UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA

Ing. Virginia Romero Docente FIEE

1

GUA EXPERIENCIA N7 DE LABORATORIO DEL CURSO EE441 N EL TRANSISTOR UNIPOLAR FET - 13 JUNIO

I. OBJETIVO:

Estudiar las caractersticas de polarizacin de los transistores unipolares de efecto de campo (FET),

Determinar la operacin del FET en seal alterna. Identificar los terminales, sistema de polarizacin, impedancia de entrada. Identificar los niveles de seale del FET sin distorsin

II. COMPETENCIAS

Maneja correctamente el multmetro, generador de funciones, osciloscopio, fuente de alimentacin configurando y conectndolos apropiadamente.

Selecciona correctamente los componentes a utilizar para la experiencia del Transistor Unipolar o FET.

Elabora informes tcnicos claros mediante un formato digital establecido.

Usa software de simulacin y compara con los resultados experimentales.

Reconoce la importancia del trabajo en equipo y se integra y participa en forma efectiva en equipos multidisciplinarios de trabajo.

III. PREGUNTAS PARA EL INFORME PREVIO: Realice los clculos empleando un simulador. Ajuste la tensin y frecuencia del generador a los

valores de la experiencia.

Simule el circuito y anote las tensiones y corrientes que se piden en el experimento para ambos circuitos considerando todos los valores resistivos dados.

Determine el estado de corte y saturacin para ambos circuitos.

IV. EQUIPOS Y MATERIALES: 02 FET canal N, NTE 312 01 panel de conexiones Resistores de 1K, 2K, 10K, 5.6K, 3.3K, 1M 01 Generador de funciones

Conductores de conexin 01 Potencimetro de 10K

Capacitores 2x10uf, 47uf (25v) 01 Multmetro 01 Osciloscopio 02 Fuentes de Alimentacin

V. PROCEDIMIENTO: 1. Con la ayuda del manual o data sheet reconocer los terminales del FET. Dibujar su esquema de

pines y colocar sus datos:

RDS = RGD = RGS=

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2. Armar el circuito de la figura 1.

R2

1M

V

J1

U312+

R1

2k

Salida

V212Vdc

V1

FREQ = 1KHzVAMPL = 50mVVOFF = 0

Entrada

C2

10uf

GC1

10uf

C3

47uf

D

R3

1k

SR4

10k-

o

Figura 1

3. Polarizar el circuito y medir los terminales del FET con respecto a tierra, evaluando el punto de operacin.

VD = VGS = VDS = VG = VS = ID =

4. Repetir el paso anterior para los valores de RD y RS indicados.

RD = 1 K RS = 3.3 K

RD = 3.3 K RD = 5.6K RD = 2 K RD = 5.6 K RD = 1 K

VD VS

5. Graficar las curvas de transferencia y las rectas de carga en cada caso. Trazar las rectas de polarizacin y de carga indicando los puntos de operacin logrados. Evaluar por extrapolacin IDss (Corriente de Drenaje de Saturacin) y Vpo, asi como la transconductancia gm.

6. Aplicar una seal V1 de 50mV, 1Khz senoidal y medir la seal Vo a fin de determinar la ganancia del transistor.

7. Aumentar la amplitud de Vi hasta lograr una deformacin de Vo y determinar la mxima amplitud de la salida que se puede obtener sin distorsin.

Vo = i

V VVA 0=

Vo(mx.) sin distorsin = Vi(mx.) =

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8. Retirar el condensador C3 y evaluar la ganancia, as como la mxima seal obtenible sin distorsin.

Time

0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms 0.8ms 1.0ms 1.2ms 1.4ms 1.6ms 1.8ms 2.0ms 2.2ms 2.4ms 2.6ms 2.8ms 3.0msV(ENTRADA)

-50mV

0V

50mV

SEL>>

V(D)7.33442V

7.33444V

7.33446V

7.33448V

Forma de onda en la carga y en la entrada

9. Armar el circuito de la figura mostrada (fig. 2), dando el punto Q y la ganancia de tensin. Explicando las ventajas y desventajas que se logra.

R1

33k

R3

3.3k

J1U312

C1

0.1uf

C2

10uf

V1

FREQ = 1KHzVAMPL = 50mVVOFF = 0

R2

10k

V210Vdc

Fig. 2

Forma de onda en la carga y en la entrada

Time

0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms 0.8ms 1.0ms 1.2ms 1.4ms 1.6ms 1.8ms 2.0ms 2.2ms 2.4ms 2.6ms 2.8ms 3.0msV(ENTRADA)

-50mV

0V

50mV

SEL>>

V(D)7.334440V

7.334444V

7.334448V

7.334452V

=VA Vo(mx.) =

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VI. INFORME FINAL:

1. En una tabla compare los valores tericos con los valores experimentales.

2. Qu porcentaje de error hay entre los valores experimentales y los tericos? Cmo los explica?

3. Dibuje la forma de onda de entrada ( inV ) y de la carga ( LV ). Qu relacin de fases hay entre ellas?

4. Qu impedancia de entrada tiene el FET? 5. Qu impedancia de salida tiene el FET?