high power led용epi-wafer growth & chip process...
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Lee, Suk-Hun, Ph.D([email protected])
2008. 02. 27
Chief Research Engineer, LED R&D Dept.
LG Innotek / LED Business Team
High Power LED Epi-Wafer Growth & Chip Process 최신 술
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1. 시 동향과 분야
■반 체 원산업 발전형태
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“Violet Luminescence of Mg-doped GaN”( Maruska, Stevenson, Pankove, APL.22(1973) è Mg-doping of GaN continues to be basis for all nitride LEDs and Laser diodes.
■ GaN-based LED Growth History
1. 시 동향과 분야
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■ LED 발전 Trend ■조명용 Lamp 시장규모 (억$)
■년 별 LED Lighting 능및시 규
1. 시 동향과 분야
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■ LED 료별 계시■ LED 분야별 계시
■ LED Biz. 사업방향
1. 시 동향과 분야
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1. 시 동향과 분야
■White LED 현방식
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1. 시 동향과 분야
LED packaging cost structure breakdown
√√
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1. 시 동향과 분야
■ Product Chains
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■ Product Chains
1. 시 동향과 분야
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■ GaN-based LED epi-wafer growth by MOCVD
2. LED Epi-Wafer Growth
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※ ESD (Electro Static Discharge, Human Body Mode(HBD) : -20kV) 1) Nichia / TG / Cree : -2kV↑, 만/ 내 : -1kV↓
-. Mobile 제품(side-view SMD) : 제너다 드실 , 제품다양화 한계
-. High quality growth 술 & 최적 LED 계 술확 필
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p-GaN
n-GaN
p-GaN
n-GaN
P-padTM
N-pad
2. LED Epi-Wafer Growth
※ p-GaN
-. excess Mg 농 최 화
( 저항 분:열발생 )
→ 1019~1021/㎤
→ carrier 농 : 1017/㎤
n-GaN
n-GaN
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■ Extraction Efficiency Improvement : p-roughness growth & PSS(patterned Sapphire Substrate)
2. LED Epi-Wafer Growth
13 / 2211 / 15
■ Extraction Efficiency Improvement : n-roughness chip process – ex)) Nichia
2. LED Epi-Wafer Growth
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■ Extraction Efficiency Improvement : LED chip design & Electrode
3. LED Chip Process
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High Power LED Chip Size : 0.5x0.5㎟ ~ 1x1㎟, 2x2㎟ at 150~350㎃
3. LED Chip Process
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Taiwan 중심 로 p-Roughing 술적 한High Power LED Biz. 가 화
■ High Power LED : Back vs Top Emitting
3. LED Chip Process