HP4145A 半導体パラメータアナラザー

• ダイオード、トランジスタなどの電子デバイスの各種の直流特性を正確に測定

• グラフ表示、パラメータ解析が可能

⇒SOI TEG チップの照射前後の VD,ID の測定

V1=Vs1

V2=Vm1

47kΩ

47kΩ

GPIB で制御 　 V1:0 ～ 2V ,step0.1V

　　　　 　 V2: 測定

GPIBでの読み出し

0

0.5

1

1.5

2

0 0.5 1 1.5 2

V1(V)

V2(V

)

系列1

SMU(Source Monitor Units) を用いた測定

source V (SMU1)

V: -0.5 ～ 1(V)

step 0.01(V)

I (SMU1): 測定

compliance 100μA

A

SMU2

Com

SMU1

V,I

Diode or module

module25 台の I-V,I-R

I- R

1.00E+04

2.00E+04

3.00E+04

4.00E+04

5.00E+04

6.00E+04

7.00E+04

8.00E+04

1.00E- 06 1.00E- 05 1.00E- 04 1.00E- 03

Current(A)

Resi

stan

ce(Ω

)

202

diode

475

642

853

709

698

648

54

583

580

582

581

5

579

958

102

523

100

97

751

188

90

957

619

I-V

-2.00E-04

0.00E+00

2.00E-04

4.00E-04

6.00E-04

8.00E-04

1.00E-03

0 2 4 6 8 10

Bais Voltage(V)

Curre

nt(A

)

2024756428537096986485458358058258155799581025231009775118890957619

各 module の 10μA 付近での抵抗値

・ modele の抵抗値　　

　　　　　　　 2 ～ 3.5kΩ

・ 50kΩ を超えるものはない

10μ Aでの抵抗値

1.50E+01

2.00E+01

2.50E+01

3.00E+01

3.50E+01

4.00E+01

1 6 11 16

module (数 個）

resis

tanc

e (kΩ

)

R

diode と module の I-V,I-R

I-V

1.00E-09

1.00E-08

1.00E-07

1.00E-06

1.00E-05

1.00E-04

1.00E-030 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2

Bais voltage(V)

Cur

rent

(A)

diode+10kΩdiodemodule

I-R

1.E+04

1.E+05

1.E+06

1.00E-06 1.00E-05 1.00E-04

Current(A)

Res

ista

nce(

R)

diodediode+10kΩmodule

I-V

-2.00E-05

0.00E+00

2.00E-05

4.00E-05

6.00E-05

8.00E-05

1.00E-04

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2

Bais Voltage(V)

Cur

rent

(A) Si diode

module

diode+10kΩ