informe previo 7 electronica
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7/25/2019 Informe Previo 7 Electronica
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Laboratorio N 07: EL TRANSISTORUNIPOLAR - FET
Ing. Virginia Romero Fuentes
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de Ingeniera
Lima, Per
INTRODUCCIN
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porue la conducci!n tiene lugar gracias aldespla"amiento de portadores de dos polaridades (#uecos positi$os y electrones negati$os), y son de gran utilidad en gran n%mero
de aplicaciones pero tienen ciertos incon$enientes, entre los ue se encuentra su impedancia de entrada bastante ba&a.
'isten unos dispositi$os ue eliminan este incon$eniente en particular y ue pertenece a la amilia de dispositi$os en los ue eisteun solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. *e llama transistor de eecto campo.
I. OBJETIVO
'l laboratorio deacuerdo a sus eperimentos tiene comoinalidad+
'studiar las caractersticas de la polari"aci!n de
los transistores unipolares de eecto decampo(F').
-eterminar la operaci!n del F' en seal
alterna. Identiicar los terminales, sistema de
polari"aci!n, impedancia de entrada. Identiicar los ni$eles de seal del F' sin
distorci!n.
II. TEORA
A. Combinacin de portadores:
Puesto ue #ay una tensi!n positi$a entre el drenador y elsurtidor, los electrones luirn desde el surtidor al drenador(o $ice$ersa seg%n la coniguraci!n del mismo), aunue #ayue notar ue tambi/n luye una corriente despreciable entreel surtidor (o drenador) y la puerta, ya ue el diodo ormadopor la uni!n canal 0 puerta, esta polari"ado in$ersamente.
'n el caso de un diodo polari"ado en sentido in$erso,donde inicialmente los #uecos luyen #acia la terminalnegati$a de la batera y los electrones del material N, luyen#acia el terminal positi$o de la misma.
Lo anteriormente dic#o se puede aplicar al transistorF', en donde, cuando se aumenta V-* aumenta una regi!ncon empobrecimiento de cargas libres
1uando seleccionamos un transistor tendremos ueconocer el tipo de encapsulado, as como el esuema
de identiicaci!n de los terminales. ambi/n tendremosue conocer una serie de $alores mimos detensiones, corrientes y potencias ue no debemossobrepasar para no destruir el dispositi$o. 'l parmetrode la potencia disipada por el transistor esespecialmente crtico con la temperatura, de modo ueesta potencia decrece a medida ue aumenta el $alorde la temperatura, siendo a $eces necesaria lainstalaci!n de un radiador o aleta rerigeradora. odosestos $alores crticos los proporcionan los abricantesen las #o&as de caractersticas de los distintosdispositi$os.
B. Explicacin de sus elementos o terminales:
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2n transistor de eecto campo (F') tpico estormado por una barrita de material p ! n, llamada canal,rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo dematerial ue orma con el canal una uni!n p3n.'n los etremos del canal se #acen sendas coneiones!#micas llamadas respecti$amente sumidero (d3drain) yuente (s3source), ms una conei!n llamada puerta (g3gate)
en el collar.
La igura muestra el crouis de un F' con canal N.
*mbolos para un F' de canal N
*mbolos para un F' de canal P
Las uniones Puerta3-renador y la *urtidor3Puerta estnpolari"adas en in$ersa de tal orma ue no eiste otracorriente ue la in$ersa de saturaci!n de la uni!n PN.
La "ona n (en el F' canal n) es peuea y la amplitud de la"ona de deplei!n aecta a la longitud eecti$a del canal. Lalongitud de la "ona de deplei!n y depende de la tensi!nin$ersa (tensi!n de puerta).
!o"a# $% &'"(io"a)i%"to $%* tra"#i#tor $% %&%(to $%(a)+o ,FET:
45N6 789I16 o LIN'6L+ 'n esta "ona eltransistor se comporta como una resistencia$ariable dependiente del $alor de V:*. 2nparmetro ue aporta el abricante es laresistencia ue presenta el dispositi$o paraV-*;< (rds on), y distintos $alores de V:*.
45N6 -' *62R61I7N+ 'n esta "ona esdonde el transistor ampliica y se comporta comouna uente de corriente gobernada por V:*
III. PROCEDIIENTO:
=. 1on ayuda del manual o data s#eetreconocer los terminales del F'. -ibu&arsu esuema de pines y colocar sus datos.
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>. 6rmar el circuito =.
?. Polari"ar y medir las terminales del F' con rspecto atierra, e$aluando el punto de operaci!n+
V- ; ==.@V V:* ; 3>A.BBmV
V* ; A$ I- ; >A?u6
@. Repetir el paso anterior para los $alores de R- y R*indicados.
R* ; =C R* ; ?.?C R- ;?.?C
R- ;D.EC
R- ; >CR- ;D.EC
R- ; =C
V- ==V =
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