el efecto de la falta de sincronismo al ser los anchos

de pulso que no coinciden menores.

1.6.2 VARIACIÓN DEL VOLTAJE

Para controlar el voltaje de salida, como es lógico se controla la amplitud de las

tres señales senoidales modulantes. La relación entre la amplitud de la portadora

y la modulante se define como índice de modulación M, si se considera que la

amplitud de la portadora se mantiene constante y es la amplitud de la modulante

la que se varía el índice de modulación varía entre O para el valor mínimo de la

modulante y 1 para el máximo.

Considerando que se parte de un voltaje continuo Vdc la referencia de las ondas

senoidales será Vdc/2 ya que el máximo de la seno corresponde a Vdc y el

32

Page 41: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

VLL(OUT) = — x M x VLL(IN) 1.34

VLL(OUT) = 0,866 x¡M x VLL(IN) 1.35

Manteniendo la relación V/f constante la frecuencia correspondiente al voltaje

con M=1 (Vout es 0,866 veces e\) es:

/ = 0,86<5 x 60 = 5l,96Hz « 52Hz 1.36

Esto hace necesario una compensación sobre aproximadamente los 52Hz

haciéndose necesario que M sea mayor a la unidad a lo que se denomina

sobremodulación.

34

Page 42: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

1.6.3 SOBREMODULACION

La sobremodulación, implica que en la generación del SPWM la modulante

tome valores mayores que los de ía portadora, haciendo que se pierda la

información de estos puntos de la modulante como lo muestra la figura 1.16.

Fundamentaltorsioitadat

wt

Figura1.16 SPWM con sobremodulación.

En la figura se nota la distorsión que existe de la modulante que dependiendo

de la relación de frecuencias Mf y conforme se incremente el índice de

modulación M la onda tiende a ser cuadrada, pero que en general puede

aproximarse a una onda cuadrada para valores de M mayores a tres.

Esto hace que el voltaje de salida no varíe linealmente con el índice de

modulación, con un límite igual al voltaje que se obtiene en un inversor de onda

cuadrada cuyo voltaje pico máxirno está dado por la relación 1,37 [3] siguiente:

35

Page 43: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

•\/3 42íx—V2 TI

2V2

Vdc1.37

1.38

= 1103 x M x 1.39

Por lo que el voltaje varía lineglmente con M desde O a 1 y hasta un máximo

con sobremodulacion de 1,103 al llegar una onda cuadrada, así como se

muestra en la figura 1.17.

VLL(OUT)

No lineal

Figura 1.17 Variación del voltaje en función del índice de modulación M,

Por lo tanto se hace necesaria la sobremodulación para mantener la relación V/f

constante para valores de frecuencia aproximadamente mayores á 52 Hz hasta

60Hz. Sobre los 60Hz el voltaje se mantiene constante y se entra a trabajar en

la zona de campo debilitado por las razones expuestas en 1.3.3.4. Al trabajar

con sobremodulación se pierde información de las ondas senoidales

modulantes hasta llegar a una onda cuadrada, por lo cual incrementa el

contenido armónico de las salidas.

36

Page 44: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

1.7 GENERACIÓN DE UN SPWM TRIFÁSICO.

Para la generación de un SPWM, es necesario definir la forma de generar las

señales portadora y modulantes, de tal forma que se cumpla con los

requerimientos de frecuencia y voltaje variable para las modulantes y que la

portadora pueda o no sincronizarse según sea el caso de un SPWM sincrónico

o asincrónico.

Este propósito puede conseguirle de una forma analógica, o digital, siendo esta

última la técnica más utilizada en la actualidad.

1.7.1 MÉTODO ANALÓGICO.

Usando diferentes circuitos osciladores analógicos es posible la generación de

una portadora triangular o diente de sierra, que ingresará a tres circuitos para ser

comparada con tres señales senoidales desfasadas 120° cada una, con amplitud

variable desde cero hasta los niveles necesarios para cumplir con la

sobremodulación adecuada para compensar el voltaje de acuerdo a lo expuesto

anteriormente.

Por medio del diagrama de bloques la figura 1.18 mostrado a continuación se

explica gráficamente lo expuesto anteriormente.

Este método de generación implica el uso de sistemas analógicos que deben

ser calibrados en conjunto, lo cual muchas veces da problemas por las

interacciones entre los circuitos, además lograr la sincronización entre las

señales modulantes y la portadora implica circuitos extra que aumentan la

complejidad del sistema en un SPWM sincronizado. Para poder variar la

amplitud de las senoidales se requjere tres circuitos amplificadores que varíen

su ganancia de manera simultanea y en igual proporción; todos estos circuitos

37

Page 45: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

son más sensibles al ruido y todo estos aspectos han hecho que esta técnica'

prácticamente no sea usada.

Portadora

Modulantes

Comparadores

Figura 1.18 Diagrama de bloques de la generación de un PWM analógico.

1.7.2 MÉTODO DIGITAL.

En esta modalidad se hace necesario un sistema microprocesado capaz de

generar el PWM por medio de un algoritmo que sintetice la portadora y las tres

señales senoidales desfasadas 120° con amplitud variable.

La forma en que cada microprpcesador o microcontrolador pueda cumplir con

este objetivo, depende de su velocidad de procesamiento, el número de bits con

que trabaja, su capacidad de realizar operaciones matemáticas, entre otros.

Por lo tanto las ondas se pueden Jm^pMntar mediante tablas, o

sintetizándolas mediante algoritmos lo cual implica operaciones matemáticas.

Además se debe considerar que el microcontrolador puede ser usado para

38

Page 46: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

realizar otras tareas como el mpnitoreo y control de variables, esto hace que el

microprocesador tenga fa capacidad de generar las señales sin interrumpirse al

realizar otras tareas.

Actualmente se tiene microcontroladores como los de la familia 8X196MX de

INTEL de 16 bits, que permiten la generación de las señales para un SPWM

con frecuencia de la portadora y tiempo muerto programables, todo esto de

manera casi independiente de las otras tareas que pueda estar realizando el

mismo, gracias a que posee entre otros: conversores análogo digitales de

resolución programable a 8 u 11 bits, manejo directo de registros directo sin el

uso de! acumulador, una capacidad de operaciones matemáticas destacable,

entradas y salidas de alta velocidad y mucho más, permitiendo realizar un

control en lazo cerrado del sistema.

También se usan DSP's que por su capacidad y velocidad de procesamiento

permiten realizar los cálculos necesarios de algoritmos que sinteticen las

señales necesarias para generar un SPWM, además de poder controlar al

sistema en lazo cerrado.

Las ventajas de los sistemas digitales como son, su precisión, su inmunidad al

ruido, su facilidad de poder realizar cambios sin modificaciones de hardware

únicamente cambiando su programa, la integración de conversores A/D y D/A

que facilitan el control del sistema, entre otros, superan a los métodos

analógicos por lo cual actualmente los inversores usan este método para la

generación de sus señales del SPWM a más del control de sus sistema.

39

Page 47: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

1.8 LOS IGBT's TRANSISTORES BIPOLARES DE COMPUERTA

AISLADA.

Para obtener un sistema eficiente es necesario que las pérdidas tanto dinámicas

como estáticas del semiconductor sean las menores posibles, para cumplir con

este propósito lo ideal es que el semiconductor se comporte como un interruptor.

Las pérdidas de potencia estáticas se presentan cuando el elemento se encuentrai

apagado o encendido. En el primer caso el elemento se encuentra en un estado

abierto o de corte, en e! cual, las pérdidas son función de la corriente de fuga y el

voltaje aplicado entre sus terrpinales. En el segundo caso, el elemento se

encuentra en un estado cerrado o de saturación en cuyo caso las pérdidas son

función de la corriente que circuís por el mismo y su voltaje de saturación.

De los tiempos de encendido y apagado (de corte a saturación) dependen en

proporción directa las pérdidas de potencia dinámicas, por lo cual estas son

propias de cada semiconductor. En la actualidad el semiconductor que presenta

las mejores características de las nombradas anteriormente son los IGBT's, los

cuales se analizan brevemente a continuación.

Los IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) o transistores bipolares de

compuerta aislada son elementos muy similares en construcción y operación a los

Mosfets de potencia, compartiendo algunas de sus características más

destacadas [18].

• Son elementos de tres terminales controlados por voltaje.

• Presentan elevada impedancia de entrada y una baja resistencia de salida

típicamente menores que 10mQ que le da un alto factor de amortiguamiento

para cargas inductivas.

• Tienen áreas de operación segura (SOA) muy amplias.

40

Page 48: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

• No presentan el fenómeno de avalancha térmica por poseer un coeficiente

positivo de temperatura, es decir que a medida que la temperatura se

incrementa, el coeficiente se incrementa, contrarrestando así, la tendencia del

aumento de la corriente lo aue les permite trabajar a altas temperaturas sin

fundirse,

• Facilidad de control al exigir ppqueñas corrientes de entrada.

• Poseen una razonable tolerancia a picos de corriente.

• Se pueden conectar en paralelo para incrementar su capacidad de manejo de

corriente.

• Poseen una alta ganancia de corriente,

• Son elementos de portadores minoritarios.

• Disipan menor calor que otro semiconductor bajo similares características.

• Son más rápidos que los BJTs.

• Poseen densidades de comente más altas que los MOSFETs de potencia

equivalente, esto hace que requieran de menores áreas de pastillas y pueden

manejar voltajes de salida más altos con muy bajas pérdidas

• Puede -integrar el diodo inverso entre sus terminales de salida, que es

seleccionado según lo requiera el usuario.

Estas son las características más importantes de los IGBTs, por otro lado entre

sus desventajas podemos citar las siguientes;

• Sus tiempos de conmutador) son mayores a los que poseen los MOSFETs,

pero las nuevas generaciones de IGBTs han mejorado estas características.

• Al ser elementos de portadores minoritarios sus características de conducción

tienden a degradarse con la temperatura, por lo cual se limitan a aplicaciones

de baja y media frecuenci?, siendo los MOSFETs de potencia los más

adecuados y eficientes para estas aplicaciones.

Una clasificación para los IGBTs en función de su velocidad [11] es:

- Lentos.

41

Page 49: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

- Rápidos.

- Ultra rápidos.

Cada uno de los cuales está optimizado para su rango de frecuencias.

Los IGBTs son muy similares en estructura física a los MOSFET's, pero en su

operación se asemejan más a los transistores bipolares. Desde el punto de vista

eléctrico se puede considerar como un componente híbrido formado por un

MOSFET de conductividad modulada y un transistor bipolar de salida conectados

en una configuración Seudo-Darlington [23].

La figura 1.19 muestra el circqito equivalente de un IGBT NPN así como su

símbolo y terminales.

Colector C r —

/w

Figura 1.19. Símbolo y circuito equivalente de un IGBT NPN

Considerando la figura anterior, en condiciones normales con un voltaje de

compuerta VGE=0, entre colector y emisor circula una corriente de fuga (ICES) muy

débil y el elemento está prácticamente bloqueado. Al incrementar el voltaje

positivo de la compuerta se llega a un punto en el cual se supera el voltaje umbral

(VGE(th)) entrando así el dispositivo en conducción permitiendo la circulación de

corriente a través del colector (le). A partir de este punto un pequeño incremento

del voltaje de la compuerta por ejemplo 0.5V provoca una gran variación de la

corriente del colector como pueden ser 10A.

42

Page 50: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

La relación incrementa! entre la poniente del colector y el voltaje de compuerta de

un IGBT define la trasconductanpia del elemento (gfe),en Siemens(S) dada por la

ecuación 1. 40 [10].

Transconductancia = efe = 1.40AFG

Este valor aumenta con la corriente del colector y disminuye cuando se eleva a

valores muy altos, así como por la temperatura, este efecto protege al elemento

contra corto circuitos.

Debido a la baja impedancia de entrada estos dispositivos son sensibles a daños

por electricidad estática (ESD) al ser instalados inadecuadamente, por lo cual

deben ser manipulados tomgndo todas las precauciones como es: no

manipularlos más de lo necesario, mantenerlos guardados en su recipiente

antiestático, durante la soldadura hacerlo con un cautín inalámbrico o

desconectado de la red AC, §ntre otras. Parámetros como niveles bajos de

humedad relativa (menores al 40%) así como la vecindad de campos eléctricos

agravan el problema de la electricidad estática.

43

Page 51: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

1.9 INVERSOR TRIFÁSICO CON TÉCNICA SPWM E IGBT's.

Recopilando lo visto hasta este momento se puede conformar el inversor trifásico

requerido, con el cual se controlará la velocidad del motor por medio de voltaje y

frecuencia variable, usando la técnica de SPWM sobre un puente inversor trifásico

que usa IGBT's como semiconductores de potencia.

La configuración del puente será de un inversor trifásico como fuente de voltaje

como lo muestra la figura 1.20. siendo las señales de control formadas con

técnica SPWM las que permiten yariar la frecuencia y la magnitud del voltaje.

R

S w

Figura 1.20. Puente trifásico con IGBT's como fuente de voltaje

Las señales de control se obtienen a partir de la modulación de ancho de pulso de

tres señales senoidales con upa portadora común, cada una de estas está

desplazadas 120° formando así un sistema trifásico balanceado. En la figura 1.21.

se gráfica como se obtienen las señales de control así como los voltajes de salida

de! puente respecto al neutro y uno de los voltajes línea a línea VAB.

44

Page 52: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

fase, C\ A \

Fundamental ,/L <. ¡£

'**

\ ^-".

*^t

'^

""•s.

"* ^--^

ÍW

/ ., .---'

^ <•'

-k.

t

5««

>SÍL

sij S"** ---V

"- V^-^

k

FundamentalSsGff

i n

wt

N.wt

Figura 1.21 Formas de onda para un PWM trifásico

Page 53: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Se indica además el tiempo en 9! que conduce cada uno de los semiconductores

formando así e! SPWM. En el SPWM mostrado se sincroniza la portadora y la

modulante por lo tanto se observa la simetría que existe entre los anchos de.pulso

respecto al centro de la senoidal de las ondas de cada una de las fases.

Para alimentar al inversor se usa un rectificador no controlado de 6 pulsos,

colocando en la salida un filtro capacitivo, las señales de control regulan la

frecuencia de la portadora, así como la frecuencia y amplitud de las señales

senoidales modulantes; con lo cual dimensionando adecuadamente los IGBT's

se alimenta directamente a la máquina para variar su velocidad.

46

Page 54: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Diseño de un inversortrifásicp con técnica

PWM

47

Page 55: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

2.1. INTRODUCCIÓN.

Este capítulo reseña los puntos más importantes dentro del diseño de un

inversor trifásico tipo puente con IGBT's de 1KVA de potencia, partiendo por los

circuitos de potencia desde el rectificador hasta la salida del puente inversor,

seguido por un sistema microprocesado para la generación de la señales de un

SPWM en el que se puede implementar dos algoritmos sugeridos, el primero

usando una portadora diente de sierra y el segundo una portadora triangular.

En el mismo módulo se incluyen los circuitos para el aislamiento de ias señales

con la parte de potencia, así como también circuitos auxiliares para la entrada

de los valores deseados de frecuencia y voltaje por medio de dos entradas

digitales de ocho bits cada una, además se incluye en este módulo circuitos

complementarios para ei control de la carga del filto capacitivo del rectificador y

el monitoreo del bus DC. Por disposición física se incluye en este módulo

circuitos de detección de fallas y la protección del equipo.

Se construye un segundo módulo microprocesado que permite el interfase con

el usuario; para lo cual por medio de un teclado de 16 teclas se realiza el

ingreso de datos al sistema, lo cual es visualizado en un display alfanumérico de

4 filas con 16 caracteres por fila, a más de cuatro indicadores luminosos (LEDS)

para el estado del sistema, sentido de giro y condición de faíla, además se

¡mplementa eí interfase con el computador bajo norma RS-232. Están además

disponibles entradas en niveles digitales para la selección del sentido de giro y

pulsos provenientes de un encoder óptico; en niveles analógicos se encuentra

disponible una señal de 10 voltios como salida para conectar un potenciómetro

en el control externo o por medio de una señal de O a 10V que, además se

dispone de una entrada de O a ±5 voltios para un tacómetro. En el caso de falla

se deshabilita las salidas y se ipdica esta condición en el display alfanumérico,

uno de los LEDS y por medio de una alarma.

48

Page 56: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

2.2 DIAGRAMA DE BLOQUES DEL INVERSOR.

Por medio de un diagrama de bloques se sintetiza en conjunto el inversor a

diseñarse, indicando sus partes generales y los módulos que las contienen

permitiendo una mejor comprensión de los diseños siguientes. La figura 2.1

muestra el diagrama de bloques del inversor integradas en cinco módulos. El

primero contiene el conjunto de diodos que forman el puente rectificador no

controlado llamado Módulo rectificador, el siguiente se compone del filtro para el

rectificador con su respectivo circuito de arranque que se explica en la sección

correspondiente, así como dos fuentes de alimentación aisladas para

alimentación de los circuitos, la una de cinco voltios para la parte digital que se

muestra con línea continua y la otra de 12 voltios para la parte analógica

indicada con línea cortada, estos circuitos se incluyen en el Módulo de fuentes

aisladas.

R >

S 'Módulo

Rectificador

Figura 2.1. Diagrama de bloques del inversor.

El siguiente módulo se compqne del circuito manejador de los IGBT's y el

puente inversor trifásico denominado Módulo puente inversor con IGBTs,

siendo los anteriores los módulos de potencia.

49

Page 57: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Para el control y generación de señales se dispone del Módulo PWM donde se

encuentra el microcontrolador en el que se implementan los algoritmos para la

generación de los anchos de pulso que alimentarán al manejador de IGBTs, en

esta tarjeta se incluye los circuitos que detectan las fallas del sistema así como

circuitos de protecciones y detección de fallas de las diferentes etapas del

conjunto. Por último, está el denominado Módulo de Inferíase en el que otro

microcontrolador es el encargado de manejar los periféricos que se utilizan para

interfase con el usuario.

2.3. MODULO RECTIFICADOR DE SEIS PULSOS.

El primer módulo a ser analizado es el puente trifásico, que se compone por 6

diodos que toman el voltaje trifásico de la red y lo rectifican. La figura 2.2

muestra la estructura y formas de onda del mismo, esta configuración es

conocida también como rectificador de seis pulsos. El voltaje pico a la salida del

rectificador está dado por la relación 2.1 siguiente:

220xV2 =311,13.7 2.1

Este voltaje al ser filtrado por medio de un capacitor adecuado se convierte en el

voltaje de! bus DC, este dato conjuntamente con la potencia de 1KVA y

considerando un rendimiento dpi 80%, debido a que, por el método usado el

voltaje de salida es ei 0,86 del voltaje de entrada a un índice de modulación de

uno de acuerdo a la relación 1.35 y considerando un 6% de pérdidas en los

elementos, se calcula la corriente que circulará por los diodos del rectificador

que de acuerdo a la relación 2.2 será:

=4,02.4 2.2311.7x0,8

50

Page 58: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

R

D3

D4

D5

Vout

D6

RS RT

Figura 2.2 Rectificador de seis puisos y formas de onda.

Cada uno de los diodos conduce 120° por lo tanto la corriente RMS esta dada

por la relación 2.3:

Irms =1 3

x \In~dtV" -77" *

.~~ 232A3

2.3

51

Page 59: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Esta es la corriente nominal que soportan cada uno de los diodos, pero los picos

de corriente que deben soportar los diodos son función del filtro, la carga y el

rizado que se desee a la salida del rectificador el que normalmente debe ser

menor al 5%. La figura 2.3 muestra los ángulos de conducción de cada diodo sin

filtro, así como los correspondientes con filtro, con estos datos puede deducirse

el pico que soporta e! diodo.

Ays

J-^u

60°

JfíS

-p^~ ^vTr"

Kr^

^*^*'. "\

V k /

Rizado

/\ X

X

Figura 2.3. Conducción de cada diodo con y sin filtro.

Sin el filtro de salida cada uno de los diodos conduce 120° y con filtro el tiempo

de conducción del diodo será Y, que como se observa es función del valor del

rizado, además el filtro hace que dentro de cada periodo el diodo conduzca cada

60°, por lo tanto él ángulo al cual empieza a conducir el diodo Xestá dado por la

relación 2.4, que confirma que es función directa del rizado.

52

Page 60: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Vp x sen(z) — Vp — Vp x Rizado

VP

X = sen 1 (l - Rizado ) 2.4

Ei tiempo de conducción Y'del diodo se obtiene de la relación 2.5

= 90°-^ 2.5

Con las relaciones anteriores y la ayuda de la figura 2.4 se puede determinar el

valor del pico del diodo; considerando conducción continua y la corriente

constante, la cantidad de energía que debe entregar el diodo al capacitor en los

dos tiempos Y debe ser la misma que el área que se tendría sin filtro.

—i Xn

60°

120°

Figura 2.4. Picos de corriente en los diodos.

53

Page 61: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Para simplificar se toma que una de las áreas pintadas sea igual a la mitad del

área total, es decir tomando 60° de conducción, esto es:

60°xlnIpico = 2.6

7

De las ecuaciones 2.4, 2.5 y 2.p e! pico de corriente está dado por ia ecuación

2.7.

60°2.7J-f-s < v> , v <•» j./ t

90°-sen-1(l-£/za¿fo)

Esta relación permite dimensionar los picos de corriente que deben soportar los

diodos en el caso de un rectificador de seis pulsos con filtro capacitivo.

Reemplazando los valores de la corriente nomina! dada por la relación 2.2 y

asumiendo un rizado del 5% la porriente pico de los diodos es;

Ipico = -. : x 4,02,490°-¿en''(I-0.05)

Ipico = - _ x 4,02,4 = 13,26 A 2.818,19°

El voltaje pico inverso que soporta cada uno de los diodos es de igual al voltaje

pico, es decir 220x-V2 =311,127; siendo este el último parámetro faltante para

dimensionar los diodos.

54

Page 62: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

De esta forma los diodos deben cumplir con las siguientes especificaciones

mínimas:

• Corriente nominal RMS > 2,32 A.

• Corriente pico > 13,2 A.

• Voltaje inverso > 311V.

Para el presente caso por costo y robustez se armo el puente trifásico mediante

tres puentes monofásicos de 5 amperios cada uno, quedando el esquema como

el mostrado en ia figura 2.5.

5o-

D2 1

D3

-Fr—r

Vout

Figura 2.5. Puente trifásico mediante tres puentes monofásicos.

Estando los diodos en paralelo su capacidad de corriente se duplica por lo cual

el puente queda sobredimensionado, pero económicamente es factible ya que

es más económico comprar los tres puentes monofásicos que los seis diodos,

además su montaje es más sencillo que el de los seis diodos debido a que se

encuentran en un encapsulado plástico aislado, permitiendo montarse sobre el

mismo disipador.

55

Page 63: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

2.4. FILTRO CAPACITIVO PARA EL RECTIFICADOR.

El valor del filtro depende del rizado que se desee y de la corriente nominal de la

carga, partiendo de la relación entre el voltaje y la corriente para un capacitor

dada por 2.9, puede aproximarse a la ecuación 2.10 tomando la carga y

descarga del capacitor como lineal.

2.9. C

— xAt 2.10C

De acuerdo a la figura 2.3 del tiempo de conducción de cada diodo el capacitor

debe entregar la corriente nominal el tiempo que no conduce el diodo, esto es

60°-Y por lo tanto combinando las ecuaciones 2.4 y 2.5 de los tiempos de

conducción del diodo y capacitor, pasando a tiempo con frecuencia de 60 Hz se

tiene:

A.¿ = - x(60°-7)/x360°

A.í = - xfóO°- 90° + sen"1 (I-rizado}}/x360° L J

A./ = -^ x \SQn~1 (1-Rizado)-30°} 2.11/x360° L J

56

Page 64: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Reemplazando en la ecuación 2.10 y considerando que la variación del voltaje

es el voltaje pico por el rizado, se deduce la ecuación para determinar el valor

del capacitor dada por la relación 2.12.

Cx/x360

7 x [sen"1 (1 - Rizado) - 30Q]Vpx Rizado* /x360°

Considerando para el presente caso un rizado del 5% y que la corriente nominal

es de 4 A, el valor del capacitor será;

4 xjjeyT1 (1-0,05) -30o]

311x0,05x60x360°

Para tener un rizado menor se usa tres capacitores en paralelo de 220uF cada

uno y con un voltaje mayor al voltaje pico, es decir 311 V, por lo tanto el

capacitor equivalente usado es de 660 uF 385 V, teniendo así un rizado menor

al 5% y puede soportar hasta 385V.

2.4.1 CIRCUITO DE CARGA Y DESCARGA DEL CAPACITOR.

El momento de la conexión de la energía el capacitor se encuentra inicialmente

descargado, consumiendo en el inicio gran corriente que va disminuyendo

conforme se va cargando el capacitor; para limitar el pico inicial de corriente y de

esta manera proteger a los diodos del puente se usa un circuito de arranque o

carga inicial de los capacitores como el indicado en la figura 2.6

57

Page 65: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

El capacitor se carga a través de la resistencia Re, de cuyo valor depende el

pico inicial de corriente, cuando la carga comienza a ser constante el relé

cortocircuita la resistencia y el bus de DC queda listo.

R

S

T

VvY

Rh

f-o Vsens o ar

Ra

DC

Figura 2.6. Circuito de carga y descarga del capacitor

Al retirar la energía del inversor el capacitor retiene su carga, lo cual puede

resultar peligroso para el usuario, por lo tanto es recomendable tener un circuito

de descarga. La figura 2.7 también muestra el circuito de descarga del capacitor

a través de una resistencia de descarga Rd, siendo recomendable que el bus de

DC se descargue a un valor menor a 45V en un periodo de SOS, además se

indica la descarga a través del LED que se encuentra en serie con Rd de mucha

utilidad para evitar descargas al realizar revisiones del equipo [5].

Partiendo de ia descarga debido a que permite dimensionar Rd que queda en

serie para la carga se tiene que al retirarse la energía, el circuito está

compuesto por el capacitor, la resistencia Rd y el LED, describiendo la relación

2.13 al circuito, que es obtenida al desarrollar y reemplazarla relación del voltaje

en un capacitor como se describe a continuación

C

58

Page 66: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Las condiciones iniciales son; en t=0 Vc~E y en t=oo Vc-0 con lo que K2-E y

K1=0, con estos valores para las condiciones descritas se determina Rd de la

siguiente manera:

Ve = Ex e Rd*c 2.13

1lnVe RdxC

Rd = -.

660z/Fxln(311

fe

= 4702688n

Por lo tanto una resistencia de un valor igual o menor a 47KQ cumple con las

condiciones para la descarga.

La potencia que debe disipar la resistencia se puede determinar considerando

que para tener un voltaje menor a 'os 45 voltios luego de 60 segundos se toma

Rd=39 KQ y que la peor coñdipión para la resistencia es cuando comienza la

59

Page 67: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

descarga, con lo que la potencia inicial a disiparse es dada por la relación 2.14

siguiente:

= — = - — = 2,48)^ 2.14Rd 39000

Como el voltaje va reduciendo de forma exponencial esta potencia irá

reduciendo con lo que ia potencia promedio será menor, por este motivo la

resistencia que se elige es de 39KÍ2 2W, disipando adecuadamente ia descarga

y cumplir con las recomendaciones del tiempo de descarga [5].

La corriente máxima a través de Rd, que será la inicial de descarga dada por la

relación 2.15 siguiente:

— = - - = 7,98mA 2.15R 39000

Esta corriente es menor a la nominal del LED encendiéndose sin ningún

problema.

Para sensar el voltaje del bus de DC tanto para monitoreo como para la entrada

del relé se coloca en paralelo con el capacitor un divisor de voltaje formado por

Ra y Rb de la figura 2.6. Considerando que el voltaje de la parte analógica es de

12V, el voltaje equivalente a sensar debe ser menor.

Se toma 8V como equivalente al voltaje nominal 311V, dejando un rango para la

medición de sobrevoltajes en el bus de DC con lo que el divisor de voltaje es

dado por la relación 2.16 siguiente.

Ra.V sen sor - Ex 2.16

Ra + Rb

60

Page 68: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

De la ecuación anterior la relación entre Ra y Rb es dada por 2.17:

F

\Veqi

2.17

Para no afectar sobre Rd y reducir la corriente circulante por estas, se elige

Ra-27KD y Rb=1MQ esto forma una resistencia de descarga equivalente RdJ

RcT=39Kn_L 1027Kn= 37.57KQ.

En la determinación de la resistencia Re se debe considerar en el circuito de la

figura 2.6, la resistencia Rd' equivalente queda en paralelo con el capacitor, y

este conjunto está en serie con Re, por lo tanto el capacitor se cargará a un

voltaje menor al de ia fuente.

Reo—VA-

fíeq

E VC — Eeq Vceg

Figura 2.7. Circuito equivalente.

El voltaje en el capacitor debe ser lo mayor posible para que así, al momento de

entrar el relé, tener un salto de voltaje menor, por lo tanto se toma un

61

Page 69: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

voltaje10% menor al nominal y mediante el circuito equivalente se determina el

valor de Re. La figura 2.7 muestra el circuito equivalente y las relaciones para

determinar Req y Eeq son dadas por 2.18 y 2.19. y de la relación para el voltaje

equivalente se deduce ia relación 2.20 para determinar Re como se indica a

continuación;

Eeq = Ex 2,18M+Rc

2.19

-l 2.20

Ro = 4159Q

Tomando R1=2800Q, la peor condición será al inicio de la carga siendo su

potencia:

Rl 2800

Se usa dos resistencias de 5.6KQ de 5W con ío que se tiene una resistencia

equivalente de 2800O y 10W, esta resistencia soporta mayor potencia al inicio

de la carga pero va disminuyendo conforme se va cargando el capacitor, el

exceso de calor se disipa fácilmente ya que luego de entrar el relé esta

resistencia queda cortocircuitada.

Para el dimensionamiento de! relé se debe considerar que luego de

cortocircuitar la resistencia de qarga, sus contactos deben soportar la corriente

62

Page 70: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

que circula a través del bus de DC y que su capacidad de interrupción debe ser

mayor al voltaje DC. De acuerdo a estos parámetros se elige un relé que cuyos

contactos soporten una corriente mayor a 4 amperios y que tiene una capacidad

de interrupción de un voltaje mayor a 311 voltios DC, de acuerdo a los valores

correspondientes a los calculadas utilizando las ecuaciones 2.1 y 2.2.

2.5. MODULO DE FUENTES AISLADAS.

Para alimentar a los circuitos de control y auxiliares se hace necesario fuentes

de alimentación; para el presente caso es necesario tres voltajes diferentes: 5

voltios para alimentar a la parte digital, 12 y 5 voltios para la alimentación de la

parte analógica, siendo indispensable que las dos referencias estén aisladas,

usando un transformador con dos bobinados secundarios independientes uno

de 8 voltios AC para la parte digital y el otro de 13 voltios AC para la parte

analógica.

Para la parte digital el consumo estimado de cada uno de los dos circuitos

microprocesados es de 200mA y para sus circuitos auxiliares a estos de 200mA

con lo que la fuente de la parte digital debe suplir una corriente de

aproximadamente GOOmA. Para las fuente analógica el consumo estimado es

de 300mA

El voltaje de DC se obtiene rectificando el voltaje AC entregado por el

transformador, que luego pasa por un regulador de voltaje 7805 o 7812, según

sea el caso, con sus respectivos filtros capacitivos de entrada y salida.

Estos circuitos junto con el filtro capacitivo del rectificador trifásico, el relé de

carga, los circuitos de carga y descarga se montan sobre una misma tarjeta,

formando así el módulo de fuentes aisladas.

63

Page 71: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

El circuito completo se muestra en el diagrama 2.1 en el que se indica ios

conectores para las entradas desde el transformador y rectificador, cuya

nomenclatura se interpreta de la siguiente manera:

• T5a: Terminal a del bobinado del transformador para 5 voltios (digital).

• T5b: Terminal b del bobinado del transformador para 5 voltios (digital).

• T12a: Terminal a del bobinado del transformador para 12 y 5 voltios

(analógico).

• T12b: Terminal b del bobinado del transformador para 12 y 5 voltios

(analógico).

• IN REC+: Entrada del rectificador trifásico, punto positivo.

• BUS DC: Salida del bus DC.

• NEG: Referencia negativa de la parte analógica (bus DC, 12 y 5 VDC

analógicos).

Para la salida de las fuentes de alimentación se disponen dos conectores que

alimentan a las tarjetas con los respectivos voltajes.

Los bobinados del transformador que alimenta a las fuentes, están constituidos

de la siguiente manera:

• Primario 1320 vueltas con calibre # 34.

• Secundario 8 voltios 90 vueltas con calibre # 26.

• Secundario 13 voltios 145 vueltas con calibre # 28.

64

Page 72: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

HEADER 3

^x;£

\orf

-Ri

1

í*+ •

»

**~

22

00

uF

2 r-s, •ÍLO

nF

LM

78

C

VI

c t-35

j V

O3

*1

2 r^

*i

4lO

OnF

HV

CC

D

I

+ ~- lO

Ou

F

UN RECT +

2.8K/ÍOW

~n

*

P

— «

i <

TV

CC

1

2

><

°^

K

^

<> Í2

S

V BUSDC

RELÉ

.luF 400V

i 2 3 4

^ 1

i

^ 3

VCC 12

GND 12

T DIG |

HEADER 4

i 2 3 4 5

>=

HEADER

VCC 5 |

VCC 12

GND 12

T DIG

1

S

KAREL ESFINOZA T.

Title

MODULO FUENTES AISLADAS Y FILTRO

Sise Document Number

ft

DIAGRAMA 2.1

Date;

March 16, 20OO|Sheet

of

REV

K.E

Page 73: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

2.6 MODULO PUENTE INVERSOR CON IGBT's

El bus de DC alimenta a un inversor tipo puente compuesto por seis IGBT's

como lo muestra la figura 2.8, el mismo que alimenta directamente al motor.

DC U

**

Figura 2.8. Inversor trifásico tipo puente con IGBTs

Para el dimensionamiento de los IGBT's se considera: la corriente, voltaje dé.

trabajo y frecuencia de conmutación, por lo tanto se debe determinar cada uno

de estos parámetros para la selección de los mismos.

2.6.1. SELECCIÓN DE LOS IGBT's.

El voltaje que soporta cada elemento es el que entrega el Bus de DC que de

acuerdo a lo expuesto en la sección 2.3 es de 311V, la corriente que circula por

cada elemento es la corriente RMS para la potencia especificada,, debido a que

para cualquier valor de frecuencia e índice de modulación se debe mantener la

corriente constante como se explico en el primer capítulo; por lo tanto la

corriente nominal por fase para 1KVA y fp=0,85 está dada por la relación 2.21

2207x^x0,85=3A 2.21

66

Page 74: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

La corriente pulsante.máxima que conduce cada semiconductor será la que

entrega el bus de DC dada por la relación 2.2 es decir 4 A, Por lo tanto los

IGBT's deben cumplir con las características mínimas de operación siguientes:

• Voltaje > 311V.

• Corriente RMS > 3 A.

• Corriente pulsante > 4 A.

Dando un factor de seguridad de aproximadamente 4 veces se eligen los IGBTs

de International Rectifier IRG4BC30UD de última generación (cuarta generación

IRG4); son IGBT's ultra rápidos con diodo incluido que entre sus características

principales están;

• Voltaje de operación colector emisor 600V.

• Corriente constante: 23 A @ 25 °C y 12 A @100 °C.

• Corriente pulsante: 92 A.

• Corriente del diodo: 12 A

• Disipación máxima de potencia: 100W @ 25 °C y 42W @ 100°C.

• Optimizado para trabajar con frecuencias de 8 a 40 KHz.

El sobredimensionamiento va de acuerdo a lo que recomienda el fabricante

para la potencia de esta aplicación.

67

Page 75: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

2.6.2.CIRCUITO MANEJADOR DE IGBT's.

Para la activación de los IGBT's se debe considerar que en la parte inferior del

puente se tiene una misma referencia para las señales de control y para la

aparte superior se debe tener tres referencias independientes con respecto al

emisor de cada uno de los IGBTs. Este problema puede ser superado con ei

uso de cuatro fuentes independientes o por medio de un circuito manejador de

IGBTs fabricado por la misma casa International Rectifier, que permite manejar

directamente a un puente trifásico de IGBT's con una sola fuente de

alimentación, este es e! IR2130 cuyo circuito lo muestra la figura 2.9. Además

entre sus características incluye circuitos para la detección de sobrecorriente,

amplificador operacional para la señal de corriente, lógica que evita que dos

semiconductores de una misma rama se activen, detección de bajo voltaje de

alimentación y generación de una zona muerta entre la conmutación de dos

elementos de una misma rama.

IR21301234567331011121314

VCCHIN1HIN2HIN3LIN1LIN2LIN3FAULTITRIPCftO

VSSVSOLOS

VB1HOiVS1

VB2H02VS2

VB3HO3VS3

L01LOS

2a2726

242322

201913

1G15

IR2130

Figura 2.9. Circuito manejador IR2130.

En caso de falla de cualquier naturaleza el circuito inhibe las salidas e indica

esta situación llevando |a señal FAULT a un 'nivel bajo debiendo resetearse para

que el circuito vuelva a operar. Las entradas cfe^las señales de control son

68

Page 76: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

totalmente compatibles con niveles 5V CMOS, LSTTL y su voltaje de

desplazamiento máximo (Voltaje del bus de DC) es de 600V, puede alimentarse

por una fuente desde 10 a 20VDC.

Se describe a continuación sus pines y su función:

VB 1,2,3: Voltaje de alimentación flotante de la parte superior.

Vs 1,2,3: Voltaje de desplazamiento de la parte superior.

VHO 1,2,3: Voltaje de salida flotante de la parte superior.

VC'C: Voltaje de alimentación.

VSS: Tierra lógica.

VLO 1,2,3: Voltaje de salida de la parte inferior.

HIN 1,2,3: Entradas de la lógica de la parte alta.

LIN 1,2,3: Entradas de la lógica de la parte baja.

FAULT: Señal de falla.

ITRIP: Entrada de la señal de sobrecorriente ( Para valores > 0,5V activa falla)

VCAQ: Salida de voltaje del amplificador operacional integrado.

VCA- : Entrada invertida del amplificador operacional integrado.

En las señales de entrada se ingresan los pulsos provenientes de la tarjeta

PWM, los cuales se aislan por medio de opto acopladores. La señal de FAULT

es llevada hacia la tarjeta PWM y la de interfase, de igual manera por medio de

un opto acoplador. Para ia medición de la corriente del bus de DC se utiliza una

resistencia serie sobre la cual se mide el voltaje equivalente a la corriente

circulante, esta señal se ingresa tanto al pin ITRIP para compararse con un

voltaje de 0,5 V y activar la condición de falla en caso de ser mayor, e

internamente queda conectada al amplificador operacional interno el cual

amplifica esta señal en función de la ganancia externa programada, esto se

explica de mejor manera con la figura 2.10.

69

Page 77: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

SALXDAo-

CA-

vss

2130

vcc

_MV55

> Falla

Ti

KFVvV

-vw-

-VW

DC)

Figura 2.10. Medición de la corriente mediante el IR2130.

El voltaje que cae en la resistencia RS debe ser ligeramente mayor a 0,5 V

cuando circule la corriente nominal y por medio del potenciómetro se calibra el

valor de corriente al que se desee, de tal forma que a este valor el voltaje que

ingresa a ITRIP sea superior a aproximadamente 0,5V para que actúe la

protección interna e inhiba las salidas, por lo tanto para tener un rango de

calibración RS estará dada por la relación 2.22

VESIn

2.22

La corriente nominal In que circula a través del bus de DC a 1 KW en la salida es

4 A dado por la relación 2.2. El voltaje que debe caer no debe ser elevado ya

que se eleva la potencia de la resistencia y además incrementa las pérdidas, por

lo que se elige un voltaje VRS=0,6V , con lo que RS llega a ser 0,15 ohmios y

su potencia debe ser mayor a-P=0,6x4= 2,8W por lo que se elige Rs = 0.15Q/5

W,

70

Page 78: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

La resistencia RS está intercalada entre el puente trifásico y el retorno del bus

DC y el voltaje que cae a través de esta resistencia ingresa directamente al

amplificador operacional interno que posee las siguientes características:

Voltaje de entrada: -5 a 7 voltios.

Voltaje de salida: O a 5,2 voltios.

Ancho de banda: 1 MHz.

Slew Rate: 6V/uS

Si en RS cae hasta 0,7 voltios a corriente nominal, será conveniente que a este

valor se obtenga e! máximo valor de saiida del amplificador, por lo que la

ganancia de voltaje será de 5 / 0,7-7,14, por lo tanto para determinar los valores

de R1 y R2 se usa la relación 2.23 que es la ganancia para un amplificador no

inversor.

i -Av = 2.23R2

Lo que resulta en :

7.13 =R2

Eligiendo R2=4,7Kn, R1 debe ser de 28.8KQ por lo que se toma R1-27 KQ. De

la figura 2.10 la resistencia RF y el capacitor CF se usa como filtro de'la señal,

cuyos valores recomendados pqr el fabricante [10] son RF=1KQ y CF=1nF.

71

Page 79: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

El manejador se conecta con los IGBT's como lo indica la figura 2.11 , en la que

se muestran los elementos adicipnales que se deben usar para formar la fuentes

flotantes.

R213O

vcc

3VB1

H02

VSÍ

VB2

fí02

VS2

VB3

HQ3

VS3

i 03

L-02

L03.

VSS á

VSO

Itíll

n

i^á

ru2 i

C2

\.&>A

T_D3

RG\¿ AVVV

_

-KA A AVVV

RG\/VVV

RA A AV V V

RG xdA A A UfVVV ^±

vVv

RGA A \V

RGA A Av vV

RG $A, A. A 1 I JVVV "s2!

LZ*3A A A,

V /V

KS

rtfv¿

) AV

ít

) íí/

'íS

/ ac

rtf

^ s ry

; jcX

[J J V- ("BUS DC

Figura 2.11. Conexión del IR2130 con los IGBPs.

Para desplazar la referencia hasta el nivel del emisor correspondiente, se usa

los condensadores C1 a C3 y los diodos D1 a D3, se recomienda el uso de

capacitores de 0,1uF y deben ser colocados lo más cercanos al integrado, los

diodos deben ser rápidos y soportar un voltaje superior a! del bus de DC. Las

72

Page 80: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

resistencias RG son usadas para atenuar picos negativos del IGBT al apagarse

y se recomienda valores desde 10Q a 80 O [10] , siendo el valor más usado

RG=23£1 Considerando que a menor valor de RG el IGBT se apaga más

rápidamente pero la amplitud del pico negativo se incrementa, opuestamente al

incrementar RG se reduce los picos pero el tiempo de apagado se incrementa,

al igual que las pérdidas dinámicas en el IGBT, De acuerdo a tablas de [10] para

un valor de RG=OQ se tiene un pico negativo de 90V con un tiempo de apagado

de aproximadamente 5nS y para RG=23Q el pico se reduce a 20V con un

tiempo de apagado de aproximadamente 38nS.

Las resistencias R y los diodos D4 a D6 se usan para atenuar los picos

negativos que retornan al circuito integrado, de igual manera por medio de

tablas se elige R=10íl con lo que se tiene un pico negativo sobre el integrado de

10V.

Se recomienda además conectar un capacitor de 10uF en el impreso entre los

terminales del bus de DC atenuando el ruido producido por las conmutaciones

[10],

Las señales del circuito manejador deben estar lo más cercanas posibles a las

compuertas de la parte de potencia, por este motivo el manejador y el puente de

IGBT's están en una sola placa cuyo esquema se muestra en el diagrama 2.2

mostrado a continuación.

73

Page 81: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

CON1

<Fft5E A

<FASE

<FA5E C

—n

~T

2~

~^2

~

^2_

4- C

3 ""T

***

^^

Í^

T^-

C5

^^p

. C

S-T

^ l

Ou

F

il

. lu

FJl

. l

uF

ll

. lu

F^1

4

50

V

T

CONEC

vcc

HIN1

HIN2

HIN3

LIN1

LIN2

LIN3

FAULT

ITRIP

CAO

CA-

VSS

VSO

LOS

MODULO PUENTE INVERSOR CON IGBT's

Documetlt Number

DIAGRAMA 2.2

Date:

March 16. SOOQjSheet

1

of

RE

VK

.E

Page 82: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

2.6.3. DISIPADOR DE CALOR.

Las perdidas de energía del semiconductor y por ende su calentamiento deben

disiparse de manera adecuada, por lo que es necesario determinar.las pérdidas

y así dimensionar el disipador más adecuado para garantizar la vida útil de los

semiconductores y su correcto funcionamiento, usando las relaciones y datos de

las referencias [3] y [10] para toda esta sección, se determina el disipador

necesario y se verifica si ei utilizado es correcto.

Lo primero es la determinación de la potencia que disipan los semiconductores

debido a las pérdidas dinámicas y estáticas. Para las pérdidas dinámicas (en

mJ) tomamos la curva de Energía de Pérdidas Totales por Conmutación vs

Corriente de Colector Emisor de las hojas de datos del fabricante [11] para 311V

y 3 A, valores a los que trabajan los IGBT's de acuerdo al literal 2.6.1, se tiene

aproximadamente 1,5mJ de pérdidas totales por conmutación, este valor se

contrasta con los tabulados que para 480V 12A las pérdidas son 0,89mJ las que

escalándose para 311V y 3A, se obtiene 0,1446mJ por lo que se toma 0,15 mJ

como pérdidas totales de conmutación. Para obtener la potencia de pérdidas

por conmutación se divide para el período de la frecuencia de la portadora que

es igual a 255uS (analizada en 2.7.1.2), estando la potencia total de pérdidas

por conmutación Pc dada por la relación 2.24 siguiente:

=

c T 255uS

Este valor incluye las pérdidas en el encendido, apagado y las del diodo de cada

uno de los seis IGBTs,

Para el cálculo de la potencia de las pérdidas en conducción se toma el caso

cuando la relación de trabajo es 0,5 ya que en una rama del puente los IGBT's

conducen de manera complementaria. Con la corriente nominal por línea de 3A

75

Page 83: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

y el voltaje colector emisor de saturación dado por el fabricante (1,9V) la

relación 2.25 se determina la potencia disipada al conducir un IGBT,

r /2i rPON = — \ x In.dt

1I l/yi^i ^s i-in sJ-f-

2.25T

-i 127,5

255ns 0

P =2 9WJ ON ^?rr

Las pérdidas cuando ei elemento no conduce se pueden despreciar por la baja

corriente de fuga que este presenta, por lo cual la potencia de pérdidas total PPT

que disipa el puente es de:

=6x (0,588 + 2,9) =

La relación 2.26 determina la resistencia térmica del conjunto y así saber cual

es ia resistencia térmica que debe tener el disipador a usarse.

RQja = R0jc + R8cs + R6sa 2.26

Siendo;

R0ja = resistencia térmica juntura ambiente (juntíon ambienf).

R9jc = resistencia térmica juntura encapsulado (Juntíon case)

R0cs = resistencia térmica encapsulado disipador (case s/n/c)

RGsa = resistencia térmica disipador ambiente (s/n/c ambient)

76

Page 84: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Los valores de R0jc y R9cs se encuentran en las hojas de datos del fabricante

[10] para R0ja se determina mediante la relación 2.27 en la cual interviene la

potencia de pérdidas calculada anteriormente.

(TI • max - Ta. max )= ±¿ L 2.27

Potencia

La temperatura máxima de la juntura, de acuerdo a las hojas de datos, a la cual

el elemento puede trabajar sin deterioro es 100°C y para la temperatura

ambiente se considera 30°C con lo que la resistencia térmica queda

determinada por la relación 2.28.

228

2W

Para el disipador es necesario determinar la resistencia térmica disipador

ambiente R0sa, la cual usando 2.26 y 2.28 se obtiene la relación 2.29 que

permite calcular este valor.

R9sa = ROja - (ROjc + R6cs) 2.29

De las hojas de datos del fabricante se obtiene R0jc y RGcs con lo que:

R Osa = 3,33- (l,2 + 0,5) = 1,663° CIW

De lo calculado se encuentra que es necesario un disipador con una resistencia

térmica menor a 1 ,7°C/W.

77

Page 85: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

2.6.3.1. CALCULO DE LA RESISTENCIA TÉRMICA DE UN

DISIPADOR.

Se procede a continuación a determinar si la resistencia térmica del disipador

disponible para esta aplicación es adecuado, definiéndose la resistencia térmica

como la relación entre ía diferencia de temperatura y la potencia a transferirse

entre dos medios [3]. Con este propósito es necesario determinar la

transferencia de calor por radiación y por convección que conjuntamente

permiten encontrar la resistencia térmica del disipador.

Para determinar la transferencia de calor por radiación se usa la ley de Stefan-

Boltzman dada por la relación 2.30 [3] siguiente:

2.30

Donde E es la emisividad de la superficie, que para aluminio pulido (material del

disipador disponible) es 0,05 y para aluminio recubierto con oxido oscuro es 0,9;

Ts es la temperatura del disipador en grados Kelvin; Ta la temperatura del

ambiente en grados Kelvin y A es el área exterior del disipador, es decir el área

del paralelepípedo que contiene al disipador.

La relación 2.31 [3] determina que la resistencia térmica por radiación es:

R9.rad = = ,—. 2.31-

Para la determinación de la resistencia térmica del disipador se usa como

temperatura del disipador 120°C=393K y como temperatura ambiente

20°O293K [3], reemplazando estos valores se obtiene la relación 2.32

simplificada para la resistencia térmica por radiación:

78

Page 86: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

„„ , 0,10643 000R0.rad = — 2.32

ExA

Para la transferencia de calor ppr convección hacia el aire a nivel del mar se usa

la relación 2.33 [3] en la que; AT es similar que para la relación anterior; dvert es

la altura que tiene el disipador de acuerdo a la posición en la cual va a ser

colocado; Fred es un factor de reducción [3] en función de la separación entre

las aletas que posea el disipador y A es la superficie total del disipador.

ÍATf'25—^ 2.33

(dvert) '

Al usar 120°C para la temperatura del disipador y 20°C para la temperatura

ambiente [3] se puede simplificar esta relación, que al combinarse con la

definición de resistencia térmica dada anteriormente, se obtiene la relación 2.34

simplificada de la resistencia térmica por convección.

/ T A0.25(dvert)Rv.conv = 2 34

Ax Fred

La relación 2.35 combina el efecto de la resistencia térmica de convección y la

resistencia térmica de radiación, que es la resistencia térmica total del disipador

[3].

RB.convxR6.rad ^R0.sa = 2.35

R0.conv + R0.rad

En la figura 2.12 se muestra up esquema de del disipador disponible con sus

dimensiones, con el que se procederá a calcular las áreas correspondientes

79

Page 87: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

para la resistencia térmica por radiación y por convección, para mediante ia

relación 2.35 determinar la resistencia térmica total del mismo.

Z45

Figura 2.12. Disipador disponible.

Para la resistencia térmica por radiación se determina el área exterior al

disipador y para la resistencia térmica por convección se calcula el área de

todas las superficies en el disipador esto es:

80

Page 88: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

=0,1071347?z

El disipador que se dispone es de aluminio pulido para el cual £=0,05 y la

separación entre sus aletas es de 8mm lo que da el factor Fred=0,7 [3], el

disipador se coloca en la posición indicada por la figura 2.12 por lo tanto

dvert=0,05m; reemplazando estos datos en las ecuaciones 2.32 y 2.34 se

encuentra la resistencia térmica por radiación y convección que al reemplazarse

en la ecuación 2.35 se obtiene la resistencia térmica del disipador.

RO.rad = °;1Q643 = 41,3°C / W0,05x0,05155

(O 05) °'25R0,conv = ^—^ • = 1,4S8°C IW

4,237x0,107134

41¿xl,48841,3 + 1,488

Al tener el disipador una resistencia térmica menor a la calculada se lo puede

usar para esta aplicación ya que garantiza el correcto funcionamiento de los .

elementos semiconductores.

81

Page 89: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

2.7. MODULO SPWM.

En este módulo se encuentra el microprocesador que se encarga e calcular y

generara los pulsos del SPWM y aun que este es el objetivo principal de este

módulo se incluye en la misma tarjeta los siguientes circuitos; circuito de

detección de falta de fase, circuito monitor del bus de DC, circuito de detección

de fallas, los fusibles de protección de todo el sistema, las entradas y salidas de

potencia, esto debido a la facilidad de disposición de los elementos.

Se muestran ios circuitos tomados del diagrama original para su explicación

individual, para finalmente mostrare! diagrama total de todo el módulo.

2.7.1 ALGORITMOS DIGITALES PARA GENERAR EL SPWM.

El presente trabajo realiza la generación del SPWM mediante un algoritmo que

se implementa en el microcontrolador 8032 de la familia MCS-51 de INTEL,

permitiendo la generación del SPWM de forma digital de tal forma que la

frecuencia o el índice de modulación sean variados independientemente. Se

presenta dos algoritmos, el primero usando una portadora diente de sierra y el

segundo una triangular, generándose cada uno de manera diferente.

2.7.1.1 GENERACIÓN CON PORTADORA DIENTE DE SIERRA

En este caso se van calculando los valores de los anchos de pulso de cada una

de las tres señales, aprovechando ios tres temporizadores internos que tiene el

microcontrolador, cada uno de los cuales generan al ancho de pulso de acuerdo

al valor que se le haya calculado. Para cada una de las fases se calcula e!

82

Page 90: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

ancho de pulso de acuerdo a la amplitud de la señal diente de sierra,

multiplicada por el índice de modulación deseado.

En la generación del PWM se deben considerar las bondades y deficiencias que

posee el microcontrolador usado y de acuerdo con estos parámetros se va

deduciendo ei algoritmo.

La primera característica a ser tomada en cuenta es el número de bits con el

que trabaja, que en este caso es de 8, estando sus operaciones dentro de este

rango, por lo tanto ios temporizadores se usan con ocho bits, (aún cuando

pueden trabajar hasta 16 bits), generando anchos de pulso desde O a 255 ciclos

de máquina, que utilizando un cristal de 12MHz, que es la velocidad máxima

para el microcontrolador usado, de acuerdo al fabricante [14] un ciclo de

máquina será de:

ICM = — = luS 2.36fCRISTAL

Tomando por facilidad que la señal diente de sierra tenga una frecuencia

correspondiente ai máximo ancho que puede generarse con ocho bits, la

frecuencia es:

J_255xl(T

fp = - = 392Ufz 2.37'JJ~ j-> r- f i r\O

Debido a que el microcontrolador no posee características poderosas para

operaciones matemáticas se mantiene la frecuencia de la portadora constante,

generándose un SPWM no sincronizado, pero al ser la frecuencia de la

portadora alta, la relación de frecuencias es alta, por ejemplo para 100 Hz será

3920/100=39,2 y para 20 Hz será 3920/20=196 minimizando de esta forma el

efecto de la no-sincronización de las ondas.

83

Page 91: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

La señal senoidal se genera dentro del microcontrolador por medio de una tabla

de valores que al irla leyendo con los defasajes adecuados se generan las tres

señales que se requiere a la salida. La variación de la frecuencia se controla

con el periodo de lectura de la tabla de la senoidal y su amplitud que se obtiene

al multiplicar el valor de la senoidal de la tabla por el índice de modulación

* deseado y luego escalar el resultado a ocho bits por medio de una división y así

cargar directamente este valor al contador correspondiente, con lo cual el valor

del ancho máximo es de 255 CM y el mínimo O, coincidiendo con el periodo de

la triangular.

Por lo tanto como la senoidal para un índice de modulación uno varía entra O y

255 permite obtener el anchp de pulso directamente, ya que el valor

instantáneo de la senoidal es igual al ancho de pulso que debe generarse.

255

\220 230 190 140 90

Figura 2.13. Geperación de ios anchos de pulso.

84

Page 92: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

La figura 2.13 muestra ia generación de ios anchos de puiso para un índice de

modulación menor a uno, por ejemplo para el valor máximo de la senoidal el

ancho se obtiene multiplicando el índice de modulación deseado por el valor de

la senoidal y escalando a ocho bits, obteniéndose 230 e! mismo que se carga

directamente a un temporizador que contabiliza este tiempo generando el ancho

de pulso correspondiente. Esto hace que la triangular no sea realmente

generada, únicamente es necesario conocer cuando inicia esta y en ese instante

comenzar a generar e! ancho de pulso correspondiente.

Como se usa los tres temporizadores internos que posee el microcontrolador

para generar ios anchos de puiso de cada una de las fases se hace necesario

un circuito externo que produce una interrupción con una frecuencia de 3921 Hz

dada por la relación 2. 37, este se denomina circuito generador del periodo del

diente de sierra que se muestra más adelante. En la figura 2.14 mediante un

diagrama de bloques se sintetiza el algoritmo interno que posee el

microcontrolador y el circuito externo mencionado.

J, n.

Circuitoexterno

Palor de 2.a

senoidal por J3fCardar el

temporízador

Generar el ancfto

corre sp ojtdzen t e

.Retardo de acuerdo

a la írecuenczadeseada

Figura 2.14. Diagrama de bloques del algoritmo implementado.

85

Page 93: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Se debe considerar que al existir sobremodulación el cálculo para el valor

positivo sobrepasa a 255 en !a parte positiva de la senoidal y es un número

menor a O para la parte negativa de la onda, lo cual es considerado en los

cálculos formando así las ondas sobremoduladas.

2.7.1.1.1. CIRCUITO GENERADOR DEL PERIODO DEL DIENTE

DE SIERRA.

El circuito generador del periodo correspondiente a ia frecuencia de la portadora

produce una interrupción que equivale al cruce con la triangular, la frecuencia es

generada por un oscilador astable con un LM 555 como el mostrado en la figura

2.15 conectado de acuerdo al fabricante.

R3

R

-<T

Rl-4. 2 A „ 1 11

R

<T

R1Q

R

Rlli. . .2 B

R

40GG

C

©~>13

-40GG

j ,

az>lU7C4QGG

_

C

I5 -XD>

U7D40GG

C

IG

2

10 ,

3 ,

3

< INT0 ^>

T

I4

o rx ^

7 DI^ ^L- ce2 . !u

^ TI IR CV i

•J-- C7U3 12 10nLM555 \¿/-

R13

R

_TXD

Figura 2.15. Oscilador astable con LM 555.

86

Page 94: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Para el presente caso se necesita un periodo de 255 uS equivalente a una

frecuencia de 3921 Hz, pero en el caso de desear otras frecuencias se deja

disponible un interruptor analógico que permite seleccionar valores de

resistencia de acuerdo a la frecuencia deseada con la ayuda de las salidas del

puerto 3 del microcontrolador. La frecuencia de oscilación está dada por la

relaciones 2.38 y 2.39 [6] siguientes:

Talto = 0,7 x (Ra + RbxC) 3Q

2.39

De acuerdo a la figura 2.15 anterior Ra es cualesquiera de las resistencias que

se seleccionen con el interruptor analógico, que van desde Vcc hasta el pin 7

del integrado, la resistencia Rb equivale a R13 y C a C6.

2-7.1.2. GENERACIÓN CON PORTADORA TRIANGULAR.

Para la generación dei SPWM usando una portadora triangular se usa el mismo

hardware usado con excepción del circuito generador del periodo del diente de

sierra. En la generación de las ondas senoidales su variación de frecuencia y

amplitud se procede de manera similar que en algoritmo anterior, con la

diferencia que en el presente caso si se genera internamente la onda triangular

se va comparando con el valor instantáneo de cada una de las senoidales

debidamente desplazadas y con la secuencia deseada en función del sentido de

giro escogido.

De manera similar se generan ondas senoidales cuyo valor máximo es 255 y

como mínimo O, en cambio en el caso de la triangular su valor varía entre 1 y

87

Page 95: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

254, este algoritmo se puede sintetizar como lo indica el diagrama de bloques

mostrado por la figura 2.16 siguiente:

jRetardto de acuerdoa la jfreczzeneia

deseada

1 ' ~* Leer

.senoidal

Co/?pa.ra.rcon la

tj&Langujiaj:

Generar eZ ancho

correspondiente

Figura 2.16. Diagrama de bloques del algoritmo.

Como la comparación es en cada instante de la senoidal el ancho de cada pulso

se va generando en cada instante de la comparación por este motivo la

triangular se genera entre 1 y 244 facilitando la sobremodulación que será

cuando la senoidal tenga valores de 255 para el semiciclo positivo y O para el

semiciclo negativo.

2.7.2. SISTEMA MICROPROCESADO PARA LA GENERACIÓN

DEL SPWM.

La parte esencial de este circuito es el microcontroiador que calcula el valor de

los anchos de pulso del SPWM conformado por los circuitos mostrados por el

diagrama de la figura 2.17.

Figura 2.17. Conjunto microprocesador y memoria

88

Page 96: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

El programa se encuentra en la EPROM externa de 4Kbytes que se conecta con

la ayuda del latch 74LS373 que permite multiplexar la parte baja de las

direcciones con los datos. La salida de las señales se lo hace a través del

puerto uno (P1) del microcontrolador nombrándose con el nombre de la fase y el

signo negativo implica que es la señal invertida.

El microcontrolador obtiene su señal de reloj por medio de un cristal de 12MHz

que es la máxima frecuencia de operación de este microcontrolador, las señales

del puerto 3 TO, T1, RX y TX se usan en el caso de tener diferentes periodos del

diente de sierra junto con la interrupción externa 0. Esto no es usado en el caso

del algoritmo que usa la triangular.

La dirección A12 se usa para la lectura de ios periféricos que permiten el ingreso

de los valores de la frecuencia e índice de modulación deseados, el bus de

datos es compartido por varios elementos que toman el control del mismo

gracias a las señales de habilitación adecuadas, PSEN para la lectura del

programa y READ junto con A12 para la entrada de datos externos. El reset del

microcontrolador es controlado por otros circuitos que se verán más adelante.

2.7.3. CIRCUITOS DE ENTRADA DE VOLTAJE Y FRECUENCIA

DESEADAS.

Para que sea posible la conexión de varios elementos al bus de datos es

indispensable que los circuitos usados sean con salidas de tres estados, de tal

forma que presenten alta impedancia cuando no ocupen el bus de datos, por lo

tanto para la entrada se usan un BUFFER de ocho entradas (74LS244) con dos

habilitaciones, que en estado bajo permiten que lo que este en las entradas se

presente en la salida y deshabilitados presentan alta impedancia.

89

Page 97: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

La figura 2.18 muestra el esquema que por medio de dos circuitos integrados

74LS244 se ingresa los valores del índice de modulación y frecuencia deseada

cada uno como una palabra de ocho bits, con lo cual es posible ingresar 256

valores para cada variable, son conectados de tal forma que el microprocesador

los maneja como memoria externa, con la ayuda de un multiplexor 74LS138 el

mismo que al estar activa la señal READ y la dirección A12 en nivel bajo,

formando la dirección de memoria OOOOH, activa el integrado U13 permitiendo el

paso de los valores de la frecuencia deseada provenientes de una parte del

conector CON ECS hacia el bus de datos. CON ECS es el interfase entre el

módulo PWM y el módulo de interfase.

P12

RD

~~1 Yk6

GGG221BP

Pl21CBA

YYYYYYYY7SS43210

7,3i¿rTi

21

3ft

fYL 0

45

^7Ull74LS13S

D0

1S

D1

1G

D2

14

D3

12

D4

9

D5

7

D6

S

D7

3

1 1 1 1 :P^:P;P U13Y Y Y Y Y Y Y Y 74LS24412341234

111 12222

12341234 GG

2 4 SS111315

y y7 113

D

13

D1

1G

D2

4

D3

12

D4

3

D5

7

D6

5

D7

3

11112222

12341234

11 112222

12341234 GG

CONEC3C 1 2C 3 4

í" 1 ~? 1 !~í

D

~i

2 4 SS1111

S1 *

i

'V1

p9

U1474US24

HEPDER 13X2

Figura 2.18. Circuitos para entrada de frecuencia e índice de modulación.

Se procede de manera similar para ia entrada del índice de modulación, con la

señal READ y A12 en nivel alto formando la dirección 1000H.

90

Page 98: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

2.7.4. CIRCUITOS DE ACOPLAMIENTO ÓPTICO DE SEÑALES

SPWM.

El microprocesador que es el encargado de generar las señales del SPWM,

tiene una baja capacidad de corriente, por lo cual las señales provenientes del

puerto 1 de cada una de las señales para la activación de los IGBTs de la parte

de potencia pasan a través de una compuerta inversora 74HC14 que sirve como

amplificador de corriente. El esquema 2.19 muestra ios circuitos que componen

esta sección.

Figura 2.19. Circuitos de acoplamiento de las señales SPWM.

Para protección de ios circuitos digitales se los aisla de la parte de potencia

usando opto acopladores MCT6 que poseen dos parejas led-transistor en el

mismo encapsulado, de esta forma las señales pasan hacia el puente inversor

91

Page 99: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

de manera aislada y están disponibles en el conector CONEC4, que es ei

interfase con el módulo del puente inversor con IGBTs.

Para el dimensionamiento de las resistencias que manejan ai opto acoplador

para garantizar e! paso de las señales, se considera que el inversor drena la

corriente del led de la parte izquierda de opto acoplador, haciendo circular por

este una corriente de 30mA, con lo que el valor de la resistencia estará dado por

ia relación 2.40 y para que el transistor se sature se usa la relación de

transferencia del opto acoplador (hFE-lc/ld), que en este caso es de 200%, con

lo que ¡a resistencia del colector estará dada por la relación 2.41.

2.40Lled 3mA

-Vce 12-06Rc = lce = IZ u'° = 1790Q 2.41

LledxhFE 3QmAx2

Por lo que se elige 1.1 KQ para la resistencia del led y de 1.8KQ para el

transistor.

Este procedimiento se usa para el dimensionamiento de los elementos donde se

use aislamiento por medio óptico por lo que en lo posterior únicamente se hará

referencia al mismo.

92

Page 100: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

12.7.5. CIRCUITO MONITOR DEL BUS DC.

La señal proporcional a! bus DC disponible en JP1 entregada por el modulo de

fuente y filtro entra a dos circuitos comparadores, el uno (U2A) tiene como

referencia de comparación un voltaje proporcional al de entrada del relé, que en

momento de alcanzar este nivel activa a un transistor polarizando la bobina del

relé y haciéndolo entrar; la parte inferior de la figura 2.20 muestra el

potenciómetro de calibración para el nivel proporcional a la entrada del relé, la

salida del comparador y el transistor que activa al relé, así como los diodos de

protección del transistor para conmutar cargas inductivas.

-1-4 fe-^r^

?1 1 .1

PO20

-T- Clll 22

l í

••DO "T"»

p l -l

LjPO20

B

RS

2

T2 -K

SP

3

Í2

2

\/\ — — —

TIK

x*"

L

c

-J

^

— 1

k^ Rl

r^^ RUM3B8N H

12 1--7-- CiS 1ll 100n •=•

t

"A

^ R2^^x^ 1 2 rt * 1 2 \S

.s*' - v v ¡

• ^ RLM3S8N ,

,

Ul

1 [/

Vxí_3r h^PCS17

3

D2L 1N31-4

1

3Ql2N330-4j1

4 ^^^= ^^^ T^.. .-^

3

Y1

V J2>R~?SR

api

2 JUMPETFDI

f 1N914

x < . BUS >

- p^ C1Bll 0, 47u

1 A ^ ^2

10K

Figura 2.20. Circuito de monitoreo del bus DC y entrada del relé.

El relé es de 12 VDC y la resistencia de su bobina es de 156Q, por lo tanto la

corriente que circula por este es de lr=12/156=77mA. Eligiendo el transistor

123AP eí cual puede manejar esta corriente, asumiendo un p=20 para el

transistor en corte y saturación el operacional debe entregar una corriente de

3,85mA con lo cual la resistencia de la base será:

93

Page 101: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

1Vcc-Ybe

I r l f t

Por lo que se elige para la resistencia de la base Rb=2,7KQ asegurando la

entrada del relé cuya señal va hacia el módulo de fuentes por medio de JP1.

La parte superior de la figura anterior muestra el circuito que realiza un

monitoreo de bajo voltaje del bus DC, que por medio del potenciómetro

correspondiente se regula el voltaje al cual se da un bajo voltaje.

Se considera una condición de bajo voltaje para un valor menor al voltaje del

bus DC menos un 10%, es decir Vbv=311-31V= 280V. El voltaje de entrada al

relé se regula para un valor menor al de condición de bajo voltaje que en este

caso se elige 260V teniendo así un salto equivalente a un dV/dt de

aproximadamente 50V.

La condición de bajo voltaje pasa hacia el microcontrolador aislada por un opto

acoplador cuyos elementos se dimensionan de manera similar que en 2.7,4;

como el voltaje proporcional del bus DC se obtiene desde el módulo de fuentes

y está presente en el JP1 y en CONEC3, de ser necesario, la condición de

sobre voltaje puede ser regulada por software en el módulo de interfase en el

cual se realiza su monitoreo.

2.7.6. CIRCUITO DETECTOR DE FALTA DE FASE.

Para esto se usa un rectificador trifásico de tres pulsos el cual alimenta al ied de

un opto acoplador que en la salida tiene un filtro para obtener un voltaje

proporcional al número de fases, este pasa por un seguidor de emisor para

compararse con un nivel de referencia que es proporcional al que se obtiene con

las tres fases, el mismo que se calibra con el potenciómetro POT3, Si una fase

94

Page 102: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

no está presente el voltaje medio se reduce y el comparador cambia de estado

produciendo así una señal de indicación de esta condición. La figura 2.16

muestra el circuito descrito anteriormente.

TN 1N4004

D4i LJ 2 .

1NDS

1 kJ

^

4(304

2

1N4004

U4BLM3SSN

Figura 2.16. Circuito detector de falta de fase.

Como se usa el opto acoplador el circuito queda aislado de la parte de potencia

y la salida del comparador INFF (IN falta de fase) ingresa al circuito detector de

fallas y reset donde será interpretada. Los elementos del opto acoplador se

dimensionan de manera similar que en 2.7.4

2.7.7. CIRCUITO DETECTOR DE FALLAS Y RESET.

Este circuito toma las señales de bajo voltaje, falta de fase y falla del manejador,

hace una operación OR junto con la señal de control del RESET proveniente del

módulo de interfas, si una de estas señales cambia de estado e!

microcontrolador se resetea y deja de sacar señales para el manejador. Para

formar las compuertas OR se lo hace con diodos.

Las señales pasan a través de un inversor con Schmitt Trígger 74HC14 para

eliminar el ruido y dar los niveles lógicos adecuados para e! RESET del

microcontrolador.

95

Page 103: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

La figura 2.21 muestra los circuitos descritos anteriormente, en la cual además

se nota que existen en la salida de cada uno de los inversores de las señales de

falla una toma de estas señales para el monitoreo en el módulo de interfase, que

están disponibles en el conector CONEC3 que se puede observar en la figura

2.18. o en diagrama 2.3 de todo el módulo.

"74HC14

Figura 2.21. Circuito detector de fallas.

Este esquema implica que el reset de este microcontrolador se lo hace desde el

otro módulo y por alguna de las fallas que puedan ocurrir. Los elementos del

opto acoplador se dimensionan de manera similar que en 2.7.4.

Page 104: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

2.7.8. PROTECCIONES.

El presente módulo está orientado a la generación del PWM, pero por espacio

se incluye en la misma tarjeta los fusibles de protección y tres varistores para

suprimir los picos de sobrevoltaje que se puedan producir en la línea.

Los fusibles se colocan en Iqs líneas de entrada para proteger al puente

trifásico; en ei bus de DC para proteger al puente de IGBT's y al rectificador; en

la salida en caso de un corto circuito en la carga. Además se incluye el fusible

para las fuentes de alimentación.. La figura 2.22 muestra esta parte del circuito.

JL00mft

Figura 2.22. Fusibles de protección del sistema.

Los puntos que se marcan luego de cada fusible permiten la interconexión de

estos con los otros módulos.

97

Page 105: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

De acuerdo a lo expuesto en el literal 2.6,1 la corriente por línea en la salida es

3A, del literal 2.3 la corriente del bus de DC es de 4 A con lo que la corriente de

entrada es 3.26A [4] por lo qye, considerando un factor de sobrecarga del

sistema para la entrada y la salida se usan fusibles de 5A y para el bus DC se

usa un fusible de 6A [24].

Para las fuentes se usa un solo fusible en el primario del transformador cuya

capacidad de corriente se calcula de acuerdo a lo estimado en el literal 2.5 de

donde la potencia que se consume en el secundario es

P=0,3Ax13V+0,6Ax8V=8,7W, siendo la corriente en el primario

lp=8J7W/120V=72I5mA por lo que se usa un fusible de 100mA y entre las líneas

se usan tres varistores 14K31 para evitar picos de voltaje.

Para concluir el diagrama total ,del Módulo SPWM se encuentra a continuación

en el diagrama 2.3

98

Page 106: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

2.8 MODULO DE INTERFASE.

El objetivo de este módulo es permitir que el usuario pueda utilizar el inversor de

manera amigable y por varios medios, por lo cual se propone en el presente

módulo la entrada de la velocidad deseada por medio de un potenciómetro, por

medio de un teclado o por el computador y para la visualización de los datos se

usa un display alfanumérico de dos filas 16 caracteres por fila, para lograr esto

se hace necesario la implementación del hardware necesario que permita que

esto sea posible lo cual se describe en la presente sección.

2.8.1 SISTEMA MICROPRQCESADO DE CONTROL

Es la parte principal del módulo, en la cual se encuentra un microcontrolador

8032 de la familia MCS-51 de INTEL, el cual posee en una memoria externa el

programa que se encarga del control de los diferentes periféricos los cuales son

manejados como memoria externa. La figura 2.23 muestra esta parte del

módulo.

Figura 2.23. sistema microprocesador.

100

Page 107: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

La memoria que se usa tiene una capacidad de 4 Kbytes operando con un

cristal de 12MHz, En este caso como se manejan varios periféricos se usa las

direcciones A12, A13, A15 que con la ayuda de los decodificadores y klas

señales de READ y WRITE se controla las entradas y salidas.

2.8.2. SALIDAS DIGITALES DE 8 BITS (Voltaje y frecuencia

deseadas).

Estas salidas están constituidas por dos circuitos 74LS373 que son se dos

retenedores de datos transparentes con la característica de poseer tres

estados, permitiendo la conexión con el bus de datos del sistema, la figura 2.24

muestra esta parte del módulo.

7-4LS13B

Figura 2.24. Salidas digitales de ocho bits.

101

Page 108: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Si se desea colocar un dato en la salida de uno de los retenedores, mediante el

programa del microcontrolador primero se coloca los datos en el bus del

sistema luego se direcciona la localidad donde se encuentra la salida deseada,

que por medio del decodificador 74LS138 (U 17) y junto con la señal de WRITE

del microcontrolador activan al periférico de salida deseado.

Cuando la señal G (habilitación) de los 74LS373 se coloca en uno, los datos del

bus pasan hacia las salidas y al retornar la señal a cero estos datos quedan

retenidos hasta que la señal de habilitación cambie de estado.

Las señales de cada una de las salidas de los retenedores están disponibles en

CON ECS y poseen la misma distribución que el correspondiente en el módulo

SPWM, por lo cual se interconectan entre sí, para de esta forma pasar los datos

de frecuencia e índice de modulación deseado.

La dirección de la salida del índice de modulación es ia 4000H y la 2000H para

la frecuencia.

2.8.3.- CIRCUITO MANEJADOR DE TECLADO.

Para el ingreso de datos por parte del usuario se dispone un teclado de 16

teclas con una distribución matricial, mismo que por facilidad es controlado por

medio el manejador de teclado 74C922, que permite conectar directamente el

teclado e internamente detecta cuando una tecla a sido presionada, la figura

2.25 muestra al manejador y el conector JP6 en e! cual se introduce el teclado.

El circuito manejador controla totalmente el teclado, generando el barrido

correspondiente con la eliminación de rebotes que suelen producirse en un

interruptor, para lo cual usa los condensadores C15 y C16, que de acuerdo a

102

Page 109: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

las recomendaciones del fabricante [16] C16 debe ser 10 veces C15 usando

C16=100nF y C15=10nF se obtiene un funcionamiento adecuado.

UI6JPS

Figura 2.25. Controlador de teclado.

En el momento que una tecla es presionada e! manejador coloca a uno la señal

DAV, misma que se debe invertir por medio del transistor Q5 para ingresar a

una interrupción del microcontrolador, ya que este reconoce un flanco de bajada

como interrupción; la señal DAV retorna a un nivel bajo únicamente si la tecla es

soltada.

El manejador entrega el valor de la tecla que ha sido presionada en cuatro bits,

los que se conectan directamente al bus de datos del sistema. Las salidas con

el valor de la tecla permanecen en alta impedancia hasta que se habilita la

salida del manejador OE, que por medio del decodificador 74LS138 (U 18) y la

señal READ (que habilitan las entradas), producen la habilitación del teclado

TECL correspondiente a la dirección 2000H, que es controlada desde el

microcontrolador al atender la interrupción uno producida por el manejador.

103

Page 110: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

2.8.4.- CIRCUITO MANEJADOR DEL LCD 16x4.

Para la vísualización de los datos de entrada o salida, estado del sistema y

mensajes varios se usa un display de cristal líquido de cuatro filas cada una con

capacidad de mostrar 16 caracteres alfanuméricos, de la casa OPTREX mismo

que incluye los controladores en la misma tarjeta, facilitando su manejo desde el

microcontrolador, el circuito correspondiente se muestra en la figura 2.26

siguiente.

<CE: LCD

R2S

POT

<RS L.CD

*—

i \

i

34"78347B )l

U1BC-G

DDDDDDDD OG01234SG7 C

QQQQdQQQ012345G7

25G32SG3

UiS74LS3V3

nnnoonooooooo123^Í5G7S31 1111

01234

HEPDER 14

Figura 2.26. Circuito del LCD.

Para el manejo del mismo se usa un interfase de datos de ocho bits , para lo

cual se usa un 74LS373 que es manejado de manera similar como se expuso en

2.8.2 con la dirección 6000H.

El display permite varias funciones, a más de mostrar caracteres que permiten

desplazar mensajes, hacer efectos de visualización, mostrar u ocultar los

104

Page 111: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

mensajes, entre otras; esto se controla con al combinar las señales RS, CE y los

datos adecuados; estas señales, son comandadas desde el microcontrolador por

los pines correspondientes a las salidas seis y siete del pórtico uno (P1.6 y

P1.7) y mediante el potenciómetro R25 se controla del contraste del dispositivo.

2.8.5.- INTERFASE SERIAD CON NORMA RS-232.

Para la comunicación de este módulo con un computador personal, con el

objetivo de obtener un sistema más versátil, se usa ia capacidad que posee e!

microcontrolador de comunicación serial bidireccional por medio de sus pines

RXD (pin 10) para la recepción de datos y TXD (pin11) para la transmisión de

datos. En el programa del microcontrolador se debe realizar las rutinas

necesarias para activar estas opciones, así como para seleccionar la velocidad

de transmisión.

El computador posee uno o dos puertos seriales disponibles que se pueden usar

para aplicaciones diversa, mismos que tienen como norma la RS-232 para la

comunicación, por este motivo, como el microcontrolador genera y acepta

señales en niveles TTL se hace necesario un circuito que pase de estos niveles

a los correspondientes a la norma del computador, este circuito es eí mostrado

por la figura 2.27 siguiente.

DB3

12¥ r.14 11

1 CPPJ2 .— — -. g"T"* ]>Lx>rVxlQ

1 ^—^ — 1 2

1

2-T- C3ll CPtP 3

MPX1314

S7

e4 ^L-

<£ £ -5 ll

\y

s1 9\ 4

837

1 2

Y -1-C5 1CftP 1

^U- C22 CHH

MAX-232

Figura 2.27. Convertidor de TTL a RS-232.

105

Page 112: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Este es el circuito integrado MAX-232 de la empresa MAXIM el cual permite

acoplar señales con niveles TTL a las correspondientes RS-232 y viceversa,

cuyas equivaiencias a valores nominales son las siguientes:

TTL RS-232

1 Lógico 5V -12V

O Lógico OV +12v

Como se observa la norma RS-232 usa niveles de voltaje diferentes a los de

niveles TTL (0-5V), que es lo que se dispone en la fuente de alimentación para

la parte digital, por lo cual el integrado usado es el más adecuado ya que su

principal característica es que usa como única fuente de alimentación 5 voltios,

solucionando de esta manera el problema de niveies de voltaje. La conversión

de los niveles de voltaje lo realiza con la ayuda de los capacitores que se

conectan al mismo de acuerdo a las recomendaciones del fabricante [17].

La norma RS-232 [20] define como conecíores al DB-9 o DB25 por lo cual se

deja en la tarjeta un DB-9 hembra con las conexiones de tierra, transmisión y

recepción con los pines dados por ia norma.

Este interfase es básico, pero se debe tener en cuenta que en el momento de

interconectar al computador la señal de la tierra digital, se une con la señal de

tierra del computador, con lo cual se pierde el aislamiento que se tiene en la

parte digital, por lo cual este interfase debe ser usado con un computador

portátil ya que este es también aislado.

106

Page 113: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

2.8.6. ENTRADA DE PULSOS PARA ENCODER, SENTIDO DE

GIRO Y SALIDA DE FALLA.

Estas señales son de tipo digital y se encuentran disponibles por medio del

conector JP3, en el cual se deja disponible la tierra digital, en la que se deben

referenciar las mismas. La figura 2.28 muestra el conector y como se acoplan

estas con el microcontrolador.

U1SF<INTFftLLft:

<INT.T~!<ÉNCQDER:<S GIRO '

< BQjo.v :< F.FPSE ]<_ FftUL. D !

< RESETu'

<RS LCD"<CE LCD~

13;T4115

1_23_4

DIODITO

IWT0INT1T©TI

PlPlPlPlPlPlPlPl

0

S031

Figura 2.28. Señales digitales.

La señal proveniente de un encoder óptico que debe tener niveles TTL ingresa

al microprocesador por medio de una compuerta inversora con característica de

comparador con ventana (Schmitt Triger), ayudando eliminar el ruido que pueda

producirse. En el microcontrolador esta seña! es ingresada al pin TO para

internamente contabilizar los pulsos por medio del Temporizador cero.

Para seleccionar el sentido de giro se usa el pin T1, esta configurado como un

pin de entrada que normalmente tiene un estado lógico de uno correspondiente

a una secuencia en la salida UVW y al ser puesto a tierra e! sentido de giro será

UVW. Se debe tener mucha precaución de la señal que se ingrese por este

terminal ya que está conectada directamente con el microcontrolador por lo cual

debe tener niveles compatibles con lógica TTL (0-5V).

107

Page 114: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Para indicar una falla dei sistema se deja disponible una señal en nivel digital

que indica esta condición con un nivel bajo y con un nivel alto un funcionamiento

normal. Esta señal se toma de la salida correspondiente ai bit O del retenedor

(LATCH) 74LS373 correspondiente a U22 que es manejado como memoria

externa con la dirección 8000H. Esta señal es compartida con el LED D8

indicador de falla por lo cual el circuito se indica más adelante en la figura 2.34

donde se muestran los circuitos auxiliares del sistema que incluyen a esta señal.

2.8.7.-CIRCUITO DE ALIMENTACIÓN DEL MANEJADOR DE

iGBT's.

El manejador del puente de IGBT's IR2130 que fue tratado en 2.6.2, no se

alimenta directamente debido a que en el caso de detectar una falla el circuito

deja de sacar señales y se cjebe reestablecer, por lo tanto en el caso de

presentarse una falla es el microcontrolador el que puede realizar esta acción al

reestablecer todo el equipo, sin la necesidad de desconectar todo el sistema.

Para cumplir con este propósito se utiliza el circuito que muestra la figura 2.29

que se muestra a continuación:

PI.

Q031

VCC DRIV>

Figura 2.29.- Circuito de alimentación del driver.

108

Page 115: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Como se indica en la figura anterior el control de la aumentación del manejador

la tiene el microcontrolador, que permite la polarización con un estado alto en el

pin P1.3, esta condición es transmitida de manera aislada hacia la parte

analógica por medio de un opto- acoplador, alimentando al manejador al

polarizar el transistor Q2 de forma adecuada.

2.8.8 CIRCUITO DE WATCH DOG TIMER.

Se usa esta denominación de temporizador de "perro guardián" para el circuito

que está vigilante que ei sistema y principalmente el microcontrolador no pierda

su secuencia lógica, en cuyo caso reestablece el sistema, para esto se propone

el circuito mostrado por la figura 2.3. Este circuito muchas veces viene integrado

en los microcontroladores pero este no es el caso del microcontrolador 8032 que

es usando para el presente trabajo.

US

SI J<!4\c

JPSJUMPER

F-IDIODITO

31

13Y'ÍB 18

, --T-. Cl

1 1 CAP> i; 9*10 '> 1> RI is.o > R 13"

\rfe 15|

\ i23

r5 s678

• • rn

_,

3938373&35343332

21222324252B272S

17IB

- 29301110

U15E

SOS 1

Figura 2.30.- Circuito de WDT.

Por medio del conector JP5 se puede deshabilitar esta opción, que al estar

activa, ei funcionamiento del circuito es de la siguiente manera; al activar

109

Page 116: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

periódicamente el pin P2.4 se carga ei condensador y la salida de la compuerta

inversora se mantendrá en un Astado bajo manteniendo el microcontrolador en

funcionamiento normal. La activación de la señal del pin P2.4 correspondiente a

la dirección 12 (Address12) se lo hace con una secuencia de escritura o lectura

de un dato cualquiera en la dirección 1000H intercalando tal acción dentro del

programa de tal forma que el condensador mantenga su carga sobre un voltaje

mayor al que reconoce la compuerta inversora de U15, que es de 3.5V. Si por

alguna razón el microcontrolador pierde la secuencia del programa dejará de

cargar el condensador, por lo cual este se irá descargando a través de la

resistencia R24 hasta alcanzar un valor menor a los 3.5V, por lo cual debido a

la característica de comparador con ventana (Schmitt Triger) que posee el

inversor 74HC14 hará que la salida cambie de estado reestableciendo al

microcontrolador, bajo tai condición el microcontrolador pone a uno lógico (5V)

todos los pines de sus puertos cargándose nuevamente el condensador

permitiendo nuevamente el funcionamiento del microcontrolador que reinicia

todo el sistema.

2.8.9.CONVERSOR ANÁLOGO DIGITAL.

Para la medición de algunos parámetros del sistema de la parte analógica se

usa un conversor análogo digital de ocho bits, que se aisla de la parte digital por

medio de opto-acopladores. El conversor usado es el ADC0808 que posee ocho

entradas multiplexadas de las cuales se usan cuatro, con las que se realiza la

medición de: el voltaje y corriente del BUS de DC, la entrada del voltaje

proveniente de un tacómetro y la entrada del valor deseado de la frecuencia de

salida desde un señal externa de O a 10V.

En a figura 2.31 se muestra el conversor con las indicaciones de las entradas

nombradas, así como el circuito oscilador [21] que genera la señal de reloj de

aproximadamente 0,5Mhz que necesita eí conversor para operar. La

110

Page 117: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

polarización del circuito generador del reloj como del conversor se obtiene de

una fuente de cinco voltios referida a la tierra analógica, que además es el

voltaje que se usa como referencia para la conversión.

U20

R30

CfiP

<TiTBGsr^>-<!V.BUS >

<IN POT ><IN T«CO>-

252V28 .

23-45

<VCC 5 >--C GND 12 >-

:> e<VCC 5 >-

121£

10

37

IN0INIZN2IN3IN4INSINSIW7

REF+REF-

>CLK

OEEOC

DQDID2D3D4DSDED~?

A0ñlftH

STftRTftLE

171-415

13132021

2S2-423

G

22 u

ADC0SSS

Figura 2.31.- Conversor análogo digital analógico.

Para la selección del canal que será medido, se usan las señales AO, A1 y A2

con las correspondientes combinaciones lógicas para selección de los ocho

canales, como en el presente caso se usan cuatro entradas es suficiente las

entradas AO y A1, colocando la señal A2 a un nivel lógico bajo.

Para el control del conversor, así como para la lectura de los valores digitales

correspondientes al valor analógico seleccionado se usa el microcontrolador,

pero como este se encuentra referido a la tierra digital es necesario un

aislamiento, el cual se presenta a continuación.

2.8.9.1. AISLAMIENTO ÓPTICO DEL CONVERSOR.

El aislamiento entre el conversor referido a masa de la parte analógica y el

microcontrolador referido a la parte digital se lo hace por medio del circuito

mostrado por la figura 2.32, en el cual se muestra los cuatro opto-acopladores

111

Page 118: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

dobles MCT6 que son usados para aislar los ocho datos digitales. Además para

la selección entre las cuatro posibles entradas analógicas del conversor se usan

para AO y A1 dos parejas de optos y una pareja más para la señal de inicio de

conversión estas tres últimas se indican en 2.8.11 ya que forman parte de los

circuitos auxiliares.

U24 U24

Figura 2.32.-Aislamiento del conversor A/D

La lectura de los datos por parte del microcontrolador se realiza por medio del

circuito 74LS244 que es un manejador, (Line Driver, Line Receiver) que posee

112

Page 119: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

la característica de tres estados y puede conectarse al bus de datos

manejándose como memoria externa, por lo tanto la lectura se a realiza

apuntando a la dirección 4000H.

Para la lectura de una entrada primero se selecciona la misma de acuerdo a los

valores de AO y A1 de la tabla 2.1 siguiente:

AO

0

0

11

A1

0

1

0

1

ENTRADA

Voltaje Bus de DC

Corriente Bus de DC

Entrada de 0 a 1 0V

Entrada del tacómetro

Tabla 2.1.- Valores de AO y A1 para las entradas analógicas.

Luego se genera el pulso de inicio de conversión y se espera el tiempo de

conversión de aproximadamente 100 uS [15], para luego realizar la lectura de los

ocho bits de datos de la dirección 4000H,

2.8.10. CIRCUITOS DE ENTRADA DE LAS SEÑALES

ANALÓGICAS.

Las señales analógicas para ingresar al conversor son escaladas entre cero y

cinco voltios, que son los valores permisibles a la entrada el conversor.

Para la medición del voltaje del bus de DC, se toma el valor escalado que se

encuentra disponible en e! conector CONEC3 en sus pines 25 y 26 como se

indicó en la figura 2.24, este valor alcanza aproximadamente 8 voltios para un

valor de 311 voltios en el bus de DC, por lo cual se toma esta señal por medio

de un divisor de voltaje para reducirlo a la mitad.

113

Page 120: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Para la entrada de la corriente se toma el valor que proporciona directamente el

manejador de los IGBTs, así como se indicó en el literal 2.6.2 y específicamente

con la figura 2.10, que entrega el valor ya escalado a 5 voltios para una

corriente un poco mayor a la nominal.

En la entrada del tacómetro es necesario desplazar la referencia para poder

ingresar valores positivos o negativos de acuerdo al sentido de giro de! motor,

permitiendo así valores desde -10 a 10 voltios que deben corresponder a la

velocidad máxima de la máquina.

La entrada de O a 10 voltios es ingresada por medio de un divisor de voltaje que

escala a la mitad el valor de entrada para luego ingresar al conversor, la figura

2.33 muestra estos circuitos y sus entradas que se encuentran disponibles en el

conector JP4.

.JP4

2

-4

4 HE

3 15-§

D 4""EIADER

C33

CftP

C34

CAP

/ R22> R

iÍ ilv

R20R

R21R 2

,

1 T/ R2G/ R

i2

1 ? T_M / R27^

T \ '1 ]s

^[^ C32.ll CftP

2D10

L 1N314

^< IN POT>-

DllL 1N314

1

2 TiD1S > F

L 1N914 > F

É J2^

D13t 1N314

1

R?

R

-"

PT

Í32 <

É<XM TftCO> k-1-

1T

| T

2r- C311 CPP

RiSR

1

R13

J

J

1h

i —2r-F

r— <VCC 5 ^

2

f 1N314

1

1 — <C I . BUS^>

2

1

314

. V . BUSDC >

< V . BUS >

2302ftP

Figura 2.33. Entradas analógicas.

114

Page 121: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

En el conector JP4 se deja disponible la tierra analógica a la cual se refieren

todas las entradas, además en la entrada 1 dei conector se deja a disposición

una señal de 10 voltios, que puede ser tomada para ser ingresada a la entrada 2

a través de un potenciómetro como señal de O a 10V para el control de la

velocidad. Los capacitores que se colocan en cada una de las entradas del

conversor son usados como filtros y ios diodos se usan para evitar que ingresen

valores mayores a 5 voltios.

2.8.11.- CIRCUITOS AUXILIARES (Alarma, leds, control CA/D)

Para el manejo del conversor es necesario el uso de señales de control para la

selección de la entrada a ser leída y el inicio de la conversión, que además

deben ser aisladas por medio de opto-acopladores. Siguiendo el mismo

esquema del manejo de periféricos como memoria externa es necesario usar un

retenedor (Latch) 74LS373, con característica de tres estados para conectarse

al bus de datos, y poder tener salidas digitales.

BUZZER

Figura 2.34. Circuitos auxiliares.

115

Page 122: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

La figura 2.34 muestra esta parte del circuito con el correspondiente aislamiento.

Como para el conversor son necesarias tres salidas, quedan a disposición cinco

salidas, de las cuales se usan cuatro para la señalización por medio de LED's

del sentido de giro horario RST, sentido de giro antihorario RTS, condición de

LISTO (funcionamiento normal) y condición de FALLA que además se deja

disponible en el conector JP3 cqmo lo indica la figura 2.28 de la sección 2.8.5.

La última salida disponible se usa para el control de una alarma que se activa

en el caso de falla, además se usa la pareja sobrante del opto-acoplador del

integrado U24 que permite manejar la alarma en la parte analógica por la

disponibilidad del voltaje de 12 voltios necesario para activarlo.

Estos circuitos son también mostrados por la figura 2.34 y cada uno de las

señales se activan de acuerdo a la necesidad con los valores adecuados

ocupando la dirección de memoria 8000H.

Todos los circuitos mencionado^ anteriormente se muestra a continuación en el

diagrama 2,4. donde se muestra todos los circuitos que forman el módulo de

¡nterfase.

116

Page 123: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

2.9 INTERCONECCION DE LOS MÓDULOS.

Cada uno de los módulos son ¡nterconectados entre sí para ¡r cumpliendo sus

funciones siendo la tarjeta de interfase la encargada de la inicialización y del

monitoreo del sistema. A continuación se indican la manera que cada uno de

los módulos son ¡nterconectados.

En el módulo de fuentes ingresaran las voltajes provenientes del transformador,

de 13 y 9 voltios de señal alterna que serán rectificados para la alimentaciones

de 5 y 12 voltios. Ingresa además la señal proveniente del módulo rectificador

para pasar a través de circuito de arranque, ser filtrada y salir la señal del Bus

de DC, que pasa a través de un fusible del módulo SPWM para luego ingresar

al módulo puente inversor con IGBTs.

En el módulo de fuentes también se encuentra un conector de dos terminales

que se interconecta con el módulo SPWM, siendo uno de ellos la señal

escalada del Bus de DC y el otro la señal para la entrada del relé de carga.

Finalmente en este módulo se deja a disposición dos conectores con la

alimentación de los módulos SPWM y el Módulo de Interfase.

Ei módulo rectificador tiene como entradas las tres fases que previamente

pasan a través de sus correspondientes fusibles (que se encuentran en el

módulo SPWM) y como salidas el voltaje rectificado.

Ei módulo Puente Inversor con IGBT's tiene: en el conector de la parte de

potencia como entradas el Bus de DC, que pasa a través del respectivo fusible

en el módulo SPWM y como salidas las señales de salida del inversor que de

igual forma pasa a través de SLJS respectivos fusibles en el módulo SPWM. En

el conector de las señales de control se encuentran la polarización del

manejador, las señales de los pulsos provenientes del módulo SPWM y como

salidas las señales de falla y de la corriente del Bus de DC.

118

Page 124: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

En el módulo SPWM se encuentra un conector de la parte de potencia, en el

que como entradas se tiene los voltajes de la red trifásica RST y neutro, como

salida las señales del inversor UVW, además pasan por este módulo a través

de fusibles los voltajes de alimentación del transformador y el positivo del Bus

deDC.

Ingresa por un conector proveniente de! módulo de fuentes los 5 voltios de

alimentación de la parte digital y 12 voltios de la parte analógica, cada uno con

su respectiva referencia.

De este módulo sale un conector con los pulsos y señales auxiliares que

ingresan al módulo Puente Invqrsor con IGBT's, así como un conector que se

interconecta con la tarjeta de fuentes donde se encuentra la señal del voltaje del

Bus de DC y la señal de control para la entrada del relé de carga.

Para la entrada de los valores del voltaje y frecuencia deseada se encuentra un

conector que se interconecta con el Módulo de Interfase, llevando además las

señales de; fallas, reset del microcontrolador, señal de carga de parámetros,

voltaje y corriente del bus de DC.

El Módulo de Interfase con el usuario tiene un conector con las

correspondientes señales del módulo indicado anteriormente, es decir, las

señales del voltaje y frecuencia deseados y las señales auxiliares.

Para las señales analógicas posee un conector azul de cuatro entradas en el

que se encuentra un voltaje de 10 voltios DC (10V), una entrada para una señal

de O a 10 voltios para el control del valor deseado de salida de frecuencia

(POT), la entrada del voltaje proveniente de un tacómetro (TAC) el mismo que

debe poseer un valor de +10 voltios para la máxima velocidad en un sentido y

de —10 voltios para el sentido opuesto; debiendo referirse todas estas señales a

la tierra analógica (GND) que tapibién se encuentra en este conector.

119

Page 125: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Se dispone de otro conector azul de cuatro puntos de señales digitales en el

que se ingresa el sentido de giro (SG), la señal de un encoder óptico (EN) con

niveles compatibles con TTL y la salida de la señal de falla (FA), todas estas

referidas al punto negativo de la parte digital (TD),

Para la comunicación con el computador se deja un conector DB-9 hembra para

la conexión de! respectivo cable de comunicación bajo norma RS-232.

2.10. FUNCIONES DEL MODULO SPWM.

Este módulo está encargado del control de las fallas de bajo voltaje, falta de

fase y falla en eí manejador de IGBT's, además se encarga de controlar la

entrada del relé de arranque o carga de los capacitores, pero su principal

función es la de generar las señales de Modulación de Ancho de Pulso Senoidal

de donde proviene su nombre.

Las señales que se generan son función de los valores que se cargan en las

entradas de índice de modulación IM (voltaje) y frecuencia deseadas. Se eligen

valores de tal forma que el voltaje y la frecuencia deseada sean

correspondientes a los valores necesarios para el variar la velocidad de un

motor, con la correspondiente compensación de voltaje a bajas frecuencias.

Por lo tanto para la generación del SPWM con portadora triangular, la

frecuencia tiene pasos continuos de 1 Hz desde los 3 Hz hasta 80 Hz, siendo eí

máximo valor que se obtiene por las limitaciones del microcontrolador que al

aumentar este valor se pierde definición en los anchos de pulso, lo cual se

refleja en ondas con un menor número de anchos por periodo. Los valores que

deben ser ingresados al módulo PWM en la entrada de frecuencia es: 1 para el

una salida de 3Hz y 77 para una salida de 80 Hz. Para una salida de OHz

120

Page 126: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

realmente el microcontrolador de abajo es peseteado con lo cual no se generan

señales.

Para la variación del índice de modulación de igual forma se deben ingresar

valores desde 1, equivalente a un índice de modulación de 0,11

correspondiente a 3Hz con la cpmpensación de voltaje para mantener el torque,

hasta 48 que equivale a índice de modulación 1 que es el correspondiente a 52

Hz de acuerdo a lo indicado er) el literal 1.6.2. Desde'valores de 49 hasta 57

comienza la sobremodulación para obtener a 60 Hz un voltaje de salida de

aproximadamente 220V entre fases. Valores desde 57 a 60 corresponden a

una mayor sobremodulación que se usa para frecuencias comprendidas entre

61 y 80 Hz, aún que se debería mantener el voltaje constante a 220V se

incrementa un poco el voltaje hasta aproximadamente 230V para el valor de 80

Hz.

2.11. FUNCIONES DEL MODULO INTERFASE.

La función principal del módulo es el de brindar un medio para el ingreso de los

datos por parte del usuario para el control del inversor. El objetivo principal del

presente trabajo es el diseño y construcción del inversor, por lo cual al diseñar

el módulo de interfase, tomando en cuenta que la principal aplicación de los

inversores es el control de la velocidad de motores de inducción, se implemento

el hardware necesario para orientar el inversor hacia eí control de motores; por

lo cual todas las opciones no son usadas.

Se deja ¡mpiementado el contrql por medio del teclado y por la entrada externa

de O a 10 voltios. El control por medio del computador, la entrada del encoder,

la entrada del taco generador, se probaron de manera independiente, pero no

se dejan implementados dentro del presente trabajo, por estar fuera del alcance

de este tema.

121

Page 127: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Al iniciar el equipo el módulo controla que primero el sistema tenga las tres

fases en la entrada, que no exista falla en el manejador de IGBT's y que el

voltaje del bus de DC alcance el valor nominal. Luego de esto permite al

usuario la selección del tipo de control, el movimiento del motor en cualquiera

de los dos sentidos con baja velocidad (JOG) y el tiempo en el que se van

incrementando los valores de la frecuencia hasta llegar ai valor deseado

formando de esta manera rampas de aceleración desaceleración.

En el control por medio de teclado se implemento la mayor parte de las

opciones, permitiendo realizar mediciones del sistema, corriente, voltaje del bus

de DC y entrada del taco-generador esta última sin un escalamiento a la

velocidad del motor, únicamente se muestra el valor máximo de 255 cuando en

la entrada se tenga una señal d$ 10 voltios y de O para -10 voltios.

Se deja implementada la posibilidad de interrumpir un cambio de la frecuencia

deseada, invertir el sentido de giro y cambiar el tiempo para formar rampas

desde 1 a 255 mS de cada pasq para llegar a la frecuencia deseada.

Lo que se deja implementado es suficiente para mostrar el funcionamiento del

inversor con el cual se puede variar la velocidad de un motor de inducción

cumpliendo así el objetivo de es|te trabajo que es el diseño del inversor.

122

Page 128: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Pruebas y análisis de

resultados

123

Page 129: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

3.1.-INTRODUCCIÓN.

Se realizan las pruebas para determinar el correcto funcionamiento del equipo,

para lo cual primero se analiza el funcionamiento del circuito de carga y

descarga del capacitor de filtro de bus de DC, luego se analizan los algoritmos

implementados para la generación del SPWM y su comportamiento en el

sistema.

A continuación se prueba el equipo con carga resistiva y luego con un motor

como carga del inversor, indicando aquí la principal aplicación que tienen los

inversores que es el control de velocidad de motores de inducción.

Las mediciones se las realiza con un osciloscopio marca HEWLETT PACKARD

modelo 54645D de 100MHz con dos canales de entrada para señales

analógicas y 16 canales para señales digitales, un analizador industrial marca

FLUKE modelo 41B, un analizador industrial marca POWERMETRIX y un

multímetro digital marca FLUKE modelo 87II de 41/2 dígitos.

124

Page 130: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

3.2.- CARGA Y DESCARGA DEL CAPACITOR.

De acuerdo al literal 2.4.1 se tiene un circuito de carga y descarga del capacitor

que forma el filtro del rectificador trifásico para obtener el voltaje continuo en el

bus de DC. Se muestra a continuación en la figura 3.1 la forma de onda para la

carga.

fR2 STOP

ti = 42O.Oms t2 = 7.26O s &t = B.84O s 1/út = i46.ZmH2

Figura 3.1 Carga del capacitor.

La figura muestra que el capacitor se va cargando a través de la resistencia de

carga hasta un voltaje de aproximadamente 250 voltios, luego de lo cual entra

el relé que cortocircuita la resistencia dejando listo e! valor del bus de DC con

un valor de aproximadamente 310 voltios.

El tiempo que se debe esperar para que el bus de DC se encuentre al nivel

adecuado es de aproximadamente 7,5 segundos, luego de lo cual el sistema

continúa con la secuencia de inicialización del sistema,

Al entrar el relé existe un cambio de voltaje de aproximadamente 60 voltios, lo

cual puede producir un daño en los semiconductores por el dv/dt, pero gracias

125

Page 131: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

al condensador extra de 10uF 450 voltios que está en paralelo con el bus de DC

en la entrada al puente en el Módulo Puente Inversor con IGBT's como lo indica

el diagrama 2.2, este detalle se muestra en la figura 3.2 siguiente.

fll

3-lSs S.

ti = 3. 195 s t2 - 3. = S.OOOms = 5OO.O

Figura 3.2 Reducción del dv/dt a la entrada del relé

Al ampliar este detalle se observa que el voltaje no crece instantáneamente, se

tiene un tiempo de subida de aproximadamente 2 mS.

La descarga del capacitor se muestra en la figura 3.3, refiriéndose de igual

manera ai literal 2.4.1.

O.OOs 2O.Os/ rfflZ STOP

V I C H I S = 1.562 V V2|CRn = 45.31 V AVCAO = 43.75 V

Figura 3.3 Descarga del capacitor.

126

Page 132: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

En la figura anterior se observa que se puede considerar que el capacitor se

encuentra totalmente descargado en un tiempo mayor a 3 minutos (180

segundos e acuerdo a la figura) además se observa que se tiene un voltaje de

45 voltios (Referencia V2) en up tiempo un poco mayor a 60 segundos, el cual

puede considerarse aceptable dentro de lo esperado de acuerdo al literal 2.4.1

de acuerdo a la referencia [5].

En la carga del condensador se nota la forma en que se controla la subida del

voltaje y corriente, con lo que se protege a los diodos del rectificador de una

corriente excesiva al no estar presente el circuito de carga.

El circuito de descarga es impprtante ya que de no existir este, el voltaje se

quedaría almacenado en el capacitor, resultando un voltaje peligroso en el

momento de realizar una revisióp al equipo.

127

Page 133: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

3.3.- RESULTADOS DE

GENERACIÓN DEL SPWM.

LOS ALGORITMOS DE LA

Se analizan las formas de onda para los dos algoritmos que se probaron en la

generación de los pulsos para el SPWM, comenzando por las ondas que se

obtienen al generar el SPWM mediante una portadora diente de sierra y luego

las que se obtienen al usar como señal portadora una señal triangular.

3.3.1.- GENERACIÓN CON PORTADORA DIENTE DE SIERRA.

Por medio de un algoritmo ¡mplementado en el microcontrolador como se indicó

en el literal 2.7.1.2 se generaron las ondas del SPWM usando una portadora

diente de sierra, obteniéndose de esta manera anchos de pulsos que son

proporcionales a la amplitud de la senoidal. En la figura 3.4 se muestran las 6

señales que salen desde los opto-acopladores hacia el puente.

fli, -JDQ fDS STOP

Figura 3.4. Pulsos con portadora diente de sierra.

128

Page 134: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

En la figura anterior se muestran desde la parte superior, las señales de cada

fase y a continuación su complemento, cada par de ondas alimenta a un ramal

del inversor. Se puede ver además el desfasamiento que existe entre cada

fase que corresponde a 120° que para la frecuencia actual de 58Hz equivale a

un periodo de 5,78 mS lo cual se muestra con mayor claridad en la figura 3.5.

--ÍDO +- IB.sg a. fD? STOP

UJJ JJJUUU

ti = Z7.36ms t2 = 21.52ms At = -5,84Oms 1/At = 171.2 HE

Figura 3.5. Detalle del desfasamiento de las ondas.

Además en la figura anterior se puede ver como se va formando la onda

senoidal , que en el presente caso está sobremodulada.

Tomando con más detalle los pulsos que se producen tenemos la figura 3.6 en

la que se puede notar una característica del uso de la portadora diente de

sierra, de que todos los pulsos cambian de valor en un punto común que es

cuando la señal diente de sierra cambia desde su valor máximo a cero.

129

Page 135: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Rí__ . _J DO <- 17. ¿ aa ¿DS STOP

IC

Figura 3.6. Detalle de los pulsos.

La figura 3.7 muestra en mayor detalle tres ondas correspondientes a los pulsos

que alimentan a la parte superior de! puente, donde se nota más claramente el

punto común en el cambio del valor de los pulsos.

-li

i i

W

i

|•i

i

ni<>

i i

k

i i , i i i 1 E

1

1

I

_DO

i 1 1

•- 17.4

l i l i

„ .^

\

>oy,

[ i

<• H2

i i i

f

\ 1

t =

1

STOP

i i i

Figura 3-7.Detalle de tres pulsos.

Para obtener la salida que se g.enera luego del puente inversor se puede hacer

la resta de estas señales y comprobar en una primera instancia si se forman las

ondas senoidales deseadas, er\a figura 3.8 se toma la entrada a dos canales

130

Page 136: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

A1, A2 y se muestra dos salidas de los opto-acopladores que van hacia la parte

superior de dos semiconductores y se la resta de las señales.

33 fftZ STDP

ti = 668.Ous t2 = 568.Ous Üt = -tOO.Ous í/At = ÍQ .OOkhte

Figura 3.8 Dos salidas desde los optoacopladores y su resta.

Se nota que al realizar la resta de estas dos señales, por las diferencias que

existen por las características propias de cada uno de los opto-acopladores y

otros elementos, que la resta no es ideal por lo cual existe un pequeño pulso

que distorsiona la señal como se nota en la parte que se encuentra entre los

dos cursores.

Tomando un mayor numero de pulsos en la salida del puente del inversor

alimentado con un voltaje reducido (80 voltios) para una frecuencia de 19Hz en

la figura 3.9 se puede ver como se forman las ondas senoidales, pero

ampliando en la parte inferior unos cuantos pulsos se nota el efecto que tiene la

diferencia entre los componentes nombrada y mostrada en la figura anterior.

131

Page 137: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

5TDP

ti = 7Q.20ms t2 = 2S.BQms. At = -52,6Qms. 1/At = 19.Ql HH

Figura 3.9. Saüda del puente inversora 19Hz.

Usando la característica de detector de picos que posee el osciloscopio, se

pueden ver con mayor claridad en la figura 3.10 los pequeños pulsos que se

introducen en las señales generadas y de igual forma eri la parte inferior se

muestra un detalle de estos pulsos.

ti = 53.4Qms t2 = 8.QG.QUS At = -52.6.Qma 1/At = 19.Ql Hs

Figura 3.10. Salida de| inversor activando detección de picos.

En la figura anterior se nota claramente la distorsión que producen estos picos

en las señales de salida del puente. Por medio de ía figura 3.11 se muestra en

detalle los picos que se tienen a la salida.

132

Page 138: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

. i. i. i _¡_ i. i. i -1

Pk ffíZ STOP

ti = BBS.OUS tZ = = -ÍOO.Ous 1/At = lO.OORHs

Figura 3.11. Detalle de los picos.

Como se muestra anteriormente los picos tienen igual magnitud que los pulsos

que van sintetizando la senoidal, esto es debido principalmente a la diferencia

que existe entre los componentes, aún cuando para esta sección del circuito se

utilizaron opto-acopladores de up mismo lote y resistencias de precisión.

Estos picos introducen componentes de DC ( que son rnás notorios a bajas

frecuencia ) que no permiten uri correcto comportamiento del equipo por lo cual

este método de la generación del SPWM usando una onda diente de sierra se

descarta.

3.3.2.- GENERACIÓN CON PORTADORA TRIANGULAR.

Al usar una señal triangular se obtienen de igual forma seis señales que

alimentaran a los IGBTs que conforman el inversor, teniendo dos señales

complementarias por cada ramal, las mismas que se muestran a continuación

en la figura 3.12.

133

Page 139: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

ji DO +- 3-ssg s.opg/ aa ¿os STOP

ti = 32-SOms tZ = 20 .poma At = -íí,90ms. 1/At = 84.03 HH

Figura 3.12. Señales del SPWM con portadora triangular.

En la figura se muestra como sp va formando la senoidal mediante la variación

de los anchos de pulso, que es el principio del SPWM, además se muestra el

defasaje que existe entre las señales de 120°, equivalente a 11 mS para una

frecuencia de 30Hz.

Tomando el detalle de tres fases en la figura 3.13 se puede analizar de mejor

manera el uso de una portadora triangular.

•Jfc<

1 I

J

1

=•1

,

'

Rlr

i \ i i i i

,

i

\

i

DO

i i

*— ¿

1

.561II

i i

§ soo

1 I 1

^

[

' Id5

i i i i i

•í-Ub

I I

STOP

i i i i

ti = 4.83Oma t2 = S.SBOma At = 1.ISOma 1/At = 869.B

Figura 3.13. Detalle de tres señales.

134

Page 140: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

En detalle se puede observar que los tres pulsos no inician en un punto común

por lo cual se eliminan los pulsqs que se producían al utilizar la portadora diente

de sierra, el ancho de cada uno de los pulsos esta referido al centro de una

onda triangular, por lo tanto para determinar la frecuencia de la portadora se

toma el período que existe entre dos centros de un par de pulsos, así como se

indica en la figura anterior la frepuencia de la portadora es de aproximadamente

870Hz.

Como en el presente caso se rr|antiene constante la frecuencia de la portadora,

al incrementar la frecuencia de la modulante (senoidal), el número de pulsos por

cada ciclo disminuye, por ejemplo, en la figura 3.12 anterior la frecuencia de la

portadora es aproximadamente 29 veces la frecuencia de la modulante, por lo

tanto se cuentan 29 pulsos en cada período de la modulante. Por lo cual para

disminuir el efecto de la no sincronización de las ondas, como se analizó en el

literal 1.6.1, sobre los 48 Hz de la portadora se sube la frecuencia de la

modulante a aproximadamente 1.150Hz. En la figura 3.14 se muestra los

pulsos de salida para 48Hz destacando la frecuencia de la portadora que se

encuentra alrededor de 1.150Hz

Ri, Jj__DQ *- Q.QOs 2.( :fD5 STOP

ti = S.SSGms ±2. ~ 4-S40ms ¿Vt = SBQ.Gus = 1 . 136RHH

Figura 3.14. Pulsos para 48Hz con f portadora de 1.150Hz.

Si se resta los pulsos de salida se obtiene las ondas equivalentes a las que se

obtendrán a la salida del inversor, esto se muestra en la figura 3.15 siguiente.

135

Page 141: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

En la figura anterior se puede potar además el efecto que produce la falta de

sincronización entre la señal rr)odulante y la portadora( analizado en el literal

1.6.1) por lo que ei ancho correspondiente al último pulso de la semi-onda

negativa de la señal formada, es mayor que el ancho del primer pulso de la

semi-onda positiva, notándose que el cruce por cero de la señal modulante está

un poco más a la derecha que el cruce por cero de la señal portadora. En el

caso de tener una sincronización los anchos de los pulsos guardarían simetría

para la parte positiva y para la negativa de la onda formada.

En la figura 3.17 se muestra la salida del inversor en el que se ve que las

señales de salida son equivalentes a las que se obtiene al realizar la resta de

los pulsos, además se puede ver que se tiene el desfasamiento deseado de

120° entre cada fase, que para la señal de 30Hz equivale a 11,11mS lo cual se

confirma en la figura.

OV/ «--2. IOS 5.00§/ ÍD5 STOP

ti = 13.30ms. t2 = 2.2OOms At = -11-ÍOms VAt = 9Q.Q9

Figura 3.17. Salida del inversor a 30Hz.

Con el algoritmo de generación del SPWM usando portadora triangular se

obtienen mejores resultados por lo cual se toma este método para el inversor.

137

Page 142: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

3.4.- PRUEBAS CON CARQA RESISTIVA.

Para determinar el funcionamiento de inversor se procedió a probar el mismo

primeramente con carga resistiva tomando para el efecto primero la mitad de la

carga y luego la carga total, analizando los resultados conforme se van

mostrando las formas de onda.

Para la realización de las pruebas se usó un banco de resistencias que

permiten obtener, media carga y carga total para el inversor.

3.4.1.-MEDIA CARGA

A continuación en la figura 3.18 se muestra las formas de onda del voltaje con

la mitad de la carga para una frecuencia de 30 Hz con un índice de modulación

de 0,53.

VLT4-C

-3548.5 í? ES.5TIME IH MILLISECONDS

34 04-MAR-0B10=37:83

NXT U +FAIR

fi,s; cu -t- i

ADDPOWER

ADD WñUEFRMSETUP

Figura 3.18. Voltajes para 30Hz.

Estas mediciones fueron realizadas con el analizador industrial

POWERMETRIX el mismo que muestra un vaior de voltaje superior al

138

Page 143: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

correspondiente al índice de rr)odulación, esto es debido a que con el fin de

mostrar las formas de onda que se obtienen se tomo una conexión en delta

trifásica de cuatro hilos, en la cual se muestran las tres fases del inversor, pero

el fabricante recomienda otro tipo de conexión para realizar las mediciones en

las que solo aparecen dos fases del inversor [25], como se mostrará más

adelante. Además este equipo está optimizado para trabajar con ondas

senoidales de 60 Hz , por lo tanto la medición del voltaje de 148 voltios no es la

correcta, para contrastar esta medición se usa el analizador industrial FLUKE

41B el cual toma el valor de la fundamental con el cual la medición del voltaje

es de 123 voltios. La diferencia entre las mediciones es más notoria para

frecuencias menores debido a que el FLUKE 41B toma una onda completa

para sus mediciones, en tanto que el equipo POWERMETRIX tiene una base

de 34 ms para poder tomar dos ondas completas en 60 Hz, pero, por ejemplo

en una frecuencia de 15 Hz solamente se toma uno de los semicicios.

Esta medición se toma como aceptable ya que al realizar las mediciones de

voltaje del inversor comercial de la casa WEG, el voltaje que indica este es más

cercano al que se obtiene con el equipo FLUKE 41B que con el equipo

POWERMETRIX, por lo cual por facilidad para la calibración del equipo en

valores de frecuencia y voltaje se usa el primer equipo, en tanto que para tomar

las formas de onda se usa e| segundo ya que son similares a las que se

obtienen con el osciloscopio con la ventaja que es posible visualizar las tres

fases simultáneamente. En el caso de la medición de potencia se usa la

conexión dada por el fabricante [25] y se comprueba que los dos equipos

entregan valores similares.

Las señales de corriente bajo las mismas condiciones de carga y frecuencia

anteriores se muestran a continuación en la figura 3.19.

139

Page 144: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

AMP4A

-55

AI1P4B

AMP4-C

-5

w

OTA,

8.5 1? 25.5TIME IH MILLISECONBS

34

- VA= 166- VB= 163- VC= 159- Vti= 106

.5A=.031DO — __r-K= — —

• IQ=35.43PH/4WIREPHAS-PHAS

LIVE TIME

ACTIVE*F=59.96

04-MAR-0010:37:20

NXT U+IPAIR

A , B ; c i AIXDUOLTAGEl PQ14ER

i PIDDI NEUTRAL

WfiUEFRMSETUP

Figura 3.19. Corrientes para 30Hz.

En las señales de corriente se nota el mismo defasaje de 120° que para el

voltaje entre cada una de las ondas pero se debe considerar que el voltaje es

entre líneas y la corriente es por fase por lo cual existe un desfasamiento de 30°

entra el voltaje y la corriente lo cual se muestra en la figura 3.20.

339

8.5 í? £5.5TIME IN MILLISECONDS

NXT U+I I fl,B,C I fl»DICURRENT! POWER (NEUTRAL

Figura 3.20. Voltaje entre fases y corriente de línea.

Los armónicos que se producen tanto para el voltaje como para la corriente se

muestran en la figura 3.21.

140

Page 145: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

- V A = 16?VB= —

• V C = 167VK= —

-I ¿=.95?IB= —

-IC=1.07

INXT u + i i A , B , C I H A R M N I C I H A R M N I CPAIR ICURKENTlüETAILSI TABLE

Figura 3.21. Armónicos de voltaje y de corriente 30Hz.

Como se puede observar se tiene la frecuencia fundamental y los armónicos

más representativos están alrededor de la frecuencia de la portadora

demostrándose lo que se indicó en la teoría sobre la modulación de ancho de

pulso.

Se observa además que existe otros armónicos que son producidos

principalmente por la falta de sincronización entre la portadora y la modulante,

además al usar el FLUKE 41B se puede observar la existencia de sub-

armónicos, pero el equipo mide menor número de armónicos por lo cual se

tomaron las gráficas anteriores para el análisis.

Se repiten las mediciones realizadas anteriormente pero en este caso con una

frecuencia de GOHz, comenzando por las formas de onda del voltaje de las tres

fases mostradas en la figura 3.2£.

141

Page 146: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

VLT4-A

VLT+B

VLT4C

-3458.5 1? £5.5TIME IH MILLISECONDS

34F=60,09BftT=99X04-MAR-0012:17=37

NXT U+IPAIR U •*•' I

; c | AIXD i AixDPOWER I NEUTRAL

WAUEFRMSETUP

Figura ?.22. Voltajes para 60Hz.

Como se puede observar para 60Hz las ondas presentan sobremodulación para

lograr obtener alrededor de 220 voltios, confirmando lo expuesto en el literal

1.6.2. Por otro lado se puede notar la influencia de la falta de sincronismo entre

la portadora y la modulante ya que se pierde la simetría entre las ondas.

Las correspondientes corrientes de las tres fases son mostradas por la figura

3.23.

AMP+A

-55

AMP+B

-55

AMP4-C

-5

Wtaif

8.5 1? S5.5TIfC IH MILLISECOHDS

34

- V A = 2£4• VB= 222• V C = 222-VH=13.8

-IB=1 ¡UIC=1.21

BR='. &G&5A=.027PR= —

IQ=24.93PH/4UIREPHAS-PHAS

LIVE TIME

#ACTIVE#=68. 05

12:18:16NXT U-t-I 1 A , B , C I

PAIR IUQLTAGE!1 AIXD[NEUTRAL MAUEFRM

SETUP

Figura 3.23. Cqrrientes para 60Hz media carga.

142

Page 147: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Se observa que debido a la sobremodulación presente la corriente tiene mayor

continuidad si se comparan con las corrientes que se obtuvieron a 30 Hz. De

igual manera se muestra en la figura 3.24 un voltaje entre fases y una corriente

de línea.-. VA= £26•- VB= ££4-VC= ££3• VK=19 .9r l A = i . l í

F=60.03AT=99X4-MAR-001£=13:33

S.5 í? £5.5TI(1E IN MILLISECONES

IÑXT I A , B Í C ADDPAIR ICURRENT! PQMER NEUTRAL

Figura 3.24. Voltaje entre fases y corriente de línea.

Nuevamente se puede notar el defasaje que existe entre el voltaje entre fases y

la corriente de línea, esto se puede observar de mejor manera con el diagrama

fasorial de la figura 3.25.

UBC=224.2240^

IB =1.125LEftD 2 12-?PF= 0 . 000

IB

UCA=222.3120*

IC =1.243LEAD 88*PF= 0 . 000

UECTORDIAGFcñM

UBC\

"tñf^ i

NON

1

ic

í - AAME

WftB=224. 40*

I A =1.118LEAB 325*PF= e . 000

LAG

A

UAB

SVSTEMU= 223.61= 1.163PF=e.008

UIEM 1 SET TOREFERNC 1 1 NST ANT

IHPÜT

STftTUS

- VA= £24: VB= ££5.- VC= 2£3• VH=19-6-IA=1M0•• IB-1 .13kIC=I.£6-IN=.6Í4

BR= —5A= ~PR= —IQ= —

3PH/4WIREPHAS-PHAS

AVERAGEDEraea&EiEi

«ACTIVE*F=60.05BAT=99Xí08-nftR-Q008:04:50

MAINMENÚ

Figura 3.25. Diagrama fasorial para 60Hz media carga.

143

Page 148: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

a) Voltajes

AMP+ft

-55

flMPtB

5

-58;5 17 £5.5TIME IH MILLISECDNDS

34

\- Vft= 237~ 243

. ._ £37\- VM=60.9

- Í.Í61.18í .23013

h BR= ;0065ft=.023PR= —

t- IG=53.4

Ift=18=IC=IN=

3PH/4WIREpHAS-PHñs

LIVE TIME

HQtn

04-NAR-0012:41:50

NXT U+I 1 A ^ B ^ C 1PAIR lUOLXAGEl

ADDPOHJCR

1 AD»iNEUTIÍAIi

HAUEFRMSETUP

b) Corrientes

c) Voltaje entre fases y corriente de línea.

Figura 3.28. Formas de onda para 80Hz.

146

Page 149: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

Las formas de onda de ías señales son las esperadas y similares a (as

analizadas anteriormente, notándose que como la frecuencia de la portadora

está alrededor de 1150Hz la relación de frecuencias es de 14,375, por lo cual la

definición que se tiene de ías ondas es baja pero aceptable ya que, como se

tiene sobre modulación no es necesario una definición alta.

3.4.2.-CARGA TOTAL.

Se procede de forma similar para la carga total comenzando de igual forma con

una frecuencia de salida de 30Hz, para la cual se muestran los voltajes de

salida en la figura 3.29.

Vft= 135VE= 139VC= 134VM= 109IA=S.3SIB=£.30IC=2.47IN=.914BR=.080

NXT U+I A,Bt ,C A»I> ADDPAIR \ -fr1 I | POWER | NEUTRAL,

Figura 3.29. Voltajes para 30Hz.

Las formas de onda de! voltaje son similares a las obtenidas para media carga,

por lo cual lo acotado para estas es válido en este caso, las correspondiente

ondas de corriente así como un voltaje entre líneas y una corriente de fase se

muestran en la figura 3.30

147

Page 150: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

10

AMP+A

-1010

AMP-fB

-1010

AMP+C0

-10

ií/JM

8.5 17 £5.5 34TIME IM MILLISECOHDS

VA=VE=yc=lft~IB-IC=

5A=

14814614E

• 1062.58£.56S.53'.014.000.927

•10=33.5

PHAS-PHAS

LIVE TIME

* HQLD *

04-NAR-00

INXT U + I I ft,B* C ftDD \DPAIR | U OLTfl GE I POWER 1 NEUXRftl/

WAUEFJRMSETUP

a) Corrientes.

8.5 17 £5.5TIME IN MILLISECÜNDS

NXT U*I I A , B , CP A I R ICURRENT ( ADDPONER [NEUTRAL

b) Voltaje y corriente,

Figura 3.30. Formas de onda para 30Hz.

Para 52Hz se muestra directamente el voltaje y la corriente en la figura 3.31; en

estas gráficas se puede observar que prácticamente no cambian en su forma,

por lo cual se asume un análisjs similar al de las ondas anteriores para carga

resistiva.

148

Page 151: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

332

4.5

AMP-í-A

-4.5

-98.5 17 £5.5

IN MILLISECONDSNXT U-i-I I C\ Bi C I A D D A I X D

PflIR CLJRRENTI POWER [NEUTRAL

Figura 3.31. Voltaje y corriente para 52Hz.

Para esta frecuencia, con la cafga disponible, se tiene una corriente superior a

la nominal en la salida y la potencia es mayor a la requerida, como lo muestra la

tabla de valores mostrada en la figura 3.32.

StfSTEM 0

'ífl

UOLI 190.9ÑHPS 3.415ue 0.0°16 209.3°

PF -.861PF9 30.6°

NATT -561Ufl 651.9UfiR -290TOTU 225*TOTI 224*T-UA 83.5*

NEU: U: —

JERALL SUMMARVÍB $C SYSTEtt

™ 188,9 189,9— 3,464 3,440

0.0° 300.0°0.0° 90.5°

— -.864 -.9838.0° 30.3° 10.6°

— -565 -1127— 654.5 1146— 80,47 -209,9

y. 223's. y.y 224^ • yy. 83 . 3* 83 . 5*

I =.0135 CNI= 0XUECTOR IIUSPLAV I3-PHASEI SET TO

DIAGRAMlsiGNALS 1 DMM llNSTANT

I - VA= 194N VB= —P - V C = 191u VH= —T - IA=3.45' IE= —S - IC=3.48TriH=.813$ BR= —T 5A= —U PR= ~S IQ= —

3W DELTAFORM 5/1E

AVERAGEDI EKÍ CI

*ACTIVE*F=60.02BAT=99X15~MAR~001£:57:54

MAINMENÚ

Figura 3.32. Mediciones para 52Hz.

149

Page 152: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

La corriente es superior a los 3 A requeridos en la salida, pero el voltaje es

menor a 220 Voltios, obteniendo a la salida una potencia de 1.146KVA superior

a la requerida, estando dentro de los rangos normales de sobrecarga del

equipo. Además el factor de potencia no es uno, debido a que se tiene ondas

distorsionadas, por lo cual se tiene una componente reactiva, aún cuando se

trata de una carga resistiva. En la figura 3.33 se muestran además los

armónicos del voltaje y corriente para estas condiciones.

£4

18

12VLTfA

AMP4-A

8£4

18

12

hll

FUND=131. 0THD =45. 8X

FUND=2.707THD = 3 7 . 6 X

Lliy. 8

DISTORTIOH18 i £0 30 40

HARMONIO MUMBER50

r VA= 192VB= —

- VC= 137VH= —IA=3.41IB= —IC=3.36

IQ=5£.63W DELTAFORM 5/12

AVERAGED

F=60.02BAT=99X15-MAR-0012=59:04

NXT u-*-1 | A , B ; C I H A R M N I C I H A R M N I CPAIR ICURRENT DETAILS| TftBLE

HARMNICSETUP

Figura 3.33. Armónicos de voltaje y corriente para 52Hz

Además se toman las formas de onda de voltaje y de corriente para la entrada

las que se muestran en la figura 3.34. En la que se debe tomar en cuenta el

defasaje, ya que se, mide voltajes entre fases y la corriente de línea, pero lo más

importante es notar que el voltaje de entrada no está distorsionado pero si la

corriente, en la cual se nota los dos picos de corriente que se producen en cada

medio ciclo, demostrándose d^ esta manera que lo que se asumió para el

dimensionamiento de ios diodos en el literal 2.3 es correcto.

150

Page 153: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

£15£16£14.7485.545.735.20.104.900.8£3

u:I :

3.5 17 £5.5TIME IH MILLISECOMDS

34

NXT U-+-I I A , B Í CPAIR |CURREN!

ADDPOWER

\P[NEUTRAL

F=59.99BAT=99X15-MAR-0013:11:43

NAUEFRMSETUP

Figura 3.34. Señales de entrada de voltaje y corriente

Midiendo la distorsión armónipa del voltaje y la corriente se obtienen lo

mostrado por la figura 3.35. en la cual se nota que el voltaje prácticamente no

tiene distorsión, en tanto que la porriente posee armónicos considerables.

34

63

y.4£

VLT-íA

£1

0

84

63

y.42

AMP+A

£1

0

y.DISTORT3

FUND=214.8THD =1.6±X

13OM

NXT U+IPAIR

FUND=3. 434THJ> =127 X

1

i Li. .._•_„.18 ' £0 30 40 59

HARMOHIC NUMEERñ,BiC IHARMNIClHflRMNIC

CURRENT iDETftlLS I TABLE

INPUT

STATUS

- VA= £15- VB= £16- VC= £13- VH= .735' IA=5.56- IB=5.86- IC=5.£5-IH=.183-BR=.000-5A=.031

PR= —'10= .448

3PH/4UIREPHAS-PHAS

AVERAGEDWflBtfHttsEl

*ñCTIVE*FB1

=63.03ftT— 99X5-MAR-003:l£¡£9

HARMNICSETUP

Figura 3.35. Armónicos de voltaje y corriente en la entrada del inversor.

Las mediciones de potencia de entrada se muestran en la figura 3.36,

notándose que, por el método utilizado el voltaje de salida es e! 86% del voltaje

151

Page 154: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

de entrada, por lo cual se debe utilizar la sobremodulación para lograr obtener

valores superiores de voltaje, con lo cual el rendimiento del equipo disminuye.

SVSTEM OUEROX/L SUMMAIW•ifl I'B $C SYSTEH

UOLT 123,6 125.0 123,6 124,1fiMPS 5.568 5.869 5,171 5,543Ue Q . Q ° 240 .2° 119.4°16 183.1° 55.4° 294.5°PF -.628 v.617 -.685 -,999PF9 51.7° 51.9° 52.8° 2.5°WATT -427 -453 -387 -1267Un 688,3 733.4 639,3 1268UfiK -20.6 40.26 34,69 54,33TOTU 2 . 06* 1 . 98* 2 . 26* *TOTI 127* 127* 133* *T-Ufl 38.1* 38.2* 39.8* 0.574*

NEU: H- — I:. 1035 CNI= 2'/.UECTOTt DISPLAV |3-FHftSE 1 SET TO

D I A G R A M SIGNALS I DMM l l N S T A N T

INPUTSTATUS

- VA= 124- VB= 125

VC= 1 £4VN= —

r IA=5.5a- IB=5.92- IC=5.26-IN«.184

BR= ~5A= ~PR= —IG= —

4W DELTADIRECT

AVERAGEDitmws&Kfzi

#flCTIVE#F=60.03BflT=99X15-MAR-9013:13:07

M A I NMENÚ

Figura 3.36, Mediciones para carga total

Se puede notar que las mediciones muestran un factor de potencia cercano a la

unidad, debido a que este analizador mide el factor de potencia de

desplazamiento entre el voltaje y la fundamental de la corriente, pero al medir el

factor de potencia con el analizador de armónicos FLUKE 41B se obtiene un

factor de potencia de 0,6.

152

Page 155: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

3.4.2.- PRUEBAS CON MQTOR.

La principal aplicación que tienen los inversores es la variación de la velocidad

de un motor, por lo cual se realizaron pruebas del inversor aplicando como

carga un motor de inducción jaula de ardilla, mostrándose las formas de onda

de voltaje para 30Hz en la figura 3.37.

VLT4-A

VLT+E

VLT4-C

15915?153188L.£41.301.27.013.000.031

8.5 17 £5.5TIME IN MILLISECONDS 04-MAR-00

13:31=30NXT U-»-1

FftIRA , B; C I ADD TU -*- I I POWER iNEUTftAL

NAUEFRMSETUP

Figura 3.37. Voltajes para 30Hz con motor.

Las formas de onda del voltaje .son similares a las obtenidas anteriormente, por

lo cual lo acotado para estas es válido en este caso, las correspondiente ondas

de corriente así como un voltaje- entre líneas y una corriente de fase se

muestran en la figura 3.38. notando que el desfasamiento que existe entre el

voltaje y la corriente es mayor por tratarse de una carga inductiva. Se puede

notar que la corriente mantiene el desfasamiento de 120° y sobre todo es más

continua, debido a que los bobjnados del motor actúan como filtro pasa bajos,

eliminándose las componentes de la corriente que se encuentran alrededor de

la frecuencia de la portadora, confirmándose de esta manera la eficiencia de

este método para el uso de motores por lo cual es su principal aplicación. En

estas condiciones, se midió que la velocidad se ha reducido a la mitad de su

valor nominal, es decir aproximadamente 870 RPM.

153

Page 156: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

6

AMP+A0

6

AMP+B0

-66

AMP4-C6

-6

v^"Vv^

^X -J

v^

*VVs>

f f*'VȒ p

^rtSV^

1

n v

A /

Av^^yH

^

r-V^rV

^--WS

vVVy.

. '

íVVV

3 8.5 17 £5.5 34TIME IH MILLISECONDS

NXT U+I 1 ñ.B.C 1 ADD | AIXDPAIR IUOLTAGE 1 POWER [NEUTRAL

INPUTSTATUc-

, VA= 169* VB= 169r VC= 169r VM- íesrIA=l.£4

-I Oí Í£7-IH=.047•BR=.800-5A=.831

PR= —

3PH/4UIREPHAS-PHAS

LIVE_TIME

«ACTIVE*F=59.47

04-MAR-S013:31:52

WAUEFRMSETUP

a) Corrientes.

2.5

AMP+A

-E.5

-58.5 17 £5.5TIME IN MILLISECONDS

INXT u-i-i i A,BÍ c IPAIR I C U R R E N T I POWER NEUTRAL

F=59.94BfiT=99X04-MAR-6013:33:£9WftUEFRMSETUP

b) Voltaje y corriente.

Figura 3.38. Formas de onda para 30Hz con motor.

Se repiten las pruebes para una frecuencia de 60 Hz, mostrándose de igual

manera las formas de onda correspondientes que para la frecuencia de 30 Hz

en la figura 3.39, con resultados equivalentes, pero en este caso la velocidad

del motor sube alrededor de la velocidad nominal de 1720 RPM, que para llegar

a este punto ia frecuencia con su correspondiente voltaje fueron subiendo

incrementando en igual proporción la velocidad, notándose así su variación.

154

Page 157: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

IC=1.26IH=.014BR=.5A=.031PR= —IQ=£9.3

a) Voltajes 60Hz.

5

fltlP-W0

-55

flMP*B0

-55

AMP*CS

-5

'i/v " ^

VM

-^

\M^

^

A-^

^vw

^y\,y

(

. . í/**f

X

Í Vr/— - -

<^

^

Nt

?fa.• '\!

,-.

r i

•v^

V

Y/VN

X

V^

V

rtV\.

3 8.5 17 25.5 34TIME IH MILLISECOHDS

NXT U+I 1 A > B , C 1 ADD 1 AD»PAIR JUOLTAGE! PGUER INELJTKAL

INPUT

STATUS

- VA= 234- VB= 235r VC= 23£

VH=?3.7' IA=1 .26"15=1.27rIC=l,26rIH=.014r BR=.000r 5A=.027

PR= —IQ=4£ .7

3PH/4UIREPHAS-PHAS

LIVE TIMEHSlBdSH&l

#ACTIVE*FB0

1

=59.95AT— 99X4-MAR-003:56:33

WAUEFItMSETUP

b) Corrientes 60Hz.

155

Page 158: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

356

AMP4-A

-6

INXT u-n r A,B, c \DPAIH ICLJKRENTI POUEK [NEUTRAL

c) Voltaje y corriente para 60Hz.

Figura 3.39. Formas de onda para carga motor a 60Hz.

Se puede observar que la forma de onda del voltaje se mantiene en tanto que la

corriente se muestra con variapiones sobrepuestas a la onda, mayores a las

que se tenía para 30Hz, esto es debido a que para 60Hz la relación de

frecuencias es menor que para 30Hz, por lo tanto la onda tiene una menor

definición, además se debe tomar en cuenta que para 60Hz se tiene

sobremodulación lo cual afecta en la corriente de salida. Aún cuando existen

estas pequeñas variaciones se observa que el motor sigue actuando como filtro

ya que la forma de corriente es continua, este efecto de filtro sé puede apreciar

en la figura 3.40 de las armónicas de la corriente, observándose la atenuación

de los armónicos de la corriente que, al compararlos por ejemplo con los

armónicos de carga resistiva d^ la figura 3.26 a 60 Hz se nota que en el caso

del motor la componente fundamental es la más representativa y se observa el

efecto de filtro pasa bajo, debido a que la segunda componente no es atenuada

como las de orden superior.

156

Page 159: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

16

12y,

3AMP4A

40

16

í£y,

8AMP4B

40

16

12y.

3AMP-fC

4

0

FUND=1.148- .THD —15 9y -

.1 |..|!.,_,, ¡.I ..L .FUND=1.126

......THD — 15 . 9X -

1...i ••_! 1 1 L.iln^ i.i.l.l. ..... _.

FUND=1-127.THD —14. 9 y .

1.MI .1.1.1 1 1 .Hn... . I...I.L ..^ 8 10 20 30 40 56

DISTORTION HARMONIO NUMBER

NXT U+I 1 fl.BiC IHARMNIC HARMNICPAIR luoLTftGE IDETOILS TABLE

iNPUT

STA

US

- VA= £31* VB= £35k VC= H3£- VH-?6.9^IA=1 .£8'IB=1.£9-IC=1 .36- IN-.814i-BR=.000' 5A=.031

PR= _

• IQ=£9.7

3PH/4MIREPHAS-PHAS

AVERAGED[iftB:>2G£¡EI

ÍACTTVF*

FB01

=60. 07AT=99X4-MAR-003:59:05

HARMNICSETUP

Figura 3.40. Armónicos de la corriente para 60 Hz con motor.

En tanto que los armónicos para el voltaje mostrados por la figura 3.41 se

mantiene que la componente eje la fundamental es la más significativa y que

aparecen componentes alrededor de la frecuencia de la portadora, pero se

comprueba que el motor responde principalmente a la componente

fundamental, ya que para el presente caso a 60 Hz se tiene la velocidad

nominal del motor.

VLT+ft

VLT4B

VLTiC

DISTORTION

18 ' £0 30 40HARMONIO NUMBER

50

£33234£38

• VA=• VB=• VC=

'IA=1.£9-IB=L.19

1 .£8.014.090.023

IC=IN=BR=.5A=.PR= ~IQ=£9.9

3PH/4UIREPHAS-PHAS

AVERAGEE

*ftCTIVE*

F=60.13

04-MAR-0013:59:£3

NXT u+i i O,B;C IHARMNICIHARMNICPAIR ICURRENT l lXETAILS | TfiBLE

HARMNICSETUP

Figura 3.41. Armónicos del voltaje para 60 Hz con motor.

157

Page 160: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

A continuación la figura 3,42 muestra el voltaje y la corriente para una

frecuencia de 80 Hz, a la cual se llega de igual manera.subiendo con pasos de

un hertzio, notándose el incremento proporcional de la velocidad, que al llegar a

80 Hz se llega a aproximadamente 2300 RPM.

353 - V f t = 251VB= —VC= 250VH= —

-IA=.985IB= —

-101.01- I H = . 0 1 3-BR=.Q00

Figura 3.42. Voltaje y corriente para 80Hz con motor.

De igual manera se observa que la corriente es continua, pero que existen

variaciones por la baja definición que se tiene a esta frecuencia.

158

Page 161: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado
Page 162: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

.- Conclusiones

.- Los objetivos del presente trabajo han sido cumplidos, logrando tener

un inversor con voltaje y frecuencia variable de 1KVA de potencia en la salida,

mismo que puede ser utilizado para el control de la velocidad de motores de

inducción.

.- Este sistema es flexible, puede adaptarse a otro tipo de algoritmo para

la generación de las señales del PWM, el cual debe cargarse en la memoria de

programa, respetando las salidas y entradas de las señales de la tarjeta y del

microcontrolador. Dedicando únicamente la tarjeta del módulo SPWM para este

propósito y queda disponible la tarjeta del módulo Interfase para el control

pudiendo mantenerse el mismo programa, considerando las salidas que

proporciona la misma.

\- Debido a que en el inversor se usa un rectificador no controlado con

filtro de entrada, el voltaje prácticamente no se distorsiona, pero la corriente de

entrada es distorsionada debido a la a la presencia del filtro de entrada

capacitivo; siendo en este caso necesario el uso de inductancias en la entrada

del inversor para suavizar los picos de comente [12] y si esto no es suficiente,

es necesario el uso de correctores activos de factor de potencia.

.- El diseño de un inversor, implica mucho más que la generación de los

anchos de pulso; es tan importante la parte de potencia, los circuitos

auxiliares, circuitos de monitoreo y sobre todo el acoplamiento de todas estas

partes, constituye un trabajo que requiere mucho cuidado ya que se trabaja con

voltajes elevados que generan problemas, principalmente de ruidos,

Interferencia Electromagnética, Descargas Estáticas, aislamientos, etc.

.- Los IGBT's prácticamente trabajan sin redes SNUBBERS pero es

importante el uso un capacitor electrolítico que esta directamente en el bus de

Page 163: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

DC en el puente del inversor, éste atenúa el cierre de los contactos del relé,

como se indica en la figura 3,2 ; este cierre representa un dv/dt prácticamente

infinito que si puede dañara los IGBT's.

.- El uso de una onda diente de sierra como portadora, es más fácil de

generar en el microcontrolador ya que existe un punto común para la

comparación con la modulante, pero produce los picos mostrados en el literal

3.3.1, mismos que son prácticamente imposibles de eliminar debido a que: si se

eligen tres optoacopladores con las mismas características se necesitan seis

IGBT's con iguales características, las resistencias usadas para los circuitos de

los optoacopladores y para las compuertas de los IGBT's deben ser iguales y si

todo esto se consigue, las características de diseño del circuito impreso para

cada componente del puente sea tal que permita que las conmutaciones

eliminen los picos que se producen. Lo anterior es difícil de lograr, pero en el

transcurso de la implementación del trabajo se logró pequeñas diferencias que

produjeron picos de menor duración, pero su magnitud fue igual a la del bus de

DC lo que produjo un ruido más difícil de eliminar. Por otro lado, en el caso de

necesidad de reparación del equipo se deben cumplir los mismos

requerimientos anteriores complicando la reposición de algún elemento.

.- El uso de portadora triangular es más complejo de generar en el

microcontrolador, ya que los puntos de comparación con la señal modulante no

son comunes, lo cual implica que se deben ir generando las tres señales

modulantes y la portadora, e ir comparando estas señales al mismo tiempo

siendo necesario un proceso multitarea. Pero las ventajas son evidentes al

obtener mejores resultados como se indicó en el literal 3.3.2.

.- De acuerdo con los resultados que se han obtenido, el

microcontrolador usado es insuficiente para este tipo de aplicaciones. Este

posee una estructura secuencial con la cual se puede realizar una sola tarea a

la vez, por lo tanto, las comparaciones entre la portadora y la modulante se

Page 164: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

hacen una a continuación de la otra. Además el problema del uso del

acumulador para algunas de estas operaciones, introduce retardos que

provocan errores en la generación de las señales. Otra razón por la cual el

microcontrolador es insuficiente, es el problema de la no sincronización de las

ondas; la sincronización es compleja, implica que para cada frecuencia de la

modulante se genere la correspondiente frecuencia de la portadora, que sea

múltiplo exacto. Lo anterior es complicado de ¡mplementar: por la estructura

secuencial del microcontrolador, además los 8 bits con los que opera permite

lograr valores entre O y 255 que resultan insuficientes para generar y sincronizar

tres ondas senoidales con una triangular e ir realizando las comparaciones

entre ellas para obtener las señales del SPWM.

. - A bajas índices de modulación usando portadora triangular se tiene

problemas similares que con el uso de portadora diente de sierra. Esto se

debe a que, para un valor equivalente a cero voltios de la modulante, los

anchos de pulso tienen una relación de trabajo del 50%, que al ser el índice de

modulación bajo, varía en una pequeña proporción para los valores máximos y

mínimos. Estas variaciones son mínimas para valores cercanos al cruce por

cero de la senoidal y comparables con el error que se tiene en la generación,

por lo cual al sumarse no se anulan por completo, generándose picos similares

a los que se obtiene con portadora diente de sierra. Foreste motivo se limita la

frecuencia mínima a 3 Hz, ya que valores menores de frecuencia, necesitan

índices de modulación menores, en cuyo caso los anchos de pulso tienen

menor variación y presenta más problemas de los picos indeseables.

.- Al probar el método de portadora diente de sierra con un motor, se

evidenció que la componente DC del voltaje de salida, producido por los picos

expuestos en el literal 3,3.1, produce vibraciones en el motor. Además para

valores bajos de frecuencia, con índice de modulación bajos, en los valores

cercanos al cruce por cero de la senoidal los picos producidos tienen

duraciones similares a los valores que sintetizan la onda, presentándose en la

Page 165: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

salida un voltaje que positivo y negativo con la amplitud del bus DC, que varía a

la frecuencia de la portadora, lo que puede causar que ios IGBT's se quemen.

.- Recomendaciones

En caso que de aplicaciones del inversor para el control de máquinas,

para medición de la velocidad se recomienda hacer un acondicionador de señalV-

del taco generador, de tal manera que a la velocidad máxima del motor con la

máxima salida de frecuencia se tenga 10 voltios para un sentido de giro y

menos 10 voltios para el otro sentido de giro. Luego en el microcontrolador se

debe escalar el valor de 255 equivalente a 10 voltios y O para -10 voltios en la

entrada, para que en el display se muestre la velocidad en RPM que bajo estas

condiciones posea el motor, esto varía al conectar al inversor a un motor con un

número diferente de polos.

.- Una situación similar se recomienda hacer con la entrada del encoder

óptico, ya que en este caso depende de la resolución que posea el mismo y si

es necesario o no el acondicionamiento de las señales que entrega este de tal

manera que sean compatibles con los niveles TTL de entrada que se dejan a

disposición. Claro esta que, mediante software es posible realizar un programa

que permita la selección del número de polos que posea el motor de tal forma

que el escalamiento se haga de forma automática. De igual forma se puede

realizar un programa que permita configurar el número de pulsos que entrega el

encoder y que su escalamiento sea proporcional a este.

.- El control por medio del computador implica el desarrollo de un

programa tanto en el microcontrolador como en el PC, que incluya la mayor

cantidad de opciones de control y monitoreo desde el PC, de esta forma tener

un control y monitoreo más completo del sistema. Las entradas de la velocidad

además permitirán tener la opción de realizar el control en lazo cerrado de un

Page 166: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

motor de inducción. Estas opciones no se implementaron por que realmente

sale del alcance y objetivo del presente trabajo, que es ei diseño y construcción

de un inversor trifásico con técnica PWM usando IGBT's y no incluye el control

de un motor de inducción por medio del inversor. Sin embargo si se desea

esto, se recomienda realizar un proyecto posterior, con la ventaja de que la

parte física se deja construida; para esto será necesario realizar el

acondicionamiento de las señales y la implementación de un programa para el

microcontrolador y para el PC, de tal manera que realicen estas funciones; que

es la mayor parte del proyecto.

.- Debido a que el voltaje de salida del inversor posee una significativa

cantidad de armónicos, se recomienda tomar esta consideración en el

dimensionamiento del motor en el caso del control de la máquina mediante el

inversor. Si es posible se recomienda el uso de motores diseñados para el uso

con inversores, con los que se obtiene mejores resultados.

.- El ruido que se produce, principalmente por las conmutaciones de los

IGBTs, requieren un tratamiento cauteloso, siguiendo todas las

recomendaciones del fabricante. Al conmutar los IGBTs se producen pulsos de

gran amplitud (Voltaje del bus DC) y corta duración produciendo ruido blanco.

Para eliminar este ruido se debe tratar de eliminar la fuente de ruido, que en

este caso son las conmutaciones d.e los IGBT's, que de acuerdo a

recomendaciones del fabricante se deben colocar capacitores de

desacoplamiento en el bus de DC directamente sobre cada ramal del puente

inversor.

.- Para el diseño de las placas e interconexión de los módulos, se debe

tomar muy en cuenta la interferencia electromagnética, para lo cual se

recomienda el diseño de los circuitos con la menor longitud posible, el uso de

capacitores de desacoplamiento para cada circuito integrado que este en

regímenes de conmutación, tratar de separar en lo posible los circuitos de

Page 167: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

potencia de los de control, cuidar que el aislamiento sea el adecuado para los

niveles de voltaje que se manejan. Además se recomienda que en los circuitos

críticos; como es el manejadorde IGBTs, usar elementos de precisión.

.- Se recomienda tomar mucho cuidado con las masas de los circuitos,

debido a que al probar independientemente un circuito, este funciona

adecuadamente, al acoplarlo con todo el sistema se puede producir un corto

circuito principalmente por el puente rectificador. Si el circuito es aislado de la

parte de potencia se recomienda cuidar-que este aislamiento no se pierda, por

ejemplo, en la comunicación serial el computador interconecta el punto negativo

de la parte digital del circuito con la tierra del computador y este puede cerrarse

con la tierra del equipo, en operación normal no existe ningún problema, pero

en el caso de una falla esta se va a tierra, lo cual puede pasar a través del

computador y por ende dañarlo. Por este motivo se recomienda realizar un

interfase aislado para la comunicación serial para futuros trabajos.

.- La medición de la corriente por el método de la resistencia es muy

ruidoso y no permite tener buena precisión, por lo cual se recomienda el uso de

sensores de efecto Hall, permitiendo además una medición aislada de la parte

de potencia que permite un mejor tratamiento.

.- Se recomienda seguir la siguiente secuencia para las pruebas del

diseño del inversor: primero conseguir las señales del PWM; segundo, mediante

un osciloscopio realizar la resta de dos señales y ver que se produzcan las

señales equivalentes a las que se espera tener en el inversor. Tercero , montar

un puente inversor mediante optoacopladores, colocando en los diodos

emisores las señales que se han generado y en el secundario con los

transistores de los optoacopladores y una fuente aislada de bajo valor, armar un

puente inversor con una carga adecuada, comprobando la generación de las

señales en todo el rango. Cuarto, ingresar estas señales al circuito encargado

de manejar los IGBTs y si el mismo no genera los tiempos muertos necesarios

Page 168: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

.- Se recomienda que para potencias mayores de 3KVA y voltajes

superiores a 220 V, el uso de un manejador diferente al utilizado en el presente

trabajo, ya que de acuerdo a especificaciones deí fabricante estos son sus

límites.

Page 169: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado
Page 170: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

IMÁGENES DEL EQUIPO

Page 171: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

a) Vista general del equipo

Page 172: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

b) Detalle de las tarjetas.

Page 173: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

c) Filtro capacitivo y fuentes.

Page 174: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

d) Detalle del puente inversor Con IGETTs.

Page 175: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

e) Vista lateral y detalle de los IGBTs

Page 176: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

HOJAS DE DATOS IR

Page 177: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

InternationaIQRRectifier

PD 9.1453A

PRELIMINARY IRG4BC30UD

n-channel

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEFeatures• UltraFast: Optimized for high operating

frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode

• Generation 4 IGBT design provides tighterparameter distribution and higher efficiency thanGeneration 3

• IGBT co-packaged with HEXFRED™ uitrafast,ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use inbridge configurations

• Industry standard TO-220AB packageBenefits• Generation -4 IGBT's-offer highest efficiencies

available• IGBT's optimized for specific applicatíon conditions• HEXFRED diodes optimized for performance wiíh

IGBT's . Minímized recovery characteristics requireless/no snubbing

• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalentindustry-standard Generation 3 IR IGBT's

Absoluta Máximum Ratings

UltraFast CoPack IGBT

VCES =600V

VcE(on) typ. = 1-95V

TO-220AB

VCESI c@ TC = 25°C|C@TC=100°C

ICMILMIF@TC=100°C

IFMVGE

P'D@TC = 25°CP D @ T c = 100°CTjTSTG

Parameter

Collector-to-Emitter VoltageContinuous Collector CurrentContinuous Collector CurrentPulsed Collector Current ®Clamped Inductive Load Current®Diode Continuous Forward CurrentDiode Máximum Forward CurrentGate-ío-Emitter VoltageMáximum Power DissipationMáximum Power DissipationOperating Junction andStorage Temperature RangeSolderíng Temperature, for 10 sec.Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.

Max.

600

23

12

92

92

12

92

±20

100

42

-55 to+150

300 (0.063 ín. (1.6mm) from case)10lbf-in(1.1 N-m)

UnitsV

A

V

W

°C

Thermal Resistance

HOJC

ríBJC

R ~~Mecs

ROJA\A/h

Parameterl'nn/^inrt f-^ f^oort ir-QT

iif^/^fTnn i-~ r*oc-^ riT^H^

(^r>f*n l^ C!,- fl^,f n^^oc-^,-1 ourfo^-rt

Junction-to-Ambient, typical socket mount\A/oinhl

Min.

Typ.

—o (c\.

1 9

9 ^

80

Units

opAA/

4/17/97

Page 178: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

IRG4BC30UDInternationalIGRRectifier

Electrical Characteristics @ Tj = 25°C (unless otherwise specified)

V(BR)CES

AV(Bñ)CES/AX

VCE(on)

VQE(th)

AVGE(th)/ATj

9íe

'CES

VFM

'GES

ParameterCoIlector-to-Emitier Breakdown Voltage®Temperature Coeff. of Breakdown VoltageCollector-to-Emitter Saturaíion Voltage

Gaíe Threshold VoltageTemperature Coeff. of Threshold VoltageForward Transconducíance ®Zero Gate Voltage Collector Current

Diode Forward Voltage Drop

Gate-to- Emitter Leakage Current

Min.600

3.0.—

3.1....

"•--

— -

— -____

Typ.—

0,63

1.95

2.52

2.09—

-11

8.6

1.4

1,3

-—

Max.—

_ _ _ _

2.1

6.0—

----

250

2500

1.7

1.6

±100

UnitsV

v/°c

V

mV/°Cs

uA

V

nA

ConditionsVGE = OV, lc = 250uAVGE = OV, lc=1.0mAIC=12A VGE=15VIC = 23A SeeFig. 2,5lc = 12A,Tj = 150°CVCE = VGE, lc=250uAVCE=VGE, Ic = 250uAVCE=100V, IC = 12A

VGE = OV, VCE = 600V

VGE = OV, VCE = 600V, Tj = 1 50°Clc = 12A SeeFig. 13lc = 12A,Tj = 150°CVGE = ±20V

Switching Characteristics = 25°C (unless otherwise specified)

Qg

Qge

Qgc

tdíon)

tr

td(off)

^Eoíf

Ets

td(on)

tr

td(oíf)

t(

Ete

LECíes

Coes

Cres

trr

Irr

Qrr

dí(rec)M/dt

ParameterTotal Gate Charge (turn-on)Gate - Emitter Charge (turn-on)Gate - Collector Charge (turn-on)Turn-On DelayTimeRiseTimeTurn-Off Delay TimeFalITimeTurn-On Swiíching LossTurn-Off Switchíng LossTotal Switching LossTurn-On DelayTimeRiseTimeTurn-Off Delay TimeFalITimeTotal Switching LossInterna! Emitter InductanceInput CapacitanceOutput CapacitanceReverse Transfer CapacitanceDiode Reverse Recovery Time

Diode Peak Reverse Recovery Current

Diode Reverse Recovery Charge

Diode Peak Rate of Fall of RecoveryD u ring tb

Min.—

„,_

™-

— -

— -

„„

— --——

_ _ _ _

——

_ _ _ _

Typ.50

8.1

18

40

21

91

80

0.38

0.16

0.54

40

22

120

180

0.89

7.5

1100

73

14

42

80

3.5

5.6

80

220

180

120

Max.75

12

27

140

130

0.9„_-

_ _ _ _

_™

— -

____

60

120

6.0

10

180

600__„

Units

nC

ns

rrü

ns

mJnH

PF

ns

A

nC

A/ps

ConditionsIC = 12AVcc = 400V SeeVGE = 15VTj = 25°CIC = 12A, VCC = 480VVGE=15V,RG = 23QEnergy losses ínclude

Fig. 8

"tail" anddiode reverse recovery.SeeFig. 9, 10, 11, 18

Tj = 150°C, SeeFiglc = 12A, VCc = 480VVGE=15VJRG = 23QEnergy losses include

.9,10, 11, 18

"tail" anddiode reverse recovery.Measured 5mm from package

VGE = OVVcc = 30V See Fig. 7/=1.0MHzTj = 25°C See Fig.Tj = 125°C 14

Tj = 25°C See Fig.Tj = 125°C 15Tj = 25°C See Fig.Tj = 125°C 16

Tj = 25°C SeeFig.Tj = 125°C 17

IF=12A

VR = 200V

di/dt 200A/ps

Page 179: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

<*?-'

lc ,

CoI

lect

or-í

o-E

mitl

er C

urre

nt (A

)Lo

ad C

urre

nt

(A

T|

(5* ro -g o'

5L O c i-+- T3 C i—

*• O O <— +•

CD -^ en"

r— t- o" O) I ^< "2 o" Bl

H en O ir O I— *•

0

o rn O o_ o o" o" m 3

~D C O> m o -i n:

O I

lc ,

Col

lect

or~t

o-E

m¡t

ier

Cur

rent

(A

)

§ H

S o

ii ^

_ Q

-I

O

i c

3 -n

§ S CD D O

TI

fu C CD

Cu

QO

=r.

CD

Q

JJ O CD O 00 o c o

Page 180: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

IRG4BC30UDInternationaliQRRectmer

CO)

25

20

15

O

ü_cb"oOüQ 10E13

§"x 5(O

25

VfiF = 15V

\0

75 100 125 150

, Case Temperatura (DC)

=15V80us PULSE WIDTH

-60 -40 -20 O 20 40 60 80 100 120 140 160

Tj, Junction Ternperature (°C)

Fig. 4 - Máximum Collector Current vs.Case Ternperature

Fig. 5 -Typical ColIector-to-Em¡tter Voltagevs. Junction Ternperature

10 i=

o

0.1

0.01

SINGLE PULSE•(THERMALRESPQNSE) Notes:

1. Duty factor D = t.. / t_

2. PeakT j=P D M xZ t h j C + T c

0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1

t-j , Rectangular Pulse Duration (sec)1 10

Fig. 6 - Máximum IGBT EffectiveTransientThermal Impedance, Junction-to-Case

Page 181: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

InternationalIGRRectifier IRG4BC30UD

2000

^ 1600LLO.

0)OC 1200

£2oCL

^ 800

o"

400

N

Xc¡

x.\

\

ÍRV

6S

NfifiV

^GE = OV, f = l M H z-'Íes - C ge -f G gc , Cce SHO RTED

3 res = C ge

"x.

<

*%

^*^

•(

S

•s

s,

••

1

•*

"

^

^

• —

\"• fc..l•

cu

"iLU

O

CD

CO

O

O

n

VCE

le

/

/

= 400V- 1?A

//

/_s^

//

//

s

10 100

VCE¡ Coüector-to-Emitter Voltage (V)10 20 30 40 50

Q g j Total Gaíe Charge (nC)

Fig. 7 -Typical Capacitance vs.Collector-to-Emitter Voltage

Fig. 8 - Typical Gate Charge vs.Gate-to-Emitter Voltage

0.60

E 0.58

í/3Q>

C/)O 0.56

O)

¿1Ü^" n KA•> 0.54

(f)

rt"oI— 0.52

VeVGTjle

3 = 4

E =1

= 2

80V5V5°C2A

/

'

/// i/

/'

¿

/

/

O 10 20 30 40 50

R G) Gate Resistance ( O)

60 -60 -40 -20 O 20 40 60 80 100 120 140 160

Tj , Junction Temperature (°C)

Fig. 9 - Typical Switching Losses vs. GateResistance

Fig. 10 - Typical Switching Losses vs.Junction Temperature

Page 182: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

IRG4BC30UDInternationallORRectifier

2.0

*£? 1.6

to

(XI

s 1-2_]

y 0.8>oo

QO 0.41-

RG =23^T j = 150°C —V C c = 4 8 0 VVGE = !5V —

//

//

f

-//f

//1000

^1 10°u§"£ 10LÜ

¿u-^ 1Q 'u

0.1

VGffi

Tj

— J//¿/—

E'*

t

.uv25°

?^

-L

-/

SAFE OP E R<\TING AR EA1

O 10 20 30

Ic , Collector-to-Em¡tter Current (A)

Fig. 11 - Typical Switching Losses vs.ColIector-to-Emitter Current

1 10 100 1000

V C E l C o I I e c t o r - t o - E m i t t e r V o l í a g e (V)

Fig. 12-Turn-OffSOA

oLL-

0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4

Forward Voliage Drop - Vp^ (V)Fig. 13 - Máximum Forward Voltage Drop vs. Instantaneous Forward Current

Page 183: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

InternationallORRectifier IRG4BC30UD

160

120 —>

100 di f /d t - (A/ps)

Fig. 14-Typical Reverse Recovery vs. dif/dt

1000

600

VR = 200VTj= 125T j=25°C

400

Jc

c¿c¿

a200

100di f /dt - (A /ps )

Fig. 16 - Typical Stored Charge vs. dif/dt

1000

100

VR= 200VTj= 125°CTj= 25°C

lo

100d¡ f /d t - (A/ps)

Fig. 15 -Typical Recovery Current vs. dif/dt

1000

10000

2 1000

100

lood i f / d t - (A/ps)

Fig. 17 - Typical di(rec)M/dt vs. dif/dt

1000

Page 184: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

InternationaMRRectifier

DataSheetNo. PD-6.019-G

IR2130/IR21323-PHASE BRIDGE DRIVER

Features• Floating channel desígned for bootstrap operation

Fully operational to +600VTolerant to negative transíení voltagedV/dt ¡mmune

• Gate drive supply range from 10 to 20V• Undervoltage lockout for a!I channels• Over-current shutdown turns off alí six drivers• Independeré half-bridge drivers• Matched propagation delay for all channels• Outputs out of phase with ¡nputs• Cross-conduction prevention logíc

DescriptionThe 1R2130/1R2132 ¡s a hign voltage, high speedpower MOSFET and IGBT driver with three indepen-dent hígh and !ow side referenced ouiput channels.Proprietary HVIC technology enables ruggedizedmonolithic construcíion. Logic ¡nputs are compatiblewith 5V CMOS or LSTTL outputs. A ground-refer-enced operational amplifier provides analog feed-back of bridge current via an external currení senseresistor. A current trip function whích íerminates allsix outputs is also derived from this resistor. An opendrain FAULT signa! indicates ¡f an over-current orundervoltage shutdown has occurred. The outputdrivers feaiure a high pulse current buffer stage de-signad for mínimum driver cross-conduction. Propa-gation delays are matched to simplify use ai highfrequencies. The floaíing channels can be used to

Typical Connection

Product Summary

VOFFSET

VOUT

ton/off(typ.)

600V max.

200mA/420mA

10-20V

675 & 425 ns

Deadtime (typ.) 2.5 ps (IR2130)0.8MS(IR2132)

Packages

drive N-channel power MOSFETs or IGBTs in íhehigh side configuration which opérate up ío 600 volts.

Page 185: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

IR2130/IR2132 InternationalKJRRectifler

Absolute Máximum RatingsAbsolute Máximum Ratings indícate sustained límits beyond which damage to íhe device may occur. AII voltage param-eters are absoluto voltages reíerenced to VSQ- The Thermal Resistance and Power Dissipation ratíngs are measuredunder board mounted and still air conditions, Additional Information ¡s shown in Rgures 50 through 53.

SymbolVai,2,3Vsi,2,3

VH01.2.3

VccVss

VLO 1,2,3VIN

VFLTVCAOVGA-

dVs/dt

PD

RíhjA

TjTS

T,

DefinitionHigh Side Floating Supply VoltageHigh Síde Floating Offset VoltageHigh Síde Floating Outpuí VoltageLow Side and Logic Rxed Supply VoltageLogic G roundLow Side Ouipuí VoltageLogic Input Voltage (HIN1.2.3. LlNl.2,3 & ITRIP)FAULT Ouíput VolíageOperational Amplifíer Output VoliageOperational Amplifíer Inverting Input VoltageAllowable Offset Supply Voliage TransieníPackage Power Dissipaiion @ TA < +25°C (28 Lead DIP)

(28 Lead SOIC)(44 Lead PLCC)

Thermal Resisíance, Junctíon to Ambient (28 Lead DIP)(28 Lead SOIC)(44 Lead PLCC)

Junction TemperatureSíorage Temperature

Lead Temperature (Solderinq, 10 seconds)

Min,-0.3

VB1,2,3-25VS1,2,3-0.3

-0.3Vcc -25

-0.3Vss - 0.3Vss - 0.3VSS - 0.3VSS - 0.3

~——~————-55

Max.625

Vai.2,3 + 0.3Vei.2,3 + 0.3

25Vcc + 0-3Vcc + 0.3Vcc.f0.3Vcc + 0.3

Vcc + 0.3Vcc + 0.3

501.51.62.083

7863150150

300

Un'rts

V

V/ns

w

°c/w

°c

Recommended Operating ConditionsThe InpuVOuípuí logíc timing díagram is shown in Rgure 1. For proper operaüon the device should be used wlthin therecommended condítions. AII voltage parameíers are absolute voltages referenced to VSQ. The Vs offset rating is testedwith all supplies biased at 15V differential. Typical ratings at other bias conditions are shown in Rgure 54.

SymbolVB1,2,3

Vsi.2.3

VHO 1.2.3VccVss

VLO1.2.3

VINVFUTVCAOVCA-TA

DefinitionHigh Side Floating Supply VoltageHigh Side Floating Offset VoltageHigh Side Floating Ouíput VoltageLow Side and Logic Fíxed Supply VolíageLogic G roundLow Side Outpuí VoltageLogic Input Voltage (HIN1 ,2,3, LIN1.2.3 & ITRIP)FAULT Ouíput VoltageOperational Amplífier Output VoltageOperaíional Amplífier Inverting Input VoltageAmbient Temperature

Min.VS1.2.3 + 10

Note 1

VS1 ,2.3

10-5

0

VssVssVssVSS

-40

Max.Vsi.2,3 + 20

600

Vai,2,3

205

VccVss + 5

Vcc55

125

Unrts

V

°c

Noíe 1: Logic Operational for Vs oí (Vso - 5V) to (Vso + 600V). Logic síaíe held for Vs of (Vso - 5V) ío (Vso - VBS).

2

Page 186: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

InternationalUQRteclifierDynamic Electrical CharacteristicsVBIAS (Vcc. Vesi,2,3) = 15V, Vso,i12,3 = Vss. C[_ = 1000eléctrica! characteristics are defined in Figures 3 through 5.

IR2I30/IR2132

unless otherwise specified. The dynamlc

Symbolton

tatf

t

\p

íbl

iflttfltln

tfltelrDT

SR+

SR-

DefinttionTurn-On Propagation DelayTurn-Off Propagation DelayTurn-On Rise TimeTurn-Off Fall TimeITRIP io Ouíput Shutdown Prop. DelayITRIPBIankingTimeITRIP to FAULT Indicaíion DelayInpuí FilterTime (All Six Inpuís)

UN1.2.3 to FAULT Clear TimeDeadtíme (IR2130)

(IR2132)Operationai Amplifier Slew Rate (+)Operaiional Amplifier Slew Rate (-)

Figure111213

1415

—16—

1718181920

Min. Typ. Max.500300_

—400

—335

—6.0

1.30.44.42.4

67542580

35660400

590

3109.0

2.50.86.23.2

850

55012555920—

845—

12.03.71.2——

Units

ns

US

V/ps

TestConditions

V,N = 0&5VVSi,2,3 = Oto600V

V|N.VrTRIP = 0&5V

V|TRÍP = 1V

V:N,V1TR!P = 0&5VV!N=0&5V

V|N,VrrRiP = 0&5V

V]N = 0&5V

Static Electrical CharacteristicsVBIAS (Vcc. VBSI ,2,3) = 15V, VSQJ ,2,3 = Vss and TA = 25°C unless otherwise specified. The VIN, VTH and IIN parametersare referenced io Vss ar)d are applicable to all six logic input leads: HIN1,2,3 & LIN1,2,3. The VQ and IQ parameters arereferenced to Vso,l,2,3and are applicable ío the respective outpuí leads: HO1.2.3 or L01,2,3.

SymbolVIHVIL

vrr,TH4-

VOHVOLILK

IQBSIQCC

IIN+IIN-

IITRIP+IITRIP-

Vesuv-f

VBSUV-

VCGUV+

VCGUV-

^on.FLT

DefinitionLogic "0" Input Voltage (OUT = LO)Logic "1" Input Voltage (OUT= Hl)ITRIP Input Positive Going ThresholdHigh Leve! Ouípuí Vottage, VB]AS - VoLow Leve! Output Voltage, VOOffset Supply Leakage CurrentQuiescent VBs Supply CurreniQuiescent Vcc Supply CurrentLogic "1" Input Bias Current (OUT= Hl)Logic "0" Inpuí Bias Curreni (OUT = LO)"High" ITRIP Bias Curreni"Low" ITRIP Bias CurreniVBs Supply Undervoltage Posiíive GoingThresholdVBS Supply Undervoltage Negative GoingThresholdVcc Supply Undervoltage Positive GoingThresholdVcc Supply Undervoüage Negaiive GoingThresholdFAULT Low On-Resistance

Figure21

22

23

24

25262728

29

3031

3233

34

35

36

37

Min. Typ. Max.2.2

—400

————_

———

—7.5

7.1

8.3

8.0

• —

_

—490

—_

153.0450

22575

—8.35

7.95

9.0

8.7

55

0.8580100

10050304.0650400150

1009.2

8.8

9.7

9.4

75

Units

V

mV

UA

mA

uA

nA

V

n

TestConditions

V|N = ov, IO = OAV|M = 5V,I0 = OAVB = Vs = 600VVlN = OVor5VVIN = OV or 5V

V,N = OVV,N=5V

ITRIP = 5VITRIP = OV

Page 187: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

IR2130/IR2132 TORectirierStatic Electrical Characteristícs - ContinuedVBIAS (Vcc, VBSI .2,3) = 1SV, Vso.1,2,3=Vss and TA = 25°C unless otherwise specifíed.The VIN, VJH and IIN parameíersare referenced to Vss andaré applicable to all six logic ¡nput leads: HlNl.2,3 & LINl,2,3.Tne VQ and lo parameters arereferenced to Vso.1,2,3 and are applicable to ihe respective outpuí leads: HO1,2,3 or LO1,2,3.

Symbol Definition FigureIo+

lo-

VosICA-

CMRRPSRR

VOH.AMPVOL.AMPISRC.AMP

'SRC.AMP

IO+.AMP

IO-.AMP

Output High Shorí Circuit Pulsed Current

Output Low Short Circuit Pulsed Current

Operaíional Amplifer Input Offset VottageCA- Input Bais CurreníOp. Amp. Common Mode Rejection RatioOp. Amp. Power Supply Rejection Raíio

Op. Amp. High Leve! Output VoltageOp. Amp. Low Level Output VolíageOp. Amp. Output Source Current

Op. Amp. Output Sink Current

Operational Amplrfíer Output High ShortCircuit CurrentOperaíionai Amplifier Ouípuí Low ShortCircuit Currení

38

39

4041

4243

444546

47

48

49

Min. Typ. Max.200

420

——6055

5.0—2.3

1.0

— p

: —

250

500

~—

8075

5.2

4.0

2.1

4.5

3.2

:

304.0

——

5.420—

6.5

5.2

Unrts

mA

mVnA

dBV

mV

mA

TestConditionsV0 = OV,V|N=OV

PWslOusV0=15V,V1N=5V

PW<10usVso=VCA-=0.2V

VCA. = 2.5VVso=VGA.=0.1V&5V

VSQ = VCA- = 0.2VVCC=10V&20V

VcA- = OV.Vso = 1VVCA- = 1V, VSO = OVVCA- = OVIVSO = IV

VCA0 = 4VVCA- = IV,VSO = OV

VCA0 = 2VVCA- = OV,VSo = 5V

VCAO = OVVCA- = 5V,VSO = OV

VCAO=5V

Lead Assignments

LTrrLX| 4

LXLXCTLXLTn«:DDDHOLQü

^^ l

FW¡ VSl

HIK1

ORÍ VK

DFH H02

üís VMSST

fTW VKI

CM Hoa

CA- V»

VH»

VBD 101

LO» LOZ

s-g-1

3D36 J

s~»~1H3jy^n~£1IlD~nm33

28 Lead DIP

IR2130/IR2132

1 1 li B S 5 5i E ti y S 3t ?

ríircí ríi ríi w raraLi' —

cn[T

t«i|ÍP

EiFSOTf [ja

E»nwEí

Eo* E*

El

Ogv«

^HOí

^Vaz

a! VBJ§HO)

g-Vfcl

A £ £ 3 3 5

44 Lead PLCC w/o 12 LeadsIR2130J/IR2132J

rH¡ —

di —dddddid

d

"^ - " j

RB5 Vai

HIN1

fTOl VBZ

UfS \K&

ufa vgj

WÜÜT •

CN) rtca

VBD L01

LOS LOZ

"27~|

"al

35 1

»ns,31.1

fáol3D3E]3E1

3D

28 Lead SO1C (Wide Body)IR2130S/IR2132S

Part Number

Page 188: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

InternationalijQRRectifier SR2130/IR2132

Functional BlockDiagram

furr

Lead DefinitionsSymbol Description

HIN1.2.3

UNÍ, 2,3

FAULT

VGCITRIP

CAO

CA-

vssVBI ,2,3HO1.2.3

VS1 ,2,3

LO1.2.3

Vso

Logic inputs for high side gate driver outputs (HO1,2,3), out of phase

Logic inputs for low side gate driver output (LOI ,2,3), ouí of phase

Indicates over-current or undervoltage lockout (low side) has occurred, negative logic

Low side and logic fixed supply

Input for over-currení shutdown

Output of current amplifier

Negative input of current amplifier

Logic ground

High side floating supplies

High side gate drive outputs

High side floating supply returns

Low side gate drive outputs

Low side return and positive input of current amplifier

Page 189: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

IR2130/IR2132Device Information

InternationaliQRRectifíer

Process & Design RuleTransistor CountDie SizeDie Outline

Thickness of Gate OxideConnections Material

First WidthLayer Spacíng

ThicknessMaterial

Second WidthLayer Spacing

ThicknessContact Hole DimensiónInsulatíon Layer Material

ThicknessPassivation Material(1) ThicknessPassivation Material(2) ThicknessMethod of SawMethod of Die BondWire Bond Method

MaterialLeadf ram e M aterial

Die ÁreaLead Plating

Package TypesMaterials

HVDCMOS4.0um700

126X175X26 (mil)

Qfl [s^Pilfg il¡56 Pfe^^s5^BiHffllifpjffWBIHifc

800ÁPoly Silicon

4 pm6 pm

5000ÁAl -Si (Si: 1.0% ±0.1%)

6 pm9 pm

20.000Á8 umXSpmPSG (S¡02)

1.5pmPSG (S¡02)

1.5pmProprietary*Proprieta ry*

Full CutAblebond 84 - 1Thermo Sonic

Au (1.0 mil/ 1.3 mil)CuAg

Pb : Sn (37 : 63)28 Lead PDIP & SOIC / 44 Lead PLCC

EME6300 / MP1 50 / MP1 90Remarks: * Patent Pending

Page 190: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

InternationallORRectifler IR2130/IR2132

HINÍ.2,3

~LTU 1 T

~U U

Figure 1. Input/Output Tímíng Diagram Figure 2. Floating Supply VoltageTransientTest Circuit

¥so%

L1N1.2.3

LOl.2,3 \

H01.2.3 \ OT

Figure 3. De

ITRIP /

FAULT

LOl.2,3

50%

\i T

"X/ N

adtime Waveform

Á

\%

~\— *

^ 50%

DT

Defínitior

UNI^jS

J r 50% 50%j -

\J 1 1 1

' /90% *°%\ Figure 4, Input/Output Switching Time Waveform

/Í0%

vcc

1—1 " 1

w

i * Q HAO

VVSS

Figure 5. Overcurrent Shutdown Switching TimeWaveform Definitions

Figure 6. Diagnostic Feedback Operationai AmplifierCircuit

Page 191: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

IR2130/IR2132 InternationaliDQRRectifier

ovCAO

1SV

AT1 AT2Figure 7. Operational Ampilfier SIew Rate

Measurement

0.2V

Vso

CA-

2. \-

Ok

\

Vss

D CAO

Figure 8. Operational Amplifier Input Offset VoftageMeasurement

CA-

15V

V.,

-QCAO

Measure VCAOI at VSG = 0.1 ViVSo = 5V

(VCA01-0.1V)-(VcA02-5V)CMRR=-20*LOG

4.9V(dB)

Figure 9. Operational Amplifier Common ModeRejection Ratio Meaaurements

CA-

0.2V

20k

V Measure

~n CA°

at VCC = 10V

CC = 20V

VCAO1 - VCAO2PSRR = -20-LOG

Figure 10. Operational Amplifier Power SupplyRejection Ratio Measurements

Page 192: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

.- BIBLIOGRAFÍA

[I] M. Rashid, "Electrónica de Potencia ", Prentice Hall Hispanoamericana S.A.

, 1993.

[2] A. Masar, "Máquinas Eléctricas y Electromecánicas", McGrawHill, 1990.

[3] N. Mohán , W. Robbins , "Power Electronics", John Willey - Sons Ing,

1995.

[4] P. Rivera, "Control de Maquinas Eléctricas", E.P.N. .Quito, 1997.

[5] California University, "Apuntes: facilidades de diseño de accionamientos de

frecuencia variable", 1987.

[6] R, Boylestad I.Nashelsky, "Electrónica Teoría de Circuitos", Prentice Hall

Hispanoamericana.

[7] Alien Bradley, "Una Guía Comprensiva Para Entenderlos Fundamentos de

Motores", Rockwell Automation, 1996.

[8] J. Gonzales, "Introducción a los Microcontroladores", España, Me. Graw-

Hill.1992.

[9] V. Martínez , "Desarrollo y Programación de Sistemas Digitales", Addison-

Wesley Iberoamericana, 1993.

[10] International Rectifier, "Control Integrated Circuits", Intematinal Rect'rfier,

1996.

[II] International Rectifier, " IGBT Design Guide", International Rectifier, 1998.

Page 193: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

[12] G. Casaravilla, "Seminario: Control de Velocidad de Motores de Comente

Alterna ", Instituto de Ingeniería Eléctrica, Uruguay, 1997.

[13] International Rect'rfier, "Power Semiconductors", Internatinal Rect'rfier, 1995.

[14] INTEL, "Embebed Microcontrollers", INTEL, 1996

[15] National Semiconductor, "Linear Applications Handbook", National

Semiconductor, 1994

[16] National Semiconductor, "CMOS Databook", National Semiconductor, 1978

[17] MAXIM, "New Releases Databook", MAXIM, 1995.

[18] J. Balcells, F. Daura, R. Esparza, R. Pallas, "Interferencias

Electromagnéticas en Sistemas Electrónicos", Atfaomega-Marcombo, 1992.

[19] OPTREX Corporation, "Liquid Cristal Display", OPTREX Corporation, 1998.

[20] Electrónica y Computadores, "Interfase Sería RS-232", CKIT Año1, #2,

1998.

[21] Electrónica y Computadores, "Adquisición de Datos por el Puerto Paralelo

de un PC", CKIT Año1, #3, 1998.

[22] Philips, "E.C.G", Philips, 1998.

[23] Electrónica y Computadores, "IGBT's Transistores Bipolares de Compuerta

Aislada", CKIT Año1, #12, 1998.

Page 194: ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL Facultad de …bibdigital.epn.edu.ec/bitstream/15000/9242/3/T1571.pdf · Tesis previa a la obtención del título de: ... semiconductores seleccionado

[24] K. Billings, "Swftch Mode Power Supply Handbook", McGrawHill, 1989.

[25] POWERMETRIX Corporation, " Powermate Operator's Manual" ,

POWERMETRIX Corporation, 1995.

[26] FLUKE, " 41B PowerHarmonios Analyzeruser's Manual", FLUKE, 1995

[27] O. Cerón, "Circuitos Eléctricos", E.P.N. 1990.

[28] B. Williams, "Power Electronics: Devices Drivers Applications", McMillan

Press.1.992