institut ruĐer boŠkoviĆ -...
TRANSCRIPT
INSTITUTRUĐERBOŠKOVIĆ
Sustav
Tandem
Akceleratora
Povijest akceleratora na Institutu Ruđer
Bošković:
- 1956 – 200 kV neutronski generator (slika dolje)
- 1962 – 16 MeV ciklotron
- 1970 – 200 kV neutronski generator
- 1987 – 6 MV Tandem Van de Graaff
- 2004 – 1 MV HVE Tandetron
- 2009 – 18 MeV IBA protonski ciklotron
200 kV Cockroft Walton akcelerator izgrađen na Institutu
1956. godine. Većinom je radio kao neutronski generator
upotrebljavajući H(d,n) He i, kasnije, H(d,n) reakcije.
Tijekom 15 godina rada na njemu je Izrađeno 30 magisterija
i doktorata.
2 3 3�
Eksperimentalne linije:
�
�
�
�
�
Ionska mikroproba
Komora za ozračivanja s dva ionska snopa
Eksperimentalne linije s komorama za
karakterizacijske metode (višenamjenska, PIXE s
visokim razlučivanjem, komora s visokim
vakuumom za ERDA/RBS spektroskopije)
Komora za nuklearne reakcije
IAEA eksperimentalna linija
Dostupni ionski snopovi:
6.0 MV HVEC EN Tandem Van de Graaff
1.0 MV HVE Tandetron
Ionski izvori:
Ionski izvori:
� 60 keV RF s izmjenom naboja (H,D, He)
Duoplazmatron s direktnom ekstrakcijom (H, D, O)
Izvor težih iona (planiran za 2011)
3,4
�
�
�
Rasprašivački (sputtering) ionski izvori:- 60 keV SNICS 40 za rutinski rad (Li, C, O, Si, Cl i
gotovo svi preostali elementi osim plemenitihplinova)
- 20 keV specijalizirani (prljavi) izvor za rijetkeizotope
1. Analize pomoću ionskog snopa
Ozračivanjem uzorka inducira se emisija raznovrsnih
produkata međudjelovanja. Detekcijom tih produkata mogu
se proučavati svojstva materijala koji je izložen ionskom snopu.
Standardni promjeri ionskog snopa su milimetarskih veličina.
Sustav kvadrupolnih magneta ionske mikroprobe može
fokusirati snop na veličinu ispod 1 μm, čime je omogućena
analiza mikroskopskih uzoraka.
Na posebnoj eksperimentalnoj liniji može se provesti PIXE
analiza uzoraka u zraku. To je posebno važno za analizu
jedinstvenih predmeta kulturne baštine.
PIXE (Particle Induced X-ray Emission) spektroskopija bazira se
na detekciji karakterističnih x-zraka koje emitiraju atomi nakon
ionizacije protonskim snopom.
Iz PIXE spektra dobivenog mjerenjem uzorka pretražnim
fokusiranim snopom može se odrediti raspodjela elemenata u
području pretraživanja.
Ova osjetljiva i multielementalna (11<Z<92) analitička metoda
koristi se u analizi novih materijala, praćenja onečišćenja
lebdećim česticama u zraku, analizi uzoraka predmeta
kulturne baštine kao i za razne primjene u geologiji, biologiji i
medicini.
NRA (Nuclear Reaction Analysis) metoda se temelji na detekciji
produkata nuklearnih reakcija, što je posebice korisno za
analizu lakih elemenata kao što su Li, Be, B, C, N, O.
Elastična raspršenja čestica iz ionskog snopa i izbijanje jezgri iz
uzorka čine bazu RBS i ERDA metoda dubinskog profiliranja.
u nanometarskom području,
a zajedničkom primjenom se mogu analizirati svi elementi
periodnog sustava.
Njihovo dubinsko razlućivanje je
RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry) je
kvantitativna metoda za analizu tankih filmova i slojeva blizu
površine uzorka. Ima vrlo veliku osjetljivost za teške elemente,
a posebice kada je podloga od nekog lakog elementa. Za
kvantitativnu analizu sastava i debljina nisu potrebni
standardi.
Teškoionska mikroproba s kvadrupolnim kvintupletom (gore) i
višenamjenskom vakuumskom komorom (lijevo)
Dva ERDA spektrometra, sustav koji mjeri vrijeme preleta
(TOF) i IEE sustav koji se koristi za lake elemente mogu se
koristiti i sa širokim snopom i sa fokusiranim
mikrometarskim snopom.
ERDA (Elastic Recoil Detection Analysis) metoda, koristeći IEE
ili TOF spektrometre na IRB-u, može bez prekrivanja doprinosa
razlučiti dubinske profile pojedinih elemenata. Zbog toga je
posebno pogodna za analizu lakih elemenata što uključuje i
vodik.
Kada se provedu na ionskoj mikroprobi, metode elastičnog
raspršenja (RBS, ERDA i koincidentno raspršenje) daju uvid u
3D distribuciju elemenata.
Pr
akceler
sustava
Ruđer
IAEAeksperimentalna
linija
Ozračivanjedvostrukim
snopom
PIXE u
zraku
1.0 MV HVE Tandetron
akcelerator
PIXE/RBS
rikaz
ratorskog
a Instituta
Bošković
TOF ERDAPIXE
spektrometars kristalom
6.0 MV EN Tandem Van
de Graaff akcelerator
Nuklearne
reakcije
Ionska
mikroproba
2. Modifikacija materijala
Ionska implantacija, ozračivanje i litografija ionskim snopom
mogu se upotrijebiti za raznovrsne površinske i dubinske
modifikacije materijala.
Dostupne energije iona su u području od nekoliko desetaka
keV-a (iz ionskih izvora) do desetaka MeV-a za teške ione.
Ozračivanje se može vršiti homogeno pomoću jedne ili dvije
vrste ionskih snopova, ili se može upotrijebiti fokusirani ionski
snop za strukturiranje u submikrometarskom području
dimenzija.
Ozračivanje lakim ionima:Mogu se proizvesti homogena oštećenja zračenjem za
samoorganiziranje, litografiju, proučavanje defekata itd.
Primjer: višeslojne strukture Ge nanotočaka u siliciju se
organiziraju uzduž smjera ozračivanja ionima kisika (lijevo);
jako povećanje luminiscencije je opaženo nakon ozračivanja
kompozita PDMS i nanodijamanta s protonskim snopom
(desno).
Ozračivanje brzim teškim ionima:Veliki transfer energije brzih teških iona (energije veće od 1
MeV/amu) omogućuje formiranje latentnih tragova
oštećenja promjera do desetak nanometara koji su pogodni
za razvoj novih metoda nanostrukturiranja.
Pojedinačni ionski tragovi:
Latentni tragovi iona se nakon jetkanja mogu koristiti kao
kalupi za različite nanostrukture.
Nakon ozračivanja SrTiO ionima
joda pod malim kutem, na AFM
slikama se primjećuju lanci
nanouzvisina čija dužina ovisi o
energiji iona - 13 MeV (a), 18
MeV (b) i 28 MeV (c).
2
Ionska implantacija se koristi kao metoda za ubacivanje
stranih atoma na određenu dubinu u uzorcima. U isto vrijeme,
zbog odboja atoma, mijenjaju se i svojstva ozračenog
materijala što uključuje i svojstva transporta naboja.
Vodljivi grafitni kanali u dijamantu proizvedeni
pomoću implantacije fokusiranog 6 MeV C ionskog
snopa i naknadnim grijanjem
Uzduž putanje pojedinačnih iona pri implantaciji se stvaraju
nabojni parovi. Nosioci naboja, ubrzani električnim poljem,
induciraju signal na mjernim elektrodama. Visina signala
proporcionalna je pokretljivosti i vremenu života nosioca
naboja kao i jakosti električnog polja. To je temelj
metode.
IBIC (IonBeam Induced Charge)
2D IBIC slike prikazuju područja smanjene efikasnosti
sakupljanja naboja na granicama zrna u CVD dijamantu
(lijevo) i dislokacijama u Si (desno)
IBIC slika defekata koji su u Si pin diodu unešeni u obliku
Mondrianove slike (dimenzija 400 x 400 μm).
3. Fundamentalni procesi
Fundamentalni procesi povezani s interakcijom ionskog snopa
i materijala:
- Zaustavna moć iona u čvrstim tvarima
- Elastična rapršenja i nuklearne reakcije
Primjer: elastični udarni presjeci za
N(p,p) N reakciju kao funkcija kuta raspršenja
i energije protona.
nat nat
- procesi ionizacije unutarnjih ljuski i emisije X-zraka,
uključujući kemijske efekte i efekte čvrstog stanja
Primjer: Visokorazlučivi PIXE spektar vanadijeve K grupe
linija u spoju V O . Doprinosi drugog reda K ’’ i K jasno se
vide u području energije iznad glavnog vrha. Njihovi položaji
i relativni intenziteti razlikuju se za različite vanadijeve
spojeve.
�
� �2 5 2,5
4. Nuklearna fizika i astrofizika
Područja istraživanja Laboratorija za nuklearnu fiziku:
- Struktura lakih jezgri: grozdovi, molekule
- Nuklearne reakcije s deformiranim jezgrama
- Nuklearne reakcije koje su važne u astrofizici: indirektne
metode
Metoda trojanskog konja: indirektno mjerenje nuklearnih
reakcija na astrofizičkim energijama
Nuklearna molekula:
Proširena struktura
grozdova
• Sustav akceleratora IRB-a dostupan je svim istraživačima iz
sustava znanosti Republike Hrvatske
IAEA eksperimentalna linija na Tandem Van de Graaff
akceleratoru u funkciji je prema sporazumu IAEA-IRB od
1996.g.
Laboratorij za interakcije ionskih snopova IRB-a je član FP7
SPIRIT (Support of Public and Industrial Research Using Ion
beam Technology) mreže koja se sastoji od 11 vodećih
Europskih akceleratorskih laboratorija.
Strani korisnici mogu koristiti postrojenje preko
međunarodnih projekata financiranih od strane EU i IAEA,
te na komercijalnoj osnovi.
•
•
•
Kontakt:
Laboratorij za interakcije ionskih snopova (LIBI)
Bijenička cesta 54, 10000 Zagreb, CROATIA
http://micro.irb.hr
Institut Ruđer Bošković
Financirano iz 6-tog Okvirnog Programa Europske
Unije, Projekt RBI-AF, Ugovor No. 043630