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  • 5/20/2018 IF3-microondas

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    Laboratorio de Microondas EE545M

    UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

    FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y

    ELECTRNICAInforme Final de la Experiencia N03

    SINTONIZACIN MECNICA Y MODULACIN DELOSCILADOR GUNN

    Alumno: Martinez Flores Michel

    Profesor: Ing. Armando Alberto Cajahuaringa Camaco

    Curso: Laboratorio de Microondas - EE545M

    Cdigo: 20090044G

    LIMAPER

    2013

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    Laboratorio de Microondas EE545M

    I. OBJETIVOS1. Realizar la sintonizacin del oscilador Gunn a otra frecuencia diferente a 9.4 GHz,

    usando dos mtodos diferentes.2. Realizar una modulacin interna y externa para el oscilador a diodo Gunn y entender el

    funcionamiento del diodo PIN.

    3.

    Familiarizarse con el uso de la lnea ranurada para medir la longitud de onda de la guade onda ( ) y calcular, indirectamente, la frecuencia de oscilacin de la seal que se

    propaga en la gua de onda.

    II. PREGUNTAS DEL INFORME FINAL

    Sintonizacin Mecnica con cortocircuito mvil:

    Configuracin de la experiencia:

    a)

    Circuito de microondas

    b) Diagrama funcional del circuito de

    microondas.

    En esta experiencia se determin la frecuencia

    de la seal de microondas como una funcin

    del cortocircuito mvil.

    La distancia S entre la posicin del poste del

    diodo Gunn y el cortocircuito mvil est dada

    por la expresin:

    () () 1. Compare los valores medidos de Ag con la parti cular distancia S de corto mvil al eje del

    poste del diodo Gunn. Use la columna preparado para S en la Tabla 3.2.

    Tabla (3.2) de resultados:

    ()

    ()

    (

    )

    ()

    ()

    10 20 15GHz 14,9 12.016GHz12 22 13.63GHz 16,9 11.037GHz14 19,5 15.38GHz 18,9 10.297GHz16 21 14.285GHz 20,9 9.7244GHz18 28 10.714GHz 22,9 9.2751GHz

    20 24,9 8.9076GHz

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    Laboratorio de Microondas EE545M

    Se puede observar de la tabla, que los valores obtenidos son en su mayora muy distantes, salvo

    1 valor que es muy prximo, y pueden ser comprobado al momento de calcular la respectiva

    frecuencia.

    2.

    Tomando la anchura de la gua de onda en consideracin, calcular ter icamente la

    frecuencia del oscilador corr espondiente a las var ias posiciones del cor tocir cui to movil y

    registre estos valores en la tabla 3.2

    Sabemos que para el modo TE101 la frecuencia de resonancia se calcula como:

    De las medidas realizadas a nuestra gua de onda, se pudo obtener que a=2.286cm

    Resultados:

    () ()14,9 12.016GHz

    16,9 11.037GHz

    18,9 10.297GHz

    20,9 9.7244GHz

    22,9 9.2751GHz

    24,9 8.9076GHz

    Sintonizacin Mecnica con cortocircuito mvil:

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    Laboratorio de Microondas EE545M

    Tabla de datos experimentales: Seal moduladora y demodulada

    Seal Vdc (V)Amplitud

    Pico-pico (V)

    Ancho de pulso

    en ALTO (mS)

    Ancho de pulso

    en BAJO (mS)

    Ciclo de

    trabajo (%)

    Frecuencia

    (Hz)

    Moduladora 355mV 712mV 512us 512us 50% 976.7

    Modulada -150mV 312mV 511us 512us 50% 976

    Modulacion Externa del oscilador Gunn

    Tabla de datos experimentales de la seal moduladora y demodulada.

    Seal Vdc (V)Amplitud

    Pico-pico (V)

    Ancho de pulso

    en ALTO (mS)

    Ancho de pulso

    en BAJO (mS)

    Ciclo de

    trabajo (%)

    Frecuencia

    (Hz)

    Moduladora

    355mV 712mV 512us 512us 50% 976.7

    Modulada -150mV 312mV 511us 512us 50% 976

    PREGUNTAS:

    3. Grafique las f recuencias de sintona mecni ca y ter ica versus distancia del

    corto mvil , en una mi sma grfica, para comparacin. Determi ne el porcentaje de

    err or e%.

    4.

    De la gua de componentes de mi croondas, determine la designacin comercial de

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    Laboratorio de Microondas EE545M

    la gua de onda para la banda X. I ndique los valor es estndar es de a y b en mm.

    5.

    Determi ne el rango de fr ecuencias en l a que se propaga nicamente el modo

    domi- nante, para la gua de onda del laboratori o.

    6. Determi ne la potencia de una seal modulada, apli cada a una carga de impedancia

    g = 50 f l . La envolvente es una seal rectangular de valor mnimo, Vm = 0.5 V y el

    valor mximo, VM = 2.0 V; de un periodo de 1.25 ms y ciclo de trabajo de 40 %.

    7. Usando las grficas de la seal modulada con diodo PI N, i ndique la operacin

    fun- cional del diodo PIN en el circuito de microondas.

    8.

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