バイパス機能付き広帯域 lna gaas mmic - njrnjg1152ka1 ver.2018 -03 14 - 1 -...

NJG1152KA1

- 1 - Ver.2018-03-14

バイパス機能付き広帯域 LNA GaAs MMIC

概要外形 NJG1152KA1 は、地上波放送での使用を主目的としたバイ

パス機能付き広帯域低雑音増幅器(LNA)です。

動作周波数 40~900MHz において、高利得、低 NF を実現し

ました。ESD 保護素子を内蔵しており、高 ESD 耐圧を有しま

す。

パッケージには、鉛フリー、RoHS 指令、ハロゲンフリーに

対応した FLP6-A1 を採用しました。

アプリケーション

地上波放送用途のデジタルＴＶ及びセットトップボックスなど

特徴

動作周波数 40~900MHz

パッケージ FLP6-A1 (Package size: 1.6x1.6x0.55mm typ.)

[ LNA モード, 50: 電源電圧 3.3V ]

動作電流 20mA typ.

利得 18.0dB typ.

雑音指数 1.2dB typ. @f=40~150MHz

0.9dB typ. @f=150~900

[ Bypass モード, 50: 電源電圧 0V ]

挿入損失 1.0dB typ.

2 次相互変調歪み 75dB typ.

3 次相互変調歪み 85dB typ.

端子配列

真理値表 “H”=VCTL(H)“L”=VCTL(L)

注: 本資料に記載された内容は予告なく変更することがありますので、ご了承下さい。

VCTL LNA Bypass 動作状態

H ON OFF LNA モード

L OFF ON Bypass モード

34

5

6

2

1

VCTL

Bias

Circuit

Logic

Circuit

GND

RFIN RFOUT2

RFOUT1

GND

1pin Index

(Top View) 端子配列

1. RFOUT1

2. GND

3. RFOUT2

4. RFIN

5. GND

6. VCTL

NJG1152KA1

NJG1152KA1

- 2 -

絶対最大定格

Ta=+25°C, Zs=Zl=50

項目記号条件定格単位

電源電圧 VDD 5.0 V

切替電圧 VCTL 5.0 V

入力電力 PIN VDD=3.3V +10 dBm

消費電力 PD 4 層(74.2x74.2mm スルーホール有)

FR4 基板実装時, Tj=150°C 580 mW

動作温度 Topr -40~+85 °C

保存温度 Tstg -55~+150 °C

電気的特性 1 (DC 特性) VDD=3.3V, Ta=+25°C, 回路は指定の外部回路による

項目記号条件最小標準最大単位

電源電圧 VDD 2.3 3.3 3.6 V

切替電圧(High) VCTL(H) 1.3 1.8 3.6 V

切替電圧(Low) VCTL(L) 0.0 0.0 0.5 V

動作電流 1 IDD1 RF OFF, VCTL=1.8V - 20 45 mA

動作電流 2 IDD2 RF OFF, VCTL=0V - 17 35 μA

切替電流 ICTL RF OFF, VCTL=1.8V - 6 20 μA

NJG1152KA1

- 3 -

電気的特性 2 (RF 特性: LNA モード, 50)

VDD=3.3V, VCTL=1.8V, freq=40~900MHz, Ta=+25°C, ZS=Zl=50, 回路は指定の外部回路による


小信号電力利得 1 Gain1 基板, コネクタ損失除く ※1 15.0 18.0 20.0 dB

利得偏差 1 Gflat1 - 1.0 2.0 dB

雑音指数 1_1 NF1_1 freq=40 to 150MHz,

基板, コネクタ損失除く ※2 - 1.2 2.0 dB

雑音指数 1_2 NF1_2 freq=150 to 900MHz, Exclude PCB & connector losses (Note2)

- 0.9 1.4 dB

1dB 利得圧縮時

入力電力 1 P-1dB(IN)1 -10.0 -5.0 - dBm

入力 3 次インター

セプトポイント 1 IIP3_1

f1=freq, f2=freq+100kHz, PIN=-20dBm

+0.0 +7.0 - dBm

2 次相互変調歪み 1 IM2_1 f1=200MHz, f2=500MHz, fmeas=700MHz, PIN1=PIN2=-15dBm

18.0 28.0 - dB


35.0 45.0 - dB

アイソレーション 1 ISL1 15.0 19.0 - dB

RF IN VSWR1 VSWRi1 - 2.5 4.0 -

RF OUT VSWR1 VSWRo1 - 1.5 2.4 -

※1 入出力側基板、コネクタ損失: 0.014dB(40MHz), 0.088dB(620MHz), 0.121dB(900MHz)

※2 入力側基板、コネクタ損失: 0.007dB(40MHz), 0.044dB(620MHz), 0.060dB(900MHz)

NJG1152KA1

- 4 -

電気的特性 3 (RF 特性: Bypass モード, 50)

VDD=3.3V, VCTL=0V, freq=40~900MHz, Ta=+25°C, ZS=Zl=50, 回路は指定の外部回路による


挿入損失 2 LOSS2 基板, コネクタ損失除く ※1 - 1.0 3.0 dB

1dB 利得圧縮時

入力電力 2 P-1dB(IN)2 +8.0 +15.0 - dBm

入力 3 次インター

セプトポイント 2 IIP3_2

f1=freq, f2=freq+100kHz, PIN=-2dBm

+22.0 +30.0 dBm


60.0 75.0 - dB


70.0 85.0 - dB

RF IN VSWR2 VSWRi2 - 1.5 2.5 -

RF OUT VSWR2 VSWRo2 - 1.5 2.5 -

※1 入出力側基板、コネクタ損失: 0.014dB(40MHz), 0.088dB(620MHz), 0.121dB(900MHz)

電気的特性 4 (RF 特性: LNA モード, 75) VDD=3.3V, VCTL=1.8V, freq=40~900MHz, Ta=+25°C, ZS=Zl=75, 回路は指定の外部回路による


小信号電力利得 3 Gain3 基板、コネクタ損失除く - 18.0 - dB

RF IN VSWR3 VSWRi3 - 2.0 - -

RF OUT VSWR3 VSWRo3 - 2.0 - -

電気的特性 5 (RF 特性: Bypass モード, 75) VDD=3.3V, VCTL=0V, freq=40~900MHz, Ta=+25°C, ZS=Zl=75, 回路は指定の外部回路による


挿入損失 4 LOSS4 基板、コネクタ損失除く - 1.5 - dB

複合 2 次歪み 4 CSO4 132channels, CW, PIN=+15dBmV

- 80 - dBc

複合 3 次歪み 4 CTB4 132channels, CW, PIN=+15dBmV

- 80 - dBc

RF IN VSWR4 VSWRi4 - 2.0 - -

RF OUT VSWR4 VSWRo4 - 2.0 - -

NJG1152KA1

- 5 -

端子情報

番号端子名機能説明

1 RFOUT1

LNA モードにおける RF信号出力端子です。

この端子は LNA およびロジック回路の電源電圧供給端子も兼ねています。

外部回路図に示す L1 を介して電源電圧を供給して下さい。

2 GND 接地端子(0V)です。端子近傍で接地電位に接続して下さい。

3 RFOUT2

Bypass モードにおける RF 信号出力端子です。

外部回路図に示す DC ブロッキングキャパシタ C2 を介して RFOUT1 端子

と接続して下さい。

4 RFIN RF 信号入力端子です。

外部回路図に示す DC ブロッキングキャパシタ C1 を接続して下さい。

5 GND 接地端子(0V)です。端子近傍で接地電位に接続して下さい。

6 VCTL

切替電圧供給端子です。

この端子に”High”の電圧を印加した場合には LNA モードに

”Low”の電圧を印加した場合には Bypass モードになります。

NJG1152KA1

- 6 -

特性グラフ (LNA モード, 50)

共通条件: VDD=3.3V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による

-30

-20

-10

0

10

20

-40 -30 -20 -10 0

Po

ut

(dB

m)

Pin (dBm)

P-1dB(IN)=-4.8dBm

Pout

Pout vs. Pin(freq=620MHz)

14

15

16

17

18

19

0

20

40

60

80

100

-40 -30 -20 -10 0

Ga

in (

dB

)

IDD (

mA

)

Pin (dBm)

Gain

IDD

Gain, IDD vs. Pin(freq=620MHz)

P-1dB(IN)=-4.8dBm

-80

-60

-40

-20

0

20

40

-40 -30 -20 -10 0 10

Po

ut,

IM

3 (

dB

m)

Pin (dBm)

Pout

IM3

Pout, IM3 vs. Pin(f1=620MHz, f2=f1+100kHz)

IIP3=+7.9dBm

OIP3=+25.8dBm

-15

-10

-5

0

5

0 200 400 600 800 1000

P-1dB(IN) vs. frequency(freq=40~900MHz)

P-1

dB

(IN

) (d

Bm

)

frequency (MHz)

6

8

10

12

14

16

18

20

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

0 500 1000 1500

Ga

in (

dB

)

NF

(d

B)

frequency (MHz)

NF

Gain

NF, Gain vs. frequency(freq=40~1500MHz)

(Exclude PCB, Connector Losses)

5

10

15

20

25

30

0 200 400 600 800 1000

IIP3, OIP3 vs. frequency(f1=40~900MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-20dBm)

IIP

3,

OIP

3 (

dB

m)

frequency (MHz)

OIP3

IIP3

NJG1152KA1

- 7 -



0

5

10

15

20

25

0 500 1000 1500

RF IN Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz)

RL

i (d

B)

frequency (MHz)

0

5

10

15

20

25

0 500 1000 1500

RF OUT Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz)

RL

o (

dB

)

frequency (MHz)

0

5

10

15

20

25

30

35

40

0 500 1000 1500

Reverse Isolation vs. frequency(freq=40~1500MHz)

ISL

(d

B)

frequency (MHz)

NJG1152KA1

- 8 -



S11, S22 S21, S12

VSWRi, VSWRo Zin, Zout

S11, S22 50MHz to 20GHz S21, S12 50MHz to 20GHz

NJG1152KA1

- 9 -


共通条件: VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による

0

1

2

3

4

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

NF vs. VDD

NF

(d

B)

VDD (V)

620MHz

40MHz

10

15

20

25

30

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

Gain vs. VDD(freq=620MHz)

Ga

in (

dB

)

VDD (V)

-5

0

5

10

15

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

IIP3 vs. VDD(f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-20dBm)

IIP

3 (

dB

m)

VDD (V)

-10

-8

-6

-4

-2

0

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

P-1dB(IN) vs. VDD(freq=620MHz)

P-1

dB

(IN

) (d

Bm

)

VDD (V)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

IM2 vs. VDD(f1=200MHz, f2=500MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=-15dBm)

IM2

(d

B)

VDD (V)

0

20

40

60

80

100

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0


IM3

(d

B)

VDD (V)

NJG1152KA1

- 10 -



0

10

20

30

40

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

IDD vs. VDD(RF OFF)

IDD (

mA

)

VDD (V)

0

5

10

15

20

25

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

RF IN Return Loss vs. VDD(freq=620MHz)

RL

i (d

B)

VDD (V)

0

5

10

15

20

25

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

RF OUT Return Loss vs. VDD(freq=620MHz)

RL

o (

dB

)

VDD (V)

10

15

20

25

30

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

Reverse Isolation vs. VDD(freq=620MHz)

Re

ve

rse

Is

ola

tio

n (

dB

)

VDD (V)

0

4

8

12

16

20

0 5 10 15 20

K factor vs. frequency(freq=50MHz~20GHz)

VDD 2.0V

VDD 3.3V

VDD 4.0V

K f

ac

tor

frequency (GHz)

NJG1152KA1

- 11 -


共通条件: VDD=3.3V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による

-8

-6

-4

-2

0

-40 -20 0 20 40 60 80 100

P-1dB(IN) vs. Temperature(freq=620MHz)

P-1

dB

(IN

) (d

Bm

)

Temperature (oC)

4

6

8

10

12

-40 -20 0 20 40 60 80 100

IIP3 vs. Temperature(f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-20dBm)

IIP

3 (

dB

m)

Temperature (oC)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

-40 -20 0 20 40 60 80 100

IM2 vs. Temperature(f1=200MHz, f2=500MHz, fmeas=700MHz, Pin1=Pin2=-15dBm)

IM2

(d

B)

Temperature (oC)

0

20

40

60

80

100

-40 -20 0 20 40 60 80 100


IM3

(d

B)

Temperature (oC)

0

1

2

3

4

-40 -20 0 20 40 60 80 100

NF vs. Temperature

NF

(d

B)

Temperature (oC)

620MHz

40MHz

10

15

20

25

30

-40 -20 0 20 40 60 80 100

Gain vs. Temperature(freq=620MHz)

Ga

in (

dB

)

Temperature (oC)

NJG1152KA1

- 12 -



0

5

10

15

20

25

-40 -20 0 20 40 60 80 100

RF IN Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz)

RL

i (d

B)

Temperature (oC)

0

5

10

15

20

25

-40 -20 0 20 40 60 80 100

RF OUT Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz)

RL

o (

dB

)

Temperature (oC)

10

15

20

25

30

-40 -20 0 20 40 60 80 100

Reverse Isolation vs. Temperature(freq=620MHz)

Re

ve

rse

Is

ola

tio

n (

dB

)

Temperature (oC)

0

10

20

30

40

-40 -20 0 20 40 60 80 100

IDD vs. Temperature(RF OFF)

IDD (

mA

)

Temperature (oC)

0

5

10

15

20

25

30

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0


Ta -40oC

Ta +25oC

Ta +85oC

IDD (

mA

)

VCTL (V)

0

4

8

12

16

20

0 5 10 15 20

K factor vs. frequency(freq=50MHz~20GHz)

Ta -40oC

Ta +25oC

Ta +85oC

K f

ac

tor

frequency (GHz)

NJG1152KA1

- 13 -

特性グラフ (Bypass モード, 50)

共通条件: VDD=3.3V, VCTL=0V, Ta=25°C, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による

0

1

2

3

4

5

6

7

0 500 1000 1500

Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz)

Lo

ss

(d

B)

frequency (MHz)


0

1

2

3

4

5 0

10

20

30

40

50

-20 -10 0 10 20

Lo

ss

(d

B)

IDD (

mA

)

Pin (dBm)

Loss

IDD

Loss, IDD vs. Pin(freq=620MHz)

P-1dB(IN)=+14.4dBm

-30

-20

-10

0

10

20

-20 -10 0 10 20

Po

ut

(dB

m)

Pin (dBm)

P-1dB(IN)=+14.4dBm

Pout

Pout vs. Pin(freq=620MHz)

-100

-80

-60

-40

-20

0

20

40

-30 -20 -10 0 10 20 30 40

Po

ut,

IM

3 (

dB

m)

Pin (dBm)

Pout

IM3

Pout, IM3 vs. Pin(f1=620MHz, f2=f1+100kHz)

IIP3=+34.4dBm

OIP3=+33.6dBm

5

10

15

20

25

0 200 400 600 800 1000

P-1dB(IN) vs. frequency(freq=40~900MHz)

P-1

dB

(IN

) (d

Bm

)

frequency (MHz)

20

25

30

35

40

45

0 200 400 600 800 1000

IIP3, OIP3 vs. frequency(f1=40~900MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-2dBm)

IIP

3,

OIP

3 (

dB

m)

frequency (MHz)

OIP3

IIP3

NJG1152KA1

- 14 -



0

5

10

15

20

25

0 500 1000 1500

RF IN Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz)

RL

i (d

B)

frequency (MHz)

0

5

10

15

20

25

0 500 1000 1500

RF OUT Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz)

RL

o (

dB

)

frequency (MHz)

NJG1152KA1

- 15 -


共通条件: VDD=3.3V, VCTL=0V, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による

S11, S22 S21, S12

VSWRi, VSWRo Zin, Zout

S11, S22 50MHz to 20GHz S21, S12 50MHz to 20GHz

NJG1152KA1

- 16 -


共通条件: VCTL=0V, Ta=25°C, Zs=Zl=50, 回路は指定の外部回路による

0

1

2

3

4

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

Loss vs. VDD(freq=620MHz)

Lo

ss

(d

B)

VDD (V)

0

5

10

15

20

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

P-1dB(IN) vs. VDD(freq=620MHz)

P-1

dB

(IN

) (d

Bm

)

VDD (V)

20

25

30

35

40

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

IIP3 vs. VDD(f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-2dBm)

IIP

3 (

dB

m)

VDD (V)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0


IM2

(d

B)

VDD (V)

0

20

40

60

80

100

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0


IM3

(d

B)

VDD (V)

NJG1152KA1

- 17 -



0

5

10

15

20

25

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

RF IN Return Loss vs. VDD(freq=620MHz)

RL

i (d

B)

VDD (V)

0

5

10

15

20

25

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

RF OUT Return Loss vs. VDD(freq=620MHz)

RL

o (

dB

)

VDD (V)

0

10

20

30

40

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

IDD vs. VDD(RF OFF)

IDD (

uA

)

VDD (V)

NJG1152KA1

- 18 -



0

5

10

15

20

-40 -20 0 20 40 60 80 100

P-1dB(IN) vs. Temperature(freq=620MHz)

P-1

dB

(IN

) (d

Bm

)

Temperature (oC)

20

25

30

35

40

-40 -20 0 20 40 60 80 100

IIP3 vs. Temperature(f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-2dBm)

IIP

3 (

dB

m)

Temperature (oC)

0

1

2

3

4

-40 -20 0 20 40 60 80 100

Loss vs. Temperature(freq=620MHz)

Lo

ss

(d

B)

Temperature (oC)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

-40 -20 0 20 40 60 80 100


IM2

(d

B)

Temperature (oC)

0

20

40

60

80

100

-40 -20 0 20 40 60 80 100


IM3

(d

B)

Temperature (oC)

NJG1152KA1

- 19 -



0

5

10

15

20

25

-40 -20 0 20 40 60 80 100

RF IN Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz)

RL

i (d

B)

Temperature (oC)

0

5

10

15

20

25

-40 -20 0 20 40 60 80 100

RF OUT Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz)

RL

o (

dB

)

Temperature (oC)

0

10

20

30

40

-40 -20 0 20 40 60 80 100


IDD (

uA

)

Temperature (oC)

NJG1152KA1

- 20 -



6

8

10

12

14

16

18

20

0 500 1000 1500

Gain vs. frequency(freq=40~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)

Ga

in (

dB

)

frequency (MHz)


0

5

10

15

20

25

0 500 1000 1500

RF IN Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)

RL

i (d

B)

frequency (MHz)

0

5

10

15

20

25

0 500 1000 1500

RF OUT Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)

RL

o (

dB

)

frequency (MHz)

NJG1152KA1

- 21 -



10

15

20

25

30

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

Gain vs. VDD(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

Ga

in (

dB

)

VDD (V)

0

5

10

15

20

25

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

RF IN Return Loss vs. VDD(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

RL

i (d

B)

VDD (V)

0

5

10

15

20

25

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

RF OUT Return Loss vs. VDD(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

RL

o (

dB

)

VDD (V)

NJG1152KA1

- 22 -



10

15

20

25

30

-40 -20 0 20 40 60 80 100

Gain vs. Temperature(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

Ga

in (

dB

)

Temperature (oC)

0

5

10

15

20

25

-40 -20 0 20 40 60 80 100

RF IN Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

RL

i (d

B)

Temperature (oC)

0

5

10

15

20

25

-40 -20 0 20 40 60 80 100

RF OUT Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

RL

o (

dB

)

Temperature (oC)

NJG1152KA1

- 23 -



0

1

2

3

4

5

6

7

0 500 1000 1500

Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)

Lo

ss

(d

B)

frequency (MHz)


0

5

10

15

20

25

0 500 1000 1500

RF IN Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)

RL

i (d

B)

frequency (MHz)

0

5

10

15

20

25

0 500 1000 1500

RF OUT Return Loss vs. frequency(freq=40~1500MHz, Zs=Zl=75ohm)

RL

o (

dB

)

frequency (MHz)

NJG1152KA1

- 24 -



0

1

2

3

4

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

Loss vs. VDD(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

Lo

ss

(d

B)

VDD (V)

0

5

10

15

20

25

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

RF IN Return Loss vs. VDD(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

RL

i (d

B)

VDD (V)

0

5

10

15

20

25

2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

RF OUT Return Loss vs. VDD(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

RL

o (

dB

)

VDD (V)

NJG1152KA1

- 25 -



0

1

2

3

4

-40 -20 0 20 40 60 80 100

Loss vs. Temperature(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

Lo

ss

(d

B)

Temperature (oC)

0

5

10

15

20

25

-40 -20 0 20 40 60 80 100

RF IN Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

RL

i (d

B)

Temperature (oC)

0

5

10

15

20

25

-40 -20 0 20 40 60 80 100

RF OUT Return Loss vs. Temperature(freq=620MHz, Zs=Zl=75ohm)

RL

o (

dB

)

Temperature (oC)

NJG1152KA1

- 26 -

Parts List

Parts ID Manufacture

L1 TAIYO-YUDEN HK1608 Series

L2 TAIYO-YUDEN HK1005 Series

C1~C4 MURATA GRM15 Series

R1, R2 KOA RK73 Series

34

5

6

2

1

VCTL

Bias

Circuit

Logic

Circuit

GND

RFIN RFOUT2

RFOUT1

GND

1pin Index

RF IN

RF OUT

VDD

C1

0.01u

C2

0.01u

C3

0.01u

L1

470n

C4

0.01u

VCTL

L2

18n

R2

680

R1

180k

(Top view)

外部回路図

基板実装図

デバイス使用上の注意

- C1~C3 は DC ブロッキングキャパシタ、C4 はバイパスキャパシタです。

- L1 はチョークインダクタです。

- R1 は動作電流調整用の抵抗です。

- R2 は発振対策用の抵抗です。

- L2 はインピーダンス調整用のインダクタです。

- チップ部品は IC 近傍に実装して下さい。

- RFIN 端子と RFOUT 端子の結合を防ぐ為に IC の下にグランドパターンを配置して下さい。

基板材質: FR-4, t=0.2mm

マイクロストリップライン幅: 0.4mm

基板サイズ: 16.8mm x 16.8mm

C1

C3 RFIN RFOUT C2

C4

R2

L1

VDD VCTL

R1

L2

(Top View)

1pin Index

NJG1152KA1

- 27 -

NF 測定ブロックダイアグラム

使用測定器

NF アナライザ : Agilent 8973A

ノイズソース : Agilent 346A

NF アナライザ設定

Measurement mode form

Device under test : Amplifier

System downconverter : off

Mode setup form

Sideband : LSB

Averages : 4

Average mode : Point

Bandwidth : 4MHz

Loss comp : off

Tcold : ノイズソース本体の温度を入力 (303K)

キャリブレーション時

Noise Source (Agilent 346A)

NF Analyzer (Agilent 8973A)

Input (50) Noise Source Drive Output

※ノイズソースと NF

アナライザは直接接続

NF 測定時

Noise Source (Agilent 346A)

DUT

NF Analyzer (Agilent 8973A)

Input (50) Noise Source Drive Output

IN OUT

※ノイズソースと DUT、

DUT と NF アナライザ

は直接接続

NJG1152KA1

- 28 -

パッケージ外形図 (FLP6-A1)

1.6 0.05

1.6

0

.05

1.2

0

.05

0.5 0.5

0.55 0.05

0.1

0.1

0.22 0.05

0.13 0.05

0.2

0

.10

.2 0

.1

単位 : mm 端子材質 : Copper 端子処理 : SnBi メッキモールド樹脂 : エポキシ樹脂重量 : 3.1mg

＜注意事項＞

このデータブックの掲載内容の正確さには

万全を期しておりますが、掲載内容について

何らかの法的な保証を行うものではありませ

ん。とくに応用回路については、製品の代表

的な応用例を説明するためのものです。また、

工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴

うものではなく、第三者の権利を侵害しない

ことを保証するものでもありません。

ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項

この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止

のため、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄す

る場合は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。

この製品は静電放電･サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。

バイパス機能付き広帯域 lna gaas mmic - njrnjg1152ka1 ver.2018 -03 14 - 1 -...

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