3安全に関するご注意この製品に関するお問い合わせは

ご使用の前に、「取扱説明書」又はそれに準ずる資料をよくお読みのうえ正しくお使いください。

本　社　〒141-6029 東京都品川区大崎 2-1-1 ThinkPark Tower

お問い合わせ先

エンジニアリング事業部　営業開発部

TEL（03）3490-4279　　FAX（03）3490-7855

ピュアオゾンジェネレータ

高純度オゾンガス発生装置

■　仕様は機能・性能向上などのため変更することがありますのでご了承ください。■　本製品に関連して生じた損害の賠償につきましては、逸失利益、間接損害及び特別損害は

除かせていただきます。

高純度オゾンガスを連続で供給

OER* プロセス技術

適応分野

当社独自の研究により高濃度オゾンとエチレンを混合する事で高活性なＯＨラジカルの発生に成功オゾンとエチレンの圧力比を最適化することで、OH ラジカル発生量の最大化が可能

オゾナイザで発生させたオゾンを極低温液化し 100％濃度オゾンを発生100％濃度オゾンを連続供給することが可能

OH基

OH基 OH基 OH基

OHラジカル

ピュアオゾン（O3） エチレン（C2H4）

OHラジカル

基板／フィルム

OH OHOH OH

OH OHOH OH

OH基OH基

*OER：Ozone-Ethylene Radical generation technology特　長

「高純度・減圧にして危険な反応をさせない」という思想のもと、安全な装置設計をしています

安全対策

安全設計 • 非常時のための防爆設計 • 停電、異常時はフィールセーフシステムにより温度/ 圧力制御

信頼性 • 停電時、プロセスガスラインで希釈し装置内の残留オゾンを排出する緊急パージ機構 • EMO（非常停止）スイッチにより、手動で異常発生時の装置停止が可能 （冷凍機はオゾン爆発防止のため、動作維持機能付き） • 液化チャンバを真空断熱SUS 容器内に設置し、万一オゾン爆発が生じた場合でも外部機器への機械的ダメージを発生 させない構造を採用 • 液体オゾン冷却部は蓄積液体オゾン量に対し十分な容積を有し、爆発要因となる振動による急激な気化リスクを低減

規格認証 • 国際安全規格（SEMI-S2、UL、NFPA、CE など）に準拠

品質保証 • ガスもれに対する安全性は、第三者認証機関によるトレーサガステストにより実証

冷凍機 冷凍機 冷凍機

100％液体オゾン

ピュアオゾン連続供給

真空排気

発生

待機

蓄積

開 開

開開

閉 閉

閉

閉 閉

閉 開

オゾナイザ

酸素源

O2

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

オゾン濃度（％）

OERにおけるオゾン濃度依存性

O

Ｈラジカル発生効率

通常のオゾナイザ　　　　　

ピュアオゾン

分　野 用　途 適用技術 期待効果

環　境水処理

・ピュアオゾン処理殺菌、脱臭

リサイクル 炭素繊維分解

医　療　 新薬製造 ・ピュアオゾン処理 有機合成

フィルム

有機膜・OER 処理・OER-CVD・OER-ALD

常温薄膜・バリア性

有機 EL 除去・密着・薄膜

食品包袋・医療器 殺菌／バリア性

太陽電池 バリア性

材　料電極部材

・OER 処理 酸化膜／改質カーボンナノチューブ

半導体マスク製造工程 ・ピュアオゾン処理

・OER 処理除去

前工程 酸化膜・除去

先端技術

MEMS ・OER 処理 洗浄・改質

分子線エピタシキー（MBE） ・ピュアオゾン処理 純粋酸化原

プリンテッドエレクトロニクス・OER 処理・OER-CVD・OER-ALD

改質・密着・常温薄成膜

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酸素源に純粋なオゾン（ピュアオゾン）を用いることで高品質な金属酸化物薄膜の形成が可能酸化源に高純度のオゾンを用いる優位性が国際的に認知

用途事例■ 高品質金属酸化物薄膜成長

■ In-situ洗浄

■ 改質効果◆ 炭素繊維の改質例

◆ 効 果

低圧と高反応性の電極部分を In-situ リアルタイム洗浄が可能（従来、低濃度のオゾンが決して達成しなかった注目すべき特長）酸化層を成長させることなくコンタミ（炭素汚染）だけを除去、ビームの反射率を保持100％濃度オゾンには NOx と H2O を含まないため Mask, Mirror へのダメージレス超高真空環境でも 100％濃度オゾンなので十分に Out Gas 分解ができる

◆ 効 果

炭素繊維内部まで改質が可能長期親水性（1 か月以上）熱ダメージ／物理ダメージなし

◆ 効 果

OER プロセスで常温で OH ラジカル発生さるため熱、物理ダメージは一切ない真空排気が不要となり大幅な成膜時間を短縮シャワーヘッドでガスを均一に吹付けるため上流と下流で分布差なし

■ フィルムへの常温成膜　◆ ハイバリアフィルム適用例

◆ 効 果

トレンチ下部において、SiO2 を側壁部から底部をほぼ同一膜厚で成膜可能

■ 半導体基板成膜◆ 高トレンチ基板への適用例（アスペクト比 1：15）

◆ 効 果

室温での高いアッシング速度半導体フォトレジスト系全体にアッシングが可能高イオン注入工程後のフォトレジストもポッピング無しで除去できる

■ 洗浄/除去(アッシング )◆ 半導体製造工程（高イオン注入）のレジストアッシング例

◆ 効 果処理前 処理後真空排気

OERプロセス（常温～150℃）

ピュアオゾン エチレン水滴水浸透跡

シャワーヘッド

OER-ALDプロセス（常温～150℃）

OER-CVDプロセス（常温～150℃）

OERプロセス（常温～150℃）

PENフィルム上 Al2O3 成膜（膜厚：40nm）

処理前 処理後

◆ EUV 露光装置の後工程（露光部）の in-situ 洗浄適用例

◆ MBE( 分子線エピタキシー ) 用の酸素源適用例

真空排気

シャワーヘッド

ピュアオゾン TEOSエチレン混合ガス

拡大図①

拡大図②

OHラジカル

ピュアオゾン エチレン

アッシング

基盤／フィルム

OH OHOH OH

OHOH

OH OH

CO2 CO2H2OH2O H2O

レジスト

支持台

処理基板

①ピュアオゾン（O₃）②エチレン(C₂H₄)

真空排気

μm

μm

①

②

50 μm

200 nm

200 nm

③TMA(Al(CH3)3)

東京大学 川崎研究室提供

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装置構成図（連続供給式の場合） 外形図

仕　様

■ バッチ式

■ 連続供給式

( 寸法は突起部を除く ) [ 単位：mm]

※

※

※

EERS

TOFF

DIPP

TR

EON

EERS

TOFF

DIPP

TR

EON

17001950

900 900

正面 側面

2250

2000

600 750 900

1590

580 750

重量：490kg

注記：・各盤にメンテナンススペースが必要

注記：・冷凍機コンプレッサ内蔵・盤にメンテナンススペースが必要

重量：470kg

正面 側面正面 側面

重量：230kg冷凍機コンプレッサ

（別置）

重量：545kg（冷凍機コンプレッサの重量含む）

タイプ バッチ式（標準） 連続供給式 連続供給式 (自動フラッシング機能付）

装置構成

定格

蓄積部

オゾンチャンバ数 1 2 3　　　　　　　

最大オゾン蓄積量*1 [cc*2] 8000/装置8000/チャンバ

16000/装置16000/チャンバ

32000/装置16000/チャンバ

32000/装置16000/チャンバ

液体オゾン濃度[％] ≒100 ≒100 ≒100 ≒100

供給部

連続供給能力[sccm] × × 100*9 100最大供給能力[sccm] 100 300 300 300オゾンガス濃度[％] 90 以上 90 以上 90 以上 90 以上最大供給時間[分]*3 80 50 100 160

国際安全規格　SEMI-S2, UL, NFPA, CE 準拠 準拠 準拠 適合

主な機能安全管理

負圧管理機能*4 ○ ○ ○ ○緊急パージ機構*5 ○ ○ ○ ○

フラッシング機能*6

装置停止*7 ○ ○ ○ ○装置運転中*8 × × × ○

* 1：標準状態（０℃、１気圧）でのオゾンガス体積に換算したもの * 6：連続運転でオゾンチャンバに蓄積された不純物を自動除去する* 2：標準オゾンガス換算 * 7：装置が停止した場合のみオゾンチャンバのフラッシングを行う* 3：最大供給能力でオゾンを供給する場合の時間 * 8：装置が運転中にオゾンチャンバのフラッシングを行う* 4：チャンバ内が負圧ではない場合、オゾン発生を停止する * 9：メンテナンスのため、５日毎に装置の停止してフラッシングが必要* 5：液体オゾンの安全性を保持できない時、パージ（オゾンを気化、希釈、分解しチャンバ外に排出する機構）する

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3安全に関するご注意この製品に関するお問い合わせは

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高純度オゾンガス発生装置

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除かせていただきます。

高純度オゾンガスを連続で供給

MB576-2936N 2019年12月現在2019-12ME（1.62V）1L

届出申請類（国内仕様の場合）

■当製品を設置する際、都道府県に各種届出申請類が必要です。書類作成・申請は当社がサポートします。

・高圧ガス製造事業届　　・高圧ガス製造施設等変更届　　・第二種貯蔵所設置届　　・第二種貯蔵所位置等変更届

本装置は国立研究開発法人 産業技術総合研究所と共同で開発したものです。