ι밤 싱 藝

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특허 권자 Patentee

등록사항란에 기재

발명 자 Invent。r

등록사항란에 기재

위의 발명은 「특허법」 에 따라 특허등록원부에 등록되었음을 증명합니다.

This is to certify that, in accordance with the Patent Act, a patent for the invention has been registered at the Korean Intellectual Property O해ce.

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‘',‘ 2020년 04월 16일 ~, '~ ‘ r;’낀·’‘∼ι샤.,꾀 ,(i; ”-~i뼈 -므뿔Jt~ 혈-를£헬댈r밟l; ι· 등i (il_~ 사‘코 ‘항드로 현재기준 •i . • ‘-‘ ’

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(19) 한민 특허청(KR)(12) 공개특허공보(A)

(11) 공개 10-2019-0137521

(43) 공개 2019 12월11

(51) 특허 (Int. Cl.)

H01S 5/024 (2006.01) H01S 5/042 (2006.01)

(52) CPC특허

H01S 5/02461 (2013.01)

H01S 5/0425 (2019.08)(21) 원 10-2018-0063785

(22) 원 2018 06월01

심사청 2018 06월01

(71) 원

연 학 산학 단

울특별시 문 연 50 (신 동, 연학 )

과학연

역시 488 160 (수남동)

(72)

우

(74) 리

리앤 특허

체 청 항 수 : 10 항

(54) 칭 다 드

(57) 약

실시 에 , 1 열 상 심 는 1 층, 1 열 상 가 리 고,

1 층 양 측벽과 하는 1 연층, 1 층 1 연층 상에 차 층 1 도체층, 층,

2 도체층 2 열 포함하는 고 다 드가 개시 다.

도 - 도6

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청

청 항 1

1 열 상 심 는 1 층;

상 1 열 상 가 리 고, 상 1 층 양 측벽과 하는 1 연층;

상 1 층 상 1 연층 상에, 차 층 1 도체층, 층, 2 도체층 2 열

; 포함하는 고 다 드.

청 항 2

1 항에 어 ,

상 2 도체층 심 상 2 열 사 에 치 2 층;

상 2 도체층 가 리 상 2 열 사 에 치 고, 상 2 층 양 측벽과 하는 2

연층;

포함하는 고 다 드.

청 항 3

1 항에 어 ,

상 1 층 상 1 연층 1 열 열에 어 , 상 고 다 드 도

심 열 도하는 고 다 드.

청 항 4

2 항에 어 ,

상 2 층 상 2 연층 2 열 열에 어 , 상 고 다 드 도

심 열 도하는 고 다 드.

청 항 5

1항에 어 ,

상 1 층 Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Au, Nb, W, Ti, Cr, Ta,Al, Pd, Pt, Si 어도 한 상 포

함하는 , 합 또는 고 체 고 상 1 연층 SiOx, SixNy, AlxOy 또는 HfxOy 층(x, y 는 연수) 고

다 드.

청 항 6

1 항에 어 ,

상 1 도체층 1 클래드층 1 SCH(Separate Confinement Heterostructure)층 포함하고,

상 2 도체층 2 클래드층 2 SCH(Separate Confinement Heterostructure)층 포함하는 고

다 드.

청 항 7

6 항에 어 ,

상 1 SCH층 상 2 SCH층 GaiInjPk층(i+j+k=1, 0<i<1, 0<j<1, 0<k<1) 고,

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상 1 클래드층 AlaGabIncP N-type 도체층(a+b+c=1, 0<a<1, 0<b<1, 0<c<1) 고 상 2 클래드층

AleGafIngP P-type 도체층(e+f+g =1, 0<e<1, 0<f<1, 0<g<1) 거나,

상 1 클래드층 AlaGabIncP P-type 도체층(a+b+c=1, 0<a<1, 0<b<1, 0<c<1) 고 상 2 클래드층

AleGafIngP N-type 도체층(e+f+g=1, 0<e<1, 0<f<1, 0<g<1) 고 다 드.

청 항 8

상에 순차 1 도체층, 층 2 도체층 하는 단계;

상 2 도체층 상 심 는 2 층 하는 단계;

상 2 도체층 상 가 리 고 상 2 층 양 측벽과 하는 2 연층 하는

단계;

상 거하는 단계;

상 1 도체층 하 심 에 1 층 상 1 도체층 하 가 리 에 치 고 1

층 양 측벽과 하는 1 연층 하는 단계;

상 1 층 상 1 연층 하 에 1 열 하는 단계;

상 2 층 상 2 연층 상 에 2 열 하는 단계;

포함하는 고 다 드 .

청 항 9

8 항에 어 ,

상 1 도체층, 층 2 도체층 하는 단계는

상 과 상 1 도체층 사 에, 순차 생층(sacrificial layer) 식각 지층(etch stop

layer) 하는 단계 포함하고,

상 1 층 상 1 연층 하는 단계는 상 식각 지층 하 심 에 1 층 합

하고 상 식각 지층 하 가 리 에 1 연층 합하는 고 다 드 .

청 항 10

9항에 어 ,

상 거하는 단계는,

Epitaxial liftoff 또는 Laser liftoff 공 에 해 상 생층 식각하는 고 다 드

.

술 야

본 개시는 다 드 에 한 것 다.[0001]

경 술

고 다 드(High-power broad-area semiconductor laser diode)는 고 , 비 크[0002]

해 , 산업 , 상업 비재 도 등에 고 스 리 사 고 다.

다 드는 합 n 도체층과 p 도체층 다. 다 드는 합 도체층[0003]

에 주 시키게 , 에 지 드(energy band) 도 역(conduction band)에 해당하는 n 도체층

가 역(valence band)에 해당하는 p 도체층 공 재결합 , 에 지 드갭에 해당

하는 에 지 (optic) 태 시킨다. 특 , 다 드는 에 지 드갭 큰 도체층 사 에

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상 낮 에 지 드갭 갖는 물질 층 도 (stimulated emission) 한다.

에 라, 간 (coherency) 가시키는 진 생 , 층에 생 는 든 동 한

향과 상 가지 폭 어, 매우 얻게 다.

그러나, 고 역 다 드는 고 주 해 생하는 열 해 능 하 양 우[0004]

물 도 프 균 함 하여 측 향 가 생하는 문 가 다.

내

해결하 는 과

다양한 실시 들 다 드 공하는 다. 본 개시가 루고 하는 술 과[0005]

는 상 같 술 과 들 한 지 않 , 하 실시 들 또 다 술 과 들

수 다.

과 해결 수단

상술한 술 과 해결하 한 수단 , 측 에 고 다 드는, 1 열 상[0006]

심 는 1 층; 1 열 상 가 리 고, 1 층 양 측벽과 하는 1 연

층; 1 층 1 연층 상에, 차 층 1 도체층, 층, 2 도체층 2 열 ; 포

함할 수 다.

상 고 다 드는 2 도체층 심 2 열 사 에 치 2 층; 2 도체[0007]

층 가 리 2 열 사 에 치 2 연층; 포함할 수 다.

1 층 1 연층 1 열 열에 어 , 고 다 드 도 심[0008]

열 도할 수 다.

또한, 2 층 2 연층 2 열 열에 어 , 고 다 드 도 심[0009]

열 도할 수 다.

1 층 Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Au, Nb, W, Ti, Cr, Ta,Al, Pd, Pt, Si 어도 한 상 포함하는[0010]

, 합 또는 고 체 고, 1 연층 SiOx, SixNy, AlxOy 또는 HfxOy 층(x, y 는 연수) 수 다.

1 도체층 1 클래드층 1 SCH(Separate Confinement Heterostructure)층 포함하고, 2 도체층[0011]

2 클래드층 2 SCH(Separate Confinement Heterostructure)층 포함할 수 다.

실시 에 , 1 SCH층 2 SCH층 GaiInjPk층(i+j+k=1, 0<i<1, 0<j<1, 0<k<1) 고, 1 클래드[0012]

층 AlaGabIncP N-type 도체층(a+b+c=1, 0<a<1, 0<b<1, 0<c<1) 고 2 클래드층 AleGafIngP P-type 도체

층(e+f+g =1, 0<e<1, 0<f<1, 0<g<1) 거나, 1 클래드층 AlaGabIncP P-type 도체층(a+b+c=1, 0<a<1,

0<b<1, 0<c<1) 고 2 클래드층 AleGafIngP N-type 도체층(e+f+g=1, 0<e<1, 0<f<1, 0<g<1) 수 다.

또한, 다 측 에 고 다 드 , 상에 순차 1 도체층, 층[0013]

2 도체층 하는 단계; 2 도체층 상 심 는 2 층 하는 단계; 2 도

체층 상 가 리 고 2 층 양 측벽과 하는 2 연층 하는 단계; 거하는

단계; 1 도체층 하 심 에 1 층 1 도체층 하 가 리 에 치 고 1 층

양 측벽과 하는 1 연층 하는 단계; 1 층 상 1 연층 하 에 1 열 하

는 단계; 2 층 2 연층 상 에 2 열 하는 단계; 포함할 수 다.

상 1 도체층, 층 2 도체층 하는 단계는 과 1 도체층 사 에, 순차 생[0014]

층(sacrificial layer) 식각 지층(etch stop layer) 하는 단계 포함하고, 1 층 1

연층 하는 단계는 식각 지층 하 심 에 1 층 합하고 식각 지층 하 가 리 에

1 연층 합할 수 다.

거하는 단계는, Epitaxial liftoff 또는 Laser liftoff 공 에 해 생층 식각할 수 다. [0015]

과

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본 개시에 고 다 드는 고 다 드 에 고 주 해 생하는 [0016]

열 열하 , 동시에 도 심 과 가 리 도 프 균 하게 하여 측 향

far-field 수 다.

도 간단한

도 1 고 다 드 도시한 사시도 다. [0017]

도 2는 고 다 드에 가해지는 값에 과 양 우물 도 나타낸 그래프 다.

도 3 고 다 드 측 향 사각에 사 측 한 그래프 다.

도 4는 실시 에 거 쪽 열 포함하는 고 다 드 도시한 사시

도 다.

도 5는 실시 에 고 다 드 도시한 사시도 다.

도 6 실시 에 고 다 드 도시한 사시도 다.

도 7 실시 에 고 다 드 하는 도시한 도 다.

도 8a는 층 contact size 변 에 라 실시 에 고 다 드 양 우물(quantum

well) 도 포 나타낸 그래프 다.

도 8b는 층 contact size 변 에 라 실시 에 고 다 드 측 향 사각에

사 측 한 그래프 다.

도 9는 층 contact size 변 에 라 실시 에 고 다 드 양 우물 도 포

사 가 1/e　2　(0.135) 사각 나타낸 그래프 다.

실시하 한 체 내

본 실시 들에 사 는 어는 본 실시 들에 능 고 하 가능한 재 리 사 는 [0018]

어들 택하 나, 는 당 술 야에 사하는 술 도 또는 , 새 운 술 등에 라

달라질 수 다. 또한, 특 한 경우는 어도 , 경우 해당 실시 에 상

그 미 재할 것 다. 라 , 본 실시 들에 사 는 어는 단순한 어 칭 아닌, 그 어

가 가지는 미 본 실시 들 에 걸친 내 어야 한다.

실시 들에 한 들에 , 어 다 과 연결 어 다고 할 , 는 직 연결 어 는[0019]

경우뿐 아니라, 그 간에 다 사 에 고 연결 어 는 경우도 포함한다. 또한 어

어 포함한다고 할 , 는 특별 는 재가 없는 한 다 하는 것

아니라 다 포함할 수 는 것 미한다.

본 실시 들에 사 는 " 다" 또는 "포함한다" 등 어는 상에 재 여러 들, 도[0020]

는 여러 단계들 드시 포함하는 것 해 지 않아야 하 , 그 들 또는 단계

들 포함 지 않 수도 고, 또는 가 또는 단계들 포함할 수 는 것 해 어야

한다.

하 실시 들에 한 리 한하는 것 해 지 말아야 하 , 해당 술 야 당업 가 [0021]

하게 할 수 는 것 실시 들 리 에 하는 것 해 어야 할 것 다. 하 첨 도 들

참 하 지 시 한 실시 들 상 하 한다.

본 실시 들 다 드 에 한 것 하 실시 들 하는 술 야에[0022]

통상 지식 가진 에게 리 알 는 사항들에 해 는 한 생략한다.

도 1 고 다 드 도시한 사시도 다. [0023]

도 1 참 하 , 고 다 드(10)는 (100) 포함할 수 고, (100) 상에 1 도체층[0024]

(110)과 층(120), 2 도체층(130) 2 열 (150)가 차 층 다.

(100) GaAs 도체층 또는 InP 도체층 수 다. 또는 (100) 사 어 같 고 항 [0025]

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수 다.

층(120) - 공 등 캐리어 재결합에 해 어나는 물질층 , 다 양 우물(MQW:[0026]

Multi Quantum Well) 갖는 도체층 람직하다.

1 도체층(110) 1 클래드층(111) 1 SCH층(112)(Separate Confinement Heterostructure) 포함한[0027]

다. 1 SCH층(112) 층(120)에 비해 낮고, 1 클래드층(111)보다는 다.

2 도체층(130) 2 클래드층(132) 2 SCH층(131)(Separate Confinement Heterostructure) 포함한[0028]

다. 2 SCH층(131) 층(120)에 비해 낮고, 2 클래드층(132)보다는 다. 웨 브가

드(waveguide) 하 해 2 클래드층(132) 는 상 돌 수 다.

도 2는 고 다 드에 가해지는 값에 과 양 우물 도 나타낸 그래프 다. [0029]

도 2는 (100) 상에 1 도체층(110)과 층(120), 2 도체층(130) 2 열 (150)가 차 [0030]

층 도 1 고 다 드(10) 양 우물 도 측 한 것 다.

고 다 드(10)가 사할 열 생 다. 도 2 참 하 , 고 다 드(10)[0031]

생 도가 도 상 아질수 고 다 드(10) 낮아지는 특 갖는다.

라 도 해 고 다 드(10) 낮아지게 , 동 지하 해 고

다 드(10)에 가 가해지게 다. 는 또다시 열 생 어

고 다 드(10) 능 하 가 큰 원 도 한다. 라 , 열 고 한 다

드 계가 하다.

도 3 고 다 드 측 향 사각에 사 측 한 그래프 다. [0032]

도 3 (100) 상에 1 도체층(110)과 층(120), 2 도체층(130) 2 열 (150)가 차 [0033]

층 도 1 고 다 드(10) 측 향 사각(Lateral far-field angle)에 사

측 한 것 다.

도 3 그래프는 측 향 사각에 사 , 사 가 고 지 1 하여 규[0034]

값 한다.

고 다 드 사 가 1/e　2　(0.135) 측 향 사각(lateral far field angle)[0035]

질(beam quality) 단 수 다.

사 가 1/e　2　(0.135) 측 향 사각 크 가 클수 , 고 다 드 사[0036]

수평 향 게 진다는 것 미한다. 라 , 사 가 1/e　2　(0.135) 측 향 사각

크 가 수 사 직진 보 어 질 가할 수 다.

도 3 그래프 참고하 , 도 1에 도시 고 다 드(10) 사 가 1/e　2　(0.135) [0037]

측 향 사각 략 7˚ 값 갖게 다.

라 , 도 1 고 다 드(10) 측 향 사각 비 큰 편 므 , 사 직진 보[0038]

지 않는 개 하여 질 가시킬 필 가 다.

도 4는 실시 에 거 쪽 열 포함하는 고 다 드 도시한 사시도 다. [0039]

도 4 고 다 드(40)는 1 열 (140) 상에 1 클래드층(111) 1 SCH층(112) 포함하는[0040]

1 도체층(110), 층(120), 2 클래드층(132) 2 SCH층(131) 포함하는 2 도체층(130) 2

열 (150)가 차 층 다.

래에는 층 쪽에 열 연결하여 생하는 열 한 고 다 드 능 하 해결하[0041]

고 했 나, 한 열 루어지지 않아 능 하 해결하 가 어 웠다.

래 달리, 도 4 실시 에 고 다 드(40)는 층 쪽 2 도체층(130) 상 에[0042]

2 열 (150) 연결할 뿐만 아니라, 열 도 지 않 (100) 거한 후, 1 도체층(110) 하

에 1 열 (140)도 연결하여 열 루어질 수 도 한다.

도 4 고 다 드(40)에 , 1 열 (140), 1 클래드층(111), 1 SCH층(112), 1 도체층[0043]

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(110), 층(120), 2 클래드층(132), 2 SCH층(131) 2 도체층(130) 각각 도 1 1 열

(140), 1 클래드층(111), 1 SCH층(112), 1 도체층(110), 층(120), 2 클래드층(132), 2 SCH층

(131) 2 도체층(130)과 동 하다.

1 열 (140) 2 열 (150)는 , 합 , 또는 고 체 수 Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Au,[0044]

Nb, W, Ti, Cr, Ta,Al, Pd, Pt, Si 어도 한 상 포함할 수 다.

층(120) 들 InGaAs, InP, InGaAs, InGaAsP, AlGaAs, GaAs 또는 GaN층 수 다.[0045]

실시 , 1 클래드층(111) 들 AlaGabIncP N-type (a+b+c=1, 0<a<1, 0<b<1, 0<c<1), InaPb N-[0046]

type(a+b=1, 0<a<1, 0<b<1) 또는 AlaGabAsc N-type(a+b+c=1, 0<a<1, 0<b<1, 0<c<1) 도체층 수 다. 2 클

래드층(132) AleGafIngP P-type 도체층(e+f+g =1, 0<e<1, 0<f<1, 0<g<1), InePf P-type(e+f=1, 0<e<1,

0<f<1) 또는 AleGafAsg P-type(e+f+g=1, 0<e<1, 0<f<1, 0<g<1) 도체층 수 다. 1 SCH층(112) 2 SCH

층(131) 들 GaiInjPk층(i+j+k=1, 0<i<1, 0<j<1, 0<k<1) 수 다.

다 실시 , 1 클래드층(111) 들 AlaGabIncP P-type (a+b+c=1, 0<a<1, 0<b<1, 0<c<1), InaPb P-[0047]

type(a+b=1, 0<a<1, 0<b<1) 또는 AlaGabAsc P-type(a+b+c=1, 0<a<1, 0<b<1, 0<c<1) 도체층 수 다. 2 클

래드층(132) AleGafIngP N-type 도체층(e+f+g =1, 0<e<1, 0<f<1, 0<g<1), InePf N-type(e+f=1, 0<e<1,

0<f<1) 또는 AleGafAsg N-type(e+f+g=1, 0<e<1, 0<f<1, 0<g<1) 도체층 수 다. 1 SCH층(112) 2 SCH

층(131) 들 GaiInjPk층(i+j+k=1, 0<i<1, 0<j<1, 0<k<1)) 수 다.

1 열 (140), 2 열 (150), 층(120), 1 클래드층(111), 1 SCH층(112), 2 클래드층(132) [0048]

2 SCH층(131) 다양한 물질들 루어질 수 , 상 재한 물질들 한 지 않는다.

도 5는 실시 에 고 다 드 개략 도시한 사시도 다.[0049]

도 5 참 하 , 실시 에 고 다 드(50)는 1 열 (140) 상 심 는 1[0050]

층(160), 1 열 (140) 상 가 리 고, 상 1 층(160) 양 측벽과 하는 1 연

층 (161), 1 층(160) 1 연층(161) 상에 차 층 1 도체층(110), 층(120), 2

도체층(130) 2 열 (150) 포함한다.

도 5에 도시 고 다 드(50) 1 열 (140), 1 도체층(110), 층(120), 2 도체층[0051]

(130) 2 열 (150)는 도 4에 도시 고 다 드(40) 1 열 (140), 1 도체층

(110), 층(120), 2 도체층(130) 2 열 (150) 동 하다.

사 가 1/e　2　(0.135) 측 향 사각 값 커지는 far-field blooming 상 양 우물[0052]

도 포에 도 심 가 리 도 차 한 에 한다. 도 5 참 하 ,

x=0 지 도 심 에 해당하 , x값 가함에 라 도 가 리 갈수 도가 낮

아지는 , 러한 도 해 열 과(thermal lensing effect)가 생한다.

도 3에 상술한 같 , 러한 도 차 에 한 열 과는 질 하시킨다. 라 , 양[0053]

우물 도 포에 도 심 가 리 도 차 감 시 열 과 할 수

다. 해, 1 열 (140) 상 심 에 1 층(160) 하고, 1 열 (140)상 가

리 에 1 연층(161) 할 수 다. , 1 층(160) 양 측벽과 1 연층(161) 하도

수 다.

연층 열 도도는 층 열 도도에 비해 훨씬 낮 므 , 층 한 도 심 에 열[0054]

집 루어 양 우물 도 포에 도 심 가 리 간 도 가 어들 수

다.

1 층(160) , 합 , 또는 고 체 수 Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Au, Nb, W, Ti, Cr,[0055]

Ta,Al, Pd, Pt, Si 어도 한 상 포함할 수 다. 1 연층(161) 들 SiOx, SixNy, AlxOy

또는 HfxOy 층(x, y 는 연수) 수 다.

1 층(160) 1 연층(161) 다양한 물질들 루어질 수 , 상 재한 물질들 한 지[0056]

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않는다.

도 6 실시 에 고 다 드 개략 도시한 사시도 다.[0057]

도 6 참 하 , 실시 에 고 다 드(60)는 1 열 (140) 상 심 는 1[0058]

층(160), 1 열 (140) 상 가 리 고 1 층(160) 양 측벽과 하는 1 연층

(161), 1 층(160) 상 1 연층(161) 상에 차 층 1 도체층(110), 층(120), 2

도체층(130) 심 2 열 (150)사 에 치 2 층(170), 2 도체층(130) 가 리

2 열 (150)사 에 치 고 2 층(170) 양 측벽과 하는 2 연층(171), 2 도체층(130)

2 열 (150) 포함한다.

도 6에 도시 고 다 드(60) 1 열 (140), 1 층(160), 1 연층(161), 1 도체[0059]

층(110), 층(120), 2 도체층(130) 2 열 (150)는 도 5에 도시 고 다 드(50)

1 열 (140), 1 층(160), 1 연층(161), 1 도체층(110), 층(120), 2 도체층(130)

2 열 (150) 동 하다.

도 5 고 다 드(50) 비 할 , 도 6 고 다 드(60)는 1 열 (140) 1[0060]

도체층(110) 사 뿐만 아니라, 2 열 (150) 2 도체층(130) 사 에도 층 연층 포함하고

다는 다 다.

또한, 웨 브가 드(waveguide) 하 해 2 클래드층(132) 는 상 돌 수 , 돌[0061]

2 클래드층(132) 상 에 2 층(170) 치할 수 다. 돌 지 않 2 클래드층(132) 상 에

는 2 연층(171) 치할 수 다.

도 6 고 다 드(60)는 1 열 열에 어 도 심 열 도할 뿐[0062]

만 아니라, 2 열 열에 어 도 도 심 열 도할 수 다. 라 , 도 5 고

다 드(50)보다 양 우물 도 포 균 하게 만들어, 열 과 억 할 수 다.

층 contact size는 1 도체층(110)과 1 열 (140) 사 층 층 양 쪽에 [0063]

연층 사 에 갖는 비(width) 미한다.

도 7 실시 에 고 다 드 하는 순 도시한 사시도 다.[0064]

도 7 체 , 도 6 실시 에 고 다 드(60) 하는 에 한 것 다. [0065]

도 7 (a) 참 하 , (100) 상에 순차 1 도체층(110), 층(120) 2 도체층(130)[0066]

할 수 다. 2 도체층(130) 상 에는, 2 도체층(130) 상 심 는 2 층(170)

2 도체층(130) 상 가 리 고 2 층(170) 양 측벽과 하는 2 연층(171) 할 수

다.

또한, (100)과 1 도체층(110) 1 클래드층(111) 사 에, 순차 생층(180)(sacrificial[0067]

layer) 식각 지층(190)(etch stop layer) 할 수 다. 생층(180) 들 AlAs층 수

, 식각 지층(190) 들 GaAs층 수 다. 생층(180) 식각 지층(190) 후에 (10

0) 거하 해 삽 다.

도 7 (b) 참 하 , 도 4(a) 고 다 드 상 에 웨 본 술(wafer[0068]

bonding technique)에 해 합 다. 는 고 다 드(60) 과 에 핸들링 하게

하 함 다.

도 7 (c) 참 하 , (100) ELO(Epitaxial Lift-Off) 또는 LLO(Laser Lift-Off) 공 에 해 거[0069]

다. 체 , 생층(180) 식각함 (100) 거 다.

도 7 (d) 참 하 , (100) 거한 후에 남 식각 지층(190) 하 심 에 1 층(160),[0070]

식각 지층(190) 하 가 리 에 1 연층(161) 할 수 다. , 1 연층(161) 1

층(160) 양 측벽과 하도 할 수 다.

도 7 (e) 참 하 , 1 층(160) 1 연층(161) 하 에 1 열 (140) 하고, 2 [0071]

층(170) 2 연층(171) 상 에 2 열 (150) 할 수 다.

도 8a는 층 contact size 변 에 라 실시 에 고 다 드 양 우물(quantum[0072]

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well) 도 포 나타낸 그래프 다.

도 8a 그래프에 , Normal 도 1에 도시 (100) 상에 1 클래드층(111) 1 SCH층(112) 포함하는[0073]

1 도체층(110), 2 클래드층(132) 2 SCH층(131) 포함하는 2 도체층(130) 2 열 (150)

순차 층한 고 다 드(10)에 해당한다.

contact size가 100 μm, 200 μm, 300 μm, 400 μm, 500 μm 600 μm 각 그래프는 도 6에 도시[0074]

고 다 드(60) 1 층(160) 1 층(160) 양 측벽에 하도 1 연층

(161) 사 에 각각 100μm, 200 μm, 300 μm, 400 μm, 500 μm 600 μm 비(width) 가질

미한다.

Distance는 도 6 고 다 드(60)에 도시 x 에 x값 미한다. distance 값 0 [0075]

도 심 미하 , Distance 값 커질수 심 어지는 도 가 리 미한

다.

도 8a 그래프 참 하 , 도 1 고 다 드(Normal)(10) 실시 에 도 6 고 [0076]

다 드(60) 각각 양 우물 도 비 할 수 다. 고 다 드(Normal)(10)에 비해 도 6

고 다 드(60) 양 우물 도가 감 하 알 수 다.

또한, 실시 에 도 6 고 다 드(60)는 1 층(160) contact size가 가함에 [0077]

라 양 우물 도가 감 한다. 는 1 층(160) contact size가 가할수 , 1 층

(160) 하 1 열 (140) 열량 가하여 열 항 감 하 문 다.

그러나, 도 8a 참 하 , 본 실시 에 도 6 고 다 드(60)는 1 층(16[0078]

0) contact size가 가함에 라 양 우물 도 포에 도 심 가 리 도 차 가

커짐 알 수 다.

도 8b는 층 contact size 변 에 라 실시 에 고 다 드 측 향 사각에 [0079]

사 측 한 그래프 다.

도 8a 마찬가지 , 그래프상 Normal 도 1에 도시 (100) 상에 1 클래드층(111) 1 SCH층(11[0080]

2) 포함하는 1 도체층(110), 2 클래드층(132) 2 SCH층(131) 포함하는 2 도체층(130) 2

열 (150) 순차 층한 고 다 드(10)에 해당한다.

또한, contact size가 100 μm, 200 μm, 300 μm, 400 μm, 500 μm 600 μm 각 그래프는 도 6에[0081]

도시 고 다 드(60) 1 층(160) 1 층(160) 양 측벽에 하도 1

연층(161) 사 에 각각 100μm, 200 μm, 300 μm, 400 μm, 500 μm 600 μm 비(width) 가질

미한다.

도 8b 참 하 , 측 향 사각에 사 는 사 가 peak 지 1 하여 규[0082]

값 다. 고 다 드 사 가 1/e　2　(0.135) 사각

질 단할 수 다.

도 6에 도시 고 다 드(60)는 1 층(160) contact size가 가함에 라 사 [0083]

가 1/e　2　(0.135) 사각 가함 알 수 다. 는 층 contact size가 수 양 우물

도 포에 도 심 가 리 도 차 가 아, 도 한 열 과(thermal

lensing effect)가 상 생하 문 다.

도 9는 층 contact size 변 에 라 실시 에 고 다 드 양 우물 도 포[0084]

사 가 1/e　2　(0.135) 사각 나타낸 그래프 다.

도 9 참 하 , 1 도체층(110)과 1 열 (140)사 1 층(160) 1 층(160) 양 측벽과[0085]

하는 1 연층(161) 사 에 가지는 비(width)가 100 μm에 600 μm 가할수 , 양 우물 도가

감 하는 열 루어지고 알 수 다.

그러나, 1 층(160) 비(width)가 가할수 , 사 가 1/e　2　(0.135) 사각 가[0086]

한다. 는 1 층(160) 비(width)가 가할수 질 하 고 미한다.

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라 , 열 도 질 고 할 , 1 층(160) 비(width)는 100 μm에 300 μm[0087]

값 가지는 것 가 할 수 다.

지 본 에 하여 그 람직한 실시 들 심 살펴보았다. 본 하는 술 야에 통[0088]

상 지식 가진 는 본 본 본질 특 에 어나지 않는 에 변 태

수 해할 수 것 다. 그러므 개시 실시 들 한 아니라 에 고

어야 한다. 본 는 술한 아니라 특허청 에 나타나 , 그 동등한 내에

는 든 차 본 에 포함 것 해 어야 할 것 다.

도

도 1

도 2

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도 3

도 4

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도 5

도 6

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도 7

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도 8a

도 8b

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도 9

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