Lgica de Inyeccin IntegradaLgica de Inyeccin Integrada

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Lgica de Inyeccin Integrada:En la Lgica de Inyeccin Integrada o IL la celda bsica est constituida por transistores de unin bipolar. Presenta la ms alta densidad de integracin bipolar, con mucho menor consumo que TTL. No se necesitan islas de aislamiento y como muchas de las interconexiones entre elementos se realizan internamente a travs de las regiones P y N de la pastilla desiliciola densidad de circuitos que se pueden obtener superan a la tecnologa MOSFET, es adecuada para integracin a gran escala (IGE).

Contenido[ocultar] 1Caractersticas de las IL para poder ser usados en IGE 1.1Celda bsica 2Funciones lgicas usando circuitos I 2L 3Interfase IL y TTL 4Ventajas y desventajas de los IL 5FuenteCaractersticas de las IL para poder ser usados en IGEEl proceso tecnolgico de fabricacin debe ser lo ms simple posible para que brinde un rendimiento aceptable. La celda bsica (compuerta) debe ser simple y lo ms compacta posible , para poder integrar gran cantidad de ellas en una misma pastilla. El productopotencia- demora debe ser tal que cuando se opere a unafrecuenciarazonable no provoque disipacin excesiva.Celda bsicaConsiste en:Un transistor multicolector NPNUn transistor PNPEltransistornpn multicolector es vertical, funciona como inversor, mientras que el pnp es lateral y realiza la inyeccin de corriente. No se requieren de resistencias elevadas y la base del npnmulticolector es comn al colector del inyector pnp lateral. Como resultado se obtiene que una puerta I 2L ocupa el rea de un solo transistor multiemisor de la Familia lgica TTL.

Funciones lgicas usando circuitos I 2LCon los circuitos IL se puede realizar cualquier funcinlgicaa pesar de actuar como inversores. Ejemplo funciona NOR: consiste en efectuar una conexin cableada de los colectores de los transistores npn.Interfase IL y TTLEl acoplamiento de un circuito IL a un circuito TTL se puede realizar al conectar una resistencia externa en el terminal de salida del circuito integrado IL, alimentndola con + 5v. Cuando en la salida IL existe el estado 0, eltransistorde salida se encontrar saturado y le entregar la tensin adecuada aproximadamente 0,1 v a la entrada TTL; s por el contrario en la salida IL existe el estado 1, el transistor estar cortado y en la entrada TTL aparecer aproximadamente un nivel de 5v , adecuado para circuitos TTL.

Ventajas y desventajas de los ILLa ventaja fundamental de los circuitos IL en comparacin con otras familias bipolares es la pequea rea de silicio que ocupa en el circuito integrado debido a la compacta estructura que presenta su celda bsica. Baja potencia de disipacin. Esta potencia es proporcional a la corriente promedio Icc inyectada por la fuente de alimentacin al circuito integrado. S se elige adecuadamente el valor de la resistencia RX se pueden bajar los tiempos de conmutacin as como reducir los valores de potencia disipada.

Lgica IL

La velocidad de los circuitos IL aunque no alcanza las velocidades de los circuitosECLo Schottky TTL, no es de las peores. Del funcionamiento de los circuitos IL se puede apreciar que los niveles lgicos internos al circuito integrado correspondern a Vce(sat) y Vbe, es decir, 0,1 y 0,7 aproximadamente .Por esto, los mrgenes de ruido son pequeos comparados con otras familias lgicas. La tecnologa IIL fue desplazada finalmente por la tecnologa de los transistores MOS

Fuente Microelectronics, Jacob Millman, 1979 Electrnica Digital. Julio Daz Calvo. Editorial Pueblo y Educacin, 1989 Circuitos Electrnicos Digitales II, Elas Muoz Merino,Editorial Pueblo y Educacin, 198