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HP 掲載用個人業績リスト

・氏名石川由加里

・所属・職名材料技術研究所機能性材料グループ・主席研究員

名古屋大学未来材料・システム研究所客員教授

名古屋工業大学窒化物半導体マルチビジネス創生センター客員教授

・専門分野半導体材料、欠陥検出、薄膜材料

・所属学会応用物理学会、日本セラミックス協会、日本表面真空学会

・主要略歴

昭和63年 3月名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻博士前期課程修了

昭和 63年 4月財団法人ファインセラミックスセンター入所現在に至る

平成 10、11年度電子技術総合研究所流動研究員(電子デバイス部)

平成 20年 4月名古屋工業大学大学院工学研究科未来材料創成工学専攻

連携分野准教授

平成 29年 4月名古屋工業大学窒化物半導体マルチビジネス創生センター

客員教授現在に至る

平成 29年 6月名古屋大学未来材料・システム研究所客員教授現在に至る

・学位平成 9年 7月博士（工学）（名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻）

「低エネルギー酸素イオン注入法を用いた単結晶Si-SiO2積層構造の作製と応用」

論工博第一三四〇号

・論文（査読付き）

1. Yukari Ishikawa, Yoshikazu Hayashi, and Noriaki Itoh,

「Optically detected magnetic resonance studies of donor-double-acceptor recombination processes

in n-type GaP crystals」

Journal of Applied Physics Vol.65, 2035-2041 (1989).

2. Toshinobu Sugiyama, Yukari Ishikawa, Katsumi Tanimura, Yoshikazu Hayashi and Noriaki Itoh,

「Studies of Electron-Hole Recombination Processes at Deep Levels in GaAs and GaP by Means of

Transient Optical Absorption Spectroscopy」

Materials Science Forum Vol.38-41, 1265-1270 (1989).

3. Yukari Ishikawa and Noriyoshi Shibata,

「Preparation of Thin Silicon-on-Insulator Films by Low-Energy Oxygen Ion Implantation」

Japanese Journal of Applied Physics Vol.30, 2427-2431 (1991).


「 Preparation of multilayered thin silicon-on-insulator structure by low-energy oxygen ion

implantation」

Applied Physics Letters. Vol.61, 1543-1545 (1992).

5. Michihiro Miyauchi, Yukari Ishikawa and Noriyoshi Shibata,

「Growth of Aluminum Nitride Films on Silicon by Electron-Cyclotron-Resonance- Assisted

Molecular Beam Epitaxy」

Japanese Journal of Applied Physics Vol.31, L1714-L1717 (1992).


「Effects of substrate temperature and ion current density on the structure of silicon-on- insulator

material implanted with low-energy-oxygen」

Journal of Physics: Condensed Matter Vol.5, 1291-1298 (1993).


「Formation mechanisms of dislocation and Si island in low-energy SIMOX」

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Vol. 91, 520-524 (1994).

8. Kenji Nomura, Yukari Ishikawa and Noriyoshi Shibata,

「Crystallinity of AlN Film Deposited by Reactive Sputtering Method-Effects of Residual Water

Vapor-」

Journal of the Ceramic Society of Japan Vol.102, 1079-1081 (1994).

9. Yukari Ishikawa, Tomohiro Saito, Mituo Sakashita, Noriyoshi Shibata, and Sigeaki Zaima,

「Formation of Au and AuSix-Pyramids in separation by Implanted Oxygen Wafers with Si Pillars in

SiO2 Layer」

Japanese Journal of Applied Physics Vol.34, L1478-1481 (1995).


「Oxygen redistribution during low-energy oxygen ion implantation」

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Vol.95, 491-495 (1995).


「Simultaneous Si Molecular Beam Epitaxy and High-Dose Ion Implantation」

Journal of Crystal Growth Vol.150, 980-983 (1995).

12. Yukari Ishikawa, Tomohiro Saito and Noriyoshi Shibata,

「In-situ Transmission Electron Microscopy Observation of Au-Si Interface Reaction」


13. Yukari Ishikawa, Noriyoshi Shibata and Susumu Fukatsu,

「Fabrication of highly oriented Si:SiO2 nanoparticles using low energy oxygen ion implantation

during Si molecular beam epitaxy」

Applied Physics Letters Vol.68, 2249-2251 (1996).


「Epitaxy-ready Si/SiO2 Bragg reflectors by multiple separation-by-implanted-oxygen」



「Highly-oriented Si nanoparticles in SiO2 created by Si molecular beam epitaxy with oxygen

implantation」

Thin Solid Films Vol.294, 227-230 (1997).


「Creation of Highly-Ordered Si Nanocrystal Dots Suspended in SiO2 by Molecular Beam Epitaxy

with Low Energy Oxygen Implantation」



「Stratified suspension of highly ordered Si nanoparticles in SiO2 created by Si MBE with oxygen co-

implantation」

Journal of Crystal Growth Vol.175/176, 493-498 (1997).


「Epitaxial Si/SiO2 low dimensional structures」

Thin Solid films Vol.321, 234-240 (1998).

19. 佐々木優吉、鈴木敏之、立山功、石川由加里、佐治明、牧原正泰,

「ゼオライト Y の NO 吸着特性に及ぼす鉄修飾効果」



「Creation of [110]-aligned Si quantum wires encompassed by SiO2 using low-energy separation-by-

implanted-oxygen on a V-groove patterned substrate」


21. Susumu Fukatsu, Yukari Ishikawa, Tomohiro Saito and Noriyoshi Shibata,

「SiGe-based semiconductor-on-insulator substrate created by low-energy separation-by-implanted-

oxygen 」


22. 奥井学、斉藤智浩、石川由加里、柴田典義、幾原雄一,

「SIMOX 法で作製した Si 微粒子界面の高分解観察とモデル化」



「 Fabrication of [110]-aligned Si quantum wires embedded in SiO2 by low energy oxygen

implantation」


24. Yukari Ishikawa, Tomohiro Saito, Noriyoshi Shibata and Susumu Fukatsu,

「SiGe-on-insulator substrate fabricated by low energy oxygen implantation」


25. Yukari Ishikawa and Noriyoshi Shibata and Susumu Fukatsu,

「SiGe-on-insulator substrate using SiGe alloys grown Si(001)」


26. Yukari Ishikawa and Noriyoshi Shibata and Susumu Fukatsu,

「Factors limiting the composition window for fabrication of SiGe-on-insulator substrate by low-

energy oxygen implantation」

Thin Solid Films Vol.369, 213-216 (2000).

27. Toshiki Shimizu, Yukari Ishikawa and Noriyoshi Shibata,

「Epitaxial Growth of 3C-SiC on Thin Silicon-on-Insulator Substrate by Chemical Vapor Deposition

Using Alternating Gas Supply」


28. Toshiki Shimizu, Yukari Ishikawa, Michiko Kusunoki, Takayuki Nagano and Noriyoshi Shibata,

「Creation of Highly oriented Freestanding Carbon Nanotube Film by Sublimating Decomposition of

Silicon carbide Film」


29. Susumu Fukatsu, S. Kisimoto, Yukari Ishikawa and Noriyoshi Shibata,

「Si(Ge)/oxide-based heterostructures and their applications to optoelectronics」

Applied Surface Science Vol.159/160, 472-480 (2000).

30. Yongqiang Wang, Yukari Ishikawa and Noriyoshi Shibata,

「Room Temperature Visible Photoluminescence from Single Crystal Si Quantum Well Structures」


31. Takayuki Nagano, Yukari Ishikaw, and Noriyoshi Shibata,

「Effects of Surface Oxides of SiC on Carbon nanotube by surface decomposition」


32. Takayuki Nagano, Yukari Ishikawa and Noriyoshi Shibata,

「Preparation of SOI substrate on Large Free-Standing Carbon Nanotube Film Formation by Surface

Decomposited SiC Film」


33. Masashi Harada, Yukari Ishikawa,Tomohiro Saito and Noriyoshi Shibata,

「Substrate polarity Dependence of AlN Single-crystal Films Grown on 6H-SiC(0001) and (000-1)

by Molacular Beam Epitaxy」

Japanese Journal of Applied Physics Vol. 42, 2829-2833 (2003).

34. Yukari Ishikawa, Mitsuhiro Okamoto and Noriyoshi Shibata,

「Room Temperature 1.54 μm Light Emission from Er-Doped Epitaxial ZnO Thin Film」

Journal of the Ceramic Society of Japan Vol.112, S1119-S1121 (2004).

35. Mitsuhiro Okamoto, Yukari Ishikawa , Kazuyuki Kondo and Noriyoshi Shibata,

「Photoluminescence of Undoped and Rare-Earth-Element Doped ZnO Thin Films Prepared by RF

Magnetron Sputtering」

Journal of the Ceramic Society of Japan Vol.112, S1115-S1118 (2004).

36. Naoharu Sugiyama, Tsutomu Tezuka, Tomohisa Mizuno, M. Suzuki, Yukari Ishikawa, Noriyoshi

Shibata and Shin-ichi Takagi,

「Temperature effects on Ge condensation by thermal oxidation of SiGe-on-insulator structures」

Journal of Applied Physics Vol.95, 4007-4011 (2004).

37. Yukari Ishikawa, Mitsuhiro Okamoto, Shigeru Tanaka, Dai Nezaki and Noriyoshi Shibata,

「Influence of annealing to the 1.5µm light emission of Er-doped ZnO thin films and its crystal quality」

Journal of Materials Research Vol.20, 2578-2582 (2005).

38. Yukari Ishikawa, Junichi Niituma, Sigeru Tanaka, Dai Nezaki, Mitsuhiro Okamoto, Masashi

Yamashita, Takashi Sekiguchi and Noriyoshi Shibata,

「Luminescent Characteristics of Un doped and Er-doped ZnO Thin films」

Key Engineering Materials Vol.301-301, 189-192 (2006).

39. Masashi Yamashita, Yukari Ishikawa and Noriyoshi Shibata,

「Growth and Characterization of AlBN poly-crystalline thinfilm by radio-frequency plasma-assisted

molecular beam epitaxy」


40. Sigeru Tanaka, Yukari Ishikawa, Dai Nezaki, Mitsuhiro Okamoto and Noriyoshi Shibata,

「Structure Analysis and Electrical Properties of Er-doped ZnO thin Films」


41. Sigeru Tanaka, Yukari Ishikawa Naoki Ohashi, Junichi Niitusma, Takashi Sekiguchi and Noriyoshi

Shibata,

「Near-Infrared Light Emission from Er-doped ZnO thin Film in Micropits Processed on Si Substrate」

Key Engineering Materials Vol.320, 113-116 (2006).

42. Andriy V.Vasin, Yukari Ishikawa Noriyoshi Shibata, Jarno Salonen and Vesa Pekka Lehto,

「Carbonization of Porous Silicon for 3C-SiC growth」

Materials Science Forum Vols.556-557, 167-170 (2007).

43. Sigeru Tanaka, Yukari Ishikawa and Noriyoshi Shibata,

「Near-infrared Light Emission from Er-doped ZnO Thin Films Induced by Electrical Field」


44. Andriy V.Vasin, Yukari Ishikawa Noriyoshi Shibata, Jarno Salonen and Vesa Pekka Lehto,

「 Strong White Photoluminescence from Carbon-incorporated Silicon Oxide Fabricated by

Preferential Oxidation of Silicon in Nano-structured Si:C Layer」


45.Masashi Yamashita, Masato Yoshiya, Yukari Ishikawa, Hitoshi Ohsato and Noriyoshi Shibata,

「Boron addition effects on aluminum nitride fabricated by radio-frequency plasma-assisted

molecular beam epitaxy」

physica status solidi (c) Vol.4, 2486-2489 (2007).

46.Shunsuke Muto, Andriy V.Vasin, Yukari Ishikawa, Noriyoshi Shibata, Jarno Salonen and Vesa

Pekka Lehto,

「Nano-Order Structural Analysis of White Light-Emitting Silicon Oxide Prepared by Successive

Thermal Carbonization/Oxidation of the Porous Silicon」


47. Andriy V. Vasin, Sergey P. Kolesnik, Andiry A. Konchits, Andiry V. Rusavsky, Vladimir S.

Lysenko, Alexei N. Nazarov, Yukari Ishikawa and Yaroslav Koshka,

「Structure, paramagnetic defects and light-emission of carbon-rich a-SiC:H films」

Journal of Applied Physics Vol.103, 123710 (2008).

48. Yukari Ishikawa, AndriyV. Vasin, Jarno Salonen, Sunsuke Muto, Vladimir S. Lysenko, Alexei N.

Nazarov, Noriyoshi Shibata and Vesa Pekka Lehto,

「Color Control of White Photoluminescence from Carbon Incorporated Silicon Oxide」


49. Sigeru Tanaka, Yukari Ishikawa, Toshiuki Suzuki and Noriyoshi Shibata,

「Photoluminescence from ZnO thin film deposited on R-plane Sapphire substrate by RF magnetron

sputtering」

Key Engineering Materials, Vol. 388, 19-22 (2009).

50. Andriy V.Vasin, Yukari Ishikawa, Sergey P. Kolesnik, Andiry A. Konchits Vladimir S. Lysenko,

Alexei N. Nazarov and G.Yu. Rudko,

「Light-emitting properties of amorphous Si:C:O:H layers fabricated by oxidation of carbon-rich a-

Si:C:H films」

Solid State Sciences Vol.11, 1833-1837 (2009).

51. Andriy V. Vasin, V. I. Kushnirenko, Vladimir S. Lysenko, Alexei N. Nazarov, Yukari Ishikawa and

Jarno Salonen,

「The Nature of White Luminescence in SiO2:C Layers」

Technical Physics Letters, Vol. 35, 559–562 (2009).

52. Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Hiroaki Saitoh, Katsunori Danno, Yoichiro Kawai,

Noriyoshi Shibata, Tsukasa Hirayama and Yuichi Ikuhara,

「 Characterization of surface defects of highly N-doped 4H-SiC substrates which produce

dislocations in the epitaxial layers」


53. Xiaoting Zhang, Tomokatsu Hayakawa, Masayuki Nogami and Yukari Ishikawa,

「Selective Synthesis and Luminescence Properties of Nanocrystalline GdF3:Eu3+ with Orthorhombic

and Hexagonal Structures」

Journal of Nanomaterials, Vol.2010, Article ID 651326 (2010).

54. Yong-Zhao Yao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Hiroaki Saitoh, Katsunori Danno,

Hiroshi Suzuki, Yoichiro Kawai and Noriyoshi Shibata,

「Dislocation revelation in highly doped n-type 4H-SiC by molten KOH etching with Na2O2

additive」

Materials Science Forum, Vol.679-680, 294-297 (2011).

55. Andriy V. Vasin, Shunsuke Muto, Yukari Ishikawa, Andiry V. Rusavsky, T. Kimura, Vladimir

S. Lysenko and Alexei N. Nazarov,

「Comparative study of annealing and oxidation effects in a-SiC:H and a-SiC thin films deposited

by radio-frequency magnetron sputtering」

Thin Solid Films, Vol.519, 2218-2224 (2011).

56. Yong-Zhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa, Hiroaki Saitoh, Katsunori Danno,

Hiroshi Suzuki, Yoichiro Kawai and Noriyoshi Shibata,

「Dislocation analysis in highly doped n-type 4H-SiC by using electron beam induced current and

KOH+Na2O2 etching」

Materials Science Forum, Vol.679-680, 290-293 (2011).

57. Yosuke Ishii, Akihiro Matsumura, Yukari Ishikawa and Shinji Kawasaki,

「White Light Emission from Mesoporous Carbon–Silica Nanocomposites」

Japanese Journal of Applied Physics Vol.50, 01AF06 (2011).

58. Xiaoting Zhang, Tomokatsu Hayakawa, Masayuki Nogami and Yukari Ishikawa,

「Synthesis and luminescence properties of well-dispersed LaF3:Eu3+ nanocrystals」

Journal of Ceramic Processing Research Vol. 12, s39-s43 (2011).

59. Xiaoting Zhanga, Tomokatsu Hayakawa, Masayuki Nogami and Yukari Ishikawa, 「Variation

in Eu3+ Luminescence Properties of GdF3:Eu3+ Nanophosphors Depending on Matrix GdF3

Polytype」

Journal of Alloys and Compounds Vol. 509, 2076-2080 (2011).

60．Andriy V. Vasin, Shunsuke Muto, Yukari Ishikawa, Andriy V. Rusavsky, T. Kimura, Vladimir S.

Lysenko and Alexei N. Nazarov,

「Comparative study of annealing and oxidation effects in a-SiC:H and a-SiC thin films deposited by

radio-frequency magnetron sputtering」

Thin Solid Films, Vol.519, 2218-2224 (2011).

61. Yong-Zhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa, Hiroaki Saitoh, Katsunori Danno, Hiroshi

Suzuki, Yoichiro Kawai and Noriyoshi Shibata,

「A simultaneous observation of dislocations in 4H-SiC epilayer and n+-substrate by using electron

beam induced current」


62. Yong-Zhao Yao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Hiroaki Saitoh, Katsunori Danno, Hiroshi


「Molten KOH etching with Na2O2 additive for dislocation revelation in 4H-SiC epilayers and

substrates」

Japanese Journal of Applied Physics Vol.50, 075502 (2011).

63. Yukari Ishikawa, Yosuke Ishii, Koji Sato, Akihiro Matsumura and Shinji Kawasaki 「Preparation

of light emitting materials by thermal treatment of Rice Husk」

IOP Conference Series: Materials Science and Engineering Vol.18, 102015 (2011).

64. A. Matsumura, Y. Ishii, K. Sato, Y Ishikawa and S Kawasaki

「White light emitting Mesoporous Carbon-Silica Nanocomposite」


65. K.Sato, Yukari Ishikawa Akihiro Matsumura, Yosuke Ishii, Shinji Kawasaki 「Synthesis of

white light emitting mesoporous carbon-silica nanocomposite」


66. Yukari Ishikawa, Yong-Zhao Yao, Koji Sato, Yoshihiro Sugawara, Katsunori Danno, Hiroshi

Suzuki, Tsuyoshi Bessho, Yoichiro Kawai and Noriyoshi Shibata,

「Detection of Shallow Dislocations on 4H-SiC Substrate by Etching Method」

Acta Physica Polonica Vol.120, A-25 (2011).

67. Yukari Ishikawa, Shinji Kawasaki, Yosuke Ishii, Koji Sato and Akihiro Matsumura,

「White Photoluminescence from Carbon Incorporated Silica Fabricated from Rice Husk」Japanese

Journal of Applied Physics Vol.51, 01AK02 (2012).

68. Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Hiroaki Saito, Katsunori Danno, Hiroshi Suzuki, Takeshi

Bessho, Yoichiro Kawai and Noriyoshi Shibata,

「Microscopic structure of stepwise threading dislocation in 4H-SiC substrate」

Japanese Journal of Applied Physics Vol.51, 041301 (2012).

69. Yukari Ishikawa, Koji Sato, Shinji Kawasaki, Yosuke Ishii, Akihiro Matsumura and Shunsuke

Muto,

「White light emission from amorphous silicon-oxycarbide materials」

physica status solidi (a) Vol. 209, 1022 (2012).

70. Yukari Ishikawa, Koji Sato, Yoshihiro Okamoto, Noritaka Hayashi, Yong-Zhao Yao and

Yoshihiro Sugawara,

「Dislocation Formation in Epitaxial film by propagation of Shallow Dislocations on 4H-SiC

substrate」

Materials Science ForumVol.717-720, 383 (2012).

71. Yukari Ishikawa, Yong-Zhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Katsunori Danno, Hiroshi Suzuki,

Yoichiro Kawai and Noriyoshi Shibata,

「Variation of Etch Pit Size by Screw Dislocation Tilt in 4H-SiC wafer」

Materials Science Forum Vol.717-720, 367 (2012).

72. Yoshihiro Sugawara, Yong-Zhao Yao, Yukari Ishikawa, Katunori Danno, Hiroshi Suzuki,

Tsuyoshi Bessho, Yoichiro Kawai and Yuichi Ikuhara,

「Characterization of Dislocation Structures in Hexagonal SiC by Transmission Electron Microscopy」

Materials Science Forum Vol.725, 11 (2012).



「Different dissociation behavior of [11-20] and non-[11-20] BPDs in 4H-SiC under electron beam

irradiation」




「Different dissociation behavior of [11-20] and non-[11-20] BPDs in 4H-SiC under electron beam

irradiation」


75. Koji Sato, Yukari Ishikawa, Yosuke Ishii, Shinji Kawasaki, Shunsuke Muto and Yuta Yamamoto,

「Effects of Synthesis Process on Optical Properties and Structures of Mesoporous Carbon-Silica

Nanocomposite」

Japanese Journal of Applied Physics Vol. 51, 082402 (2012).

76. Yong-Zhao Yao, Yukari Ishikawa, Koji Sato, Yoshihiro Sugawara, Katsunori Danno, Hiroshi

Suzuki and Takeshi Bessho,

「Dislocation Revelation from (000-1) Carbon-face of 4H-SiC by Using Vaporized KOH at High

Temperature」

Applied Physics Express Vol. 5, 075601 (2012).

77. Yoshihiro Sugawara, Michio Nakamori, Yong-Zhao Yao, Yukari Ishikawa, Katsunori Danno,

Hiroshi Suzuki, Takeshi Bessho, Satoshi Yamaguchi, Koichi Nishikawa and Yuichi Ikuhara

「Transmission Electron Microscopy Analysis of Threading Dislocation with c+a Burgers Vector

in 4H-SiC」

Applied Physics Express Vol. 5, 081301 (2012).

78. Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Koji Sato, Katsunori Danno, Hiroshi Suzuki,

Takeshi Bessho, Satoshi Yamaguchi, Koichi Nishikawa

「Correlation between etch pits formed by molten KOH+Na2O2 etching and dislocation types in

heavily doped n+-4H–SiC studied by X-ray topography」

Journal of Crystal Growth Vol. 364, 7 (2013).

79. Yong Zhao Yao, Yukari Ishikawa, Koji Sato, Yoshihiro Sugawara, Katsunori Danno, Hiroshi

Suzuki, and Takeshi Bessho

「Large-Area Mapping of Dislocations in 4H-SiC from Carbon-Face (000-1) by Using Vaporized

KOH Etching near 1000 oC」

Materials Science Forum, 740-742, 829 (2013).

80. Yong-zhao Yao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Koji Sato, Katsunori Danno, Hiroshi

Suzuki, Hidemitsu Sakamoto, Takeshi Bessho, Satoshi Yamaguchi and Koichi Nishikawa

「Dislocation revelation for 4H-SiC by using vaporized NaOH: a possible way to distinguish edge,

screw and mixed threading dislocations by etch pit method」

Materials Science Forum, 778-780, 346(2014).

81. Yukari Ishikawa, Yong Zhao Yao, Koji Sato, Yoshihiro Sugawara, Yoshihiro Okamoto and

Noritaka Hayashi

「Characterization of damage induced by electric discharge machining and wiresawing with loose

abrasive at subsurface of SiC crystal」


82. Yoshihiro Sugawara, Yong-Zhao Yao, Yukari Ishikawa, Katsunori Danno, Hiroshi Suzuki,

Takeshi Bessho, Satoshi Yamaguchi, Koichi Nishikawa and Yuichi Ikuhara

「Characterization of Threading Edge Dislocation in 4H-SiC by X-ray

Topography and Transmission Electron Microscopy」


83.Yong-zhao Yao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara and Koji Sato

「Removal of mechanical-polishing-induced surface damages on 4H-SiC wafers by using chemical

etching with molten KCl+KOH」

Materials Science Forum, 778-780, 746(2014).

84. Yukari Ishikawa, Yong-Zhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Koji Sato, Yoshihiro Okamoto,

Noritaka Hayashi, Benjamin Dierre, Kentaro Watanabe, and Takashi Sekiguchi 「Comparison of

slicing-induced damage in hexagonal SiC by wire sawing with loose abrasive, wire sawing with

fixed abrasive, and electric discharge machining」

Japanese Journal of Applied Physics 53, 071301 (2014).

85. Yong-zhao Yao, Yukari Ishikawa, Y. Sugawara, K. Sato, T. Shirai, K. Danno, H. Suzuki,

H.Sakamoto, T. Bessho, B. Dierre, K. Watanabe, T. Sekiguchi 「Cross-sectional observation of

stacking faults in 4H-SiC by using KOH etching on non-polar{1-100} face, cathodoluminescence

and transmission electron microscopy」 Japanese Journal of Applied Physics 53, 081301 (2014).

86. Yong-zhao Yao , Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara and Koji Sato, 「Removal of

mechanical-polishing-induced surface damages on 4H-SiC by chemical etching and its effect on

subsequent epitaxial growth」 Materials Science Forum, 821-823, 541 (2015).

87. Zhang Xiaoting, Tomokatsu Hayakawa, Yukari Ishikawa, Yang Liushuan, Masayuki Nogami

「Structural investigation and Eu3+ luminescence properties of LaF3:Eu3+ nanophosphors」

Journal of Alloys and Compounds 644 (2015) 77–81. 88. Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro

Sugawara, Hideaki Yamada, Akiyosi Chayahara, Yoshiaki Mokuno,

「Fast removal of surface damage layer from single crystal diamond by using chemical etching in

molten KCl + KOH solution」,

Diamond and Related Materials, Volume 63, (2016), Pages 86–90.

89. Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Daisaku Yokoe, Masaki Sudo, Narihito

Okada, Kazuyuki Tadatomo,

「Revelation of dislocations in HVPE GaN single crystal by KOH etching with Na2O2

additive and cathodoluminescence mapping」,

Superlattices and Microstructures, Volume 99, (2016), Pages 83–87.

90. Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Koji Sato, Katsunori Danno, Takayuki

Shirai, Kazuaki Sato, Takeshi Bessho, Yumiko Takahashi, Yoshiki Yamashita and Keiichi Hirano,

「Dislocations in SiC revealed by NaOH vapor etching and a comparison with X-ray topography

taken with various g-vectorsSiC NaOH etching」,

Materials Science Forum, Vol. 858, (2016) pp 389-392.

91. Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa, Arata Watanabe, Makoto Miyoshi, and Takashi Egawa,

「Analysis of reaction between c+a and -c+a dislocations in GaN layer grown on 4-inch Si(111)

substrate with AlGaN/AlN strained layer superlattice by transmission electron microscopy」,

AIP Advances 6, 045020 (2016).


「Characterization of dislocations in GaN layer grown on 4-inch Si(111) with AlGaN/AlN strained

layer superlattices」,

Japanese Journal of Applied Physics 55, 05FB08 (2016).


「Observation of reaction between a-type dislocations in GaN layer grown on 4-inch Si(111)

substrate with AlGaN/AlN strained layer superlattice after dislocation」,

Journal Crystal Growth 468(2017)536-540.

94. Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Masaki Sudo, Yoshihiro Sugawara, Daisaku Yokoe,

「Characterization of threading dislocations in GaN (0001) substrates by photoluminescence

imaging, cathodoluminescence mapping and etch pits」,

Journal Crystal Growth 468(2017)484-488.

95. Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Daisaku Yokoe, Masaki Sudo, Narihito

Okada, Kazuyuki Tadatomo,

「Dislocation revelation and categorization for thick free-standing GaN substrates grown by

HVPE」

Materials Science Forum, 897(2017)707.

96. Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Yumiko Takahashi, Yoshiki Yamashita

and Keiichi Hirano,

「Elementary screw and mixed-type dislocations in 4H-SiC characterized by X-ray topography

taken with six equivalent 11-28 g-vectors and a comparison to etch pit evaluation」

Materials Science Forum, 897(2017)185.

97. Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Yumiko Takahashi, and Keiichi Hirano,

「Observation of Threading Dislocations in Ammonothermal Gallium Nitride Single Crystal Using

Synchrotron X-ray Topography」

Journal of Electronic Materials, 10.1007/s11664-018-6252-3

98. Masaki Sudo, Yukari Ishikawa, Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, and Masashi Kato

「Expansion of Basal Plane Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer on A-Plane by Electron Beam

Irradiation」

Materials Science Forum, (2018). (accepted)

99. Shigeyoshi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Maki

Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Yoshihiro Sugawara, Yong-Zhao Yao,

and Yukari Ishikawa

「Correlation between dislocations and leakage current of p-n diodes on a free-standing GaN

substrate」

Applied Physics Letters 112 (2018) 182106.

・書籍著述

１分担執筆，三浦豊(外１9 名)，「最新無機ＥＬ開発動向～材料特性と製造技術・応用展

開～」，

株式会社情報機構，第 2章第 6節 pp.99-104,㍻ 19.3

総説・解説

１柴田典義、石川由加里(共著)「Si単結晶/SiO2多層薄膜の合成」, 表面技術, Vol.46,

No.8,

pp.688-691 ㍻ 7.8

２（単著）「Si/SiO2低次元構造の作製」，月刊マテリアルインテグレーション株式会社テ

ィー・アイ・シーVol.12,No.2 pp.72-77 ㍻ 11.2

３（単著）「白色発光 Cクラスタ含有 SiO2膜」,FC Report,Vol.28 No.1(冬号）,23, 2010

４石川由加里，佐藤功二，川崎晋司，石井陽祐，武藤俊介(共著)「ナノ構造を制御したシ

リコン酸炭化物からの白色発光」，月刊マテリアルインテグレーション株式会社ティー・

アイ・シーVol.25,No.6 pp.3-9 ㍻ 24.6

５姚永昭，石川由加里，佐藤功ニ，菅原義弘，旦野克典，鈴木寛，別所毅（共著）「炭

化珪素における結晶欠陥検出技術の開発」，月刊マテリアルインテグレーション株式会社

ティー・アイ・シーVol.25,No.6 pp.16-21 ㍻ 24.6

６石川由加里「SiCウエハの高品質機械研磨法の開発」,セラミックデータブック 40

101-104 ㍻ 24.12

７石川由加里、佐藤功二、川崎晋司、石井陽祐、武藤俊介 (共著) 「希土類フリーの発光

材料」金属 Vol.83 No.5(2013)4㍻ 25.5

８姚永昭、石川由加里、菅原義弘、佐藤功二、旦野克典、鈴木寛、別所毅(共著) 「低

損失・省エネパワーデバイス用 SiC 結晶欠陥検出技術の開発」金属 Vol.83

No.5(2013)43㍻ 25.5

９姚永昭、石川由加里，菅原義弘，斎藤広明、旦野克典，鈴木寛，河合洋一郎 (共著)

「炭化ケイ素ウエハの簡易な欠陥検出法の開発」 Fine Ceramics Report 2013 冬号、12-

14 ㍻ 25.6

１０石川由加里分担執筆「[1] 機械研磨による SiC ウェハ-の仕上げ加工の欠陥検

出」オプト・エレクトロニクス・エネルギー分野における精密加工と微細構造の形成技術－

材料･プロセスの最適化、トラブル対策－第 2節微細形状、表面平坦度の精密評価技

術情報協会（東京）2013年 7月末発刊

・招待講演(国際)

1 Epitaxial Si/SiO2 low dimensional Structures,

The 7th International Symposium on Silicon Molecular Beam Epitaxy

Banff, Alberata, Canada (1997.7)

2. Achievement of SiGe-on-Insulator Technology, Science and Technology of

Semiconductor-on- Insulator and devices operating in a harsh environment

NATO-Advanced Research Workshop

Kiev Ukraine (2004.4)

3. Development of novel techniques for revealing two-dimensional spatial distribution of

dislocations on n+-doped 4H-SiC substrate

4th International Workshop on Advanced Ceramics

Nagoya Japan (2010.12)

4. White photoluminescence from carbon incorporated silica

3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for

Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma)

Nagoya, Japan (2011.3)

5. White light emission from amorphous silicon oxycarbide materials

EMRS fall meeting

Warsaw Poland (2011.9).

6. Defects induced by mechanical treatment in4H-SiC substrate,

International Symposium on Ceramics Nanotune Technology for Young Researchers

Nagoya Japan (2012.3)

7. Characterization of dislocations in wide bandgap semiconductors by etch pit, X-ray

topography, PL imaging, CL mapping and TEM,

Workshop in Ultara-Precision for Wide Bandgap Semicondoctor 2017, Montery USA

(2017.11)

国内会議依頼講演 (2011以前は未記録)

1. SiC基板表面に現れる転位の評価

日本学術振興会「結晶成長の科学と技術」第 161委員会 (2011.9.22) 東京

2．SiC単結晶の結晶欠陥と加工欠陥評価 ―加工のダメージ層の深さ評価―

第 17回精密加工プロセス研究会講演会、第 11回インスペクション技術研究会講

演会（第 8 回窒化物半導体デバイスにかかわる超精密加工プロセス研究分科会講演会）

(2013.2.20)福岡

3. 選択エッチング、TEM によるSiC 単結晶中の転位の解析

日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145 委員会第134 回研究会プログラム学

振「パワーデバイス用結晶の欠陥とその影響」 (2013.6.14)東京明治大学

4. SiC結晶の欠陥評価

科学技術交流財団第 1回「高品質 SiC結晶次世代成長法に関する研究会」(2013.7.19)

名古屋名古屋大学

5. 4H-SiC単結晶の欠陥の検出と解析

科学技術交流財団第 1 回「酸化亜鉛系機能性膜に関する革新的液相結晶成長研究会」

(2014.7.17)名古屋ウインクあいち

6. 結晶欠陥解析から見た SiC デバイスの技術動向

日本機械学会情報・知能・精密機器部門分科会

第 6 回ワイドバンドギャップ半導体デバイスに関わる超精密加工プロセス研究分科会講演

会第 27 回精密加工プロセス研究会講演会(2015.3.4)東京ハロー貸会議室新橋

7. GaN 結晶中の転位検出と評価

公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会第６回研究会「GaN 縦型パワーデ

バイス実現に向けた課題と現状」(2016.12.13)京都キャンパスプラザ京都

8. ワイドバンドギャップ半導体結晶の欠陥評価法に関する研究

公益社団法人応用物理学会第 64回応用物理学会春季学術講演会「第 7回女性研究者研

究業績・人材育成賞（小舘香椎子賞）受賞記念講演」

(2017.3.15)横浜パシフィコ横浜

9. エッチピット法による GaN 中の転位検出と分類

公益社団法人応用物理学会結晶工学分科会第 147回結晶工学分科会研究会

ワイドバンドギャップ半導体デバイス

～窒化物・SiCにおける成長・プロセス欠陥の評価と制御～(2017.6.9)大阪大阪大学

10. 欠陥の検出とその特徴

GaN研究コンソーシアム第二回研究会「結晶の革新が生み出す Society 5.0へのインパ

クト-完全結晶はデバイスをどう変えていくか-」(2017.7.7)名古屋名古屋大学

11. 次世代パワーデバイス用ワイドバンドギャップ半導体の欠陥検出法

新規事業研究会第 297回月例研究会 (2017.7.15)東京東工大

12. 次世代パワーデバイス半導体の欠陥

科学技術交流財団第５回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研

究会(2017.10.6)名古屋科学技術交流財団研究交流センター

13．次世代パワーデバイス用半導体の転位・積層欠陥検出

日本表面科学会

第 91 回表面科学研究会平成 29 年度中部表面科学シンポジウム (2018.1.20) 名古屋

名古屋工業大学

・知財（公開されているもの）

１「ダイヤモンド単結晶薄膜の気相合成方法」特願平 02-207090、特開平 4-92893、特

許 2895179 (出願日 1990.8.4) (登録日 1999.3.5)

２「酸素イオン注入装置」特願平 04-101609、特開平 05-275048 (出願日 1992.3.26)

３「LSI 用基板の製造方法」特願平 04-101614、特開平 6-29168、特許 2861617 (出願

日 1992.3.26) (登録日 1998.12.11)

４「ダイヤモンド薄膜の合成方法」特願平 05-090799、特開平 06-279186 (出願日

1993.3.24)

５「窒化アルミニウム薄膜の製造方法」特願平 06-115483、特開平 7－316809 (出願日

1994.5.27)

６「イオン注入基板の製造方法」特願平 06-237031、特開平 08-102532 (出願日

1994.9.30)

７「結晶質薄膜の製造方法」特願平 07-013376、特開平 08-203824、特許 3291149 (出

願日 1995.1.31) (登録日 2002.3.22)

８「パワーモジュールの製造方法」特願平 08-112946、特開平 09－266277 (出願日

1996.3.28)

９「カーボンナノチューブ膜の製造方法」特願平 10-282214、特開 2000-109308、特許

3889889 (出願日 1998.10.5) (登録日 2006.12.8)

１０「SOI 基板およびその製造方法」特願 2001-299324、特開 2003-110096、特許

5007006 (出願日 2001.9.28) (登録日 2012.6.1)

１１「量子井戸構造を有する Si 系半導体デバイスおよびその製造方法」特願 2001-

314074、特開 2003-124453、特許 4246424 (出願日 2001.10.11) (登録日 2009.1.16)

１２「金属層を有する量子井戸構造を備えた Si 系半導体デバイスおよびその製造方法」

特願 2001-330804、特開 2003-133542、特許 4073197 (出願日 2001.10.29) (登録日

2008.2.1)

１３「シリコン部材の接合方法及びシリコンデバイス」特願 2001-360928、特開 2003-

163228、特許 4088438、(出願日 2001.11.27) (登録日 2008.2.29)

１４「カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜含有

炭化硅素基板およびカーボンナノチューブ膜体並びにそれらの製造方法」特願 2002-

096837、特開 2003-292312、特許 3836743 (出願日 2002.3.29) (登録 2006.8.4)

１５「電子放出素子及びその製造方法」特願 2002-098016、特開 2003-297222、特許

(出願日 2002.3.29)

１６「カーボンナノチューブ配線板およびその製造方法」特願 2002-186655、特開

2004-31679、特許 3908104 (出願日 2002.6.26) (登録日 2007.1.26.)

１７「半導体素子とその製造方法」特願 2002-313571、特開 2004-152813

(出願日 2002.10.29)

１８「半導体素子用基板とその製造方法」特願 2002-313572、特開 2004-152814 (出願

日 2002.10.29)

１９「発光材料及びこれを用いた発光素子」特願 2003-208903、特開 2004－323818

(出願日 2003.8.26)

２０「炭化珪素半導体基板及びその製造方法」特願 2003-361885、特願 2003-361885、

登録 2009 年 11 月、特許 4410531 (出願日 2003.10.22) (登録日 2009.11.20)

２１「発光材料及びこれを用いた光素子」特願 2003-437005、特開 2005-197327 (出願

日 2003.12.27)

２２「酸化亜鉛多結晶膜及びこれを用いた機能素子」特願 2004-122316、特開 2005-

268196 (出願日 2004.3.21)

２３「炭化珪素半導体基板及びその製造方法」特願 2004-108746、特開 2005-294611

(出願日 2004.4.1)

２４「炭化珪素系混晶の製造方法」特願 2005-247843、特開 2007-66982、特許

4963353 (出願日 2005.8.29) (登録日 2012.4.6)

２５「炭化珪素半導体装置」特願 2005-292695、特開 2007-103729、特許 4857698 (出

願日 2005.10.5) (登録日 2011.11.11)

２６「半導体材料の製造方法」特願 2005-312628、特開 2007-123487、特許 4769541

(出願日 2005.10.27) (登録日 2011.6.24)

２７「炭化珪素系半導体素子および発光素子」特願 2005-340458、特開 2007-149848

(出願日 2005.11..25)

２８「炭化珪素半導体装置及びその製造方法」特願 2006-215999、特開 2008-42018、

特許 4916247、米国特許 8053784 (出願日 2006.8.8) (登録日 2012.2.3)

２９「ＺｎＯ系光機能素子及びその製造方法」特願 2006-278090、特開 2008-98385 (出

願日 2006.10.11 )

３０「発光体およびその製造方法」特願 2007-048245、特開 2008-208283、特許

5134262 (出願日 2007.2.28) (登録日 2012.11.16)

３１「ＳｉＣＧｅ結晶薄膜の製造方法」特願 2007-099218、特開 2008-258410、(出願

日 2007.4.5)

３２「薄膜形成方法」特願 2008-028844、特開 2009-185365、特許 5114236 (出願日

2008. 2.8) (登録日 2012.10.19)

３３「平坦化処理方法」特願 2008-084546、特開 2009-239103 (出願日 2008.3.27)

３４「炭化珪素エピタキシャル用基板の製造方法」特願 2008-126357、特開 2009-

274899、特許 4916479 (出願日 2008.5.13) (登録日 2012.2.3)

３５「ＳｉＣ薄膜形成装置」特願 2008-270084、特開 2010-95431 (出願日 2008.10.20)

３６「半導体基板の製造方法」特願 2009-004837、特開 2009-218575 (出願日 2009.

1.13)

３７「発光体およびその製造方法」特願 2009-18031、特開 2010-174132、特許

5575408 (出願日 2009.1.29) (登録日 2014.7.11)

３８「発光体、発光体の製造方法、照明装置および化粧品用紫外線遮蔽材」特願 2009-

172637、特開 2011-026420、登録 2014 年 3 月、特許 5498077 (出願日 2009.7.24) (登録

日 2014.3.14)

３９「炭化珪素単結晶の欠陥検出方法」特願 2010-013376、特開 2011-151317、特許

5519305 (出願日 2010.1.25) (登録日 2014.4.11)

４０「発光体、発光体の製造方法、照明装置および化粧品用紫外線遮蔽材」特願 2010-

48628、特開 2011-184495、特許 5557090 (出願日 2010.3.5) (登録日 2014.6.13)

４１「発光体およびその製造方法、照明装置、洗剤、化粧品用紫外線遮蔽材、建築用資

材ならびに光触媒」特願 2010-144468、特開 2012-007085、特許 5761778 (出願日

2010.6.25) (登録日 2015.6.19)

４２「半導体結晶基板の欠陥検出方法」特願 2010-189627、特開 2012-049312、特許

5558268 (出願日 2010.8.26) (登録日 2014.6.13)

４３「SiC 結晶の検査方法及びそれを用いた SiC 結晶の製造方法」、特願 2013-

040585、特開 2013-211547 特許 6022972 (出願日 2013.3.1) (登録日 2016.10.14)

４４「半導体ウェハのエッチング方法、半導体ウェハとその製造方法および半導体ウェ

ハの結晶欠陥検出方法」特願 2013-136195、特開 2015-12124 (出願日 2013.6.28)

４５「ダイヤモンドのエッチング方法、ダイヤモンドの結晶欠陥の検出方法、およびダ

イヤモンド結晶の結晶成長方法」特願 2014-259658、特開 2016-119428 (出願日

2014.12.24)

４６「窒化物系半導体のエッチング方法、窒化物系半導体膜の作成方法および窒化物系

半導体基板」特願 2014-259660、特開 2016-119429 (出願日 2014.12.24)

４７「多孔質膜、及び多孔質膜の製造方法」特願 2014-263864、特開 2016-123892

(出願日 2014.12.26)

４８「ガス分離膜、ガス分離材、及びガス分離膜の製造方法」特願 2014-263865、特開

2016-123893 (出願日 2014.12.24)

４９「窒化物系半導体のエッチング方法および窒化物系半導体の結晶欠陥検出方法」

特願 2015-91760、特開 2016-207968 (出願日 2015.4.28)

５０「SiC 結晶の製造方法」特願 2015-125019、特開 2017-008369 (出願日 2015.6.22)

５１「窒化物系半導体の非極性面のエッチング方法および窒化物系半導体の非極性面に

おける結晶欠陥の検出方法」特願 2017-3766 (出願日 2017.1.13)

・受賞

平成24年技術振興賞日本ファインセラミックス協会

「炭化ケイ素ウエハの簡易な欠陥検出法の開発」

平成29年3月15日第7回女性研究者研究業績・人材育成賞（小舘香椎子賞）研究業績部門

「歪Si用基板構造創成とSiC結晶の新しい欠陥評価法に関する研究」

hp 掲載用 個人業績リスト「boron addition effects on aluminum nitride fabricated by...

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